因為英特爾14納米x86 CPU 產(chǎn)能短缺，比特幣價格下跌造成的中低階挖礦機需求不振，及新興市場貨幣貶值造成的中低階手機銷售不佳，加上3D NAND轉(zhuǎn)到96層及DRAM轉(zhuǎn)到19納米以下制程工藝的產(chǎn)能增加，等等因素疊加造成明年內(nèi)存DRAM和閃存NAND預計將會有3－5％的供過于求，價格下行趨勢確立，而將造成2019年整體存儲器芯片產(chǎn)業(yè)同比衰退5－9％及全球半導體產(chǎn)業(yè)同比衰退1－4％。但此次下行趨勢預計不超過18個月。

美光預估第四季度前景低于市場預期

美光預期第四季度銷售環(huán)比衰退2－6％，同比成長降速為16－22％（低于第三季度的38％同比成長），并且低于市場預期近4％。雖然美光預期57－60％毛利，49％營業(yè)利益，44％的凈利率都與市場預期相同，但遠低于前兩季度的61％毛利，51－52％營業(yè)利益，49－51％的凈利率。美光認為第四季度銷售低于預期是因為英特爾14納米x86 CPU 短缺可能持續(xù)到明年第一季度（我們認為英特爾應該是短暫將產(chǎn)能轉(zhuǎn)去幫蘋果三款新手機做XMM7560基頻芯片）而造成某些特定客戶開始清除因之前擔心漲價而多建的庫存，可能將持續(xù)數(shù)季度， 加上美國提高關(guān)稅的不利影響。而在產(chǎn)業(yè)下行趨勢拐點出現(xiàn)后，美光竟然提高2019年資本支出同比成長16％到105億美金，預計透過96層3D NAND閃存的技術(shù)演進將閃存產(chǎn)能位元成長率（bit growth）拉高到超過40％（高于產(chǎn)業(yè)平均的35－40％同比成長）。

供給過剩，價格下行趨勢確立

因為英特爾14納米x86 CPU 產(chǎn)能短缺，比特幣價格下跌造成的中低階挖礦機需求不振，及新興市場貨幣貶值造成的中低階手機銷售不佳，但加上3D NAND閃存轉(zhuǎn)到96層及DRAM內(nèi)存轉(zhuǎn)到19納米以下制程工藝的產(chǎn)能增加，預估明年內(nèi)存DRAM （23－25％供給vs． 20％需求）和閃存NAND（43－45％ 供給vs． 40％需求）將會有3－5％的供過于求，價格下行趨勢確立，預期在未來12個月內(nèi)，DRAM內(nèi)存每位元現(xiàn)貨價格（bit price）同比將衰退超過20％，NAND閃存現(xiàn)貨價格同比將衰退超過40％，而將造成2019年整體存儲器芯片產(chǎn)業(yè)同比衰退5－9％及全球半導體產(chǎn)業(yè)同比衰退1－4％（但邏輯芯片將持續(xù)成長）。我們的預估是比存儲器產(chǎn)業(yè)研究機構(gòu)DRAMeXchange對明年存儲器芯片產(chǎn)業(yè)5％的同比成長預估（DRAM 7％ 同比成長，NAND同比零成長）來的悲觀許多，但DRAMeXchange最新出爐的報告也因近期供過于求，而下修今年第四季度的DRAM合約價格預期，從1－3％價格環(huán)比下跌下修到5％的價格下跌。

這次下行趨勢有多糟？

雖然存儲器價格下行趨勢確立，但我們預估此次下行趨勢應不超過18個月，英特爾14納米x86 CPU 短缺狀況應會于明年中之前改善，10納米x86 CPU應于明年下半年量產(chǎn)，AMD 7納米x86 CPU， 7納米挖礦機及智能手機，5G手機等都將于明年出籠取代中低階機種及對存儲器半導體產(chǎn)生正面影響。因此我們預估大多數(shù)的內(nèi)閃存存儲器半導體公司會面對營業(yè)利潤率從近50％的高檔下滑，但卻不至于步入虧損。

對中國產(chǎn)業(yè)的影響？

雖然主流DRAM和3D NAND的下跌對NOR，SLC （Single－Level Cell， 單層單元閃存） NAND都會造成不良的影響，但只要這次下行趨勢不超過18個月，主流存儲器芯片大廠不步入虧損，預期主流存儲器廠商不會將大量產(chǎn)能轉(zhuǎn)入利基型NOR和SLC NAND閃存市場而造成其價格崩跌。預計NOR和SLC NAND閃存領(lǐng)導廠商旺宏，華邦，兆易創(chuàng)新，武漢新芯將持續(xù)將產(chǎn)品從價格及獲利下行的中、低密度NOR轉(zhuǎn)為價格及獲利較好的高密度NOR和SLCNAND，而讓相關(guān)廠商同比獲利衰退幅度相對較小。但此下行趨勢對明年即將量產(chǎn)的中國主流存儲器芯片大廠長江存儲（3DNAND）， 合肥長鑫（Mobile DRAM），福建晉華（NicheDRAM）當然是雪上加霜。