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選型手冊(cè):MOT1514G 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司 ? 2025-10-29 10:22 ? 次閱讀
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仁懋電子(MOT)推出的 MOT1514G 是一款面向低壓大電流場(chǎng)景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,憑借超低導(dǎo)通損耗、大電流承載能力及緊湊封裝設(shè)計(jì),廣泛適用于計(jì)算設(shè)備電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、無(wú)線充電等領(lǐng)域。以下從品牌定位、器件特性、電氣參數(shù)等維度展開(kāi)詳細(xì)說(shuō)明。

一、品牌背景:仁懋電子(MOT)與低壓高效功率半導(dǎo)體布局

仁懋電子(MOT)聚焦功率半導(dǎo)體器件研發(fā),在低壓大電流 MOSFET 領(lǐng)域具備技術(shù)積累,產(chǎn)品以 “低導(dǎo)通電阻、高電流密度” 為核心優(yōu)勢(shì),服務(wù)于消費(fèi)電子、計(jì)算設(shè)備、工業(yè)控制等場(chǎng)景。MOT1514G 系列作為其低壓高效產(chǎn)品線的代表型號(hào),針對(duì) 100V 級(jí)大電流場(chǎng)景優(yōu)化了導(dǎo)通電阻與熱管理,在高頻開(kāi)關(guān)、大電流負(fù)載控制等場(chǎng)景中表現(xiàn)突出。

二、MOT1514G 基本信息

MOT1514G 為N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,核心定位 “100V 級(jí)低壓大電流高效開(kāi)關(guān)器件”,適配計(jì)算設(shè)備電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。其核心特性包括:

  • 電壓適配:漏源極耐壓(VDS)達(dá) 100V,兼容低壓大電流供電系統(tǒng);
  • 電流能力:25℃ 下連續(xù)漏極電流(ID)為 38A,脈沖漏極電流(IDpk)達(dá) 154A,滿足負(fù)載瞬間啟動(dòng)與持續(xù)工作需求;
  • 導(dǎo)通損耗:柵源電壓(VGS=10V)下導(dǎo)通電阻(RDS (on))典型值為 11.6mΩ,VGS=4.5V 時(shí)為 16.5mΩ,低壓大電流場(chǎng)景下?lián)p耗極低;
  • 封裝形式:采用 PDFN5X6-8L 貼片封裝,5000 片 / 卷的包裝形式滿足高密度電路板的批量生產(chǎn)需求。

三、核心特性

MOT1514G 圍繞 “低壓大電流高效開(kāi)關(guān)” 需求打造,具備以下技術(shù)優(yōu)勢(shì):

  • 超低導(dǎo)通電阻:11.6mΩ(VGS=10V)的典型導(dǎo)通電阻,在 38A 大電流傳輸時(shí)熱損耗顯著降低,提升系統(tǒng)能效;
  • 低柵極電荷:優(yōu)化柵極電荷特性,降低驅(qū)動(dòng)電路功耗,支持高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用(如 PWM 控制的電源管理);
  • 高電流密度:38A 連續(xù)電流能力在 PDFN5X6 緊湊封裝下實(shí)現(xiàn)高集成度,適配計(jì)算設(shè)備、無(wú)線充電模塊的小型化設(shè)計(jì);
  • 無(wú)鉛封裝:采用 Pb-free 引腳鍍層,符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn),適配綠色電子制造要求;
  • 優(yōu)異熱管理:結(jié)到環(huán)境熱阻(θJA)僅 3.9℃/W,大電流工況下結(jié)溫控制更穩(wěn)定。

四、關(guān)鍵電氣參數(shù)(Tc=25℃,除非特殊說(shuō)明)

1. 絕對(duì)最大額定值

  • 漏源極電壓(VDS):最大值 100V,超過(guò)此值易導(dǎo)致器件擊穿;
  • 柵源極電壓(VGS):±20V,柵極驅(qū)動(dòng)需控制在該范圍以避免氧化層損壞;
  • 連續(xù)漏極電流(ID):38A(Tc=25℃),隨結(jié)溫升高需降額使用;
  • 脈沖漏極電流(IDpk):154A(脈沖寬度≤300μs,占空比≤2%),支持負(fù)載短時(shí)過(guò)載;
  • 雪崩能量(EAS):?jiǎn)蚊}沖最大值 45mJ,應(yīng)對(duì)感性負(fù)載關(guān)斷時(shí)的能量沖擊;
  • 功耗(PD):32W(Tc=25℃),需結(jié)合散熱設(shè)計(jì)保障長(zhǎng)期可靠工作;
  • 結(jié)溫范圍(TJ):-55~+150℃,存儲(chǔ)溫度范圍與結(jié)溫區(qū)間一致。

2. 熱特性

結(jié)到環(huán)境熱阻(θJA)3.9℃/W,反映器件在自然散熱條件下的熱傳導(dǎo)效率,需結(jié)合 PCB 布局與散熱措施優(yōu)化結(jié)溫。

五、封裝與型號(hào)釋義

型號(hào) MOT1514G 中,“MOT” 為品牌標(biāo)識(shí)(仁懋電子),“1514” 為主型號(hào)(低壓大電流 MOSFET 系列代號(hào)),“G” 為版本標(biāo)識(shí)(無(wú)鹵環(huán)保級(jí),PDFN5X6 封裝)。其封裝 PDFN5X6-8L 是 5mm×6mm 尺寸的貼片封裝,8 引腳布局適配高密度計(jì)算設(shè)備、無(wú)線充電模塊的電路板設(shè)計(jì),包裝形式為 5000 片 / 卷,滿足規(guī)?;a(chǎn)需求。

六、典型應(yīng)用場(chǎng)景

MOT1514G 憑借 100V 耐壓、38A 大電流及低導(dǎo)通損耗特性,典型應(yīng)用包括:

  • 計(jì)算設(shè)備電源管理:在服務(wù)器、筆記本的電源模塊中作為功率開(kāi)關(guān),低損耗特性提升電源轉(zhuǎn)換效率與續(xù)航能力;
  • 負(fù)載開(kāi)關(guān)與無(wú)線充電:用于快速負(fù)載切換電路、無(wú)線充電接收端的功率控制,高電流密度適配小型化設(shè)計(jì);
  • 電機(jī)驅(qū)動(dòng):適用于小型直流電機(jī)的驅(qū)動(dòng)控制,大電流能力支持電機(jī)高效啟動(dòng)與運(yùn)行;
  • 高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用:利用低柵極電荷特性,在 PWM 控制的高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定切換。

七、信息來(lái)源

仁懋電子(MOT)官方產(chǎn)品手冊(cè)(注:上述參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理,實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊(cè)及器件批次測(cè)試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。)

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