DRV8842-EP 為打印機(jī)、掃描儀和 其他自動(dòng)化設(shè)備應(yīng)用。該器件具有一個(gè) H 橋驅(qū)動(dòng)器，旨在 驅(qū)動(dòng)一個(gè)直流電機(jī)、一個(gè)步進(jìn)電機(jī)的線圈或其他負(fù)載。輸出驅(qū)動(dòng)塊包括 配置為 H 橋的 N 溝道功率 MOSFET。DRV8842-EP 可提供高達(dá) 5A 的峰值或 3.5A RMS 輸出電流（在 24 V 和 25°C 下具有適當(dāng)?shù)纳崞鳎?br />*附件：drv8842-ep.pdf

提供單獨(dú)的輸入以獨(dú)立控制 H 橋的每一半。

提供內(nèi)部關(guān)斷功能，用于過流保護(hù)、短路 保護(hù)、欠壓鎖定和過溫。

DRV8842-EP 采用 28 引腳 HTSSOP 封裝，具有 PowerPAD（環(huán)保：RoHS &; no Sb/Br）。

特性

• 單H橋電流控制電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
  • 驅(qū)動(dòng)一個(gè)直流電機(jī)、一個(gè)步進(jìn)
    電機(jī)的線圈或其他執(zhí)行器
  • 5 位繞組電流控制允許多達(dá)
    32 個(gè)電流電平
  • 低 MOSFET 導(dǎo)通電阻
• 24 V、25°C 時(shí)最大驅(qū)動(dòng)電流為 5A
• 內(nèi)置3.3V基準(zhǔn)輸出
• 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)PWM控制接口
• 8.2V至45V工作電源電壓范圍
• 熱增強(qiáng)型表面貼裝封裝
• 支持國防、航空航天和醫(yī)療應(yīng)用
  • 受控基線
  • 一個(gè)組裝和測試站點(diǎn)
  • 一個(gè)制造現(xiàn)場
  • 提供軍用（–55°C 至 125°C）
    溫度范圍
  • 延長產(chǎn)品生命周期
  • 擴(kuò)展產(chǎn)品變更通知
  • 產(chǎn)品可追溯性

參數(shù)

方框圖

?1. 核心特性?

• ?驅(qū)動(dòng)架構(gòu)?：單H橋電流控制電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，支持驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)單線圈或其他執(zhí)行器，內(nèi)置5位繞組電流控制（32級電流調(diào)節(jié)），MOSFET導(dǎo)通電阻低（HS/LS均為0.13–0.17Ω）。
• ?性能參數(shù)?：
  • 最大驅(qū)動(dòng)電流5A（24V/25°C條件下），工作電壓范圍8.2V至45V。
  • 內(nèi)置3.3V參考電壓輸出，支持PWM控制接口。
• ?可靠性設(shè)計(jì)?：
  • 軍工級應(yīng)用支持：-55°C至125°C工作溫度，符合延長產(chǎn)品生命周期要求。
  • 集成保護(hù)功能：過流保護(hù)（OCP）、短路保護(hù)、欠壓鎖定（UVLO）、熱關(guān)斷（TSD）。

?2. 典型應(yīng)用?

• ?適用場景?：打印機(jī)、掃描儀、辦公自動(dòng)化設(shè)備、游戲機(jī)、工業(yè)自動(dòng)化及機(jī)器人。
• ?優(yōu)勢?：
  • 高集成度：單芯片解決方案，減少外部元件數(shù)量。
  • 精確電流控制：通過VREF引腳和外部檢測電阻（如100mΩ）設(shè)定滿量程電流（如3.5A），支持5%–100%分級調(diào)節(jié)。

?3. 功能模塊詳解?

• ?電流控制?：
  • 固定頻率PWM斬波控制，通過ISEN引腳檢測電流（增益5V/V），結(jié)合VREF電壓和DAC（I0-I4引腳）實(shí)現(xiàn)電流分級。
  • 計(jì)算公式：滿量程電流 IFS=VREF5×RSENSEIFS ? =5×RSENSE?VREF??。
• ?衰減模式?：
  • 支持快衰減（電流反向）、慢衰減（電流續(xù)流）和混合衰減模式，通過DECAY引腳選擇。
• ?保護(hù)機(jī)制?：
  • 過流保護(hù)響應(yīng)時(shí)間<1μs，熱關(guān)斷閾值150°C（自動(dòng)恢復(fù)）。

?4. 引腳與接口?

• ?關(guān)鍵引腳?：
  • ?IN1/IN2?：H橋控制輸入，支持PWM調(diào)速。
  • ?I0-I4?：5位DAC輸入，設(shè)置電流百分比。
  • ?nSLEEP/nRESET?：低功耗模式（靜態(tài)電流20μA）和邏輯復(fù)位控制。
• ?電源管理?：
  • VM引腳需并聯(lián)0.1μF陶瓷電容和100μF電解電容，V3P3OUT需0.47μF去耦電容。

?5. 熱設(shè)計(jì)與封裝?

• ?散熱方案?：
  • PowerPAD? HTSSOP-28封裝（9.7mm×4.4mm），底部散熱焊盤需連接PCB地平面。
  • 熱阻參數(shù)：θJA=35.6°C/W（自然對流）。
• ?布局建議?：
  • 高頻路徑（如CP1/CP2）需短走線，電荷泵電容（0.01μF）靠近引腳放置。

?6. 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)?

• ?電流精度?：ISEN檢測電壓誤差±10%（滿量程），建議使用1%精度電阻。
• ?衰減模式選擇?：快衰減適用于高速響應(yīng)，慢衰減降低EMI。
• ?故障診斷?：通過nFAULT引腳輸出狀態(tài)，結(jié)合Status寄存器識別具體故障類型。

?總結(jié)?：DRV8842-EP是一款高可靠性、高集成度的電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片，適用于需精密電流控制的工業(yè)及消費(fèi)類應(yīng)用，其軍工級規(guī)格和靈活配置能力使其在嚴(yán)苛環(huán)境中表現(xiàn)優(yōu)異。