本文深入解析兩類應(yīng)力的形成機(jī)制，揭秘從工藝優(yōu)化（如LPCVD參數(shù)調(diào)控）到材料設(shè)計(jì)的全鏈條應(yīng)對策略，并....

本文主要簡單介紹探討接觸孔工藝制造流程。以55nm接觸控工藝為切入點(diǎn)進(jìn)行簡單介紹。 ? 在集成電路制....

本文簡單介紹了三種太赫茲波的產(chǎn)生方式。 太赫茲波（THz）是一種電磁波，在電磁波譜上位于紅外與微波之....

本文引入基于光學(xué)PCB的波導(dǎo)嵌入式系統(tǒng)（WES），用于AI/HPC數(shù)據(jù)中心，以克服CPO集成挑戰(zhàn)。W....

本文介紹人工智能的發(fā)展歷程、CPU與GPU在AI中的應(yīng)用、CUDA架構(gòu)及并行計(jì)算優(yōu)化，以及未來趨勢。....

? 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的核心組件，廣泛應(yīng)用于個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器....

本文將系統(tǒng)介紹光阻的組成與作用、剝離的關(guān)鍵工藝及化學(xué)機(jī)理，并探討不同等離子體處理方法在光阻去除中的應(yīng)....

光刻技術(shù)對芯片制造至關(guān)重要，但傳統(tǒng)紫外光刻受衍射限制，摩爾定律面臨挑戰(zhàn)。為突破瓶頸，下一代光刻（NG....

本文介紹了折疊屏手機(jī)所用原料OLED以及其實(shí)現(xiàn)隨意折疊的機(jī)理。 ? 折疊屏手機(jī)作為近年來智能手機(jī)領(lǐng)域....

本文介紹了數(shù)字電路設(shè)計(jì)中“前端”和“后端”的區(qū)別。 數(shù)字電路設(shè)計(jì)中“前端”和“后端”整個(gè)過程可類比蓋....

本文介紹了背金工藝的工藝流程。 本文將解析一下背金工藝的具體的工藝流程及每步的工藝原理。 背金工藝的....

本文介紹了集成電路工藝中的金屬。 集成電路工藝中的金屬 概述 在芯片制造領(lǐng)域，金屬化這一關(guān)鍵環(huán)節(jié)指的....

本文介紹了什么是晶圓制程的CPK。 CPK（Process Capability Index）?是制....

本文介紹了單晶圓系統(tǒng)：多晶硅與氮化硅的沉積。 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，單晶圓系統(tǒng)展現(xiàn)出獨(dú)特的工藝優(yōu)勢，它具....

本文介紹了芯片里的介質(zhì)及其性能。 介電常數(shù)k概述 在介質(zhì)薄膜的沉積過程中，除了薄膜質(zhì)量如均勻性、致密....

本文介紹了PECVD中影響薄膜應(yīng)力的因素。 影響PECVD 薄膜應(yīng)力的因素有哪些？各有什么優(yōu)缺點(diǎn)？ ....

本文介紹了如何在光子學(xué)中利用電子生態(tài)系統(tǒng)。 這一目標(biāo)要求光子學(xué)制造利用現(xiàn)有的電子制造工藝和生態(tài)系統(tǒng)。....

本文主要介紹磁性靶材磁控濺射成膜影響因素 ? 磁控濺射作為一種重要的物理氣相沉積技術(shù)，在薄膜制備領(lǐng)域....

? 本文主要介紹軟件在芯片設(shè)計(jì)中的作用 在芯片設(shè)計(jì)中，軟件扮演著非常重要的角色，它不僅幫助芯片設(shè)計(jì)驗(yàn)....

本文主要介紹光纖耦合器 ? 光纖耦合器也叫光纖分路器。光纖耦合器的原理與水管接頭或者電力分路器不同，....

本文解釋了為什么采用多晶硅作為柵極材料 ? 柵極材料的變化 ? 如上圖，gate就是柵極，柵極由最開....

本文主要介紹如何理解芯片設(shè)計(jì)中的IP 在芯片設(shè)計(jì)中，IP（知識產(chǎn)權(quán)核心，Intellectual P....

可以看出, SiH4提供的是Si源，N2或NH3提供的是N源。但是由于LPCVD反應(yīng)溫度較高，氫原子....

在半導(dǎo)體制造的復(fù)雜流程中，晶圓歷經(jīng)前道工序完成芯片制備后，劃片工藝成為將芯片從晶圓上分離的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，....

但隨著技術(shù)迭代，晶體管尺寸持續(xù)縮減，電阻電容（RC）延遲已成為制約集成電路性能的關(guān)鍵因素。在90納米....

光學(xué)操控技術(shù)已成為諸多應(yīng)用領(lǐng)域中的有力工具，它的蓬勃發(fā)展也使得學(xué)界對光學(xué)器件小型化的需求日益增長。因....

SiC外延設(shè)備的復(fù)雜性主要體現(xiàn)在反應(yīng)室設(shè)計(jì)、加熱系統(tǒng)和旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)等關(guān)鍵部件的精確控制上。在SiC外延生....

2024年12月31日，國家市場監(jiān)督管理總局(國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會)發(fā)布2024年第32號中華人民共....

在數(shù)字支付技術(shù)迅猛發(fā)展的今天，支付寶推出的“碰一下”支付功能以其便捷性和高效性迅速吸引了廣泛關(guān)注。這....

多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技....