ADS8661和ADS8665屬于基于逐次逼近 （SAR） 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 （ADC） 的集成數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)系列。這些器件具有高速、高精度 SAR ADC、集成模擬前端 （AFE） 輸入驅(qū)動(dòng)電路、高達(dá) ±20 V 的過壓保護(hù)電路以及具有極低溫度漂移的片內(nèi) 4.096V 基準(zhǔn)電壓源。

這些器件采用單 5V 模擬電源供電，但支持 ±12.288 V、±6.144 V、±10.24 V、±5.12 V 和 ±2.56 V 的真正雙極性輸入范圍，以及 0 V 至 12.288 V、0 V 至 10.24 V、0 V 至 6.144 V 和 0 V 至 5.12 V 的單極性輸入范圍。增益和失調(diào)誤差在每個(gè)輸入范圍的指定值內(nèi)精確調(diào)整，以確保高直流精度。輸入范圍選擇通過器件內(nèi)部寄存器的軟件編程完成。無論所選輸入范圍如何，這些器件都提供高電阻輸入阻抗（≥ 1 MΩ）。

多SPI數(shù)字接口向后兼容傳統(tǒng)SPI協(xié)議。此外，可配置的功能簡化了與各種主機(jī)控制器的接口。
*附件：ads8661.pdf

特性

• 12位ADC，集成模擬前端
• 高速：
  • ADS8661：1.25 MSPS
  • ADS8665：500 kSPS
• 軟件可編程輸入范圍：
  • 雙極性范圍：±12.288 V、±10.24 V、±6.144 V、±5.12 V 和 ±2.56 V
  • 單極性范圍：0 V–12.288 V、0 V–10.24 V、0 V–6.144 V 和 0 V–5.12 V
• 5V 模擬電源：1.65V 至 5V I/O 電源
• 恒定電阻輸入阻抗 ≥ 1 MΩ
• 輸入過壓保護(hù)：高達(dá) ±20 V
• 片內(nèi)4.096V基準(zhǔn)電壓源，具有低漂移
• 卓越的性能：
  • DNL：±0.1 LSB;INL：±0.15 LSB
  • 信噪比：74分貝;總諧失真：–102 分貝
• ALARM →高、低閾值
• 帶菊花鏈的多SPI?接口
• 擴(kuò)展的工業(yè)溫度范圍：–40°C 至 +125°C

參數(shù)

方框圖

ADS866x 是德州儀器推出的集成式數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)（DAQ）系列，包含 ADS8661 和 ADS8665 兩個(gè)型號(hào)，以 12 位 SAR ADC 為核心，集成模擬前端、過壓保護(hù)和低漂移基準(zhǔn)源，支持寬范圍可編程輸入，專為工業(yè)數(shù)據(jù)采集、模擬輸入模塊等場景設(shè)計(jì)。

一、核心特性與關(guān)鍵參數(shù)

1. 基礎(chǔ)性能

• 分辨率與采樣率：12 位分辨率，無丟失碼；ADS8661 最高 1.25 MSPS，ADS8665 最高 500 kSPS。
• 輸入范圍：軟件可編程雙極性（±2.56 V 至 ±12.288 V）和單極性（0 V 至 5.12 V 至 12.288 V）輸入，輸入阻抗 ≥1 MΩ。
• 精度與動(dòng)態(tài)性能：DNL ±0.1 LSB，INL ±0.15 LSB；SNR 74 dB，THD -102 dB，SFDR 103 dB，失真抑制能力優(yōu)異。

2. 核心功能

• 集成保護(hù)與基準(zhǔn)：輸入過壓保護(hù)達(dá) ±20 V（AVDD=5 V 時(shí)），片上 4.096 V 基準(zhǔn)源，溫度漂移低至 4 ppm/°C。
• 接口特性：multiSPI 接口，兼容標(biāo)準(zhǔn) SPI 協(xié)議，支持菊花鏈拓?fù)浜碗p SDO 輸出，最高 SCLK 頻率 66.67 MHz。
• 報(bào)警功能：支持輸入電壓高低閾值報(bào)警和 AVDD 電源電壓監(jiān)控報(bào)警，報(bào)警信號(hào)可通過引腳或寄存器輸出。

3. 供電與功耗

• 供電電壓：模擬電源 AVDD 4.75 V-5.25 V，數(shù)字電源 DVDD 1.65 V-AVDD，支持獨(dú)立供電。
• 功耗模式：支持 NAP 低功耗模式和深度掉電模式，掉電模式功耗低至 0.25 μA，適配低功耗場景。

二、產(chǎn)品型號(hào)差異

三、應(yīng)用場景

適用于模擬輸入模塊、混合信號(hào)模塊（AI/AO/DI/DO）、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)（DAQ）、軌道信號(hào)控制等工業(yè)場景，尤其適配需要寬輸入范圍、高抗干擾和高可靠性的采集需求。

四、設(shè)計(jì)與使用建議

1. 電源與去耦

• 模擬電源（AVDD）和數(shù)字電源（DVDD）需分開布線，就近放置 1 μF 陶瓷去耦電容和 10 μF 電解電容，減少噪聲耦合。
• 基準(zhǔn)源引腳（REFIO、REFCAP）需單獨(dú) decoupling，REFIO 搭配 4.7 μF 電容，REFCAP 搭配 10 μF 電容，保證基準(zhǔn)穩(wěn)定性。

2. 輸入與保護(hù)

• 輸入信號(hào)需匹配源阻抗，AIN_P 與 AIN_GND 引腳對(duì)稱布線，減少地電位差影響。
• 雖內(nèi)置過壓保護(hù)，但建議外部增加 ESD 和浪涌保護(hù)器件，避免長時(shí)間過壓損壞。

3. 布局要點(diǎn)

• 區(qū)分模擬與數(shù)字區(qū)域，采用單點(diǎn)接地平面，模擬信號(hào)遠(yuǎn)離數(shù)字信號(hào)線。
• 所有接地引腳通過短路徑連接到地平面，去耦電容緊貼電源引腳，避免過孔，降低阻抗。

五、封裝與訂購信息

• 封裝規(guī)格：16 引腳 TSSOP（PW）封裝，尺寸 5.00 mm×4.40 mm，最大高度 1.2 mm，適配高密度 PCB 布局。
• 訂購型號(hào)：批量供應(yīng)型號(hào)如 ADS8661IPWR（2000 個(gè) / 卷）、ADS8665IPW（90 個(gè) / 管），符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，MSL 等級(jí) 3，峰值回流溫度 260°C。

六、寄存器與配置

• 核心寄存器：涵蓋設(shè)備 ID、復(fù)位與功耗控制、輸入范圍選擇、報(bào)警閾值設(shè)置等 9 個(gè)配置寄存器，支持通過 SPI 讀寫。
• 配置靈活：可通過寄存器選擇輸入范圍、接口協(xié)議、報(bào)警使能、低功耗模式等，適配不同應(yīng)用需求。