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中科院半導(dǎo)體所

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3D深度感測(cè)的原理和使用二極管激光來實(shí)現(xiàn)深度感測(cè)的優(yōu)勢(shì)

? 本文介紹了3D深度感測(cè)的原理和使用二極管激光來實(shí)現(xiàn)深度感測(cè)的優(yōu)勢(shì)。 世界是三維的。這句話如此容易....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-07 09:54 ?755次閱讀
3D深度感測(cè)的原理和使用二極管激光來實(shí)現(xiàn)深度感測(cè)的優(yōu)勢(shì)

淺談激光器的類型

本文介紹了氣體激光器、固體激光器以及半導(dǎo)體激光器。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-06 16:01 ?1156次閱讀

ASIC和GPU的原理和優(yōu)勢(shì)

? 本文介紹了ASIC和GPU兩種能夠用于AI計(jì)算的半導(dǎo)體芯片各自的原理和優(yōu)勢(shì)。 ASIC和GPU是....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-06 13:58 ?2323次閱讀
ASIC和GPU的原理和優(yōu)勢(shì)

菲涅爾透鏡的工作原理

本文介紹了菲涅爾透鏡的工作原理。 在現(xiàn)代智能手機(jī)的設(shè)計(jì)中,閃光燈是一個(gè)不可或缺的組件,它不僅能夠在光....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-06 13:52 ?2707次閱讀
菲涅爾透鏡的工作原理

ANN神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)——器件建模

隨著半導(dǎo)體行業(yè)的新材料、新工藝、新器件的不斷發(fā)展,人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)作為一種替代方法已經(jīng)被引入器件建模領(lǐng)域....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-06 13:41 ?1222次閱讀
ANN神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)——器件建模

一文了解半導(dǎo)體離子注入技術(shù)

離子注入是一種將所需要的摻雜劑注入到半導(dǎo)體或其他材料中的一種技術(shù)手段,本文詳細(xì)介紹了離子注入技術(shù)的原....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-06 10:47 ?1938次閱讀
一文了解半導(dǎo)體離子注入技術(shù)

為什么80%的芯片采用硅晶圓制造

? 本文詳細(xì)介紹了硅作為半導(dǎo)體材料具有多方面的優(yōu)勢(shì),包括良好的半導(dǎo)體特性、高質(zhì)量的晶體結(jié)構(gòu)、低廉的成....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-06 10:40 ?1331次閱讀
為什么80%的芯片采用硅晶圓制造

半導(dǎo)體芯片制造中倒摻雜阱工藝的特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)

倒摻雜阱(Inverted Doping Well)技術(shù)作為一種現(xiàn)代半導(dǎo)體芯片制造中精密的摻雜方法,....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-03 14:01 ?1380次閱讀
半導(dǎo)體芯片制造中倒摻雜阱工藝的特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)

從Level1 Model到Level3 Modle來感受器件模型是如何開發(fā)的

? ? ? ?本文從Level1 model到Level3 model的Ids電流公式的發(fā)展來感受C....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-03 13:49 ?1153次閱讀
從Level1 Model到Level3 Modle來感受器件模型是如何開發(fā)的

模擬IC設(shè)計(jì)中Spectre和HSPICE仿真工具的起源、差別和優(yōu)劣勢(shì)

本文詳細(xì)介紹了在模擬集成電路的設(shè)計(jì)與仿真領(lǐng)域中Spectre和HSPICE兩款仿真工具的起源、差別和....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-03 13:43 ?2023次閱讀

晶圓中scribe line(劃片線)和saw line(鋸片線)的差異

本文介紹了在晶圓制造過程中,scribe line(劃片線)和saw line(鋸片線)兩個(gè)的概念和....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-03 11:33 ?1757次閱讀
晶圓中scribe line(劃片線)和saw line(鋸片線)的差異

Diode的反向恢復(fù)特性的機(jī)理和模型原理

現(xiàn)代集成電路中MOSFET的體二極管的反向恢復(fù)特性對(duì)系統(tǒng)安全具有重要影響,本文探討了Diode的反向....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-03 10:36 ?1315次閱讀
Diode的反向恢復(fù)特性的機(jī)理和模型原理

從能帶認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體及其摻雜質(zhì)后的導(dǎo)電行為

利用物質(zhì)的電阻率可以劃分界定導(dǎo)體、半導(dǎo)體以及絕緣體,但相較于電阻率,能帶圖能夠表征物質(zhì)的更多性質(zhì)。 ....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-03 09:17 ?2068次閱讀
從能帶認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體及其摻雜質(zhì)后的導(dǎo)電行為

等離子的基本屬性_等離子體如何發(fā)生

射頻等離子體(RF等離子體)是在氣流中通過外部施加的射頻場(chǎng)形成的。當(dāng)氣體中的原子被電離時(shí)(即電子在高....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-03 09:14 ?1388次閱讀
等離子的基本屬性_等離子體如何發(fā)生

等離子體刻蝕和濕法刻蝕有什么區(qū)別

等離子體刻蝕和濕法刻蝕是集成電路制造過程中常用的兩種刻蝕方法,雖然它們都可以用來去除晶圓表面的材料,....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-02 14:03 ?862次閱讀

真空及真空泵有什么作用

真空技術(shù)是現(xiàn)代科技的核心支柱之一,貫穿于從基礎(chǔ)研究到工業(yè)生產(chǎn)的多個(gè)領(lǐng)域。理解真空的物理特性、掌握真空....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-02 10:45 ?765次閱讀

離子注入的目的及退火過程

離子注入后退火是半導(dǎo)體器件制造中的一個(gè)關(guān)鍵步驟,它影響著器件的性能和可靠性。 離子注入是將摻雜劑離子....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-02 10:22 ?1759次閱讀

一種離子注入技術(shù):暈環(huán)技術(shù)介紹

本文介紹了一種在MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)特征尺寸縮小至深亞微米級(jí)別、短溝道效....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-31 11:49 ?2366次閱讀
一種離子注入技術(shù):暈環(huán)技術(shù)介紹

晶圓邊緣需要鋪滿電路的原因分析

本文簡(jiǎn)單介紹了在晶圓制造過程中,晶圓邊緣需要鋪滿電路的原因。 晶圓制造工藝是半導(dǎo)體生產(chǎn)中的關(guān)鍵步驟,....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-31 11:24 ?894次閱讀
晶圓邊緣需要鋪滿電路的原因分析

后段刻蝕工藝(BEOL ETCH)詳解

后段刻蝕工藝(Back-End of Line ETCH,簡(jiǎn)稱BEOL ETCH)作為集成電路制造的....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-31 09:44 ?1743次閱讀

芯片封測(cè)架構(gòu)和芯片封測(cè)流程

在此輸入導(dǎo)芯片封測(cè)芯片封測(cè)是一個(gè)復(fù)雜且精細(xì)的過程,它涉及多個(gè)步驟和環(huán)節(jié),以確保芯片的質(zhì)量和性能。本文....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-31 09:15 ?1948次閱讀
芯片封測(cè)架構(gòu)和芯片封測(cè)流程

光學(xué)中簡(jiǎn)單但重要的光學(xué)路徑與成像系統(tǒng)介紹

? 本文簡(jiǎn)單介紹了光學(xué)一些簡(jiǎn)單但重要的光學(xué)路徑與成像系統(tǒng)。 ? 光在物質(zhì)中傳播得更慢:折射率n=c/....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-30 13:55 ?995次閱讀
光學(xué)中簡(jiǎn)單但重要的光學(xué)路徑與成像系統(tǒng)介紹

晶體生長(zhǎng)相關(guān)內(nèi)容——晶型控制與襯底缺陷

晶體生長(zhǎng)在分析晶體生長(zhǎng)時(shí),我們需要考慮多個(gè)關(guān)鍵因素,這些因素共同影響著晶體生長(zhǎng)的質(zhì)量和進(jìn)程。本文介紹....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-30 11:40 ?782次閱讀

晶體硅太陽電池的基本結(jié)構(gòu)和制備工藝流程

本文簡(jiǎn)單介紹了晶體硅太陽電池基本結(jié)構(gòu)和晶體硅太陽電池晶體硅材料的制備。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-27 09:30 ?2708次閱讀
晶體硅太陽電池的基本結(jié)構(gòu)和制備工藝流程

清洗EUV掩膜版面臨哪些挑戰(zhàn)

本文簡(jiǎn)單介紹了極紫外光(EUV)掩膜版的相關(guān)知識(shí),包括其構(gòu)造與作用、清洗中的挑戰(zhàn)以及相關(guān)解決方案。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-27 09:26 ?890次閱讀

硅的晶體缺陷測(cè)量方法

半導(dǎo)體晶體在生長(zhǎng)和加工過程中會(huì)產(chǎn)生多種結(jié)構(gòu)缺陷,這些缺陷對(duì)集成電路(IC)器件的性能和合格率有著重要....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-27 09:24 ?1144次閱讀
硅的晶體缺陷測(cè)量方法

多晶硅的存儲(chǔ)條件是什么

在全球積極推動(dòng)清潔能源轉(zhuǎn)型的大背景下,太陽能光伏產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展,而多晶硅作為光伏產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵起始原料,....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-27 09:22 ?1315次閱讀

邊緣芯片詳解

本文介紹了什么是邊緣芯片(edge die)。 邊緣芯片(edge die)是指位于晶圓邊緣區(qū)域的芯....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-24 11:38 ?1006次閱讀

芯片極限能力、封裝成品及系統(tǒng)級(jí)測(cè)試

本文介紹了芯片極限能力、封裝成品及系統(tǒng)級(jí)測(cè)試。 本文將介紹芯片極限能力、封裝成品及系統(tǒng)級(jí)測(cè)試,分述如....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-24 11:25 ?1308次閱讀

什么是Beam Splitters分束器

? ? ? 本文介紹了什么是Beam Splitters 分束器。 分束器用于分割光束,通??梢酝ㄟ^....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-24 11:22 ?1175次閱讀
什么是Beam Splitters分束器