革新電源設(shè)計：B3M040065R SiC MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET，賦能高效高密度電源系統(tǒng)

——傾佳電子助力OBC、AI算力電源、服務(wù)器及通信電源升級

引言：功率器件的代際革命

在OBC（車載充電機）、AI算力電源、服務(wù)器電源及通信電源領(lǐng)域，高功率密度、超高效率和高溫穩(wěn)定性已成為核心訴求。傳統(tǒng)超結(jié)MOSFET雖曾推動技術(shù)進(jìn)步，但面對新一代電源的MHz級開關(guān)頻率、多相并聯(lián)及高溫運行需求，其開關(guān)損耗大、體二極管反向恢復(fù)差等瓶頸日益凸顯。

傾佳電子 力推 BASiC B3M040065R SiC MOSFET，以碳化硅材料顛覆性性能，為高端電源設(shè)計提供終極解決方案！

B3M040065R核心優(yōu)勢解析

1. 極低損耗，解鎖MHz級開關(guān)頻率

超低導(dǎo)通電阻：僅40mΩ@18V（Typ.），比同級超結(jié)MOSFET降低30%+

納秒級開關(guān)速度：

Turn-On Delay: 7ns / Turn-Off Delay: 31ns（@400V/20A）

開關(guān)損耗（Eon+Eoff）降低50%（69μJ+36μJ vs. 超結(jié)MOSFET的150μJ+）

電容特性優(yōu)化：

Ciss=7pF, Coss=7pF, Crss=12pF（@400V），顯著降低驅(qū)動損耗

2. 高溫性能碾壓超結(jié)MOSFET

175℃結(jié)溫下穩(wěn)定運行：

Rds(on)溫升系數(shù)＜1.5倍（55mΩ@175℃ vs. 40mΩ@25℃）

連續(xù)電流ID=45A@100℃（超結(jié)器件普遍衰減＞40%）

雪崩魯棒性：耐受高能浪涌，提升系統(tǒng)可靠性

3. 體二極管“零反向恢復(fù)”特性

反向恢復(fù)時間trr僅12ns@25℃（超結(jié)MOSFET＞100ns）

恢復(fù)電荷Qrr=120nC（較超結(jié)降低80%+）

徹底解決LLC、PFC拓?fù)渲械乃绤^(qū)損耗問題，效率提升2-3%

4. 熱管理革命

超低熱阻：Rth(jc)=0.65K/W

支持無散熱片設(shè)計或大幅減小散熱器體積（對比超結(jié)方案節(jié)省30%空間）

四大應(yīng)用場景替代價值

應(yīng)用領(lǐng)域替代超結(jié)MOSFET的核心收益B3M040065R賦能效果車載充電機(OBC)解決高溫環(huán)境下效率驟降、EMI難題效率＞98.5% @22kW，功率密度提升50%，滿足ASIL-D可靠性AI算力電源突破多GPU并聯(lián)供電瓶頸，降低散熱噪聲支持MHz級開關(guān)頻率，單相輸出＞100A，損耗降低40%服務(wù)器電源應(yīng)對80Plus鈦金能效，需＞96%效率CRPS模組效率達(dá)96.5%，減少數(shù)據(jù)中心PUE 0.05+通信電源滿足-40℃~85℃寬溫運行，適應(yīng)戶外機柜惡劣環(huán)境175℃結(jié)溫下參數(shù)漂移＜10%，壽命延長3倍

系統(tǒng)級收益：成本與性能雙贏

BOM成本優(yōu)化：

節(jié)省散熱器、濾波器及驅(qū)動IC成本

減小磁性元件體積（高頻化使電感/變壓器尺寸減半）

功率密度翻倍：支持3kW/in3設(shè)計（超結(jié)方案僅1.5kW/in3）

兼容性設(shè)計：TO-263-7封裝兼容現(xiàn)有超結(jié)MOSFET焊盤，支持Kelvin源極引腳抑制振鈴

傾佳電子技術(shù)支持承諾

作為BASiC半導(dǎo)體官方授權(quán)代理，我們提供：
? 免費樣片申請與48小時送達(dá)
? 參考設(shè)計（含OBC 11kW拓?fù)洹⒎?wù)器2kW CrPS方案）
? 開關(guān)損耗建模及熱仿真支持
? 失效分析與批量可靠性測試報告

立即行動！
聯(lián)系傾佳電子楊茜獲取 B3M040065R設(shè)計套件，包含：

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熱設(shè)計指南
“替換超結(jié)，一步到位” – 讓SiC成本直逼硅基！

結(jié)語
B3M040065R SiC MOSFET以“高頻、高效、高溫”三位一體優(yōu)勢，終結(jié)了超結(jié)MOSFET在高端電源領(lǐng)域的統(tǒng)治地位。傾佳電子攜手BASiC半導(dǎo)體，助力客戶在AI與電動化浪潮中搶占技術(shù)制高點！

審核編輯 黃宇