` 幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導(dǎo)體
二極管，它在許多的電路中起著重要的作用，它是誕生最早的半導(dǎo)體
器件之一，
其應(yīng)用也非常廣泛?！ ?b class="flag-6" style="color: red">二極管的應(yīng)用 1、整流
二極管 利用
二極管單向?qū)щ娦?，可以?/div>
2016-02-29 14:33:39
少數(shù)載流子的存儲效應(yīng)很小，其頻率響應(yīng)僅受RC時(shí)間常數(shù)的限制。因此，它是一種理想的高頻快速開關(guān)器件。 肖特基二極管有什么用？肖特基二極管的最大特點(diǎn)是正向壓降VF比較小，在相同電流情況下，其正向壓降要
2021-10-18 16:45:00
湊的系統(tǒng)），內(nèi)部體二極管能夠像mosfet一樣處理電流嗎？可以說25A電流，還是應(yīng)該使用外部體二極管？如果我使用外部體二極管;我可以使用快速恢復(fù)二極管嗎？那將是什么缺點(diǎn)。外部SiC SBD是昂貴
2019-05-29 06:12:00
STTH80S06/RURG8060快恢復(fù)二極管，電流80A，電壓600V，TO-247封裝。超快開關(guān)，低反向電流，低熱阻，低開關(guān)和導(dǎo)通損耗。產(chǎn)品適用于開關(guān)電源和太陽能逆變器。由于它的低正向壓降
2020-09-24 15:59:11
的傳遞函數(shù)導(dǎo)出示例 其1升降壓轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)導(dǎo)出示例 其2開關(guān)的導(dǎo)通電阻對傳遞函數(shù)的影響總結(jié)總結(jié)關(guān)鍵詞開關(guān)損耗 傳遞函數(shù) 電源設(shè)計(jì) SiC-SBD 快速恢復(fù)二極管 SJ-MOSFET IGBT 狀態(tài)空間
2018-11-27 16:40:24
面積小（可實(shí)現(xiàn)小型封裝），而且體二極管的恢復(fù)損耗非常小?！ ≈饕獞?yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中?！ ?. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻 SiC的絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-04-09 04:58:00
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-05-07 06:21:55
邊驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，以更少的元件實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定高效的高壓驅(qū)動(dòng)。核心特性
高集成度設(shè)計(jì)：芯片內(nèi)部集成了自舉二極管，省去了外部添加該分立器件的需要，簡化了電路布局并提升了可靠性。
高壓耐受與強(qiáng)抗擾：支持最高600V
2025-12-31 08:22:18
SiLM2234 600V半橋門極驅(qū)動(dòng)器，支持290mA拉電流和600mA灌電流輸出能力，專為高壓、高功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，內(nèi)部集成自舉二極管，顯著簡化外部電路設(shè)計(jì)，具備優(yōu)異的抗負(fù)向
2025-09-11 08:34:41
電壓后，TVS二極管便發(fā)生雪崩，提供給瞬時(shí)電流一個(gè)超低電阻通路，其結(jié)果是瞬時(shí)電流通過二極管被引開，避開被保護(hù)器件，并且在電壓恢復(fù)正常值之前使被保護(hù)回路一直保持截止電壓。當(dāng)瞬時(shí)脈沖結(jié)束以后，TVS二極管
2017-04-06 16:54:25
瞬態(tài)功率可達(dá)200W-30000W，甚至更高；? 工作電壓范圍3.3V~600V，甚至更高TVS二極管憑借PS級響應(yīng)速度、大瞬態(tài)功率、低漏電流和電容、箝位電壓易控制、擊穿電壓偏差小、可靠性高、體積小
2020-10-21 16:54:18
工作；當(dāng)電路出現(xiàn)異常浪涌或電壓并達(dá)到了瞬態(tài)二極管擊穿電壓時(shí)，瞬態(tài)二極管迅速由高阻態(tài)變?yōu)?b class="flag-6" style="color: red">低阻態(tài)，瞬間吸收一個(gè)瞬時(shí)過電流，把異常過電壓鉗位在較低的水平，保護(hù)后級電路的精密器件免受瞬態(tài)高壓尖峰脈沖的沖擊
2022-05-25 14:16:57
導(dǎo)通時(shí) 耗盡區(qū)是否消失？2、當(dāng)二極管的正偏電壓未達(dá)到導(dǎo)通電壓時(shí)，其電阻很高,因?yàn)殡妷鹤兓^大，而電流變化較小。當(dāng)正偏電壓大于導(dǎo)通電壓時(shí)，二極管導(dǎo)通，其電阻很小，因?yàn)殡妷鹤兓苄?，卻導(dǎo)致電流的很大
2010-03-15 09:15:46
在做模擬電路題目，請問怎么設(shè)置二極管的參數(shù)，需要理想二極管。有時(shí)候導(dǎo)通電壓是0V，有時(shí)候是0.7V，都是固定的。
2013-12-20 10:12:11
所示的曲線關(guān)系:正向?qū)▔航蹬c導(dǎo)通電流成正比，其浮動(dòng)壓差為0.2V。從輕載導(dǎo)通電流到額定導(dǎo)通電流的壓差雖僅為0.2V,但對于功率肖特基二極管來說它不僅影響效率也影響肖特基二極管的溫升，所以在價(jià)格條件
2018-10-18 18:19:30
?！ ⌒ぬ鼗?b class="flag-6" style="color: red">二極管的導(dǎo)通電壓非常低。普通二極管在電流流過時(shí)，會(huì)產(chǎn)生約0.7-1.7伏特的電壓降，不過肖特基二極管的電壓降只有0.15-0.45伏特，因此可以提升系統(tǒng)的效率?！ ⌒ぬ鼗?b class="flag-6" style="color: red">二極管的優(yōu)點(diǎn)是正向壓降
2018-11-05 14:29:49
請問各種發(fā)光二極管的導(dǎo)通電壓和電流時(shí)多少？
2012-09-11 12:40:19
發(fā)光二極管有2EF系列和TB系列，常用的三色發(fā)光二極管有2EF302、2EF312、2EF322等型號。 電壓控制型發(fā)光二極管 通俗發(fā)光二極管屬于電流控制型器件，在應(yīng)用時(shí)需串接恰當(dāng)阻值的限流電阻。電壓
2018-04-03 11:33:11
發(fā)光二極管有2EF系列和TB系列，常用的三色發(fā)光二極管有2EF302、2EF312、2EF322等型號?！ ‰妷嚎刂菩桶l(fā)光二極管 通俗發(fā)光二極管屬于電流控制型器件，在應(yīng)用時(shí)需串接恰當(dāng)阻值的限流電阻。電壓
2018-09-07 11:29:24
請問下如圖所示一個(gè)并聯(lián)電路，一路（稱為A路）有一個(gè)二級管，一路（稱為B路）有3個(gè)同樣的二級管，二極管導(dǎo)通電壓為0.7V，請問下電路開始工作時(shí)電壓達(dá)到0.7V時(shí)A路二級管能導(dǎo)通，但是由于B路有三個(gè)二級管壓降會(huì)有2.1V，這樣B路就不能導(dǎo)通？是否可以這么理解，非常感謝
2024-10-31 17:08:28
、場效應(yīng)器件和特殊的肖特基二極管。以下是碳化硅特性：1）碳化硅單載波器件具有薄漂移區(qū)和低導(dǎo)通電阻，比硅器件小約100-300倍。由于導(dǎo)通電阻小，碳化硅功率器件的正向損耗小。2）碳化硅功率器件由于其高擊穿
2023-02-07 15:59:32
快恢復(fù)二極管HFD3060H（可完全替換DSEC30-06A），電壓600V，電流30A，快恢復(fù)時(shí)間短（20ns），開關(guān)速度快，降低器件的開關(guān)損耗和提高電力電子電路的工作頻率，在高頻電力調(diào)節(jié)系統(tǒng)
2020-09-24 16:10:01
快恢復(fù)二極管FMD4206S，電壓600V，電流20A，快恢復(fù)時(shí)間50ns，TO-3PF封裝。開關(guān)速度快，低損耗。低漏電流。適用于高頻整流的低損耗電源用二極管。常應(yīng)用于CCM方式PFC；白色家電
2020-09-24 16:11:08
結(jié)構(gòu)符號用途?特征對電源部的一次側(cè)起到整流作用。容易獲得1A以上、400V/600V的高耐壓。整流二極管 (Rectifier Diode) 顧名思義，是指對商用頻率的交流電進(jìn)行整流的二極管。整流
2019-04-11 02:06:13
` 肖特基(Schottky)二極管是一種快恢復(fù)二極管，它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。其顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短(可以小到幾納秒)，正向?qū)▔航祪H0.4V左右。肖特基(Schottky
2018-10-22 15:32:15
` （1）不同耐壓的MOS管的導(dǎo)通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導(dǎo)通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導(dǎo)通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻
2018-11-01 15:01:12
） MOSFET,以節(jié)省一個(gè) MOSFET.通過在理想二極管和熱插拔 MOSFET 之間配置檢測電阻器，LTC4228 比 LTC4225 有了改進(jìn)，LTC4228 能更快地從輸入電壓欠壓中恢復(fù)，以保持輸出電壓
2018-09-29 16:41:57
一樣，可以制成結(jié)型器件、場效應(yīng)器件、和金屬與半導(dǎo)體接觸的肖特基二極管?！ ?b class="flag-6" style="color: red">其優(yōu)點(diǎn)是： (1)碳化硅單載流子器件漂移區(qū)薄，開態(tài)電阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的導(dǎo)通電阻，碳化硅功率器件
2019-01-11 13:42:03
小型化。然而，必須首先解決一個(gè)問題：SiC MOSFET反向操作期間，體二極管雙極性導(dǎo)通會(huì)造成導(dǎo)通電阻性能下降。將肖特基勢壘二極管嵌入MOSFET，使體二極管失活的器件結(jié)構(gòu)，但發(fā)現(xiàn)用嵌入式SBD代替
2023-04-11 15:29:18
開關(guān)電源小型化，并降低產(chǎn)品噪音?！ ?、碳化硅肖特基二極管的正向特性 碳化硅肖特基二極管的開啟導(dǎo)通電壓比硅快速恢復(fù)二極管較低，如果要降低VF值，需要減薄肖特基勢壘的高度，但這會(huì)使器件反向偏壓時(shí)的漏電
2023-02-28 16:34:16
常用的穩(wěn)壓二極管的外形與普通小功率整流二極管的外形基本相似。當(dāng)殼體上的型號標(biāo)記清楚時(shí)，可根據(jù)型號加以鑒別。當(dāng)其型號標(biāo)志脫落時(shí)，可使用萬用表電阻擋很準(zhǔn)確地將穩(wěn)壓二極管與普通整流二極管區(qū)別開來。具體方法
2021-08-16 17:04:51
肖特基二極管正向?qū)?b class="flag-6" style="color: red">通電壓很低，只有0.4v，反向在擊穿電壓之前不會(huì)導(dǎo)通，起到快速反應(yīng)開關(guān)的作用。而穩(wěn)壓二極管正向?qū)?b class="flag-6" style="color: red">通電壓跟普通二級管一樣約為0.7v，反向狀態(tài)下在臨界電壓之前截止，在達(dá)到臨界電壓
2021-11-12 06:28:29
1.穩(wěn)壓二極管正向?qū)?b class="flag-6" style="color: red">通電壓跟普通二級管一樣約為0.7v，反向狀態(tài)下在臨界電壓之前截止，在達(dá)到臨界電壓的條件下會(huì)處于導(dǎo)通的狀態(tài)，電壓也不再升高，所以用在重要元器件上，起到穩(wěn)壓作用。穩(wěn)壓二極管主要利用其
2021-11-15 09:13:52
穩(wěn)壓二極管 穩(wěn)壓二極管(又叫齊納二極管)它的電路符號是:此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件.在這臨界擊穿點(diǎn)上,反向電阻降低到一個(gè)很少的數(shù)值,在這個(gè)低阻區(qū)中電流增加而電壓則
2012-09-10 17:16:56
，還通過優(yōu)化內(nèi)置二極管的特性，改善了超級結(jié)MOSFET特有的軟恢復(fù)指數(shù)※3），可減少引發(fā)誤動(dòng)作的噪聲干擾。通過減少這些阻礙用戶優(yōu)化電路時(shí)的障礙，提高設(shè)計(jì)靈活度。該系列產(chǎn)品已經(jīng)以月產(chǎn)10萬個(gè)的規(guī)模逐步投入
2020-03-12 10:08:31
，還通過優(yōu)化內(nèi)置二極管的特性，改善了超級結(jié)MOSFET特有的軟恢復(fù)指數(shù)※3），可減少引發(fā)誤動(dòng)作的噪聲干擾。通過減少這些阻礙用戶優(yōu)化電路時(shí)的障礙，提高設(shè)計(jì)靈活度。該系列產(chǎn)品已經(jīng)以月產(chǎn)10萬個(gè)的規(guī)模逐步投入
2020-03-12 10:08:47
` 1、開關(guān)二極管是利用二極管的單向?qū)щ娦?，在半?dǎo)體PN結(jié)加上正向偏壓后，在導(dǎo)通狀態(tài)下，電阻很小（幾十到幾百歐）；加上反向偏壓后截止，其電阻很大（硅管在100MΩ以上）。利用開關(guān)二極管的這一特性
2019-01-03 13:36:59
肖特基二極管正向?qū)?b class="flag-6" style="color: red">通電壓很低，只有0.4V，反向在擊穿電壓之前不會(huì)導(dǎo)通，起到快速反應(yīng)開關(guān)的作用。而穩(wěn)壓二極管正向?qū)?b class="flag-6" style="color: red">通電壓跟普通二級管一樣約為0.7V，反向狀態(tài)下在臨界電壓之前截止，在達(dá)到臨界電壓
2020-09-25 15:38:08
（金屬－絕緣體－半導(dǎo)體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發(fā)光二極管。 復(fù)二極管：有0.8-1.1V的正向?qū)▔航担?5-85nS的反向恢復(fù)時(shí)間，在導(dǎo)通和截止之間迅速轉(zhuǎn)換，提高了器件的使用頻率并改善了
2015-11-27 18:02:58
MOSFET和額外的肖特基二極管，可最大限度地減少干擾。相應(yīng)MOSFET中的體二極管有一個(gè)主要缺點(diǎn)。由于反向恢復(fù)現(xiàn)象，其開關(guān)速度非常低。在反向恢復(fù)時(shí)間內(nèi)，電感（L1）導(dǎo)致開關(guān)節(jié)點(diǎn)處的電壓下降到比地電壓低幾
2020-12-16 16:57:38
的續(xù)流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復(fù)外延二極管（FRED）和超快速恢復(fù)二極管
2020-11-26 17:31:19
的續(xù)流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復(fù)外延二極管（FRED）和超快速恢復(fù)二極管
2021-11-16 17:02:37
）電路中功率開關(guān)器件的續(xù)流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復(fù)外延二極管（FRED）和超
2021-09-09 15:19:01
大家知道我們在設(shè)計(jì)電路時(shí)該如何選擇這個(gè)續(xù)流二極管的導(dǎo)通電流值嗎？比如在一個(gè)大電感的直流線圈反并聯(lián)一個(gè)續(xù)流二極管，這個(gè)二極管的電流值該如何選擇??？
2019-06-20 04:35:56
請問貼片電阻，貼片電容，貼片二極管，穩(wěn)壓二極管，MOS管，MOSFET和封裝形式有那些呢？請一一說明，謝謝各們大師哦?。?！
2020-11-13 14:54:46
請問這個(gè)電子元器件符號是哪種二極管，是雙向TVS嗎？
我感覺這個(gè)類似穩(wěn)壓二極管，但比穩(wěn)壓二極管多了一個(gè)折線，是雙向穩(wěn)壓二極管嗎？在網(wǎng)上查了好久都沒找到，麻煩各位指點(diǎn)一下，謝謝
2024-11-14 11:13:29
我的電路是驗(yàn)證電容的充電是有一定過程的，如果讓電阻和發(fā)光二極管直接與電源連接，則由于二極管兩端獲得的電壓不夠，所以不能導(dǎo)通。現(xiàn)在我想是先讓電容充電，等到一定的時(shí)候，電容兩端的電壓大于發(fā)光二極管的導(dǎo)通電壓時(shí)，發(fā)光二極管就會(huì)發(fā)光，這個(gè)是在Multisim中模擬的，但是二極管沒有點(diǎn)亮，請問：錯(cuò)在哪了？
2015-08-12 09:38:27
，所以使用可高速開關(guān)的快速恢復(fù)二極管。需要探討的是耐壓和損耗。施加于輸出二極管的反向電壓考慮到余量為：??Vdr = VIN (max)÷0.7 = 372V÷0.7 = 531V → 600V二極管
2018-11-27 16:51:14
MOSFET漏源極之間有寄生二極管，漏源極間加反向電壓時(shí)器件導(dǎo)通。電力 MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，對器件并聯(lián)時(shí)的均流有利?！ ?、動(dòng)態(tài)特性；其測試電路和開關(guān)過程波形如圖3所示?！ ￠_通
2023-02-27 11:52:38
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術(shù)為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業(yè)新桿標(biāo)。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進(jìn)反向恢復(fù)過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
普通二極管（正導(dǎo)通電壓）眾所周知，公共二極管和晶體管的發(fā)射極結(jié)具有閾值電壓。對于硅器件，導(dǎo)通電壓約為0.65 V。隨著導(dǎo)通電流的變化，這種電壓變化并不顯著。因此，任何硅材料的普通二極管都可以
2023-02-13 17:51:25
Vishay推出新款高速PIN光敏二極管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二極管，新器件采用鷗翼和倒鷗翼型封裝
2009-11-13 09:21:28
917 Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011361 超高效率600V H系列整流器擴(kuò)展硅二極管性能
為協(xié)助電源廠商以更低成本克服高性能系統(tǒng)的各種挑戰(zhàn)， Qspeed半導(dǎo)體公司推出H系列組件Qspeed新款600V功率因數(shù)校正器（PFC
2009-12-31 10:03:111237 隧道二極管/體效應(yīng)二極管是什么意思
什么是隧道二極管?隧道二極管是一種在極低正向電壓下具有負(fù)電阻的半導(dǎo)體二極管。
2010-02-27 11:23:212522 IR推出汽車專用MOSFET系列低導(dǎo)通電阻
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:321055 MOSFET--- SiHx25N50E，該器件具有與該公司600V和650V E系列器件相同的低導(dǎo)通電阻和低開關(guān)損耗優(yōu)點(diǎn)。
2014-10-09 12:59:191841 
FRED Pt? Gen 4 Ultrafast快恢復(fù)二極管，這些器件適用于電源模塊、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、UPS、太陽能逆變器、焊機(jī)逆變器里的高頻轉(zhuǎn)換器。
2015-06-02 15:10:531320 ---SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF，擴(kuò)大其快速體二極管N溝道功率MOSFET產(chǎn)品組合。
2016-05-12 14:01:14924 MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導(dǎo)通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源提供了
2017-02-10 15:10:112189 整流二極管與穩(wěn)壓二極管有何異同 二極管的主要特性是單向?qū)щ娦裕簿褪窃谡螂妷旱淖饔孟拢?b class="flag-6" style="color: red">導(dǎo)通電阻很小；而在反向電壓作用下導(dǎo)通電阻極大或無窮大。正因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">二極管具有上述特性，電路中常把它用在整流、穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓原理：穩(wěn)壓二極管的特點(diǎn)就是加反向電壓擊穿后，其兩端的電壓基本 保持不變。
2018-04-24 10:22:0019706 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出最新第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。
2020-12-23 14:24:542337 Vishay DFN1006-2A 封裝二極管 40 V 和 100 V 器件通過 AEC-Q101 認(rèn)證 與傳統(tǒng) SOD/T 封裝二極管相比節(jié)省空間并提高了散熱性能 Vishay 推出超小型可潤濕
2021-10-19 16:57:522958 
肖特基二極管正向?qū)?b class="flag-6" style="color: red">通電壓很低，只有0.4v，反向在擊穿電壓之前不會(huì)導(dǎo)通，起到快速反應(yīng)開關(guān)的作用。而穩(wěn)壓二極管正向?qū)?b class="flag-6" style="color: red">通電壓跟普通二級管一樣約為0.7v，反向狀態(tài)下在臨界電壓之前截止，在達(dá)到臨界電壓
2021-11-07 19:06:03
14 Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導(dǎo)通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:352298 （NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用薄型PowerPAK? 10 x 12封裝的新型第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay
2022-10-12 15:44:14780 
Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導(dǎo)通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供高效、高功率密度解決方案，同時(shí)柵極電荷下降 60 %，從而使器件導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中 600V MOSFET 的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）創(chuàng)業(yè)界新低。
2022-10-14 16:16:121359 )(統(tǒng)稱“東芝”)已經(jīng)開發(fā)了一種碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。該晶體管將嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD)排列成方格狀(方格狀嵌入式SBD)，以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高可靠性。東芝
2022-12-12 18:01:531837 二極管的導(dǎo)通電壓是二極管正向?qū)ê?，它的正向壓降基本保持不變。正向特性：在電子電路中，?b class="flag-6" style="color: red">二極管的正極接在高電位端，負(fù)極接在低電位端，二極管就會(huì)導(dǎo)通，這種連接方式，稱為正向偏置。當(dāng)加在二極管兩端的正向電壓很小時(shí)，二極管仍然不能導(dǎo)通，流過二極管的正向電流十分微弱。
2023-02-11 14:10:0821284 如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET的結(jié)構(gòu)上講，體二極管是由源極-漏極間的pn結(jié)形成的，也被稱為“寄生二極管”或“內(nèi)部二極管”。對于MOSFET來說，體二極管的性能是重要的參數(shù)之一，在應(yīng)用中使用時(shí)，其性能發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。
2023-02-24 11:47:404750 
電力二極管屬于半導(dǎo)體器件，通常也被稱為功率二極管。它們主要用于高功率、高電壓和高頻率的電路中，用于控制和轉(zhuǎn)換電能。電力二極管具有低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和快速恢復(fù)時(shí)間等特性，廣泛應(yīng)用于電源、逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、照明和電力電子設(shè)備等領(lǐng)域。
2023-02-28 11:36:345390 肖特基二極管因其低導(dǎo)通電壓、快速恢復(fù)時(shí)間和更高頻率下的低損耗能量而得到廣泛應(yīng)用。這些特性使肖特基二極管能夠通過促進(jìn)從導(dǎo)通狀態(tài)到阻塞狀態(tài)的快速轉(zhuǎn)換來整流電流。因此，肖特基二極管通常是許多應(yīng)用中半導(dǎo)體器件的理想選擇。以下是肖特基二極管最常見的五種應(yīng)用。
2023-05-24 11:24:222670 SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同，這是因?yàn)镾iC MOSFET體二極管具有獨(dú)特的特性。對于1200V SiC MOSFET來說，輸出電容的影響較大，而PN
2023-01-04 10:02:073634 
探究快速開關(guān)應(yīng)用中SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性
2023-01-12 14:33:033281 功率二極管有哪些？二極管是功率器件嗎? 功率二極管是一種功率電子器件，它與普通的二極管的不同之處在于其能夠承受更大的電流和電壓，用于控制和轉(zhuǎn)換電能。功率二極管是一種關(guān)鍵的電子器件，廣泛應(yīng)用于許多領(lǐng)域
2023-09-02 11:13:572413 帶有快速體二極管的MOSFET器件通過LLC拓?fù)浜虵REDFET來提高效率
2023-12-08 17:35:561465 
MOSFET為什么有“體二極管”
2023-12-14 11:26:483272 
的。在功率MOSFET中，這種體二極管尤為重要，因?yàn)樗鼘?b class="flag-6" style="color: red">器件的性能和可靠性有很大影響。 要了解MOS管體二極管的作用，首先需要了解MOSFET的基本結(jié)構(gòu)。一個(gè)典型的MOSFET包括源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）。在功率MOSFET中，通常還有一個(gè)額外的區(qū)域，
2024-01-31 16:28:228929 
肖特基二極管是一種特殊的二極管，它由肖特基結(jié)構(gòu)組成，具有低導(dǎo)通電壓、快速開關(guān)特性和高溫穩(wěn)定性。肖特基二極管可以在許多應(yīng)用中起到關(guān)鍵的作用，例如電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、放大器、開關(guān)電路等。 肖特基
2024-02-18 15:47:293376 Vishay 推出一款采用透明無色引線型塑料封裝的新型 890 nm 高速紅外 ( IR ) 發(fā)光二極管，擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合。Vishay Semiconductors ?TSHF5211 ?基于表面發(fā)射器芯片技術(shù)，優(yōu)異的 VF 溫度系數(shù)達(dá) -1.0 mV/K，輻照強(qiáng)度和升降時(shí)間優(yōu)于前代器件。
2024-07-19 09:22:511351 硅二極管的導(dǎo)通電壓是一個(gè)關(guān)鍵的參數(shù)，它決定了二極管何時(shí)開始導(dǎo)電。在大多數(shù)情況下，硅二極管的導(dǎo)通電壓被稱為“門檻電壓”或“開啟電壓”，并且這個(gè)值通常是 0.5V到0.7V 。當(dāng)二極管的正向電壓超過這個(gè)
2024-10-14 17:08:588016 導(dǎo)通電壓為0.7V的二極管有很多種，以下是一些常見的類型： 整流二極管 ：例如1N4001~1N4007系列，這些二極管主要用于將交流電轉(zhuǎn)換為直流電。 硅穩(wěn)壓二極管 ：如1N3786、1N37785
2024-10-14 17:11:304104 40 A至240 A雙二極管和單相橋式器件正向壓降低至1.36 V，QC僅為56 nC 威世科技宣布，推出16款采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-227封裝的新型650 V和1200 V 碳化硅（SiC）肖特基
2025-02-27 12:49:35763 
——DPF120C600HB，看看它有哪些獨(dú)特的特性和應(yīng)用場景。 文件下載： Littelfuse DPF120C600HB快速恢復(fù)二極管.pdf 一、產(chǎn)品概述 DPF120C600HB是一款耐壓600V、電流2
2025-12-15 17:20:02352 在現(xiàn)代電子電路中，二極管被廣泛應(yīng)用于整流、電源管理、保護(hù)電路等領(lǐng)域。二極管的導(dǎo)通電壓（V_f）是其一個(gè)重要參數(shù)，它決定了電流通過二極管時(shí)的電壓降。如果二極管的導(dǎo)通電壓過高，它將直接影響電路的效率
2026-01-05 11:39:1866 
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