來源：群星結(jié)局

總所周知，一般我們在對通信芯片互連的時候，要求兩者的IO接口電平標準是一樣的，而在學習FPGA與DDR互連的時候，查看網(wǎng)上的資料卻很少提及這方面，都是直接教你怎么連接，不明所以，所以這里簡單做了下筆記。

SSTL邏輯電平

SSTL邏輯電平一般用在DDR SDRAM存儲接口上，與DRAM標準協(xié)議有關(guān)：

SSTL_25 IO標準適用于DDR SDRAM存儲接口（2.5V）；

SSTL_18 IO標準適用于DDR2 SDRAM存儲接口（1.8V）；

SSTL_15 IO標準適用于DDR3 SDRAM存儲接口（1.5V）；

SSTL_135 IO標準適用于DDR3L SDRAM存儲接口（1.35V）；

SSTL_12 IO標準適用于DDR4 SDRAM存儲接口（1.2V）；

一般CPU的IO和DDR都會默認兼容SSTL邏輯電平，所以不需要邏輯電平轉(zhuǎn)換。

SSTL電路結(jié)構(gòu)

常見的LVTTL（Low-Voltage TTL）是由TTL發(fā)展而來，TTL一般指的是5V邏輯電平，LVTTL則小于3.6V。CMOS和LVCMOS電平同理。

LVTTL和SSTL電路結(jié)構(gòu)如下：

LVTTL的輸入和輸出都采用CMOS逆變器結(jié)構(gòu)，由一對增強型NMOS和PMOS組成，結(jié)構(gòu)簡單，但是由于這種結(jié)構(gòu)在工藝、溫度上匹配較差，所以開啟閾值電壓較大，進而保證可靠的開關(guān)。

SSTL的輸出端和LVTTL類似，最大不同是輸入端采用差分電路，輸入信號與Vref參考電壓比較，使得在輸入電壓波動小的情況下也能實現(xiàn)較大的輸出，再給到后面的電路。

SSTL_15

這里以DDR3使用的SSTL_15為例，Xilinx的7系列FPGA的IO支持各種電平標準，其中就包括DDR3的SSTL_15，SSTL_15又分為SSTL_15和SSTL_15_R，區(qū)別在于驅(qū)動電流大小。

對于單片DDR3，使用SSTL_15_R有助于減小信號過沖和提高信號完整性，多片DDR3還是建議使用SSTL_15。

端接要求

對于HR BANK上的單端單向信號，因為內(nèi)部沒有DCI功能（數(shù)字阻抗控制功能，DCI可以控制輸出驅(qū)動阻抗或者添加并行端接在驅(qū)動器或者接收器，精確匹配傳輸線阻抗，保證信號傳輸完整性，只有HP有這個功能），需要使用外部并聯(lián)端接匹配。對于SSTL_15，只需要在接收端加上拉電阻。

對于HP BANK上的單端單向信號，因為內(nèi)部有DCI功能，不需要使用外部并聯(lián)終端匹配。

以上是單端單向信號，對應DDR3上就是地址總線、命令和控制線。

同理，對于HR BANK上單端雙向信號，需要在兩端都加上并聯(lián)端接：

對于HP BANK上單端雙向信號：

以上是單端雙向信號，對應DDR3上就是數(shù)據(jù)總線。

對于常見的A7系列，因為基本上都是HR BANK，所以沒有DCI功能，那么為什么大部分原理圖，DDR3的數(shù)據(jù)總線都沒有在FPGA一側(cè)增加并聯(lián)端接呢？這是因為HR BANK為IO增加了可選的IN_TERM屬性，可以為IO增加戴維南等效并聯(lián)端接，該選項的目標等效電阻值可以為40Ω、50Ω和60Ω；缺點是不能進行校準，會受到溫度和電壓變化的影響，而DCI就能校準外部電阻，克服這些問題。

對于HR BANK上差分單向信號，有兩種端接方式，一種是在各自單端線路上加并聯(lián)端接，另一種是在差分線路之間加并聯(lián)端接：

對于HP BANK上差分單向信號則可以使用DCI功能。

以上差分單向信號就對應DDR3的時鐘線。