3D深度感測(cè)的原理和使用二極管激光來實(shí)現(xiàn)深度感測(cè)的優(yōu)勢(shì)
? 本文介紹了3D深度感測(cè)的原理和使用二極管激光來實(shí)現(xiàn)深度感測(cè)的優(yōu)勢(shì)。 世界是三維的。這句話如此容易....

ANN神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)——器件建模
隨著半導(dǎo)體行業(yè)的新材料、新工藝、新器件的不斷發(fā)展,人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)作為一種替代方法已經(jīng)被引入器件建模領(lǐng)域....

為什么80%的芯片采用硅晶圓制造
? 本文詳細(xì)介紹了硅作為半導(dǎo)體材料具有多方面的優(yōu)勢(shì),包括良好的半導(dǎo)體特性、高質(zhì)量的晶體結(jié)構(gòu)、低廉的成....

半導(dǎo)體芯片制造中倒摻雜阱工藝的特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)
倒摻雜阱(Inverted Doping Well)技術(shù)作為一種現(xiàn)代半導(dǎo)體芯片制造中精密的摻雜方法,....

從Level1 Model到Level3 Modle來感受器件模型是如何開發(fā)的
? ? ? ?本文從Level1 model到Level3 model的Ids電流公式的發(fā)展來感受C....

模擬IC設(shè)計(jì)中Spectre和HSPICE仿真工具的起源、差別和優(yōu)劣勢(shì)
本文詳細(xì)介紹了在模擬集成電路的設(shè)計(jì)與仿真領(lǐng)域中Spectre和HSPICE兩款仿真工具的起源、差別和....
Diode的反向恢復(fù)特性的機(jī)理和模型原理
現(xiàn)代集成電路中MOSFET的體二極管的反向恢復(fù)特性對(duì)系統(tǒng)安全具有重要影響,本文探討了Diode的反向....

從能帶認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體及其摻雜質(zhì)后的導(dǎo)電行為
利用物質(zhì)的電阻率可以劃分界定導(dǎo)體、半導(dǎo)體以及絕緣體,但相較于電阻率,能帶圖能夠表征物質(zhì)的更多性質(zhì)。 ....

等離子體刻蝕和濕法刻蝕有什么區(qū)別
等離子體刻蝕和濕法刻蝕是集成電路制造過程中常用的兩種刻蝕方法,雖然它們都可以用來去除晶圓表面的材料,....
真空及真空泵有什么作用
真空技術(shù)是現(xiàn)代科技的核心支柱之一,貫穿于從基礎(chǔ)研究到工業(yè)生產(chǎn)的多個(gè)領(lǐng)域。理解真空的物理特性、掌握真空....
離子注入的目的及退火過程
離子注入后退火是半導(dǎo)體器件制造中的一個(gè)關(guān)鍵步驟,它影響著器件的性能和可靠性。 離子注入是將摻雜劑離子....
一種離子注入技術(shù):暈環(huán)技術(shù)介紹
本文介紹了一種在MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)特征尺寸縮小至深亞微米級(jí)別、短溝道效....

后段刻蝕工藝(BEOL ETCH)詳解
后段刻蝕工藝(Back-End of Line ETCH,簡(jiǎn)稱BEOL ETCH)作為集成電路制造的....
芯片封測(cè)架構(gòu)和芯片封測(cè)流程
在此輸入導(dǎo)芯片封測(cè)芯片封測(cè)是一個(gè)復(fù)雜且精細(xì)的過程,它涉及多個(gè)步驟和環(huán)節(jié),以確保芯片的質(zhì)量和性能。本文....

光學(xué)中簡(jiǎn)單但重要的光學(xué)路徑與成像系統(tǒng)介紹
? 本文簡(jiǎn)單介紹了光學(xué)一些簡(jiǎn)單但重要的光學(xué)路徑與成像系統(tǒng)。 ? 光在物質(zhì)中傳播得更慢:折射率n=c/....

晶體生長(zhǎng)相關(guān)內(nèi)容——晶型控制與襯底缺陷
晶體生長(zhǎng)在分析晶體生長(zhǎng)時(shí),我們需要考慮多個(gè)關(guān)鍵因素,這些因素共同影響著晶體生長(zhǎng)的質(zhì)量和進(jìn)程。本文介紹....
清洗EUV掩膜版面臨哪些挑戰(zhàn)
本文簡(jiǎn)單介紹了極紫外光(EUV)掩膜版的相關(guān)知識(shí),包括其構(gòu)造與作用、清洗中的挑戰(zhàn)以及相關(guān)解決方案。
硅的晶體缺陷測(cè)量方法
半導(dǎo)體晶體在生長(zhǎng)和加工過程中會(huì)產(chǎn)生多種結(jié)構(gòu)缺陷,這些缺陷對(duì)集成電路(IC)器件的性能和合格率有著重要....

多晶硅的存儲(chǔ)條件是什么
在全球積極推動(dòng)清潔能源轉(zhuǎn)型的大背景下,太陽能光伏產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展,而多晶硅作為光伏產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵起始原料,....
邊緣芯片詳解
本文介紹了什么是邊緣芯片(edge die)。 邊緣芯片(edge die)是指位于晶圓邊緣區(qū)域的芯....
芯片極限能力、封裝成品及系統(tǒng)級(jí)測(cè)試
本文介紹了芯片極限能力、封裝成品及系統(tǒng)級(jí)測(cè)試。 本文將介紹芯片極限能力、封裝成品及系統(tǒng)級(jí)測(cè)試,分述如....