深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司文章

• 選型手冊(cè)：MOT10150D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-03 16:41

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT10150D是一款面向中低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、超大電流承載能力及優(yōu)異開關(guān)特性，適用于高功率DC-DC轉(zhuǎn)換器、工業(yè)大電流負(fù)載開關(guān)、儲(chǔ)能電源模塊等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息（推導(dǎo)）電壓與電流：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）預(yù)計(jì)為100V級(jí)，適配中低壓大電流供電場(chǎng)景；連續(xù)漏極電流（\(I_D

  MOS 仁懋電子 晶體管 473瀏覽量

• 選型手冊(cè)：MOT90N03D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-03 16:33

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT90N03D是一款面向低壓大電流DC-DC轉(zhuǎn)換場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借30V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及優(yōu)異開關(guān)特性，廣泛適用于高要求DC-DC轉(zhuǎn)換器、高效電源模塊等領(lǐng)域。以下從器件特性、電氣參數(shù)、應(yīng)用場(chǎng)景等維度展開說明。一、產(chǎn)品基本信息MOT90N03D為N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，核心參數(shù)表現(xiàn)為：漏源極耐壓（\(V

  MOS 仁懋電子 晶體管 435瀏覽量

• 選型手冊(cè)：MOT5N50MD 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-03 15:26

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT5N50MD是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開說明。一、產(chǎn)品基本信息MOT5N50MD為N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，核心參數(shù)表現(xiàn)為：漏源極耐壓（\(V_{D

  MOS 仁懋電子 晶體管 245瀏覽量

• 選型手冊(cè)：MOT50N02D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-10-31 17:36

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT50N02D是一款面向低壓大電流開關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借20V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及50A大電流承載能力，廣泛適用于各類開關(guān)應(yīng)用（如DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)等）。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開說明。一、產(chǎn)品基本信息MOT50N02D為N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，核心參數(shù)表現(xiàn)為：漏源極耐壓（\(

  MOS 仁懋電子 晶體管 165瀏覽量

• 選型手冊(cè)：MOT5122T 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-10-31 17:33

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT5122T是一款面向大電流低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借120V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及260A超大電流承載能力，廣泛適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動(dòng)車、電池管理系統(tǒng)（BMS）、無人機(jī)等領(lǐng)域。以下從器件特性、電氣參數(shù)、應(yīng)用場(chǎng)景等維度展開說明。一、產(chǎn)品基本信息MOT5122T為N溝道功率MOSFET，核心參數(shù)表現(xiàn)為：漏源

  MOS 仁懋電子 晶體管 140瀏覽量

• 選型手冊(cè)：MOT70R280D 系列 N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET 晶體管2025-10-31 17:31

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT70R280D是一款基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的N溝道功率MOSFET，憑借700V級(jí)耐壓、超低導(dǎo)通損耗及高魯棒性，廣泛適用于功率因數(shù)校正（PFC）、開關(guān)模式電源（SMPS）、不間斷電源（UPS）等高壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。以下從器件特性、電氣參數(shù)、應(yīng)用場(chǎng)景等維度展開說明。一、產(chǎn)品基本信息MOT70R280D為N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET，核心參數(shù)

  MOS 仁懋電子 晶體管 123瀏覽量

• 選型手冊(cè)：MOT65R600F 系列 N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET 晶體管2025-10-31 17:28

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT65R600F是一款基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的N溝道功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高魯棒性，廣泛適用于功率因數(shù)校正（PFC）、開關(guān)模式電源（SMPS）、不間斷電源（UPS）等高壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。以下從器件特性、電氣參數(shù)、應(yīng)用場(chǎng)景等維度展開說明。一、產(chǎn)品基本信息MOT65R600F為N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET，核心參數(shù)表現(xiàn)

  MOS 仁懋電子 晶體管 142瀏覽量

• 選型手冊(cè)：MOT15N50HF 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-10-31 17:17

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT15N50HF是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開說明。一、產(chǎn)品基本信息核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：500V導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(

  MOS 仁懋電子 晶體管 143瀏覽量

• 選型手冊(cè)：MOT8N65MD 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-10-30 15:44

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT8N65MD是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、高開關(guān)速度及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。以下從品牌定位、器件特性、電氣參數(shù)等維度展開詳細(xì)說明。一、品牌背景：仁懋電子（MOT）與高壓高頻功率半導(dǎo)體布局仁懋電子（MOT）深耕高壓功率半導(dǎo)體器件研

  MOS 仁懋電子 晶體管 221瀏覽量

• 選型手冊(cè)：MOT5N65D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-10-30 15:37

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT5N65D是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高開關(guān)速度、穩(wěn)定雪崩能力及650V耐壓特性，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。以下從品牌定位、器件特性、電氣參數(shù)等維度展開詳細(xì)說明。一、品牌背景：仁懋電子（MOT）與高壓高頻功率半導(dǎo)體布局仁懋電子（MOT）深耕高壓功率半導(dǎo)體器件研發(fā)，

  MOS 仁懋電子 晶體管 257瀏覽量