仁懋電子（MOT）推出的MOT9166T是一款面向 200V 低壓大電流場景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，憑借 6mΩ 超低導(dǎo)通電阻、114A 超大電流承載能力及 TOLL-8L 小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動車、BMS（電池管理系統(tǒng)）、無人機(jī)等大功率場景。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：200V，適配低壓大電流供電場景；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)、\(I_{DS}=50A\)時(shí)典型值6mΩ，低壓場景下導(dǎo)通損耗極低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)）：114A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）達(dá)456A，滿足負(fù)載瞬時(shí)超大電流需求。

二、核心特性

• 超級 trench 單元設(shè)計(jì)：采用先進(jìn)溝槽結(jié)構(gòu)，大幅降低導(dǎo)通電阻，提升電流密度，適配大電流功率轉(zhuǎn)換場景；
• 小型化貼片封裝：采用TOLL-8L 表面貼裝封裝，適配高密度電路板的空間約束，每卷 4000 片，滿足批量生產(chǎn)需求；
• 高魯棒性設(shè)計(jì)：單脈沖雪崩能量達(dá)1800mJ，結(jié)到環(huán)境熱阻（\(R_{thJA}\)）40℃/W、結(jié)到殼熱阻（\(R_{thJC}\)）0.5℃/W，大電流工況下結(jié)溫控制更穩(wěn)定；
• 高頻開關(guān)適配：動態(tài)電容（輸入、輸出、反向傳輸電容）優(yōu)化，開關(guān)時(shí)間（導(dǎo)通延遲、上升 / 下降時(shí)間）達(dá)納秒級，適合高頻 PWM 控制。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

• 柵源極電壓（\(V_{GS}\)）：最大值 ±20V，柵極驅(qū)動需控制在該范圍以避免氧化層損壞；
• 功耗（\(P_D\)）：300W，實(shí)際應(yīng)用需結(jié)合散熱設(shè)計(jì)（如散熱墊、金屬基板）保障長期可靠工作；
• 結(jié)溫范圍（\(T_J\)）：-55~+175℃，存儲溫度范圍與結(jié)溫區(qū)間一致；
• 閾值電壓（\(V_{GS(th)}\)）：2~4V；
• 動態(tài)電容（典型值）：輸入電容（\(C_{iss}\)）11636pF，輸出電容（\(C_{oss}\)）570pF，反向傳輸電容（\(C_{rss}\)）60pF；
• 開關(guān)時(shí)間（典型值）：導(dǎo)通延遲（\(t_{d(on)}\)）25ns，關(guān)斷延遲（\(t_{d(off)}\)）135ns，下降時(shí)間（\(t_f\)）84ns；
• 二極管特性：正向電壓最大 1.3V，反向恢復(fù)時(shí)間 148ns，反向恢復(fù)電荷 805nC。

四、封裝與應(yīng)用場景

• 封裝形式：TOLL-8L 表面貼裝封裝，適配小型化、高功率密度的電源與動力系統(tǒng)設(shè)計(jì)；
• 典型應(yīng)用：
  • 高功率系統(tǒng)逆變器：在工業(yè)或新能源領(lǐng)域的逆變器中作為功率開關(guān)，低損耗特性提升能量轉(zhuǎn)換效率；
  • 輕型電動車與無人機(jī)：為電動摩托車、無人機(jī)的動力系統(tǒng)提供大電流功率控制，保障動力輸出與系統(tǒng)可靠性；
  • BMS（電池管理系統(tǒng)）：在電池充放電管理回路中，實(shí)現(xiàn)大電流高效切換，保障電池安全與性能。

五、信息來源

仁懋電子（MOT）官方產(chǎn)品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標(biāo)注整理，實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。）