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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>德州儀器(TI)推出新一代雙通道輸出柵極驅(qū)動(dòng)器UCC27210

德州儀器(TI)推出新一代雙通道輸出柵極驅(qū)動(dòng)器UCC27210

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2025-12-27 09:30:09461

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2025-12-25 14:10:06119

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深入解析 onsemi NCP51561:高性能隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,柵極驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 等功率開關(guān)的關(guān)鍵組件。onsemi 的 NCP51561 隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器憑借其出色的性能和豐富的功能,在眾多
2025-12-09 10:17:20360

探索NCP51563隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板的奧秘

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,柵極驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和SiC MOSFET等功率開關(guān)的關(guān)鍵組件。今天,我們將深入探討安森美(onsemi)的NCP51563隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板(NCP51563 EVB),了解其特性、操作方法以及性能表現(xiàn)。
2025-12-08 14:20:24347

深入解析 onsemi NCV51563 隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器

在電力電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,柵極驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 等功率開關(guān)的關(guān)鍵組件。今天我們要詳細(xì)探討的是 onsemi 公司的 NCV51563 隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,它具備諸多出色特性,適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-12-05 15:41:49353

深入解析 onsemi NCV51561 隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器

在電子工程師的日常設(shè)計(jì)中,柵極驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 等功率開關(guān)的關(guān)鍵組件。今天,我們就來(lái)深入探討 onsemi 推出的 NCV51561 隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,看看它有哪些特性和優(yōu)勢(shì),以及在實(shí)際應(yīng)用中需要注意的要點(diǎn)。
2025-12-05 15:33:08336

深入解析 NCP51563:高性能隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,柵極驅(qū)動(dòng)器扮演著至關(guān)重要的角色,尤其是在驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 等功率開關(guān)時(shí)。今天,我們將深入探討 onsemi 的 NCP51563 隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,這款產(chǎn)品憑借其卓越的性能和豐富的特性,在眾多應(yīng)用場(chǎng)景中展現(xiàn)出強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力。
2025-12-03 11:21:50312

TPS2814PWR 高性能雙通道高速 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器

TPS2814PWR高性能雙通道高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品型號(hào):TPS2814PWR產(chǎn)品品牌:TI/德州儀器產(chǎn)品封裝:TSSOP8產(chǎn)品功能:驅(qū)動(dòng)器TPS2814PWR特征●高速開關(guān)性能:典型上升時(shí)間
2025-12-01 11:28:51250

STGAP2SiCD隔離式雙柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

STMicroelectronics STGAP2SiCD電流隔離4A雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)在每個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)通道、低電壓控制和接口電路之間提供電流隔離。STGAP2SiCD柵極驅(qū)動(dòng)器具有4A電流能力和軌到軌輸出,因此適合用于中等功率和大功率應(yīng)用,例如電源轉(zhuǎn)換和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器逆變器。
2025-10-31 14:12:03419

?STGAP2HD隔離式雙柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

STMicroelectronics STGAP2HD電流隔離4A雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器在每個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)通道、低電壓控制和接口電路之間提供電流隔離。該柵極驅(qū)動(dòng)器具有4A電流能力和軌到軌輸出,因此適合用于中等功率和大功率應(yīng)用,例如電源轉(zhuǎn)換和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器逆變器。
2025-10-31 14:03:56333

?UCC23313 光耦兼容型單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

UCC23313是款光兼容、單通道、隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,適用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET,具有4.5A源極和5.3A灌電流峰值輸出電流以及3.75kV~有效值~基本隔離等級(jí)。33
2025-10-15 15:22:57494

?MCT8329A 高轉(zhuǎn)速無(wú)傳感梯形控制三相BLDC柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

MCT8329A是德州儀器TI推出的集成無(wú)傳感梯形控制算法的三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
2025-10-13 11:29:23736

?UCC21330 隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器總結(jié)

UCC21330是個(gè)隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列,具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值源電流和 6A 峰值吸收電流設(shè)計(jì),可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管
2025-10-11 16:20:142356

?UCC218915-Q1 汽車級(jí)單通道隔離預(yù)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

UCC218915-Q1 是款電隔離式單通道預(yù)驅(qū)動(dòng)器,專為工作電壓高達(dá) 1500V 的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì),具有先進(jìn)的保護(hù)功能、流的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健性。UCC218915-Q1具有雙通道2.8A輸出,可直接驅(qū)動(dòng)外部緩沖NMOS/PMOS對(duì)。
2025-10-10 15:27:481653

?UCC27834 230V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

UCC278X4是款 230V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 3.5A 源極電流、4A 灌電流,用于驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET。該器件由個(gè)接地參考通道 (LO) 和個(gè)浮動(dòng)通道 (HO) 組成,設(shè)計(jì)用于
2025-10-10 15:16:30450

NSI6602A-DSWR高可靠性隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器

NSI6602A-DSWR:具備5700Vrms隔離與100kV/μs CMTI的高可靠性雙通道驅(qū)動(dòng)器款非??煽康母綦x式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,特別適合那些對(duì)可靠性和抗干擾能力有嚴(yán)苛要求的功率
2025-09-29 08:40:07

?UCC27624V-Q1 雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

UCC27624V-Q1 是雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,可有效驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 SiC 功率開關(guān)。UCC27624V-Q1 的典型峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度為 5A,可減少電源開關(guān)的上升
2025-09-26 15:52:471599

?UCC27624V 雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

UCC27624V是雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,可有效驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 SiC 功率開關(guān)。UCC27624V具有 5A 的典型峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度,可減少電源開關(guān)的上升和下降時(shí)間,降低
2025-09-26 15:27:34694

?UCC21351-Q1 汽車級(jí)隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

UCC21351-Q1 是款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列,具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰源電流和 6A 峰灌電流設(shè)計(jì),可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶體管
2025-09-25 14:14:21587

?Texas Instruments UCC27624EVM驅(qū)動(dòng)器評(píng)估模塊技術(shù)解析

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2025-09-18 15:10:28538

UCC27624雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析

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2025-09-18 14:47:59757

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2025-09-18 14:14:55540

基于UCC27614的低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

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2025-09-18 10:48:38715

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2025-09-09 15:37:02774

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2025-09-03 15:09:18611

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2025-08-13 10:49:02775

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2025-08-11 14:49:441823

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2025-08-11 14:36:401136

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Texas Instruments LM2104半橋柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET,具有同步降壓或半橋配置。 此柵極驅(qū)動(dòng)器在GVDD上具有8V典型欠壓鎖定,在BST上具有
2025-08-11 10:15:14965

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Texas Instrument TPS92621-Q1單通道LED驅(qū)動(dòng)器采用獨(dú)特的熱管理設(shè)計(jì),可降低器件溫升。TPS92621-Q1是由汽車電池直接供電的線性驅(qū)動(dòng)器,具有寬電壓范圍,可輸出高達(dá)
2025-08-06 10:55:35958

德州儀器UCC21738-Q1隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析

Texas Instrument UCC21738-Q1隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器專門設(shè)計(jì)用于直流工作電壓高達(dá)2121V的IGBT和SiC MOSFET。這些器件具有先進(jìn)的保護(hù)功能、出色的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健
2025-08-06 10:45:08777

Texas Instruments UCC27444/UCC27444-Q1 4A低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

Texas Instrument UCC27444/UCC27444-Q1 4A低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器款有效驅(qū)動(dòng)MOSFET和GaN電源開關(guān)的高速、雙通道、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器UCC
2025-08-05 11:21:48881

Texas Instruments UCC23113隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

Texas Instruments UCC23113隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器款兼容光耦的單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。該器件具有5A峰值輸出拉電流、5A峰值
2025-08-03 17:04:13704

Texas Instruments UCC21330/UCC21330-Q1隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

Texas Instruments UCC21330/UCC21330-Q1隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器是隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列,具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。它具有4A峰值拉電流和6A峰值灌電流
2025-08-03 16:29:23941

Texas Instruments UCC21331/UCC21331-Q1隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

Texas Instruments UCC21331/UCC21331-Q1隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列,具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。該器件采用4A峰值拉電流和6A峰值灌電流設(shè)計(jì),以
2025-07-29 15:17:31539

Texas Instruments UCC21231 雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

Texas Instruments UCC21231雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器具有寬溫度范圍和可編程死區(qū)時(shí)間。該設(shè)備在極端溫度條件下表現(xiàn)出始終如的堅(jiān)固性和性能。UCC21231設(shè)計(jì)有4A峰值源電流和6A
2025-07-21 16:38:53605

Texas Instruments UCC27518低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

Texas Instruments UCC27518低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器款單通道、高速器件,可驅(qū)動(dòng)MOSFET和IGBT電源開關(guān)。該驅(qū)動(dòng)器采用可最大限度地減小擊穿電流和拉電流的設(shè)計(jì),并將高峰值電流脈沖
2025-07-14 14:18:35595

Texas Instruments UCC57102Z/UCC57102Z-Q1低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

峰值灌電流。該單通道高速驅(qū)動(dòng)器具有最先進(jìn)的去飽和檢測(cè)時(shí)間和低壓側(cè)DSP/MCU故障報(bào)告功能。UCC57102Z-Q1驅(qū)動(dòng)器具有出色的軌到軌驅(qū)動(dòng)輸出瞬態(tài)處理能力(得益于反向電流)。 該驅(qū)動(dòng)器還具有3 A
2025-07-10 14:57:02612

Texas Instruments UCC5881-Q1柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

Texas Instruments UCC5881-Q1柵極驅(qū)動(dòng)器款隔離式、可配置、可調(diào)節(jié)的大驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度柵極驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) EV/HEV應(yīng)用中的大功率SiC MOSFET和IGBT。該
2025-07-10 14:42:37799

Texas Instruments UCC27624V/UCC27624V-Q1雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器特性/應(yīng)用/框圖

Texas Instruments UCC27624V/UCC27624V-Q1雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器可有效驅(qū)動(dòng)MOSFET、IGBT和SiC電源開關(guān)。UCC27624V具有5A的典型峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度,這減少
2025-07-02 14:03:35602

德州儀器DSP音頻系統(tǒng)如何改善駕乘體驗(yàn)

,德州儀器 (TI) 推出新一代數(shù)字信號(hào)處理 (DSP) 音頻系統(tǒng)解決方案。這是款高度集成、基于 Arm 和 TI 新一代 C7x DSP 的單芯片解決方案,能夠?yàn)槠囉脩籼峁┳吭降囊纛l體驗(yàn)。
2025-05-26 15:42:41963

UCC21541 5.7kVrms 1.5A/2.5A 雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC2154x 是款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列,具有高達(dá) 4A/6A 的峰值拉/灌電流,可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。采用 DWK 封裝的 UCC2154x 還提
2025-05-24 16:00:00638

UCC21530 5.7kVrms,4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21530 是款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET。 輸入側(cè)
2025-05-24 15:47:00684

UCC21530-Q1 汽車級(jí)、4A、6A、5.7kVRMS、隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21530-Q1 是款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET
2025-05-24 15:41:00581

UCC21540A 5.7kVrms,4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC2154x 是款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列,具有高達(dá) 4A/6A 的峰值拉/灌電流,可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。采用 DWK 封裝的 UCC2154x 還提
2025-05-24 14:00:00604

UCC21540 5.7kVrms 4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC2154x 是款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列,具有高達(dá) 4A/6A 的峰值拉/灌電流,可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。采用 DWK 封裝的 UCC2154x 還提供 3.3mm 的最小通道間距,從而實(shí)現(xiàn)更高的總線電壓。
2025-05-24 10:10:00653

LM5110系列 具有 4V UVLO、專用輸入接地和關(guān)斷輸入的 5A/3A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

LM5110 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器以改進(jìn)的峰值取代了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)器 輸出電流和效率。每個(gè)“復(fù)合”輸出驅(qū)動(dòng)器級(jí)包括 MOS 和雙極 并聯(lián)工作的晶體管,共同從容性負(fù)載吸收超過 5A 的峰值電流。 結(jié)合
2025-05-21 17:40:12806

UCC27524 具有 5V UVLO、使能和 1ns 延遲匹配的 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27524 器件是雙通道、高速、低側(cè)、柵極驅(qū)動(dòng)器器件,能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。該 UCC27524 增加了直接在輸入引腳上處理 –5V 電壓的能力,從而
2025-05-20 15:46:481722

UCC27526 具有 5V UVLO、使能和雙 TTL 輸入的 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC2752x 系列器件是雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件,能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 電源開關(guān)。UCC2752x 采用種從本質(zhì)上就將擊穿電流降至最低的設(shè)計(jì),可向容性負(fù)載提供高達(dá)
2025-05-20 15:02:51687

UCC27519 具有 5V UVLO、使能和 CMOS 輸入的 4A/4A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27518 和 UCC27519 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件可以 有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化 擊穿電流、UCC27518 和 UCC27519 可以將高峰值電流脈沖源出和吸收到 電容性負(fù)載提供軌到軌驅(qū)動(dòng)能力和極小的傳播延遲 通常為 17 ns。
2025-05-20 14:54:57682

UCC27516 4A/4A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,采用 SON 封裝數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27516 和 UCC27517 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件可以 有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化 擊穿電流、UCC27516 和 UCC27517 可以
2025-05-20 14:39:15826

UCC27523 具有 5V UVLO、反相輸入和使能功能的 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC2752x 系列器件是雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件,能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 電源開關(guān)。UCC2752x 采用種從本質(zhì)上就將擊穿電流降至最低的設(shè)計(jì),可向容性負(fù)載提供高達(dá)
2025-05-20 14:33:56667

UCC27525 具有 5V UVLO、使能和反相/同相輸入的 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC2752x 系列器件是雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件,能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 電源開關(guān)。UCC2752x 采用種從本質(zhì)上就將擊穿電流降至最低的設(shè)計(jì),可向容性負(fù)載提供高達(dá)
2025-05-20 14:25:18655

UCC27512 采用 SON 封裝的具有 5V UVLO 和分離輸出的 4A/8A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27511 和 UCC27512 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件可以 有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化 擊穿電流、UCC27511 和 UCC27512 能夠拉出和吸收高峰值電流 脈沖進(jìn)入電容性負(fù)載,提供軌到軌驅(qū)動(dòng)能力和極小的傳播 延遲,通常為 13 ns。
2025-05-20 14:19:11615

UCC27528 具有 5V UVLO、CMOS 輸入和啟用功能的 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC2752x 系列器件是雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件 能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上 UCC2752x 可最大限度地降低擊穿電流,可提供高達(dá) 5A 源的高峰
2025-05-20 11:46:38795

UCC27527 具有 5V UVLO、使能、雙 CMOS 輸入的 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC2752x 系列器件是雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件 能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上 UCC2752x 可最大限度地降低擊穿電流,可提供高達(dá) 5A 源的高峰
2025-05-20 10:24:41634

UCC27524A 具有 5V UVLO、使能和負(fù)輸入電壓處理能力的 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27524A 器件是雙通道、高速、低側(cè)、柵極驅(qū)動(dòng)器器件,能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。UCC27524A 是 UCC2752x 系列的變體。UCC27524A增加了
2025-05-20 10:11:11957

UCC27524A-Q1 具有 5V UVLO 和負(fù)輸入電壓處理能力的汽車類 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27524A-Q1 器件是雙通道、高速、低側(cè)、柵極驅(qū)動(dòng)器器件,能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。UCC27524A-Q1 器件是 UCC2752x 系列的變體
2025-05-20 09:28:50765

UCC27528-Q1 具有 5V UVLO 和 CMOS 輸入的汽車類 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27528-Q1 器件是雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠 有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化 擊穿電流,UCC27528-Q1 器件可提供高達(dá) 5A 的高峰
2025-05-19 17:48:33735

UCC21520 5.7kVRMS 4A/6A 雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,具有雙輸入和禁用引腳數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21520 是款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。 輸入側(cè)通過
2025-05-19 15:34:431495

UCC21521 5.7kVrms,4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21521 是款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它旨在驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET,具有流的傳播延遲和脈
2025-05-19 14:27:00788

UCC20520 5.7-kVrms, 4-A/6-A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC20520 是款隔離式單輸入、雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它旨在驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET,具有流的傳播
2025-05-19 14:21:04568

UCC27524A1-Q1 具有 5V UVLO 和負(fù)輸入電壓處理能力的汽車類 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27524A1-Q1 器件是雙通道、高速、低側(cè)、柵極驅(qū)動(dòng)器器件,能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。UCC27524A1-Q1 器件是 UCC2752x 系列的變體
2025-05-19 13:56:38674

UCC5320 3k/5kVrms、2A/2A 單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,UVLO 以 GND 或分離輸出為基準(zhǔn)數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC53x0 是單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器系列,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 和 GaN FET (UCC5350SBD)。UCC53x0S 提供分離輸出,可單獨(dú)控制上升
2025-05-19 13:44:54695

UCC21520-Q1 具有雙輸入、禁用、死區(qū)時(shí)間的汽車類 4A、6A、5.7kVRMS 隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21520-Q1 是款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。 輸入
2025-05-19 10:25:291329

UCC21220 3.0kVrms,4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21220 和 UCC21220A 器件是基本和功能隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流。它們?cè)O(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) PFC、隔離式 DC/DC 和同步整流應(yīng)用中的功率
2025-05-19 10:13:09607

UCC21222 3.0kVrms 4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21222 是隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列,具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì),可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管。
2025-05-19 09:53:24703

UCC21220A 3.0kVrms,4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21220 和 UCC21220A 器件是基本和功能隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流。它們?cè)O(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) PFC、隔離式 DC/DC 和同步整流應(yīng)用中的功率
2025-05-19 09:12:23654

UCC5350-Q1 汽車類 ±5A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC5350-Q1 是款單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 10A 拉電流和 10A 灌電流典型峰值電流,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。UCC5350-Q1 可選擇
2025-05-17 10:12:061168

UCC21540-Q1 汽車5.7kVRMS,4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21540-Q1 器件是款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。該器件在極端溫度條件下表現(xiàn)出致的性能和穩(wěn)健性。它采用 4 A 峰值拉電流和 6 A 峰值灌電流設(shè)計(jì),可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。
2025-05-17 10:04:39778

UCC21540A-Q1 汽車5.7kVrms,4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,具有5V UVLO和3.3mm通道間距數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21540-Q1 器件是款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。該器件在極端溫度條件下表現(xiàn)出致的性能和穩(wěn)健性。它采用 4 A 峰值拉電流和 6 A 峰值灌電流設(shè)計(jì),可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。
2025-05-16 15:49:15585

UCC21542 5.7kVrms,4A/6A 雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC2154x 是款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列,具有高達(dá) 4A/6A 的峰值拉/灌電流,可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。采用 DWK 封裝的 UCC2154x 還提
2025-05-16 15:45:33765

UCC21551-Q1 汽車級(jí) 4A/6A 5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21551x-Q1 是具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì),用于驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶體管
2025-05-16 11:38:18691

UCC27444-Q1 具有 -5V 輸入能力的汽車類 4A 雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27444-Q1 是雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,可有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 GaN 功率開關(guān)。UCC27444-Q1 的典型峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度為 4 A,可縮短電源開關(guān)的上升和下降時(shí)間,降低
2025-05-16 10:19:41593

UCC21551 4A/6A 5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21551x 是具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì),用于驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶體管
2025-05-16 09:51:30554

UCC21550-Q1 汽車類 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,具有用于IGBT的DIS和DT引腳數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21550-Q1 是隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列,具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì),可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管
2025-05-16 09:30:59664

UCC21550 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21550 是具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì),可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管
2025-05-16 09:17:06914

UCC27444 具有-5V輸入能力的 4A 雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27444 是雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,可有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 GaN 功率開關(guān)。UCC27444-Q1 的典型峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度為 4 A,可縮短電源開關(guān)的上升和下降時(shí)間,降低
2025-05-15 18:03:12711

UCC21330-Q1 汽車級(jí) 3kVRMS 4A/6A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有禁用邏輯和可編程死區(qū)時(shí)間數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21330-Q1 是隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列,具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì),可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管
2025-05-15 17:43:58718

UCC21331 3kVRMS 4A/6A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,帶使能邏輯和可編程死區(qū)時(shí)間數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21331 是具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì),用于驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶體管
2025-05-15 16:14:49607

UCC21331-Q1 汽車級(jí) 3kVRMS 4A/6A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21331-Q1 是隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列,具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì),可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶體管
2025-05-15 16:09:14592

UCC21231 具有 4A 拉電流和 6A 灌電流的高速雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21231 是具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列。該器件在極端溫度條件下表現(xiàn)出致的性能和穩(wěn)健性。UCC21231 采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì),以
2025-05-15 14:38:21643

華盛昌攜手德州儀器推出新一代AFD-80單通道拉弧故障檢測(cè)

在2025年慕尼黑上海電子展期間,深圳市華盛昌科技實(shí)業(yè)股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“華盛昌”)與全球半導(dǎo)體巨頭德州儀器TI)聯(lián)合發(fā)布的全新一代AFD-80單通道拉弧故障檢測(cè)經(jīng)亮相便成為展會(huì)焦點(diǎn)
2025-04-22 10:38:16984

德州儀器與庫(kù)卡發(fā)布新一代工業(yè)機(jī)器人控制

在今年慕尼黑上海電子展期間,德州儀器 (TI) 與美的集團(tuán)旗下庫(kù)卡(后簡(jiǎn)稱“庫(kù)卡”)合作發(fā)布了新一代工業(yè)機(jī)器人控制 KR C5 micro-2。作為芯片技術(shù)與機(jī)器人控制系統(tǒng)的創(chuàng)新合作范例,此次合作不僅展現(xiàn)了雙方三十余年技術(shù)創(chuàng)新積淀,更體現(xiàn)了雙方合作創(chuàng)新對(duì)工業(yè)機(jī)器人發(fā)展的重要推動(dòng)作用。
2025-04-18 14:34:031266

Leadway電源模塊和TI德州儀器)、Murata(村田)相比有哪些優(yōu)勢(shì)?

Leadway電源模塊和TI德州儀器)、Murata(村田)相比有哪些優(yōu)勢(shì)?Leadway電源模塊提供高性能、高可靠性的國(guó)產(chǎn)電源解決方案,以其高效率、寬輸入電壓范圍和緊湊封裝為特點(diǎn)。擅長(zhǎng)替代TI
2025-04-14 10:17:47

德州儀器推出新款電源管理芯片,可提高現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心的保護(hù)級(jí)別、功率密度和效率水平

的晶體管外形無(wú)引線 (TOLL) 封裝,將 德州儀器的 GaN 和高性能柵極驅(qū)動(dòng)器與先進(jìn)的保護(hù)功能相結(jié)合。 中國(guó)上海(2025 年4 月 9 日)— 德州儀器 (TI)(納斯達(dá)克股票代碼:TXN)于今日推出新款電源管理芯片,以滿足現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心快速增長(zhǎng)的電源需求。隨著高性能計(jì)算和人工
2025-04-09 14:38:46516

集成CAN PHY接口,納芯微推出新一代16通道高性價(jià)比車身照明燈驅(qū)方案!

納芯微宣布推出新一代車規(guī)級(jí)16通道低邊架構(gòu)LED驅(qū)動(dòng)器NSL23716x系列,該驅(qū)動(dòng)器在滿足現(xiàn)代車身照明的復(fù)雜設(shè)計(jì)需求的同時(shí),提供了高性價(jià)比、高功能指標(biāo)的解決方案。
2025-01-24 15:49:191049

德州儀器發(fā)布新一代汽車芯片,賦能邊緣AI與音頻體驗(yàn)

德州儀器(TI)近期推出了全新的集成式汽車芯片系列,旨在提升各價(jià)位車輛的安全性與駕駛沉浸感。這創(chuàng)新舉措,無(wú)疑將為汽車行業(yè)帶來(lái)場(chǎng)技術(shù)革命。 其中,TI AWRL6844 60GHz毫米波雷達(dá)傳感
2025-01-13 11:34:301336

德州儀器 (TI) 推出新一代支持邊緣 AI 的雷達(dá)傳感和汽車音頻處理

中國(guó)上海(2025 年 1 月 8 日)– 德州儀器 (TI)(納斯達(dá)克股票代碼:TXN)今日推出了全新的集成式汽車芯片,能夠幫助各個(gè)價(jià)位車輛的駕乘人員,實(shí)現(xiàn)更安全、更具沉浸感的駕駛體驗(yàn)。TI
2025-01-08 13:34:121445

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