IGBT 功率模塊工作過程中存在開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，這些損耗以熱的形式耗散，使得在 IGBT 功率模塊封裝結(jié)構(gòu)產(chǎn)生溫度梯度。并且結(jié)構(gòu)層不同材料的熱膨脹系數(shù)( Coefficient of Thermal Expansion，CTE) 相差較大
2022-09-07 10:06:18
7628 ? 針對(duì)汽車 IGBT 模塊的主要失效原理和引線鍵合壽命短板，結(jié)合仿真分析進(jìn)行了功率循環(huán)試驗(yàn)設(shè)計(jì)，結(jié)溫差?ΔTj 和流經(jīng)鍵合線的電流 IC 是影響鍵合點(diǎn)壽命的主要加速因子，中間溫度（Tjm）是影響鍵
2023-08-08 10:59:382320 
在IGBT功率模塊的動(dòng)態(tài)測(cè)試中，夾具的雜散電感（Stray Inductance,Lσ）是影響測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確性的核心因素。雜散電感由測(cè)試夾具的layout、材料及連接方式引入，會(huì)導(dǎo)致開關(guān)波形畸變、電壓尖峰升高及損耗測(cè)量偏差。
2025-06-04 15:07:311750 
IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡(jiǎn)單，開關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。
2020-03-24 09:01:13
IGBT模塊在列車供電系統(tǒng)中的應(yīng)用及保護(hù) 摘 要：介紹了IGBT模塊的結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)及其在列車供電系統(tǒng)中的應(yīng)用，探討了對(duì)IGBT的保護(hù)問題。 關(guān)鍵詞：IGBT;應(yīng)用;保護(hù) 2O世紀(jì)8O年代初
2012-06-01 11:04:33
IGBT模塊的有關(guān)保護(hù)問題-IGBT模塊散熱器 對(duì)IGBT模塊散熱器的過流檢測(cè)保護(hù)分兩種情況： (1)、驅(qū)動(dòng)電路中無保護(hù)功能。這時(shí)在主電路中要設(shè)置過流檢測(cè)器件。對(duì)于小容量變頻器，一般是把電阻R直接
2012-06-19 11:26:00
的可再生能源，而IGBT是光伏系統(tǒng)中主要的功率半導(dǎo)體器件，因此其可靠性對(duì)光伏系統(tǒng)有重要影響。IGBT模塊的熱特性是模塊的重要特性之一，模塊在退化過程中，熱性能變化對(duì)于半導(dǎo)體模塊的整體性
2020-12-10 15:06:03
是安裝不便，功率單元結(jié)構(gòu)復(fù)雜，維護(hù)不如模塊式方便。綜合利弊，當(dāng)電流大于200A（尤其是500A以上）的半導(dǎo)體器件上首選平板式結(jié)構(gòu)，已經(jīng)是業(yè)內(nèi)共識(shí)，只是IGBT受管芯制作原理的限制，目前無法制造成大功率
2018-10-17 10:05:39
功率模塊回收★IGBT回收--------------------高價(jià)現(xiàn)金回收工廠歐派克、西門康、三菱、富士等各品牌拆機(jī)、原裝模塊。需要處理此類產(chǎn)品的朋友請(qǐng)聯(lián)系我，把庫存換成現(xiàn)金，為您資金立馬回籠
2010-11-26 15:40:37
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2010-11-26 15:41:42
1 摘要 注釋： 本應(yīng)用筆記中給出的下列信息僅作為關(guān)于實(shí)現(xiàn)該器件的建議，不得被視為就該器件的任何特定功能、條件或質(zhì)量作出的任何說明或保證。 本應(yīng)用筆記旨在對(duì)汽車用IGBT模塊的數(shù)據(jù)表中給出的參數(shù)
2018-12-05 09:50:30
%到80%的功率模塊都按照標(biāo)準(zhǔn)模塊結(jié)構(gòu)來制造。陶瓷一般采用Al2O3，基板采用銅為材料。IGBT底板通過導(dǎo)熱硅脂安裝散熱器。4.英飛凌汽車級(jí)IGBT可靠性改進(jìn)可靠性是IGBT應(yīng)用于汽車中的最大挑戰(zhàn)，除了
2018-12-06 09:48:38
作為國(guó)家科技重大專項(xiàng)——智能電網(wǎng)高壓芯片封裝與模塊技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目的中國(guó)北車永濟(jì)電機(jī)公司以其研制的3300V IGBT器件產(chǎn)品，日前中標(biāo)國(guó)家智能電網(wǎng)項(xiàng)目，成為我國(guó)首個(gè)高壓大功率IGBT產(chǎn)品批量
2015-01-30 10:18:37
按照大
功率 igbt 驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路能夠完成的功能來分類，可以將大
功率 igbt 驅(qū)動(dòng)保護(hù)電 路分為以下三種類型：?jiǎn)我还δ苄停喙δ苄?，全功能型?/div>
2019-11-07 09:02:20
富士汽車點(diǎn)火IGBT在汽車電子中的應(yīng)用.
2012-08-09 21:43:59
專業(yè)回收,觸控屏,變頻器,AB模塊。新舊不限,大量上門回收IGBT模塊,或個(gè)人滯留,或工程剩余模塊要處理的主營(yíng)產(chǎn)品:常年回收igbt功率模塊,電源模塊,可控硅模塊,ipm功率模塊,gtr達(dá)林頓模塊
2021-03-04 13:57:12
得多，逆變器內(nèi)溫度極高，同時(shí)還要考慮強(qiáng)振動(dòng)條件，車規(guī)級(jí)的IGBT遠(yuǎn)在工業(yè)級(jí)之上。電動(dòng)汽車用IGBT 模塊的功率導(dǎo)電端子需要承載數(shù)百安培的大電流，對(duì)電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率有較高的要求，車載環(huán)境中還要承受一定
2021-01-27 11:30:38
的參數(shù)為焊接層溫度。此外，模型中引入電壓源補(bǔ)償環(huán)境溫度變化帶來的影響。2.6 溫度曲線借助熱模型，可以計(jì)算出在特定行駛循環(huán)的負(fù)載條件下，IGBT、二極管和焊接層的溫度。同時(shí)，需要考慮功率半導(dǎo)體模塊
2018-12-04 09:59:53
HPD系列是1200V三相水冷式SiCMOSFET功率模塊，采用業(yè)界公認(rèn)的汽車封裝，針對(duì)牽引逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行了優(yōu)化。為了提供汽車級(jí)HPDSiC功率模塊
2023-02-20 16:26:24
千瓦。該模塊使用了最新一代 IGBT 芯片 EDT2，此芯片采用汽車級(jí)微溝槽柵場(chǎng)終止型技術(shù)。該芯片組具有業(yè)內(nèi)標(biāo)桿的電流密度、同時(shí)具備短路能力，并提高了電壓等級(jí)，以保障逆變器在惡劣環(huán)境下可靠地運(yùn)行。此外
2021-03-27 19:25:05
本文對(duì)IGBT的功率和熱循環(huán)、材料選型以及電氣特性等問題和故障模式進(jìn)行了探討。
2021-05-14 06:52:53
有效抑制IGBT模塊應(yīng)用中的過電壓寄生雜散電感會(huì)使快速IGBT關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生過電壓尖峰，通常抑制過電壓法會(huì)增加IGBT開關(guān)損耗或外圍器件的耗散功率。
2010-03-14 19:06:52
50 大功率模塊和（可控硅 IGBT GTR 場(chǎng)效應(yīng)）模塊大全
2010-03-05 15:09:141717 汽車級(jí)IGBT在混合動(dòng)力車中的設(shè)計(jì)應(yīng)用
針對(duì)汽車功率模塊需求，英飛凌通過增強(qiáng)IGBT的功率循環(huán)和溫度循環(huán)特性，并增加IGBT結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，大大提高了IGBT
2010-05-08 08:42:231832 
賽米控推出其最新的MiniSKiiP IGBT功率半導(dǎo)體模塊，該模塊目前也可提供三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品相比，新模塊擁有4.9 A/cm2的額定電流
2011-05-06 08:34:241261 介紹了IR2110驅(qū)動(dòng)芯片的特點(diǎn)．對(duì)驅(qū)動(dòng)電路作了部分改進(jìn)，通過選取臺(tái)理的參數(shù)、加上脈寬限制舌口電平箝位電路，使其應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)大中功率IGBT模塊。實(shí)驗(yàn)證明了該電路的可行性。
2011-09-23 15:54:08277 諸如高環(huán)境溫度、暴露于機(jī)械沖擊以及特定的驅(qū)動(dòng)循環(huán)等環(huán)境條件，要求對(duì)IGBT功率模塊的機(jī)械和電氣特性給予特別的關(guān)注，以便在整個(gè)使用壽命期間能確保其性能得到充分發(fā)揮，并保持
2012-10-09 14:06:405218 
本文根據(jù)IGBT的短路特性和大功率IGBT模塊的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)設(shè)計(jì)了一種新型大功率IGBT模塊的短路檢測(cè)電路，采用兩級(jí)di/dt檢測(cè)IGBT兩類短路狀態(tài)的實(shí)用方法。
2016-08-17 15:19:156267 
電動(dòng)汽車逆變器用于控制汽車主電機(jī)為汽車運(yùn)行提供動(dòng)力，IGBT功率模塊是電動(dòng)汽車逆變器的核心功率器件，其驅(qū)動(dòng)電路是發(fā)揮IGBT性能的關(guān)鍵電路。
2017-04-22 09:27:171904 
IGBT單管和IGBT模塊的控制電路是一樣的，它們的作用和工作原理基本一樣，IGBT模塊可以看成是多個(gè)IGBT單管集成的模塊。IGBT模塊封裝技術(shù)拓展了IGBT的運(yùn)用領(lǐng)域和功能。IGBT是集功率
2017-05-14 15:02:3414471 
目前已有場(chǎng)終止型絕緣柵雙極性晶體管（ IGBT）行為模型以及仿真軟件中的IGBT模型末專門針對(duì)中電壓大功率IGBT模塊搭建，不能準(zhǔn)確模擬其區(qū)別于中小功率IGBT的行為特性。在已有行為模型基礎(chǔ)上，提出
2018-03-08 09:21:360 本文介紹了一種新開發(fā)的IGBT模塊，適用于純電動(dòng)汽車（EV）和混動(dòng)汽車（HEV）大功率動(dòng)力馬達(dá)逆變器的應(yīng)用。
2018-06-12 15:39:488614 
視頻簡(jiǎn)介：安森美半導(dǎo)體應(yīng)用專家在此解答您的設(shè)計(jì)問題。這視頻將向您介紹智能功率模塊(IPM)如何應(yīng)用于汽車中。安森美半導(dǎo)體用于汽車的智能功率模塊，是一個(gè)創(chuàng)新的3相電機(jī)驅(qū)動(dòng)器模塊，由于無線路板(PCB-less)的設(shè)計(jì)，顯著減少電機(jī)控制的空間、重量和成本。
2019-03-06 06:09:004899 株洲中車的“汽車用IGBT模塊”專利針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，提供了一種能同時(shí)滿足極端高低溫狀況下的汽車級(jí)IGBT模塊雙脈沖測(cè)試方法和系統(tǒng)，具有測(cè)試操作簡(jiǎn)單、成本低、系統(tǒng)集成度以及測(cè)試效率高的優(yōu)勢(shì)。
2020-11-16 10:17:415556 
igbt模塊散熱的過程依次為igbt在結(jié)上發(fā)生功率損耗；結(jié)上的溫度傳導(dǎo)到igbt模塊殼上；igbt模塊上的熱傳導(dǎo)散熱器上；散熱器上的熱傳導(dǎo)到空氣中。
2022-03-11 11:20:179346 
隨著新一代 IGBT 芯片結(jié)溫及功率密度的提高，對(duì)功率電子模塊及其封裝技術(shù)的要求也越來越高。文
章主要介紹了功率電子模塊先進(jìn)封裝互連技術(shù)的最新發(fā)展趨勢(shì)，重點(diǎn)比較了芯片表面互連、貼片焊接互連、導(dǎo)電端
2022-05-06 15:15:556 IGBT 功率模塊基本的封裝工藝介紹，給初入半導(dǎo)體芯片制造封裝的工程師作為參考資料。
2022-06-17 14:28:4255 的功率和熱循環(huán)進(jìn)行了探討。 各種工業(yè)應(yīng)用中通常會(huì)使用多達(dá)十幾種的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)，設(shè)計(jì)IGBT模塊的目的就是為了向某種專門的應(yīng)用提供最優(yōu)的性價(jià)比和適當(dāng)?shù)目煽啃浴?商用電動(dòng)車(EV)和混合動(dòng)力電動(dòng)車(HEV)的出現(xiàn)為IGBT模塊創(chuàng)造了一個(gè)新
2022-08-06 14:54:533108 近年來，電動(dòng)汽車（EV）銷量的增長(zhǎng)催生了對(duì)功率半導(dǎo)體模塊的巨大需求。功率控制單元 （PCU） 是電動(dòng)汽車中的主要子系統(tǒng)之一。它由功率模塊（目前為高功率 IGBT）、電容器組和柵極驅(qū)動(dòng)器等許多其他組件
2022-08-08 08:09:555496 
PPT主要介紹了大功率IGBT模塊應(yīng)用中的一些技術(shù)，包括參數(shù)解讀、器件選型、驅(qū)動(dòng)技術(shù)、保護(hù)方法以及失效分析等。
2022-09-05 11:36:393149 智能功率模塊（IPM）是一種功率半導(dǎo)體模塊，可將操作IGBT所需的所有電路集成到一個(gè)封裝中。它包括所需的驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)功能，以及IGBT。這樣，可以通過可用的IGBT技術(shù)獲得最佳性能。
2023-02-02 14:39:144323 
賽米控近期完成了基于成熟大功率三電平IGBT模塊并聯(lián)的功率模組參考設(shè)計(jì)與測(cè)試驗(yàn)證。本文將詳細(xì)的介紹這款設(shè)計(jì)。
2023-02-07 09:12:043442 與傳統(tǒng)單面散熱 IGBT 模塊不同，雙面散熱汽車 IGBT 模塊同時(shí)向正、反兩面?zhèn)鲗?dǎo)熱量，其熱測(cè)試評(píng)估方式需重新考量。本文進(jìn)行雙面散熱汽車 IGBT 模塊熱測(cè)試工裝開發(fā)與熱界面材料選型，同時(shí)對(duì)比研究
2023-02-08 12:49:002657 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模塊是一種功率半導(dǎo)體器件，它是由多個(gè)IGBT芯片、反并聯(lián)二極管、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等組成的集成模塊。IGBT模塊通常根據(jù)結(jié)構(gòu)、電壓、電流、功率等參數(shù)進(jìn)行分類。
2023-02-20 17:32:259112 在功率器件中，IGBT模塊備受各行業(yè)青睞，甚至還入選了我國(guó)重大科技專項(xiàng)重點(diǎn)扶持項(xiàng)目。它兼具M(jìn)OSFET（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）及BJT（雙極型三極管）兩類器件優(yōu)勢(shì)，開關(guān)速度快、輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、開關(guān)損耗小、導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小，在高壓、大電流、高速等方面同樣優(yōu)勢(shì)明顯。
2023-02-22 14:22:502439 IGBT功率模塊是指采用lC驅(qū)動(dòng)，利用最新的封裝技術(shù)將IGBT與驅(qū)動(dòng)電路、控制電路和保護(hù)電路高度集成在一起的模塊。其類別從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM.
2023-02-22 15:02:557247 IGBT最常見的形式其實(shí)是模塊（Module），而不是單管。IGBT模塊是由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品，具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。
2023-02-22 15:08:145090 
IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡(jiǎn)單，開關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。實(shí)質(zhì)是個(gè)復(fù)合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一體化。
2023-02-22 15:34:006030 
新能源汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中電機(jī)控制器最廣泛的解決方案是采用IGBT。多個(gè)IGBT芯片集成封裝在一起，形成一個(gè)IGBT模塊，具有更高的功率和更強(qiáng)的散熱能力。
2023-04-13 15:05:393413 隨著IGBT的耗散功率和開關(guān)頻率不斷增大，以及工作環(huán)境嚴(yán)苛，使得IGBT模塊產(chǎn)生大量的熱量，由于模塊內(nèi)的熱量無法及時(shí)得到釋放，從而引起模塊內(nèi)部溫度升高。
2023-05-16 11:30:252555 
在功率器件中，IGBT模塊備受各行業(yè)青睞，甚至還入選了我國(guó)重大科技專項(xiàng)重點(diǎn)扶持項(xiàng)目。它兼具M(jìn)OSFET(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)及BJT(雙極型三極管)兩類器件優(yōu)勢(shì)，開關(guān)速度快、輸入阻抗高、控制功率
2022-09-27 11:36:062519 
隨著高速鐵路、城市軌道交通、新能源汽車、智能電網(wǎng)和風(fēng)能發(fā)電等行業(yè)發(fā)展，對(duì)于高壓大功率IGBT模塊的需求迫切且數(shù)量巨大。由于高壓大功率IGBT模塊技術(shù)門檻較高，難度較大，特別是要求封裝材料散熱性能更好
2023-04-21 10:18:282942 
散熱基板是IGBT功率模塊的核心散熱功能結(jié)構(gòu)與通道，也是模塊中價(jià)值占比較高的重要部件，車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊散熱基板必須具備良好的熱傳導(dǎo)性能、與芯片和覆銅陶瓷基板等部件相匹配的熱膨脹系數(shù)、足夠的硬度和耐用性等特點(diǎn)。
2023-07-06 16:19:332261 
IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù)，本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開關(guān)時(shí)間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評(píng)估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:5411862 
電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制器基本結(jié)構(gòu)可分為：殼體、高低壓連接器、電子控制元件、電氣控制元件、電氣功率元件。 電氣功率元件主要為IGBT集成功率模塊，是電氣控制器關(guān)鍵零部件。 通過電子控制元件與電氣控制
2023-07-28 11:03:453706 
針對(duì)汽車 IGBT 模塊的主要失效原理和引線鍵合壽命短板，結(jié)合仿真分析進(jìn)行了功率循環(huán)試驗(yàn)設(shè)計(jì)，結(jié)溫差 ΔTj 和流經(jīng)鍵合線的電流 IC 是影響鍵合點(diǎn)壽命的主要加速因子，中間溫度（Tjm）是影響鍵合點(diǎn)
2023-08-08 10:56:363723 
IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過高導(dǎo)致的熱應(yīng)力，良好的熱管理對(duì)于IGBT功率模塊穩(wěn)定性和可靠性極為重要。新能源汽車電機(jī)控制器是典型的高功率密度部件，且功率密度隨著對(duì)新能源汽車性能需求的提高仍在
2023-08-23 09:33:233280 
功率半導(dǎo)體器件在現(xiàn)代電力控制和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。IGBT模塊和IPM模塊是其中兩個(gè)最為常見的器件類型。它們都可以用于控制大功率負(fù)載和驅(qū)動(dòng)電機(jī)等應(yīng)用，但是它們的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和功能有所不同，那么
2023-09-04 16:10:499953 IGBT模塊的起源可以追溯到20世紀(jì)80年代，當(dāng)時(shí)日本的電子工程師們致力于克服傳統(tǒng)功率器件的局限性，尤其是普通雙極晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）。IGBT模塊的出現(xiàn)正是為了綜合這兩者的優(yōu)點(diǎn)，以滿足高
2023-09-12 16:53:535603 
IGBT 屬于功率半導(dǎo)體器件, 在新能源汽車領(lǐng)域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動(dòng)汽車的動(dòng)力釋放速度, 車輛加速能力和高速度.
2023-09-14 15:17:041487 IGBT 功率模塊的開關(guān)特性是由它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，內(nèi)部的寄生電容和內(nèi)部和外接的電阻決定的。
2023-09-22 09:06:142647 
?IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管，特點(diǎn)是可以使用電壓控制、耐壓高、飽和壓降小、切換速度快、節(jié)能等。功率模塊是電動(dòng)汽車逆變器的核心部件，其封裝技術(shù)對(duì)系統(tǒng)性能和可靠性有著至關(guān)重要的影響。傳統(tǒng)的單面冷卻
2023-09-26 08:11:512635 IGBT模塊具有良好的開關(guān)性能、高速度和高效率等特點(diǎn)。IGBT模塊廣泛應(yīng)用于工業(yè)、通信、軍事、醫(yī)療等各個(gè)領(lǐng)域，成為高功率控制領(lǐng)域的主流技術(shù)之一。 IGBT模塊的傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗是其效率的兩個(gè)重要指標(biāo)。在傳導(dǎo)損耗方面，IGBT模塊具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，即
2023-10-19 17:01:224619 IGBT模塊（Insulated Gate Bipolar Transistor Module）是一種集成了多個(gè)IGBT芯片、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等功能的模塊化電子元件。它是一種用于高功率電力電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件，常用于高壓、高電流的交流/直流變換器、逆變器和直流/直流變換器中。
2023-10-27 11:40:058990 
IGBT是新型功率半導(dǎo)體器件中的主流器件，已廣泛應(yīng)用于多個(gè)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。IGBT模塊中所涉及的焊接材料大多精密復(fù)雜且易損壞，制造商在IGBT模塊焊接裝配過程中正面臨著重重挑戰(zhàn)。
2023-10-31 09:53:454841 大功率應(yīng)用中，如電動(dòng)汽車、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、UPS等。在理解IGBT芯片、IGBT單管、IGBT模塊和IGBT器件之前，我們先來了解一下IGBT的基本工作原理和應(yīng)用特點(diǎn)。 1. IGBT的工作原理
2023-11-10 14:26:284750 服役狀態(tài)下的 IGBT 模塊處于亞穩(wěn)定狀態(tài)，其材料和結(jié)構(gòu)會(huì)隨著時(shí)間的推移發(fā)生狀態(tài)改變或退化。IGBT 模塊在整個(gè)壽命周期內(nèi)，會(huì)經(jīng)歷數(shù)萬至數(shù)百萬次的溫度循環(huán)沖擊，這期間熱應(yīng)力的反復(fù)作用會(huì)使材料發(fā)生疲勞，造成模塊封裝結(jié)構(gòu)的逐漸退化。
2023-11-19 10:03:532403 
提高4.5kV IGBT模塊的功率密度
2023-11-23 15:53:382051 
是一種重要的關(guān)鍵技術(shù)，被廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換和能量控制系統(tǒng)中。 首先，我們來了解一下什么是IGBT模塊。IGBT模塊是一種功率半導(dǎo)體器件，是繼MOSFET和BJT之后的第三代功率開關(guān)器件。它具有低導(dǎo)通壓降、高開關(guān)速度和高耐受電壓的特點(diǎn)，適用于高
2023-12-07 16:45:212367 、絕緣基板、驅(qū)動(dòng)電路和封裝材料等組成。 選擇適合的IGBT模塊需要考慮多個(gè)因素，包括額定電壓、額定電流、最大耗散功率、開
2024-01-18 17:31:2310041 IGBT模塊是一種常用的功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電力電子系統(tǒng)中。
2024-02-26 18:25:1815467 
IGBT模塊關(guān)斷截止時(shí)，I(t)≈0，損耗的功率可忽略。為了便于分析，將IGBT損耗分為導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。
2024-05-31 09:06:3117234 
IGBT等功率電子器件在工作中，由于自身的功率損耗，將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發(fā)熱的原因主要有兩個(gè)，一是功率器件導(dǎo)通時(shí)，產(chǎn)生的通態(tài)損耗。二是功率器件的開通與關(guān)斷過程中產(chǎn)生的開關(guān)損耗
2024-07-19 11:21:001922 
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）功率模塊作為電力電子系統(tǒng)中的核心部件，其散熱問題直接影響到系統(tǒng)的穩(wěn)定性、可靠性和效率。以下是對(duì)IGBT功率模塊散熱問題的詳細(xì)分析，包括散熱機(jī)制、影響因素、散熱方法及優(yōu)化策略等。
2024-07-26 17:24:422562 Transistor）是一種絕緣柵雙極型晶體管，它結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)，具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開關(guān)速度等特點(diǎn)。IGBT模塊則是將多個(gè)IGBT芯片封裝在一個(gè)模塊中，以提高功率密度和可靠性
2024-08-07 17:06:468963 采用這些技術(shù)并擴(kuò)大芯片面積，第8代1200V IGBT功率模塊在相同的三菱電機(jī)LV100封裝中實(shí)現(xiàn)了1800A的額定電流，是傳統(tǒng)1200V IGBT功率模塊的1.5倍。
2024-11-14 14:59:192864 
IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管，特點(diǎn)是可以使用電壓控制、耐壓高、飽和壓降小、切換速度快、節(jié)能等。功率模塊是電動(dòng)汽車逆變器的核心部件，其封裝技術(shù)對(duì)系統(tǒng)性能和可靠性有著至關(guān)重要的影響。傳統(tǒng)的單面冷卻
2025-01-11 06:32:432272 在儲(chǔ)能變流器（PCS）中，碳化硅（SiC）功率模塊全面取代傳統(tǒng)IGBT模塊的趨勢(shì)主要源于其顯著的技術(shù)優(yōu)勢(shì)、成本效益以及系統(tǒng)級(jí)性能提升。SiC模塊在PCS中取代IGBT的核心邏輯在于：高頻高效降低系統(tǒng)
2025-02-05 14:37:121188 中國(guó)電力電子客戶逐漸擺脫對(duì)國(guó)外IGBT模塊（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC功率模塊供應(yīng)商的依賴，轉(zhuǎn)向國(guó)產(chǎn)替代產(chǎn)品IGBT模塊和SiC模塊，這一轉(zhuǎn)變是技術(shù)、市場(chǎng)、政策和信任危機(jī)等多重因素共同作用的結(jié)果
2025-03-28 09:50:49712 IGBT模塊是一種重要的功率半導(dǎo)體器件，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、容量大、損耗低等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于各種高功率電子設(shè)備中。絕緣柵極雙極晶體管（IGBT）功率模塊將MOSFET的高效和快速開關(guān)能力與雙極晶體管
2025-04-16 08:06:431299 
近日，英飛凌、三菱和Navitas分別推出了多款新型功率模塊，旨在提升電動(dòng)汽車及工業(yè)應(yīng)用的效率和可靠性。這些優(yōu)化的模塊不僅能夠降低能量損失，還能在極端環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行，標(biāo)志著電力電子技術(shù)的又一次進(jìn)步
2025-05-06 14:08:48716 
碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片，SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板，驅(qū)動(dòng)IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動(dòng)化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，致力于服務(wù)中國(guó)工業(yè)電源，電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行
2025-05-18 14:52:081324 
部分IGBT模塊廠商失效報(bào)告作假的根本原因及其對(duì)中國(guó)功率模塊市場(chǎng)的深遠(yuǎn)影響，可以從技術(shù)、商業(yè)、行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)等多維度分析，并結(jié)合中國(guó)功率模塊市場(chǎng)的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行綜合評(píng)估： 一、失效報(bào)告作假的根本原因 技術(shù)
2025-05-23 08:37:56805 
傾佳電子SiC碳化硅MOSFET功率模塊在電力電子應(yīng)用中對(duì)IGBT模塊的全面升級(jí)替代 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源
2025-09-05 08:36:442199 
傾佳電子全面分析在高功率工業(yè)變頻器中以SiC MOSFET模塊取代Si IGBT模塊的價(jià)值主張 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)
2025-11-02 12:20:381348 
在現(xiàn)代電力電子與新能源汽車工業(yè)飛速發(fā)展的今天，絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）功率模塊作為電能轉(zhuǎn)換與控制的“心臟”，其可靠性直接決定了整個(gè)系統(tǒng)的性能與壽命。IGBT模塊內(nèi)部通過焊接、鍵合等工藝將多個(gè)
2025-11-21 14:13:06858 
IGBT 屬于功率半導(dǎo)體器件, 在新能源汽車領(lǐng)域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動(dòng)汽車的動(dòng)力釋放速度,車輛加速能力和高速度.IGBT 功率器件作用新能源汽車應(yīng)用中
2023-12-01 15:48:31
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