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中科院半導(dǎo)體所

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氧化硅薄膜具體有什么用途呢?

氧化硅薄膜整個(gè)半導(dǎo)體制造過(guò)程是十分常見且不可或缺的,那么它具體有什么用途呢?
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-22 09:52 ?1392次閱讀

單晶硅的少子壽命是指什么?表面形態(tài)對(duì)單晶硅少子壽命有何影響?

單晶硅的少子壽命是指非平衡少數(shù)載流子(電子或空穴)在半導(dǎo)體材料中從產(chǎn)生到消失(即通過(guò)復(fù)合過(guò)程失去)的....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-19 16:11 ?4707次閱讀
單晶硅的少子壽命是指什么?表面形態(tài)對(duì)單晶硅少子壽命有何影響?

什么是SiC boat?SiC boat有幾種不同的制作工藝?

SiC boat,即碳化硅舟。碳化硅舟是用在爐管中,裝載載晶圓進(jìn)行高溫處理的耐高溫配件。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-18 15:44 ?3732次閱讀

離子注入機(jī)的簡(jiǎn)易原理圖

本文介紹了離子注入機(jī)的相關(guān)原理。 離子注入機(jī)的原理是什么?
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-18 11:31 ?3627次閱讀
離子注入機(jī)的簡(jiǎn)易原理圖

異質(zhì)外延對(duì)襯底的要求是什么?

異質(zhì)外延是一種先進(jìn)的晶體生長(zhǎng)技術(shù),它指的是在一個(gè)特定的襯底材料上生長(zhǎng)出與襯底材料具有不同晶體結(jié)構(gòu)或化....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-17 09:39 ?1218次閱讀
異質(zhì)外延對(duì)襯底的要求是什么?

用于2.5D與3D封裝的TSV工藝流程是什么?有哪些需要注意的問(wèn)題?

上圖是TSV工藝的一般流程。TSV,全名Through-Silicon Via,又叫硅通孔工藝。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-17 09:37 ?2660次閱讀
用于2.5D與3D封裝的TSV工藝流程是什么?有哪些需要注意的問(wèn)題?

光纖連接器的端面指標(biāo)介紹

定義為連續(xù)50次測(cè)量的1σ方差,且未移動(dòng)樣品接頭。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-16 11:42 ?2783次閱讀
光纖連接器的端面指標(biāo)介紹

影響單晶硅硬度的因素有哪些?

硬度作為評(píng)價(jià)材料力學(xué)性能的重要指標(biāo),其測(cè)量和應(yīng)用對(duì)于材料科學(xué)和工程領(lǐng)域具有重要意義。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-14 15:15 ?2414次閱讀
影響單晶硅硬度的因素有哪些?

淺析IGBT成為熱門的技術(shù)原因及應(yīng)用

近年IGBT這個(gè)專業(yè)名詞非常的熱。電子、半導(dǎo)體、汽車、能源、電力、控制系統(tǒng)等行業(yè),好像都涉及到了這個(gè)....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-12 15:00 ?1659次閱讀
淺析IGBT成為熱門的技術(shù)原因及應(yīng)用

等離子刻蝕ICP和CCP優(yōu)勢(shì)介紹

刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕各向異性較差,側(cè)壁容易產(chǎn)生橫向刻蝕造成刻蝕偏差,通常用于工藝....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-12 11:41 ?7405次閱讀
等離子刻蝕ICP和CCP優(yōu)勢(shì)介紹

淺析硅中Sb摻雜和P摻雜的位錯(cuò)影響

摻銻和摻磷硅單晶是兩種不同的半導(dǎo)體材料,它們的物理特性受到摻雜劑類型的影響。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-09 09:41 ?2184次閱讀
淺析硅中Sb摻雜和P摻雜的位錯(cuò)影響

接近絕對(duì)零度:奇異的物理現(xiàn)象探索

通過(guò)超導(dǎo)線環(huán)的電流基本上可以在沒有任何電源的情況下永遠(yuǎn)流動(dòng),因?yàn)樗肋h(yuǎn)不會(huì)損失任何能量。現(xiàn)在,由于閉....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-07 10:03 ?830次閱讀

單晶硅電阻率的控制原理介紹

本文介紹了硅摻雜其他元素的目的、分凝現(xiàn)象、電阻率與摻雜濃度之間的關(guān)系、共摻雜技術(shù)等知識(shí),解釋了單晶硅....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-07 09:33 ?3134次閱讀
單晶硅電阻率的控制原理介紹

激光原理與測(cè)距技術(shù)詳解

固體激光器的工作物質(zhì)有紅寶石、釹玻璃、釔鋁石榴石(YAG)等,是在作為基質(zhì)的材料的晶體或玻璃中均勻的....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-03 11:41 ?1730次閱讀
激光原理與測(cè)距技術(shù)詳解

硅單晶不同晶向下的不同位錯(cuò)表現(xiàn)介紹

晶向:位錯(cuò)腐蝕坑的形狀主要呈三角形腐蝕坑
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-03 10:08 ?1216次閱讀
硅單晶不同晶向下的不同位錯(cuò)表現(xiàn)介紹

淺談光學(xué)波動(dòng)中的波動(dòng)概述、波前

所謂波動(dòng)是指振動(dòng)在空間的傳播形式。波場(chǎng)中每點(diǎn)的物理狀態(tài)隨時(shí)間作周期性的變化,而在每瞬時(shí),場(chǎng)中各點(diǎn)物理....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-02 11:43 ?3057次閱讀
淺談光學(xué)波動(dòng)中的波動(dòng)概述、波前

淺談硅除雜工藝中的分凝機(jī)制和釋放機(jī)制

分凝吸雜由雜質(zhì)的溶解度梯度或硅片不同區(qū)域?qū)﹄s質(zhì)的溶解能力不同產(chǎn)生。與釋放機(jī)制不同,分凝吸雜,吸雜區(qū)一....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-01 12:47 ?1410次閱讀

請(qǐng)問(wèn)3D NAND如何進(jìn)行臺(tái)階刻蝕呢?

在3D NAND的制造過(guò)程中,一般會(huì)有3個(gè)工序會(huì)用到干法蝕刻,即:臺(tái)階蝕刻,channel蝕刻以及接....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-01 10:26 ?1479次閱讀
請(qǐng)問(wèn)3D NAND如何進(jìn)行臺(tái)階刻蝕呢?

SU-8光刻膠起源、曝光、特性

在紫外光照射下,三芳基碘鹽光敏劑被激活,釋放活性碘離子。這些活性碘離子與SU-8光刻膠中的丙烯酸酯單....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-31 16:25 ?6529次閱讀
SU-8光刻膠起源、曝光、特性

一文解析拉曼散射和光譜學(xué)

拉曼光譜是一種功能強(qiáng)大且用途廣泛的分析技術(shù),用于研究分子和材料樣品。該技術(shù)基于光的非彈性散射,也稱為....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-29 11:36 ?1791次閱讀
一文解析拉曼散射和光譜學(xué)

關(guān)于靜電放電你不知道的知識(shí)

在整個(gè)半導(dǎo)體制造過(guò)程中,微粒污染、靜電放電損壞以及與此相關(guān)聯(lián)的設(shè)備停機(jī),是靜電帶來(lái)的三大問(wèn)題。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-27 11:12 ?1312次閱讀

淺析多晶硅錠中位錯(cuò)存在的兩種來(lái)源

根據(jù)晶體凝固生長(zhǎng)與位錯(cuò)形成、運(yùn)動(dòng)與增殖的理論,多晶硅錠中位錯(cuò)存在兩種來(lái)源:原生和增殖。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-27 11:09 ?923次閱讀
淺析多晶硅錠中位錯(cuò)存在的兩種來(lái)源

FinFET是什么?22nm以下制程為什么要引入FinFET呢?

隨著芯片特征尺寸的不斷減小,傳統(tǒng)的平面MOSFET由于短溝道效應(yīng)的限制,難以繼續(xù)按摩爾定律縮小尺寸。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-26 10:19 ?5658次閱讀
FinFET是什么?22nm以下制程為什么要引入FinFET呢?

什么是無(wú)定形碳膜?為什么選碳作為3D NAND的硬掩模?

無(wú)定形碳膜(Amorphous Carbon Film),即非晶碳膜,指的是一種由碳原子構(gòu)成但沒有長(zhǎng)....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-22 15:38 ?3969次閱讀
什么是無(wú)定形碳膜?為什么選碳作為3D NAND的硬掩模?

XeF2和SF6可以相互替換嗎?XeF2和SF6對(duì)硅腐蝕的區(qū)別?

我們知道含F(xiàn)的XeF2和SF6都被當(dāng)做腐蝕硅的氣體,XeF2常被作為各向同性腐蝕硅的氣體,而SF6常....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-21 15:06 ?1635次閱讀
XeF2和SF6可以相互替換嗎?XeF2和SF6對(duì)硅腐蝕的區(qū)別?

光鑷optical tweezers是什么?光鑷的用處有哪些呢?

光鑷optical tweezers利用光來(lái)操縱小到單個(gè)原子的微觀物體。來(lái)自聚焦激光束的輻射壓力能夠....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-21 11:47 ?1631次閱讀
光鑷optical tweezers是什么?光鑷的用處有哪些呢?

淺析功率半導(dǎo)體IGBT及SiC技術(shù)的相關(guān)知識(shí)

電力電子技術(shù)在新能源汽車中應(yīng)用廣泛,是汽車動(dòng)力總成系統(tǒng)高效、快速、穩(wěn)定、安全能量變換的基礎(chǔ)。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-21 10:08 ?2813次閱讀
淺析功率半導(dǎo)體IGBT及SiC技術(shù)的相關(guān)知識(shí)

用光子連接懸浮在真空中的納米粒子,并控制它們之間的相互作用

文本介紹了用光子連接懸浮在真空中的納米粒子,并控制它們之間的相互作用的實(shí)驗(yàn)。這展示了一種在宏觀尺度上....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-20 11:47 ?863次閱讀

關(guān)于光刻膠的關(guān)鍵參數(shù)介紹

與正光刻膠相比,電子束負(fù)光刻膠會(huì)形成相反的圖案?;诰酆衔锏呢?fù)型光刻膠會(huì)在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-20 11:36 ?3842次閱讀
關(guān)于光刻膠的關(guān)鍵參數(shù)介紹

頻率濾波的原理、傅立葉變換與頻域?yàn)V波以及濾波應(yīng)用介紹

干涉圖是光學(xué)實(shí)驗(yàn)中常見的現(xiàn)象,它反映了光波相互疊加形成的干涉條紋,展現(xiàn)了光的波動(dòng)性質(zhì)。
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頻率濾波的原理、傅立葉變換與頻域?yàn)V波以及濾波應(yīng)用介紹