SiC功率器件制造商正準(zhǔn)備迎接電動汽車（EV）對下一代汽車的挑戰(zhàn)，這些汽車將需要更多的電子元件和系統(tǒng)的性能。但是，在新的解決方案能夠完全滿足挑戰(zhàn)之前，有必要解決超出WBG半導(dǎo)體自身能力的幾個問題：

SiC功率器件制造商正準(zhǔn)備迎接電動汽車（EV）對下一代汽車的挑戰(zhàn)，這些汽車將需要電子元件和系統(tǒng)提供更高的性能。但是，在新的解決方案能夠完全滿足挑戰(zhàn)之前，有必要解決超出SiC半導(dǎo)體自身能力的幾個問題：

該行業(yè)能否以合適的價格水平生產(chǎn)足夠數(shù)量的電動汽車？

功率半導(dǎo)體能否滿足汽車可靠性標(biāo)準(zhǔn)的要求？汽車電子委員會（AEC）是一個促進(jìn)汽車電子元件可靠性標(biāo)準(zhǔn)化或資格標(biāo)準(zhǔn)化的行業(yè)組織，由美國主要的汽車制造商和主要的電子元件制造商組成。廣泛采用AEC QXXX標(biāo)準(zhǔn)作為汽車電子元件的標(biāo)準(zhǔn)。電子元件，實際上是行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。制定標(biāo)準(zhǔn)以確認(rèn)產(chǎn)品的高可靠性，包括耐高溫/高濕性、抗熱震性和耐久性。根據(jù)組件類別，這些標(biāo)準(zhǔn)分為以下幾類：

AEC-Q100：集成電路（ICS）

AEC-Q101：半導(dǎo)體分立元件（晶體管、二極管等）

AEC-Q200：無源元件（電容器、電感器等）

類似的性能SIC功率決定是否可以從多個來源獲得，這是汽車工業(yè)所希望的？

SiC功率半導(dǎo)體的快速開關(guān)速度會導(dǎo)致內(nèi)部或外部EMI嗎？

熱管理技術(shù)是否可用于支持牽引電機(jī)在400至600 V之間運行的大功率SiC功率決定？

有沒有一種方法可以為SiC電源電路，特別是電動汽車駕駛員提供內(nèi)置自檢？

哪些封裝技術(shù)可用于確保高壓高速功率半導(dǎo)體與車輛中的計算機(jī)和邏輯電路隔離？包裝會影響EMI和熱因素。

除了Cree，是否還有其他來源的SiC晶圓？

直流-直流變換器中可能會用到一些較低電壓的SiC功率決定，這可能需要與功率場效應(yīng)晶體管不同的設(shè)計技術(shù)。

為了使SiC功率決定功率半導(dǎo)體自身提供所需的性能，以及電動汽車的其他電子產(chǎn)品，SiC功率決定制造商必須從電子系統(tǒng)設(shè)計開始就參與其中。這在自動駕駛汽車中非常重要，因為在自動駕駛汽車中，計算機(jī)邏輯、傳感器和電源電路之間可能存在交互作用。至少在車輛生產(chǎn)的最初幾年，這是必要的。

批量生產(chǎn)的汽車所面臨的挑戰(zhàn)與處理一兩個原型不同。有一個很明顯的學(xué)習(xí)曲線。本周在亞太經(jīng)合組織2018年展出的新技術(shù)只是一個開始。除了戰(zhàn)略執(zhí)行委員會的權(quán)力決定，還有很多工作要做。這必須是一個包含所有組件和電路的系統(tǒng)設(shè)計

亞太經(jīng)合組織2018年在德克薩斯州圣安東尼奧召開的會議上看到的注意事項：

STMicroelectronics展示了其用于電動汽車快速充電的先進(jìn)碳化硅功率MOSFET解決方案系列。其優(yōu)點包括：高工作溫度（Tj=200°C）；低電容，以及一個快速而堅固的內(nèi)體二極管。

STMicroelectronics介紹了利用寬帶隙材料的先進(jìn)創(chuàng)新特性生產(chǎn)的SiC功率MOSFET。

氮化鎵系統(tǒng)揭示了它所說的最高電流功率晶體管。被稱為GS-065-120-1-D的120-A、650-V氮化鎵（GaN）e-Hemt使功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的功率密度從20千瓦增加到500千瓦。該晶體管作為一個模具出售，可用于半橋、全橋和六組模塊拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

氮化鎵系統(tǒng)公布了其120-A，650-V，氮化鎵e-hemt，可在功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中實現(xiàn)，以增加密度。

Rohm采用了電動汽車/電動汽車的納米脈沖控制技術(shù)。Rohm說，它提供了業(yè)界最高的降壓比（24:1），其準(zhǔn)時性（脈沖寬度）僅比傳統(tǒng)產(chǎn)品低9 ns-10倍。這樣就可以將高達(dá)60 V的高電壓轉(zhuǎn)換為3.3 V或5 V，這對于采用單芯片設(shè)計的車輛系統(tǒng)來說是非常簡單的。

針對電動汽車/混合動力汽車，Rohm的新型直流-直流轉(zhuǎn)換器集成了MOSFET，據(jù)稱具有行業(yè)最低的電流消耗。

Microsemi公司在今年早些時候宣布的下一代1200伏SiC MOSFET中展示了第一款產(chǎn)品，即40兆瓦的MSC040SMA120B。新的SiC MOSFET產(chǎn)品系列具有很高的雪崩額定值，具有汽車電源應(yīng)用的堅固性，并提供高短路耐受額定值，以實現(xiàn)穩(wěn)健運行。

德州儀器宣布了兩個新的高速氮化鎵場效應(yīng)晶體管（FET）驅(qū)動器的速度關(guān)鍵應(yīng)用，如激光雷達(dá)和5G射頻包絡(luò)跟蹤。60兆赫的LMG1020低端氮化鎵驅(qū)動器和50兆赫的LMG1210半橋驅(qū)動器提供高達(dá)50兆赫的開關(guān)頻率。前者為工業(yè)激光雷達(dá)提供高精度激光，后者為高達(dá)200伏的氮化鎵場效應(yīng)晶體管設(shè)計。

德州儀器的兩個新的高速氮化鎵場效應(yīng)晶體管（FET）驅(qū)動器，LMG1020和LMG1210是針對激光雷達(dá)和5G信封跟蹤等應(yīng)用。

高效能轉(zhuǎn)換公司（EPC）展示了一系列基于其Egan FET技術(shù)的自主車輛的3D實時激光雷達(dá)成像設(shè)備。該技術(shù)的快速切換（比傳統(tǒng)技術(shù)高達(dá)10倍）使激光雷達(dá)系統(tǒng)具有更高的分辨率和更快的響應(yīng)時間。

EPC宣布了EPC2112和EPC2115，增強(qiáng)型單片氮化鎵功率晶體管與集成驅(qū)動產(chǎn)品。

Coilcraft推出了其LPD8035V系列的小型、高壓1:1耦合電感。該技術(shù)提供1500 Vrms，繞組與7.92-×6.4-×3.5-mm封裝之間的一分鐘隔離（HIPOT），與傳統(tǒng)的線軸繞組替代方案相比，具有顯著的尺寸和成本降低。電感器符合AEC-Q200 3級標(biāo)準(zhǔn)（-40至85°C環(huán)境溫度），適用于汽車和其他高溫應(yīng)用。

線圈工藝介紹了其LPD8035V系列小型、高壓1:1耦合

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