chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

中科微電ZK60N04NF:DFN封裝加持的中低壓功率控制核心

中科微電半導(dǎo)體 ? 2025-11-05 16:15 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

在中低壓功率電子系統(tǒng)中,MOS管的性能參數(shù)與封裝形式直接決定了電路的效率、可靠性與集成度。ZK60N04NF作為一款聚焦實(shí)用化的N溝道MOS管,以60V耐壓、40A電流承載能力及DFN5*6封裝的精準(zhǔn)組合,在消費(fèi)電子、工業(yè)控制新能源等領(lǐng)域的功率轉(zhuǎn)換電路中脫穎而出,成為平衡性能、成本與空間的核心元器件,彰顯了功率器件“按需定制”的研發(fā)理念。
60V耐壓與40A電流的參數(shù)配比,為ZK60N04NF錨定了清晰的應(yīng)用邊界。60V的額定電壓精準(zhǔn)覆蓋了12V、24V、48V等常見中低壓供電系統(tǒng),無論是工業(yè)設(shè)備的輔助電源,還是新能源汽車的低壓模塊,都能輕松適配,同時(shí)預(yù)留的電壓冗余的設(shè)計(jì),可有效抵御電路中因負(fù)載突變產(chǎn)生的尖峰電壓,避免器件擊穿損壞。40A的額定電流則賦予其強(qiáng)勁的功率承載能力,在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、快充輸出等大電流場景中,能夠穩(wěn)定傳輸能量,應(yīng)對瞬時(shí)負(fù)載沖擊,相較于同電壓等級的小電流MOS管,適用范圍大幅拓寬,減少了器件選型的復(fù)雜度。
DFN5*6封裝的采用,是ZK60N04NF適配現(xiàn)代電子設(shè)備發(fā)展趨勢的關(guān)鍵亮點(diǎn)。DFN(雙列扁平無引腳)封裝取消了傳統(tǒng)TO封裝的引腳結(jié)構(gòu),5*6毫米的緊湊尺寸僅為傳統(tǒng)封裝的1/3,極大節(jié)省了PCB板的占用空間,這對于追求小型化的智能手機(jī)快充頭、便攜式儲(chǔ)能電源、小型工業(yè)控制器而言至關(guān)重要,為整機(jī)的輕薄化設(shè)計(jì)提供了可能。更重要的是,DFN封裝底部裸露的散熱焊盤能夠直接與PCB板的導(dǎo)熱層緊密貼合,散熱效率較傳統(tǒng)封裝提升40%以上,配合器件本身的低損耗特性,可有效控制大電流工作時(shí)的溫度,避免因過熱導(dǎo)致的性能衰減,延長產(chǎn)品使用壽命。此外,無引腳設(shè)計(jì)還減少了引腳寄生電感和電阻對電路的干擾,提升了高頻開關(guān)場景下的穩(wěn)定性,讓器件在復(fù)雜電路中表現(xiàn)更可靠。
先進(jìn)的制造工藝為ZK60N04NF的性能突破提供了堅(jiān)實(shí)保障。結(jié)合當(dāng)前功率半導(dǎo)體的技術(shù)主流,ZK60N04NF大概率采用成熟的Trench(溝槽)工藝,通過在硅片表面構(gòu)建精密的溝槽結(jié)構(gòu),能夠大幅提升溝道密度,從而將導(dǎo)通電阻降至極低水平。低導(dǎo)通電阻帶來的直接優(yōu)勢是能量損耗的降低——在40A大電流工作狀態(tài)下,功率損耗被有效控制,不僅提升了整個(gè)電路系統(tǒng)的能效比,符合節(jié)能環(huán)保的發(fā)展趨勢,還進(jìn)一步減少了器件發(fā)熱,與DFN封裝的散熱優(yōu)勢形成協(xié)同,構(gòu)建起“低損耗+高散熱”的雙重保障體系,讓器件在滿負(fù)荷工況下仍能穩(wěn)定運(yùn)行。
精準(zhǔn)的性能定位,讓ZK60N04NF在多個(gè)核心領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)價(jià)值落地。在消費(fèi)電子領(lǐng)域,其60V/40A的參數(shù)組合完美適配65W及以上大功率快充充電器,作為功率輸出回路的核心開關(guān)器件,能夠穩(wěn)定承載大電流輸出,配合低導(dǎo)通損耗特性,既確保了快速充電效率,又通過控溫設(shè)計(jì)解決了快充頭發(fā)熱的行業(yè)痛點(diǎn);在便攜式儲(chǔ)能電源中,ZK60N04NF可作為充放電回路的主開關(guān),面對儲(chǔ)能電池的大電流充放電需求,其穩(wěn)定的電流承載能力與高效散熱性能,保障了電源系統(tǒng)的可靠運(yùn)行,為戶外用電提供持續(xù)支持。
在工業(yè)控制與汽車電子領(lǐng)域,ZK60N04NF同樣發(fā)揮著重要作用。在小型直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中,如工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的伺服電機(jī)、智能家居中的驅(qū)動(dòng)電機(jī),其快速的開關(guān)響應(yīng)能夠精準(zhǔn)控制電機(jī)的啟停與轉(zhuǎn)速調(diào)節(jié),40A的電流承載能力則足以應(yīng)對電機(jī)啟動(dòng)時(shí)的瞬時(shí)沖擊電流,提升設(shè)備運(yùn)行的穩(wěn)定性;在汽車電子的低壓輔助系統(tǒng)中,如車載導(dǎo)航、車載充電器模塊,其耐溫性好、抗干擾能力強(qiáng)的特點(diǎn),能夠適應(yīng)汽車內(nèi)部復(fù)雜的振動(dòng)、高溫環(huán)境,為車載電子設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行提供保障。
一款優(yōu)秀的功率MOS管,從來都是參數(shù)優(yōu)化、工藝升級與場景需求的深度融合。ZK60N04NF以60V/40A的核心參數(shù)為基礎(chǔ),通過DFN5*6封裝的小型化創(chuàng)新與Trench工藝的性能提升,精準(zhǔn)擊中了中低壓大電流場景的核心需求。在功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向“高效化、小型化、高可靠”轉(zhuǎn)型的今天,這樣聚焦實(shí)用化的產(chǎn)品不僅為下游企業(yè)提供了高性價(jià)比的解決方案,更彰顯了器件制造企業(yè)以市場需求為導(dǎo)向的研發(fā)實(shí)力,為電子產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展注入了持續(xù)動(dòng)力。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電子元器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    134

    文章

    3755

    瀏覽量

    112635
  • 場效應(yīng)管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    47

    文章

    1274

    瀏覽量

    69614
  • MOS
    MOS
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    1511

    瀏覽量

    99396
  • 驅(qū)動(dòng)芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    13

    文章

    1530

    瀏覽量

    57487
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    中科電車規(guī)MOS管ZK60G270G:汽車核心系統(tǒng)的高效功率控制解決方案

    中科電車規(guī)MOS管ZK60G270G:汽車核心系統(tǒng)的高效功率控制解決方案
    的頭像 發(fā)表于 09-30 13:50 ?440次閱讀
    <b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b>電車規(guī)MOS管<b class='flag-5'>ZK60</b>G270G:汽車<b class='flag-5'>核心</b>系統(tǒng)的高效<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>控制</b>解決方案

    中科MOS管ZK30N100G的技術(shù)優(yōu)勢與場景革命

    中科ZK30N100G的型號命名,是對其核心性能的直觀注解:“30” 對應(yīng)30A持續(xù)漏極電流(I_D) ,滿足中大
    的頭像 發(fā)表于 10-09 16:49 ?418次閱讀
    <b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>電</b>MOS管<b class='flag-5'>ZK30N</b>100G的技術(shù)優(yōu)勢與場景革命

    中科ZK60N120G:SGT工藝賦能的高壓大電流MOS管標(biāo)桿

    中科ZK60N120G是一款專為中大功率場景設(shè)計(jì)的N 溝道增強(qiáng)型
    的頭像 發(fā)表于 10-10 17:51 ?588次閱讀
    <b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>電</b><b class='flag-5'>ZK60N</b>120G:SGT工藝賦能的高壓大電流MOS管標(biāo)桿

    ZK30N100G:Trench工藝加持的100A低壓MOS管,重構(gòu)低壓功率控制新生態(tài)

    低壓功率電子領(lǐng)域,“大電流承載”與“低損耗運(yùn)行”始終是終端設(shè)備追求的核心目標(biāo)。中科推出的
    的頭像 發(fā)表于 10-22 10:59 ?123次閱讀
    <b class='flag-5'>ZK30N</b>100G:Trench工藝<b class='flag-5'>加持</b>的100A<b class='flag-5'>低壓</b>MOS管,重構(gòu)<b class='flag-5'>低壓</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>控制</b>新生態(tài)

    ZK100G325P深度應(yīng)用解析:SGT工藝賦能的中低壓MOS管大功率場景革新

    中科ZK100G325P作為N溝道功率MOS管,以100V耐壓、超300A持續(xù)電流的硬核參數(shù)
    的頭像 發(fā)表于 10-24 17:53 ?681次閱讀
    <b class='flag-5'>ZK</b>100G325P深度應(yīng)用解析:SGT工藝賦能的<b class='flag-5'>中低壓</b>MOS管大<b class='flag-5'>功率</b>場景革新

    中科ZK200G120B:源廠技術(shù)賦能的中低壓MOS管性能標(biāo)桿

    在工業(yè)自動(dòng)化、新能源汽車、通信電源等中低壓功率場景中,功率MOS管的性能直接決定系統(tǒng)的能效、可靠性與成本控制。作為國產(chǎn)功率半導(dǎo)體源廠的代表性
    的頭像 發(fā)表于 10-25 11:32 ?116次閱讀
    <b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>電</b><b class='flag-5'>ZK</b>200G120B:源廠技術(shù)賦能的<b class='flag-5'>中低壓</b>MOS管性能標(biāo)桿

    中科ZK60G270G:車規(guī)級MOSFET中低壓場景的性能標(biāo)桿

    在汽車電子的中低壓功率控制領(lǐng)域,從電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向(EPS)到智能水泵、風(fēng)機(jī)系統(tǒng),對器件的可靠性、效率與電流承載能力提出了嚴(yán)苛要求。中科
    的頭像 發(fā)表于 10-27 14:18 ?127次閱讀
    <b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>電</b><b class='flag-5'>ZK60</b>G270G:車規(guī)級MOSFET<b class='flag-5'>中低壓</b>場景的性能標(biāo)桿

    SGT工藝加持下的高效功率器件:中科ZK150G09T MOS管全面解讀

    損耗與穩(wěn)定性,成為行業(yè)研發(fā)的核心課題。中科作為國內(nèi)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)先行者,憑借對SGT(屏蔽柵溝槽)工藝的深度鉆研,推出了
    的頭像 發(fā)表于 10-28 12:03 ?79次閱讀
    SGT工藝<b class='flag-5'>加持</b>下的高效<b class='flag-5'>功率</b>器件:<b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>電</b><b class='flag-5'>ZK</b>150G09T MOS管全面解讀

    雙向控制賦能低壓場景:中科ZK4030DS MOS管技術(shù)解析與應(yīng)用探索

    一、參數(shù)解構(gòu):N+P雙溝道的性能優(yōu)勢在低壓功率電子領(lǐng)域,對器件雙向電流控制能力、電壓適配性及能效的要求日益嚴(yán)苛,中科
    的頭像 發(fā)表于 10-28 15:34 ?212次閱讀
    雙向<b class='flag-5'>控制</b>賦能<b class='flag-5'>低壓</b>場景:<b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>電</b><b class='flag-5'>ZK</b>4030DS MOS管技術(shù)解析與應(yīng)用探索

    中科ZK30N140T:Trench工藝加持低壓大電流MOS管新標(biāo)桿

    功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,中科憑借多年技術(shù)積淀,持續(xù)推出契合市場需求的核心器件。針對低壓大電流場景中
    的頭像 發(fā)表于 10-31 14:55 ?100次閱讀
    <b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>電</b><b class='flag-5'>ZK30N</b>140T:Trench工藝<b class='flag-5'>加持</b>的<b class='flag-5'>低壓</b>大電流MOS管新標(biāo)桿

    中科ZK60N06DS:N+N,低壓mos管功率控制的集成化新選擇

    ZK60N06DS這款采用N+N雙管集成結(jié)構(gòu)的MOSFET,正是為響應(yīng)這一需求而生——60V耐壓覆蓋主流低壓系統(tǒng),5.8A單管載流適配中低
    的頭像 發(fā)表于 11-03 15:39 ?157次閱讀
    <b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>電</b><b class='flag-5'>ZK60N</b>06DS:<b class='flag-5'>N+N</b>,<b class='flag-5'>低壓</b>mos管<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>控制</b>的集成化新選擇

    中科ZK150G09T:SGT工藝驅(qū)動(dòng)的中壓小封裝MOSFET創(chuàng)新實(shí)踐

    中科研發(fā)的N溝道MOSFET ZK150G09T,以150V耐壓、90A連續(xù)電流、TO-252-2L薄型
    的頭像 發(fā)表于 11-04 16:20 ?113次閱讀
    <b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>電</b><b class='flag-5'>ZK</b>150G09T:SGT工藝驅(qū)動(dòng)的中壓小<b class='flag-5'>封裝</b>MOSFET創(chuàng)新實(shí)踐

    中科ZK150G05T:中壓小封裝功率器件的適配型創(chuàng)新

    中科推出的N溝道MOSFET ZK150G05T,以150V耐壓、51A連續(xù)電流、TO-252-2L薄型
    的頭像 發(fā)表于 11-04 16:27 ?328次閱讀
    <b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>電</b><b class='flag-5'>ZK</b>150G05T:中壓小<b class='flag-5'>封裝</b><b class='flag-5'>功率</b>器件的適配型創(chuàng)新

    中科ZK60N04NFN溝槽MOS管中的場景適配專家

    功率半導(dǎo)體的細(xì)分賽道中,MOS管的性能參數(shù)直接決定著電路系統(tǒng)的效率與可靠性。ZK60N04NF這款明確標(biāo)注“N溝槽”屬性的MOS管,以60V額定電壓、40A額定電流與
    的頭像 發(fā)表于 11-05 11:24 ?50次閱讀
    <b class='flag-5'>中科</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>電</b><b class='flag-5'>ZK60N04NF</b>:<b class='flag-5'>N</b>溝槽MOS管中的場景適配專家

    ZK40N100G:PDFN封裝賦能的中低壓大電流MOS管標(biāo)桿

    中低壓功率電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中,MOS管的電流承載能力、封裝尺寸與能效表現(xiàn),是決定產(chǎn)品競爭力的核心要素。ZK40N100G作為一款高性能
    的頭像 發(fā)表于 11-05 16:30 ?106次閱讀
    <b class='flag-5'>ZK40N</b>100G:PDFN<b class='flag-5'>封裝</b>賦能的<b class='flag-5'>中低壓</b>大電流MOS管標(biāo)桿