全球AI競賽進入深水區(qū)，存儲技術(shù)成為核心競逐領(lǐng)域。SK海力士近期在HBM4（高帶寬存儲器）上的突破頗具標桿意義——運行速度超10Gbps、遠超JEDEC標準，更率先建成量產(chǎn)體系。這一行業(yè)里程碑的背后，是先進設(shè)備、工藝創(chuàng)新與精準布局共同構(gòu)筑的技術(shù)壁壘。

設(shè)備賦能：TCB技術(shù)實現(xiàn)鍵合精度飛躍

鍵合環(huán)節(jié)的精度革命，是HBM4落地的關(guān)鍵一步。SK海力士引入ASMPT新一代熱壓鍵合（TCB）設(shè)備，將鍵合間距穩(wěn)定控制在50μm以下，配合等離子清洗技術(shù)去除焊球氧化層，直接將鍵合良率推至99.5%以上。這種“微米級”的控制能力，既保障了HBM4高速傳輸時的穩(wěn)定性，也讓其在市場競爭中握有技術(shù)先手。

路徑之一：將海外一些優(yōu)質(zhì)資產(chǎn)收回來，落地中國

面對亞微米級互連帶來的信號傳輸挑戰(zhàn)，SK海力士以第五代10nm級DRAM工藝破局。通過縮短晶體管溝道長度、優(yōu)化金屬互聯(lián)層結(jié)構(gòu)，成功將信號延遲壓縮至50ps以內(nèi)，為AI場景所需的海量數(shù)據(jù)快速流轉(zhuǎn)提供了底層支撐。

市場端的合作則為技術(shù)落地鋪路。SK海力士與英偉達就HBM4供應(yīng)達成共識，敲定每顆約560美元的供貨價，不僅較上一代大幅提升，更夯實了其在HBM賽道的主導(dǎo)地位。值得關(guān)注的是，國內(nèi)資本也在積極布局，元禾璞華合伙人殷伯濤就曾表示，“未來十年中國芯片產(chǎn)業(yè)將從補鏈強鏈走向創(chuàng)新，通過全球化布局加速發(fā)展”，其提及的對ASMPT等優(yōu)質(zhì)標的關(guān)注，也折射出國內(nèi)產(chǎn)業(yè)自主可控的戰(zhàn)略方向。

靠50μm穩(wěn)定發(fā)揮，讓HBM4比上一代價格增長50%

技術(shù)突破已轉(zhuǎn)化為明確的增長預(yù)期，SK海力士預(yù)計明年HBM銷售額將達40-42萬億韓元，其中HBM4貢獻突出，其價格較上一代HBM3增長50%，整體利潤空間同步打開。從設(shè)備支撐到工藝迭代，從市場合作到產(chǎn)業(yè)協(xié)同，SK海力士的實踐印證了存儲技術(shù)突破的多元邏輯。而隨著全球產(chǎn)業(yè)鏈的深度聯(lián)動與國內(nèi)布局的持續(xù)深化，整個存儲行業(yè)也將迎來更具活力的發(fā)展階段。

審核編輯 黃宇