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龍騰半導(dǎo)體超結(jié)MOSFET重新定義AI算力電源

龍騰半導(dǎo)體 ? 來(lái)源:龍騰半導(dǎo)體 ? 2026-03-23 11:16 ? 次閱讀
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隨著人工智能AI)和大模型訓(xùn)練的爆發(fā)式增長(zhǎng),AI服務(wù)器的功耗正以前所未有的速度攀升。從NVIDIA H100到B200,單卡功耗已突破1000W,整機(jī)柜功率甚至沖向100kW以上。在這場(chǎng)算力與電力的賽跑中,電源轉(zhuǎn)換效率成為關(guān)鍵瓶頸。而超結(jié)MOSFET憑借其極低的導(dǎo)通損耗和優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能,已成為AI服務(wù)器高壓直流母線(PFC級(jí))與初級(jí)開(kāi)關(guān)(LLC級(jí))的核心器件。

AI服務(wù)器電源通常采用兩級(jí)架構(gòu)或三相直接供電:

前級(jí) PFC(功率因數(shù)校正): 將交流輸入(220V AC 或 三相 380V AC)整流升壓,形成穩(wěn)定的高壓直流母線(通常為 400V DC)。

后級(jí) DC/DC(隔離轉(zhuǎn)換): 將400V母線電壓轉(zhuǎn)換為AI芯片所需的低電壓(如48V或12V),再通過(guò)板載VRM降壓至1V以下。

超結(jié)MOSFET主要部署在PFC級(jí)和DC/DC的初級(jí)側(cè)(一次側(cè))。

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圖:AC/DC電源電路架構(gòu)

龍騰超結(jié)MOSFET三大核心優(yōu)勢(shì)賦能AI算力

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龍騰半導(dǎo)體作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的功率器件供應(yīng)商,其600V/650V超結(jié)MOSFET產(chǎn)品線,能夠覆蓋不同功率等級(jí)和應(yīng)用場(chǎng)景,滿足AI服務(wù)器電源的多樣化需求。該系列產(chǎn)品憑借出色的綜合性能,實(shí)現(xiàn)了三大核心優(yōu)勢(shì),精準(zhǔn)適配AI服務(wù)器電源的嚴(yán)苛需求:

極低的導(dǎo)通電阻

采用先進(jìn)的電荷平衡技術(shù),實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)·A 品質(zhì)因數(shù),有效降低導(dǎo)通損耗,提升電能轉(zhuǎn)換效率。

優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能

低柵極電荷(Qg)和低輸出電容(Coss),支持高頻開(kāi)關(guān),提升功率密度。

強(qiáng)健的體二極管

集成快恢復(fù)體二極管(HP&HF系列),滿足LLC等軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涞膰?yán)苛要求,確保系統(tǒng)在高速開(kāi)關(guān)下的可靠性與穩(wěn)定性。

龍騰超結(jié)MOSFETAI服務(wù)器電源選型方案

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針對(duì)不同功率段的鈦金級(jí)電源模塊,龍騰半導(dǎo)體推出了多款核心適配型號(hào),如:LSB60R063HP、LSB65R070HP、LSB65R041HF、LSB65R031HF、LSB60R031HP、LSB60R022HF等,充分體現(xiàn)了龍騰在超結(jié)MOSFET領(lǐng)域深厚的技術(shù)積累和對(duì)AI服務(wù)器市場(chǎng)的精準(zhǔn)洞察。

根據(jù)行業(yè)主流設(shè)計(jì),AI服務(wù)器電源模塊(PSU)通常采用“PFC + LLC”的經(jīng)典架構(gòu),PFC級(jí)可能采用兩相或三相無(wú)橋交錯(cuò)拓?fù)?,LLC級(jí)則多為全橋諧振拓?fù)洹?/p>

龍騰半導(dǎo)體核心器件選型方案

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注: 表中單臺(tái)8卡AI服務(wù)器采用1+1冗余電源配置(即2個(gè)電源模塊),故總用量為單臺(tái)電源用量的2倍。實(shí)際應(yīng)用中,高功率服務(wù)器常采用N+1冗余(如4個(gè)模塊),總用量將成倍增加。

銷(xiāo)售詳情咨詢

如果您對(duì)龍騰600V/650V超結(jié)MOSFET的選型或應(yīng)用方案感興趣,歡迎聯(lián)系我們獲取樣品和技術(shù)支持。

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原文標(biāo)題:算力背后的“功率心臟”:龍騰超結(jié)MOSFET,用更高能效定義AI算力電源

文章出處:【微信號(hào):xa_lonten,微信公眾號(hào):龍騰半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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