Vishay推出薄型PowerPAK? 600 V EF系列快速體二極管MOSFET，其RDS(ON)*Qg FOM創(chuàng)業(yè)界新低

N溝道器件實(shí)現(xiàn)高功率密度，降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，提高能效
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賓夕法尼亞、MALVERN — 2022年10月12日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用薄型PowerPAK? 10 x 12封裝的新型第四代600 V EF系列快速體二極管 MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay Siliconix n溝道 SiHK045N60EF導(dǎo)通電阻比前代器件降低29 %，為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供高效、高功率密度解決方案，同時(shí)柵極電荷下降60 %，從而使器件導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中600 V MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）創(chuàng)業(yè)界新低。
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Vishay提供豐富的MOSFET技術(shù)以支持各級(jí)功率轉(zhuǎn)換，涵蓋高壓輸入到低壓輸出的各種高科技系統(tǒng)。隨著SiHK045N60EF的推出，以及其他第四代600?V EF系列器件的發(fā)布，Vishay可滿足電源系統(tǒng)架構(gòu)前兩級(jí)提高能效和功率密度的要求——包括圖騰柱無(wú)橋功率因數(shù)校正（PFC）以及其后的DC/DC 轉(zhuǎn)換器模塊。典型應(yīng)用包括邊緣計(jì)算和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、不間斷電源、高強(qiáng)度放電（HID）燈和熒光燈鎮(zhèn)流器照明、太陽(yáng)能逆變器、焊接設(shè)備、感應(yīng)加熱、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電池充電器。
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SiHK045N60EF基于Vishay高能效E系列超結(jié)技術(shù)，10 V條件下典型導(dǎo)通電阻僅為0.045 Ω，比PowerPAK 8 x 8封裝器件低27 %，從而提高了額定功率，支持≥ 3 kW的各種應(yīng)用，同時(shí)器件高度低至2.3?mm，增加了功率密度。此外，MOSFET超低柵極電荷降至70 nC。器件的FOM為3.15 Ω*nC，比同類中最接近的MOSFET競(jìng)品低2.27 %。這些參數(shù)表明導(dǎo)通和開關(guān)損耗降低，從而節(jié)省能源提高能效。器件滿足服務(wù)器電源鈦效率的特殊要求，或通信電源達(dá)到98%的峰值效率。
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SiHK045N60EF有效輸出電容Co(er) 和Co(tr) 分別僅為171 pf和1069 pF，可改善零電壓開關(guān)（ZVS）拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)開關(guān)性能，如LLC諧振轉(zhuǎn)換器。器件的Co(tr) 比同類中最接近的MOSFET競(jìng)品低8.79 %，而其快速體二極管的Qrr低至0.8 μC，有助于提高橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的可靠性。此外，MOSFET的PowerPAK 10 x 12封裝具有任何表面貼裝的出色熱性能，最大結(jié)-殼熱阻額定值為0.45 °C/W。SiHK045N60EF熱阻抗比PowerPAK 8 x 8封裝器件低31%。
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日前發(fā)布的MOSFET符合 RoHS和Vishay綠色標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素，耐受雪崩模式過(guò)壓瞬變，并保證極限值 100% 通過(guò) UIS 測(cè)試。
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SiHK045N60EF現(xiàn)可提供樣品并已量產(chǎn)，如想了解產(chǎn)品供貨周期的相關(guān)信息可與Vishay銷售聯(lián)系。
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Vishay(119655) Vishay(119655)

評(píng)論

二極管雙t型電路特點(diǎn)

二極管雙T型電路是一種常用的電子電路，由兩個(gè)二極管和兩個(gè)電阻構(gòu)成。它的特點(diǎn)包括共射放大、波形整形、振蕩等功能。下面我將詳細(xì)介紹二極管雙T型電路的原理、特點(diǎn)及應(yīng)用。 二極管雙T型電路原理: 二極管雙T

2023-12-07 15:06:11

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MOS管體二極管是什么？MOS管體二極管的作用

體二極管是MOS管中的一個(gè)重要組成部分，它是襯底B與漏極D之間的PN結(jié)。由于把B極和S極短路了，因此出現(xiàn)了SD之間的體二極管。今天我們簡(jiǎn)單來(lái)講下關(guān)于體二極管在MOS管中的作用，以及它能承受多大電流。

2024-01-23 09:39:31

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Vishay推出最新第四代600 V E系列MOSFET器件，RDS(ON)Qg FOM僅為2.8 ΩnC，達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平

Vishay 宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 溝道SiHK045N60E導(dǎo)通電阻比前一代600 V E

2022-02-21 11:18:05

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Vishay推出新型EMIPAK 1B封裝二極管和MOSFET功率模塊，為車載充電應(yīng)用提供完整解決方案

Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，針對(duì)車載充電應(yīng)用專門推出七款新型二極管和MOSFET功率模塊。含有各種電路配置的集成解決方案采用PressFit引腳壓合專利技術(shù)，將高效快速體

2022-11-29 14:20:51

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600V碳化硅二極管SIC SBD選型

海飛樂(lè)技術(shù)有限公司是一家以快速恢復(fù)二極管（FRD）、快恢復(fù)模塊、超結(jié)MOSFET等新型功率半導(dǎo)體芯片及器件的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售為主營(yíng)業(yè)務(wù)的高科技企業(yè)。公司快恢復(fù)二極管/模塊產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于變頻空調(diào)

2019-10-24 14:25:15

Vishay SMBJxxD 系列TVS二極管

`Vishay SMBJxxD系列TVS采用小巧的封裝并具有±3.5％容差，且可以單向使用。 SMBJxxD具有600W峰值脈沖功率能力，波形為10 /1000μs，重復(fù)率（占空比）：0.01

2019-09-07 11:48:12

二極管之間的區(qū)別有哪些？

進(jìn)行快速過(guò)壓保護(hù)，分雙極型和單極型兩種，按峰值功率（500W－5000W）和電壓（8.2V～200V）分類。 18、雙基極二極管（單結(jié)晶體管）兩個(gè)基極，一個(gè)發(fā)射極的三端負(fù)阻器件，用于張馳振蕩電路

2016-11-11 14:24:30

二極管的分類

掃描電路作阻尼和升壓整流用。17、瞬變電壓抑制二極管TVP管，對(duì)電路進(jìn)行快速過(guò)壓保護(hù)，分雙極型和單極型兩種，按峰值功率（500W－5000W）和電壓（8.2V～200V）分類。18、雙基極二極管

2018-08-22 11:36:57

二極管的特性是什么？點(diǎn)接觸型二極管可分為哪幾類？

二極管的特性是什么？點(diǎn)接觸型二極管可分為哪幾類？

2021-06-08 06:12:13

二極管的種類與選型

載流子導(dǎo)電的，所以，其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導(dǎo)電的PN結(jié)大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)甚微，所以其頻率響僅為RC時(shí)間常數(shù)限制，因而，它是高頻和快速開關(guān)的理想器件。其工作頻率可達(dá)100GHz。并且，MIS（金屬－絕緣體－半導(dǎo)體）肖特基二極管可以用來(lái)制作太陽(yáng)能電池或發(fā)光二極管`

2020-02-08 15:04:50

體二極管反向恢復(fù)

轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用的MOSFET體二極管的反向恢復(fù)。氮化鎵—GaN器件不會(huì)表現(xiàn)出反向恢復(fù)特性，并因此避免了損耗和其它相關(guān)問(wèn)題。借助于我的LMG5200和一個(gè)差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597

2018-09-03 15:17:44

快速軟恢復(fù)二極管

恢復(fù)特性，在電路中引起較高的感應(yīng)電壓，對(duì)整個(gè)電路的正常工作產(chǎn)生重要影響。目前現(xiàn)狀　　目前，國(guó)內(nèi)快速二極管一般采用電子輻照控制少子壽命,其軟度因子在0.35左右，特性很硬。國(guó)際上快速二級(jí)管的水平已達(dá)到

2019-10-10 13:38:53

N型二極管和P型二極管有什么區(qū)別？

N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體通過(guò)工藝做成PN結(jié)就是二級(jí)管。二極管只有一個(gè)PN結(jié)，為什么二極管型號(hào)要分N型二極管和P型二極管？二者有什么區(qū)別?謝謝！[此貼子已經(jīng)被作者于2009-3-10 17:19:59編輯過(guò)]

2009-03-08 17:01:37

SCT30N120內(nèi)部體二極管能夠像mosfet一樣處理電流嗎？

湊的系統(tǒng)），內(nèi)部體二極管能夠像mosfet一樣處理電流嗎？可以說(shuō)25A電流，還是應(yīng)該使用外部體二極管？如果我使用外部體二極管;我可以使用快速恢復(fù)二極管嗎？那將是什么缺點(diǎn)。外部SiC SBD是昂貴

2019-05-29 06:12:00

SiC-MOSFET體二極管特性

，MOSFET的體二極管是具有pn結(jié)的二極管，因而存在反向恢復(fù)現(xiàn)象，其特性表現(xiàn)為反向恢復(fù)時(shí)間（trr）。下面是1000V耐壓的Si-MOSFET和SiC-MOSFET SCT2080KE的trr特性比較

2018-11-27 16:40:24

TVS二極管能用普通二極管代替嗎？

和破壞。普通二極管，有很多種類，不同二極管，其作用功能不一樣，應(yīng)用環(huán)境也不一樣。穩(wěn)壓二極管是利用pn結(jié)反向擊穿狀態(tài)，其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象，制成的起穩(wěn)壓作用的二極管。整流二極管是一種

2022-05-25 14:16:57

　解析如何快速準(zhǔn)確區(qū)別肖特基二極管與快恢復(fù)二極管的訣竅

恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時(shí)間很短的二極管(5us以下)，工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管(1-2V)，反向耐壓多在1200V以下。從性能

2019-03-11 11:24:39

不同種類二極管如何選用？

一、檢波二極管的選用檢波二極管一般可選用點(diǎn)接觸型鍺二極管，例如2AP系列等。選用時(shí)，應(yīng)根據(jù)電路的具體要求來(lái)選擇工作頻率高、反向電流小、正向電流足夠大的檢波二極管。二、整流二極管的選用整流二極管一般為

2022-06-07 15:51:38

分享快速檢測(cè)肖特基二極管的小竅門

，判定被測(cè)管為共陰對(duì)管，①、③腳為兩個(gè)陽(yáng)極，②腳為公共陰極。第二，因①?②、③?②之間的正向電阻只幾歐姆，而反向電阻為無(wú)窮大，故具有單向?qū)щ娦?。第三，?nèi)部?jī)芍恍ぬ鼗?b class="flag-6" style="color: red">二極管的正向?qū)▔航捣謩e為0.315V

2018-12-10 15:19:35

發(fā)光二極管型號(hào)有哪些_發(fā)光二極管型號(hào)大全

發(fā)光二極管有2EF系列和TB系列，常用的三色發(fā)光二極管有2EF302、2EF312、2EF322等型號(hào)?！　‰妷嚎刂?b class="flag-6" style="color: red">型發(fā)光二極管　　通俗發(fā)光二極管屬于電流控制型器件，在應(yīng)用時(shí)需串接恰當(dāng)阻值的限流電阻。電壓

2018-04-03 11:33:11

發(fā)光二極管型號(hào)有哪些_發(fā)光二極管型號(hào)大全

發(fā)光二極管有2EF系列和TB系列，常用的三色發(fā)光二極管有2EF302、2EF312、2EF322等型號(hào)。　　電壓控制型發(fā)光二極管　　通俗發(fā)光二極管屬于電流控制型器件，在應(yīng)用時(shí)需串接恰當(dāng)阻值的限流電阻。電壓

2018-09-07 11:29:24

如何判斷TVS瞬態(tài)抑制二極管的好壞？

1.用萬(wàn)用表R&TImes;1k擋測(cè)量管子的好壞。對(duì)于單極型的TVS管，按照測(cè)量普通二極體的方法，可測(cè)出其正、反向電阻，一般正向電阻為4k5左右，反向電阻為無(wú)窮大。 2.對(duì)于雙向極型的TVS

2021-12-24 10:24:22

如何區(qū)分硅二極管和鍺二極管？

、反向恢復(fù)時(shí)間短的半導(dǎo)體二極管）主要用于各種功率轉(zhuǎn)換器的開關(guān)功率器件（如IGBT或MOSFET），以起到續(xù)流效果。碳化硅肖特基二極管4.1 碳化硅肖特基二極管基本型肖特基二極管，也稱為熱載流二極管，通過(guò)

2023-02-07 15:59:32

常用二極管簡(jiǎn)介

N型半導(dǎo)體一側(cè)，相對(duì)較薄，故其正向?qū)ㄩT檻電壓比普通PN結(jié)低。但是也是因?yàn)樾ぬ鼗?b class="flag-6" style="color: red">二極管的耗盡區(qū)較薄，所以反向擊穿電壓比較低。　　如果是使用的話，TVS有二極管類，和壓敏電阻類。個(gè)人認(rèn)為壓敏電阻類更有

2023-03-16 17:29:45

快恢復(fù)二極管600V30A二極管性能與應(yīng)用

　　快恢復(fù)二極管HFD3060H（可完全替換DSEC30-06A），電壓600V，電流30A，快恢復(fù)時(shí)間短（20ns），開關(guān)速度快，降低器件的開關(guān)損耗和提高電力電子電路的工作頻率，在高頻電力調(diào)節(jié)系統(tǒng)

2020-09-24 16:10:01

怎樣辨別肖特基二極管與普通二極管？

結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管（1-2V），反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個(gè)等級(jí)。前者反向恢復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒或更長(zhǎng)，后者則在100納秒以下

2020-12-15 15:45:54

整流二極管的選擇使用

較高，且反向恢復(fù)時(shí)司短快恢復(fù)型整流二極管。而不能使用一般整流二極管?？蛇x擇使用fr一系列，pfr一系列，mur一系列快恢復(fù)二極管。對(duì)低電壓整流電路應(yīng)選擇使用正問(wèn)壓降小整流二極管。對(duì)于5A對(duì)下整流

2021-04-25 14:03:51

普通二極管能代替整流二極管嗎？

正常情況下，要滿足穩(wěn)壓二極管的反向電壓是等于或者大于整流二極管的方向電壓。普通二極管是指工藝材料沒(méi)有什么特殊的二極管。其性能也就沒(méi)有特點(diǎn)了。能不能代替整流二極管呢？根據(jù)二極管的使用原則，只要其耐壓

2021-05-26 16:49:24

普通硅二極管與肖特基二極管有什么不同

），工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管（1-2V），反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個(gè)等級(jí)。前者反向恢復(fù)時(shí)間為

2019-06-12 02:34:10

淺析肖特基勢(shì)壘二極管

不同，ROHM利用多種金屬，推出如下產(chǎn)品陣容。低VF型 RB**1系列低IR型 RB**0系列車載用超低IR型 RB**8系列特點(diǎn)通過(guò)改變金屬種類，可制造低VF型、低IR型產(chǎn)品。關(guān)于熱失控肖特基勢(shì)壘二極管在

2019-04-11 02:37:28

點(diǎn)接觸型二極管的特性分類？

點(diǎn)接觸型二極管的特性分類？

2015-08-25 14:34:20

點(diǎn)接觸型二極管的特性和分類

點(diǎn)接觸型二極管的特性點(diǎn)接觸型二極管的分類

2021-01-07 07:10:51

碩凱600W和1500W瞬態(tài)抑制二極管

和1.5SMC系列1500W表面貼裝型產(chǎn)品。所有系列均提供5.0到550V電壓的產(chǎn)品可選，并符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。SMBJ系列瞬態(tài)抑制二極管小尺寸的DO-214AA （SMB）封裝，產(chǎn)品的額定工作

2014-06-30 16:35:36

穩(wěn)壓二極管和TVS二極管有什么區(qū)別？

穩(wěn)壓二極管的功率一般不是很大。常用穩(wěn)壓二極管包括1W、2W等，其功率由允許溫升決定。事實(shí)上，它是穩(wěn)定電壓和電流的產(chǎn)物。例如穩(wěn)壓二極管1n4742a，其最大功率僅為1W，其穩(wěn)壓值為12V，因此通過(guò)它

2021-12-21 11:16:32

肖特基二極管VS快恢復(fù)二極管，誰(shuí)能引領(lǐng)風(fēng)騷？

`　　快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時(shí)間很短的二極管（5us以下），工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管（1-2V），反向耐壓多在1200V

2019-01-08 13:56:57

肖特基二極管與快恢復(fù)二極管的區(qū)別

），工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管（0.5-2V），反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個(gè)等級(jí)。前者

2016-04-19 14:29:35

肖特基二極管與穩(wěn)壓二極管的區(qū)別是什么呢？

肖特基二極管正向?qū)妷汉艿停挥?.4V，反向在擊穿電壓之前不會(huì)導(dǎo)通，起到快速反應(yīng)開關(guān)的作用。而穩(wěn)壓二極管正向?qū)妷焊胀?b class="flag-6" style="color: red">二級(jí)管一樣約為0.7V，反向狀態(tài)下在臨界電壓之前截止，在達(dá)到臨界電壓

2020-09-25 15:38:08

肖特基二極管和快恢復(fù)二極管區(qū)別

時(shí)間。它是有肖特基特性的“金屬半導(dǎo)體結(jié)”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導(dǎo)體材料采用硅或砷化鎵，多為N型半導(dǎo)體。這種器件是由多數(shù)載流子導(dǎo)電的，所以，其反向

2015-11-27 18:02:58

肖特基二極管的優(yōu)勢(shì)有哪些？

的續(xù)流二極管、變壓器次級(jí)用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復(fù)外延二極管（FRED）和超快速恢復(fù)二極管

2020-11-26 17:31:19

肖特基二極管的優(yōu)勢(shì)有哪些？

2021-11-16 17:02:37

肖特基二極管的優(yōu)缺點(diǎn)有哪些？

）電路中功率開關(guān)器件的續(xù)流二極管、變壓器次級(jí)用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復(fù)外延二極管（FRED）和超

2021-09-09 15:19:01

肖特基勢(shì)壘二極管的特點(diǎn)

2019-04-30 03:25:24

請(qǐng)問(wèn)現(xiàn)在使用的二極管都盡量使用快速恢復(fù)二極管嗎?

我發(fā)現(xiàn)現(xiàn)在大家在選型這個(gè)二極管的時(shí)候，一般都是采用那種快恢復(fù)的二極管，有些場(chǎng)合明明不需要高速的快恢復(fù)二極管，但是大家也一樣的采用了，看來(lái)是不是快恢復(fù)二極管已經(jīng)可以通吃整個(gè)二極管應(yīng)用了？

2019-05-16 00:12:23

請(qǐng)問(wèn)貼片電阻，貼片電容，貼片二極管，穩(wěn)壓二極管，MOS管，MOSFET和封裝形式有那些呢？

請(qǐng)問(wèn)貼片電阻，貼片電容，貼片二極管，穩(wěn)壓二極管，MOS管，MOSFET和封裝形式有那些呢？請(qǐng)一一說(shuō)明，謝謝各們大師哦?。?！

2020-11-13 14:54:46

貼片二極管封裝及封裝圖介紹

系列）開關(guān)二極管（DO-34、DO-35封裝）、快速恢復(fù)二極管（FR）高效率二極管（HER、UF）超快速二極管（SF）肖特基二極管（SKY）雙向觸發(fā)管二極管（DB3）整流橋二極管（BRIDGE）高反壓

2013-08-02 16:17:14

快速二極管

快速二極管 快速二極管的工作原理與普通二極管是相同的，但由于普通二極管工作在開關(guān)狀態(tài)下的反向恢復(fù)時(shí)間較長(zhǎng)，約4～5ms，不能

2009-09-16 09:24:35

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什么是快速二極管

什么是快速二極管 快速二極管的工作原理與普通二極管是相同的，但由于普通二極管工作在開關(guān)狀態(tài)下的反向恢復(fù)時(shí)間較長(zhǎng)，約4～5ms

2009-09-16 09:24:52

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PIN型二極管

PIN型二極管

2009-11-07 08:37:00

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Vishay推出新款高速PIN光敏二極管

Vishay推出新款高速PIN光敏二極管 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二極管，新器件采用鷗翼和倒鷗翼型封裝

2009-11-13 09:21:28

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Vishay推出超小型雙向?qū)ΨQ單線ESD保護(hù)二極管

Vishay推出超小型雙向?qū)ΨQ單線ESD保護(hù)二極管 日前，Vishay推出采用LLP006封裝的新款雙向?qū)ΨQ(BiSy)單線ESD保護(hù)二極管 --- VBUS05L1-DD1-G-08。小尺寸的VBUS05L1-DD1-G-08具有0.3 pF的極

2010-01-09 09:42:28

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二極管,二極管是什么意思

二極管,二極管是什么意思目錄 1 二極管的基本結(jié)構(gòu)

2010-02-26 12:03:38

12003

肖特基二極管,什么是肖特基二極管,肖特基二極管原理

肖特基二極管,什么是肖特基二極管,肖特基二極管原理基本原理是：在肖特基二極管,什么是肖特基二極管,肖特基二極管原理金屬（例如鉛）和半導(dǎo)

2010-02-26 13:38:58

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隧道二極管/體效應(yīng)二極管是什么意思

隧道二極管/體效應(yīng)二極管是什么意思什么是隧道二極管?隧道二極管是一種在極低正向電壓下具有負(fù)電阻的半導(dǎo)體二極管。

2010-02-27 11:23:21

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快速恢復(fù)整流二極管的特點(diǎn)

快速恢復(fù)整流二極管屬于整流二極管中的高頻整流二極管，之所以稱其為快速恢復(fù)二極管，這是因?yàn)槠胀ㄕ?b class="flag-6" style="color: red">二極管一般工作于低頻(如市電頻率為50Hz)，其工作頻率低于3kHz，當(dāng)工作頻率在幾十至幾百kHz時(shí)

2011-02-28 11:12:45

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科銳推出封裝型1700V碳化硅肖特基二極管C3Dxx170H

碳化硅(SiC)功率器件的市場(chǎng)領(lǐng)先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出全新系列封裝型二極管。在現(xiàn)有碳化硅肖特基二極管技術(shù)條件下，該系列二極管可提供業(yè)界最高的阻斷電壓。

2012-02-07 15:40:40

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Littelfuse推出SRDA3.3系列瞬態(tài)抑制二極管

—Littelfuse公司是全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，現(xiàn)宣布推出SRDA3.3系列瞬態(tài)抑制二極管——SPA?系列二極管。 SRDA3.3系列將低電容控向二極管與附加的齊納二極管相結(jié)合，以保護(hù)數(shù)據(jù)線路免受靜電放電（ESD）和高浪涌事故的危害。

2013-07-17 18:22:18

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Vishay的650V快速體二極管MOSFET可提高工業(yè)、通信和可再生能源應(yīng)用中軟開關(guān)的電壓余量

---SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF，擴(kuò)大其快速體二極管N溝道功率MOSFET產(chǎn)品組合。

2016-05-12 14:01:14

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Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET

賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出第四代600V E系列功率

2017-02-10 15:10:11

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肖特基二極管與普通二極管的區(qū)別

快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時(shí)間很短的二極管（5us以下），工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié) 型結(jié)構(gòu)，有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管（1-2V），反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個(gè)等級(jí)。

2019-06-14 15:39:34

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意法推出26款二極管

2020年8月3日意法半導(dǎo)體新推出26款封裝采用薄型SMA和SMB扁平封裝、額定電壓25-200V、額定電流1-5A的肖特基二極管。新二極管的厚度是1.0mm，比標(biāo)準(zhǔn)SMA和SMB封裝產(chǎn)品薄50

2020-09-18 13:52:48

2302

Vishay推出快速體二極管MOSFET-SiHH070N60EF,提供高效解決方案

日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出最新第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。

2020-12-23 14:24:54

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Vishay推出塑料封裝新型表面貼裝小信號(hào)二極管

Vishay DFN1006-2A 封裝二極管 40 V 和 100 V 器件通過(guò) AEC-Q101 認(rèn)證與傳統(tǒng) SOD/T 封裝二極管相比節(jié)省空間并提高了散熱性能 Vishay 推出超小型可潤(rùn)濕

2021-10-19 16:57:52

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瞬態(tài)抑制二極管與穩(wěn)壓二極管的區(qū)別

　　穩(wěn)壓二極管(Zener Diod 齊納二極管) 　　A原理:它工作在電壓反向擊穿狀態(tài),當(dāng)反向電壓達(dá)到并超過(guò)穩(wěn)定電壓時(shí),反向電流突然增大,而二極管兩端電壓恒定B分類：　　從穩(wěn)壓高低分:低壓穩(wěn)壓二極管(<40V); 　　高壓穩(wěn)壓二極管(>200V) 　　從材料分:N型;P型　　...

2021-11-08 09:51:01

Vishay推出新型陶瓷/石英基材UVC發(fā)光二極管

Vishay 推出兩款新型陶瓷/石英基材 UVC(短波紫外線)發(fā)光二極管，用于醫(yī)療、工業(yè)和消費(fèi)電子應(yīng)用殺菌。

2022-09-16 10:50:15

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Vishay推出封裝的新型第四代 600V EF系列快速體二極管MOSFET

Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導(dǎo)通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供高效、高功率密度解決方案，同時(shí)柵極電荷下降 60 %，從而使器件導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中 600V MOSFET 的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）創(chuàng)業(yè)界新低。

2022-10-14 16:16:12

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超快速增壓二極管STTH1506DPI手冊(cè)

超快速增壓二極管STTH1506DPI手冊(cè)免費(fèi)下載。渦輪開關(guān)“H”為超高由兩個(gè)300V二極管組成的性能二極管系列透平開關(guān)“H”系列大幅削減相關(guān)MOSFET在以下條件下運(yùn)行時(shí)的損耗dIF/dt高。

2022-10-18 15:49:13

新型EMIPAK 1B 封裝二極管和MOSFET功率模塊，滿足車載充電應(yīng)用

Vishay?七款新型二極管和 MOSFET 功率模塊靈活的器件采用 PressFit 引腳壓合技術(shù) 在小型封裝中內(nèi)置各種電路配置 Vishay? 針對(duì)車載充電應(yīng)用專門推出七款新型二極管

2022-11-25 15:20:05

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MOS管的體二極管來(lái)源與作用

下圖是NMOS的示意圖，從圖中紅色框內(nèi)可以看到，MOS在D、S極之間并聯(lián)了一個(gè)二極管，其被稱為體二極管，或者叫寄生二極管、續(xù)流二極管。

2023-01-11 11:22:47

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SiC-MOSFET體二極管的特性說(shuō)明

上一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對(duì)SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復(fù)特性進(jìn)行說(shuō)明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。

2023-02-08 13:43:20

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功率二極管和普通二極管的區(qū)別有哪些

功率二極管是一種用于大電流、大功率、高頻率應(yīng)用的半導(dǎo)體器件，其結(jié)構(gòu)類似于普通二極管，但其材料和工藝設(shè)計(jì)均不同于普通二極管，使其具有更高的承受電壓和電流能力。功率二極管常常用于開關(guān)電路、整流電路、電壓

2023-02-18 11:42:18

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SiC-MOSFET的體二極管的特性

如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET的結(jié)構(gòu)上講，體二極管是由源極-漏極間的pn結(jié)形成的，也被稱為“寄生二極管”或“內(nèi)部二極管”。對(duì)于MOSFET來(lái)說(shuō)，體二極管的性能是重要的參數(shù)之一，在應(yīng)用中使用時(shí)，其性能發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。

2023-02-24 11:47:40

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瞬變電壓抑制二極管 SMBJ系列 600W 型號(hào)絲印對(duì)照表

600W貼片TVS二極管，根據(jù)東沃電子TVS產(chǎn)品手冊(cè)查詢可知，有三個(gè)系列：SMBJ系列（工作電壓5V-440V）、SMA6J系列（工作電壓5V-58V）、TPSMBJ系列（工作電壓11V-170V）。接下來(lái)，重點(diǎn)要講解的是600W貼片TVS瞬態(tài)（變）抑制二極管SMBJ系列，具體型號(hào)有哪些呢？

2022-04-27 16:23:36

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齊納二極管 12V，如何選用型號(hào)？

從東沃電子（DOWOSEMI）推出的穩(wěn)壓二極管產(chǎn)品可知，其穩(wěn)壓電壓范圍從3.3V到330V，能夠滿足不同客戶的穩(wěn)壓需求。常有客戶帶著各種穩(wěn)壓電壓值前來(lái)東沃電子詢物料、選型、確認(rèn)型號(hào)等等。比如，穩(wěn)壓為

2022-07-14 17:27:31

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探究快速開關(guān)應(yīng)用中SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性

SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同，這是因?yàn)镾iC MOSFET體二極管具有獨(dú)特的特性。對(duì)于1200V SiC MOSFET來(lái)說(shuō)，輸出電容的影響較大，而PN

2023-01-04 10:02:07

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探究快速開關(guān)應(yīng)用中SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性

探究快速開關(guān)應(yīng)用中SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性

2023-01-12 14:33:03

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穩(wěn)壓二極管屬于什么二極管

，我們將詳細(xì)介紹穩(wěn)壓二極管的工作原理、應(yīng)用和特性。一、穩(wěn)壓二極管的工作原理穩(wěn)壓二極管和普通二極管的主要區(qū)別在于它的特殊摻雜工藝。在普通的PN結(jié)二極管中，摻雜濃度較高的區(qū)域（P型或N型）被稱為注入?yún)^(qū)，而這個(gè)區(qū)域的摻雜濃

2023-08-27 15:09:08

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功率二極管與肖特基二極管的區(qū)別是什么？

、結(jié)構(gòu) 功率二極管由P型和N型半導(dǎo)體材料組成，正極為P端，負(fù)極為N端。肖特基二極管與之不同，是在N型半導(dǎo)體與金屬之間的接觸面處形成PN結(jié)，因此它的正極為金屬端，負(fù)極為N端。 2、導(dǎo)通方式功率二極管與普通二極管一樣，是一種

2023-08-28 16:41:25

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肖特基二極管為什么三個(gè)引腳三端型肖特基二極管接法

肖特基二極管為什么三個(gè)引腳三端型肖特基二極管接法肖特基二極管是一種半導(dǎo)體器件，與普通二極管相比，它的電壓降低和回復(fù)時(shí)間更短，因此在許多電路中都被廣泛應(yīng)用。肖特基二極管有三個(gè)引腳，其中兩個(gè)為正極

2023-09-02 10:33:58

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肖特基二極管壞了的表現(xiàn) 肖特基二極管怎么測(cè)量好壞

肖特基二極管壞了的表現(xiàn) 判斷肖特基二極管好壞肖特基二極管怎么測(cè)量好壞肖特基二極管是一種特殊的二極管，在半導(dǎo)體器件中擁有廣泛的應(yīng)用。由于其快速響應(yīng)和低噪聲等特性，肖特基二極管在電路設(shè)計(jì)中被廣泛

2023-09-02 10:34:11

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肖特基二極管特點(diǎn) 肖特基二極管的結(jié)構(gòu)

半導(dǎo)體和貴金屬（如鉑、鉬、鉻等）構(gòu)成的。正如其名字所示，它是一種二極管，有正向和反向的電流流動(dòng)方向。該二極管的結(jié)構(gòu)是在p型半導(dǎo)體上沉積一個(gè)金屬層。這個(gè)金屬層與p型半導(dǎo)體區(qū)域形成一個(gè)p-n結(jié)（類比普通二極管），但其巨大的

2023-09-02 11:01:33

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1000h SiC MOSFET體二極管可靠性報(bào)告

1000h SiC MOSFET體二極管可靠性報(bào)告

2023-12-05 14:34:46

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帶有快速體二極管的MOSFET器件通過(guò)LLC拓?fù)浜虵REDFET來(lái)提高效率

帶有快速體二極管的MOSFET器件通過(guò)LLC拓?fù)浜虵REDFET來(lái)提高效率

2023-12-08 17:35:56

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MOSFET為什么有“體二極管”

MOSFET為什么有“體二極管”

2023-12-14 11:26:48

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肖特基二極管是穩(wěn)壓二極管嗎

金屬與半導(dǎo)體接觸而形成的一種二極管。它的結(jié)構(gòu)是由金屬與半導(dǎo)體之間形成的P-N結(jié)組成。與普通PN結(jié)二極管不同的是，肖特基二極管使用金屬來(lái)代替普通PN結(jié)中的P型半導(dǎo)體。金屬與N型半導(dǎo)體之間的特殊接觸形成了肖特基二極管的結(jié)構(gòu)。肖特基二極管的關(guān)鍵

2024-01-11 17:40:55

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肖特基二極管常見型號(hào) 肖特基二極管和普通二極管區(qū)別

肖特基二極管（Schottky diode）是一種特殊的二極管，由石英合金或者金屬合金制成。它的特殊之處在于其具有較低的正向壓降和快速的開關(guān)速度。肖特基二極管由德國(guó)科學(xué)家瓦爾特·肖特基（Walter

2024-01-30 10:35:21

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mos管體二極管的作用是什么

MOS管體二極管（也稱為寄生二極管、內(nèi)置二極管或反并二極管）是指在金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）中存在的一種寄生元件。這種二極管并不是有意設(shè)計(jì)的，而是由MOSFET的結(jié)構(gòu)自然形成

2024-01-31 16:28:22

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Vishay推出小可見光敏感度增強(qiáng)型高速PIN光電二極管

Vishay近日宣布推出一款全新的可見光敏感度增強(qiáng)型高速硅PIN光電二極管，以擴(kuò)充其光電二極管產(chǎn)品組合。這款光電二極管型號(hào)為VEMD2704，采用了小型2.0mm x 1.8mm x 0.6mm頂視表面貼裝封裝，具有卓越的感光性能和快速的開關(guān)時(shí)間。

2024-02-01 13:58:23

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東芝推出高速二極管型功率MOSFET助力提高電源效率

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），

2024-02-22 18:22:41

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東芝推出新一代高速二極管型功率MOSFET

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱“東芝”）近日宣布，其最新研發(fā)的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET已正式推出。該系列產(chǎn)品特別適用于數(shù)據(jù)中心和光伏功率調(diào)節(jié)器等關(guān)鍵應(yīng)用的開關(guān)電源，展現(xiàn)了東芝在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚實(shí)力與持續(xù)創(chuàng)新。

2024-03-12 10:27:36

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Vishay推出采用PowerPAK 8x8LR封裝的第四代600 VE系列功率MOSFET

Vishay 推出首款采用新型 PowerPAK 8 x 8 LR 封裝的第四代 600 V E 系列功率MOSFET，為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供高效的高功率密度解決方案。

2024-05-10 11:47:42

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功率MOSFET體二極管連續(xù)載流能力

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《功率MOSFET體二極管連續(xù)載流能力.pdf》資料免費(fèi)下載

2024-09-03 11:41:40

超結(jié)MOSFET體二極管性能優(yōu)化

超結(jié)MOSFET體二極管性能優(yōu)化 ? ? ? ? ? ? ? ? ? END ?

2024-11-28 10:33:16

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Vishay推出多款采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-227封裝的650 V和1200 V SiC肖特基二極管，提升高頻應(yīng)用效率

40 A至240 A雙二極管和單相橋式器件正向壓降低至1.36 V，QC僅為56 nC 威世科技宣布，推出16款采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-227封裝的新型650 V和1200 V 碳化硅（SiC）肖特基

2025-02-27 12:49:35

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PI超快速Qspeed H系列二極管可替代碳化硅元件

PI的超快速Qspeed H系列二極管現(xiàn)可達(dá)到650V以及高達(dá)30A的電壓電流額定值。這些高功率器件具有業(yè)界最低的硅二極管反向恢復(fù)電荷(Qrr)。它們是碳化硅(SiC)二極管的理想替代品，可提供與其相當(dāng)?shù)男屎碗妷航殿~性能，同時(shí)具有硅二極管的價(jià)格優(yōu)勢(shì)和供應(yīng)保證。

2025-03-27 13:46:55

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