仁懋電子（MOT）推出的MOT4111T是一款面向 40V 低壓大電流場(chǎng)景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、300A 超大電流承載能力及 TOLL-8L 小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動(dòng)車、無人機(jī)等大功率場(chǎng)景。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開說明。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：40V
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=4.5V\)時(shí)典型值2mΩ，\(V_{GS}=10V\)時(shí)典型值1.05mΩ
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)）：300A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）

二、核心特性

• 超低導(dǎo)通電阻與大電流密度：采用先進(jìn)超級(jí)溝槽（Super trench）單元設(shè)計(jì)，在 40V 耐壓下實(shí)現(xiàn)毫歐級(jí)超低導(dǎo)通電阻，300A 連續(xù)電流承載能力適配高功率密度場(chǎng)景；
• 小型化封裝：采用TOLL-8L表面貼裝封裝，適配高密度電路板的空間約束，每卷 2000 片，滿足批量生產(chǎn)需求；
• 高魯棒性設(shè)計(jì)：?jiǎn)蚊}沖雪崩能量達(dá)1320mJ，脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）達(dá) 900A，可應(yīng)對(duì)負(fù)載短時(shí)超大電流沖擊；
• 高頻開關(guān)適配：動(dòng)態(tài)電容（輸入、輸出、反向傳輸電容）優(yōu)化，開關(guān)時(shí)間（導(dǎo)通延遲、上升 / 下降時(shí)間）達(dá)納秒級(jí)，適合高頻 PWM 控制。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

• 柵源極電壓（\(V_{GS}\)）：最大值 ±20V；
• 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：900A；
• 最大功耗（\(P_D\)）：4000W；
• 結(jié)到環(huán)境熱阻（\(R_{JA}\)）：0.25℃/W；
• 工作 / 存儲(chǔ)結(jié)溫范圍：-55~+150℃；
• 閾值電壓（\(V_{GS(th)}\)）：1.7~3.0V；
• 動(dòng)態(tài)電容（典型值）：輸入電容（\(C_{iss}\)）3725pF，輸出電容（\(C_{oss}\)）131pF；
• 開關(guān)時(shí)間（典型值）：導(dǎo)通延遲（\(t_{d(on)}\)）14ns，上升時(shí)間（\(t_r\)）170ns，關(guān)斷延遲（\(t_{d(off)}\)）149ns，下降時(shí)間（\(t_f\)）170ns。

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

• 封裝形式：TOLL-8L 表面貼裝封裝，適配小型化、高功率密度的電源與動(dòng)力系統(tǒng)設(shè)計(jì)；
• 典型應(yīng)用：
  • 高功率系統(tǒng)逆變器：在工業(yè)或新能源領(lǐng)域的逆變器中作為功率開關(guān)，低損耗特性提升能量轉(zhuǎn)換效率；
  • 輕型電動(dòng)車與無人機(jī)：為電動(dòng)摩托車、無人機(jī)的動(dòng)力系統(tǒng)提供大電流功率控制，保障動(dòng)力輸出與系統(tǒng)可靠性。

五、信息來源

仁懋電子（MOT）官方產(chǎn)品手冊(cè)（注：以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理，實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊(cè)及器件批次測(cè)試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。）