晶圓生產(chǎn)包括晶棒制造和晶片制造兩大步驟，它又可細(xì)分為以下幾道主要工序(其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部屬晶片制造，所以有時(shí)又統(tǒng)稱它們?yōu)?b class="flag-6" style="color: red">晶柱切片后處理工
2011-11-24 09:26:44
21746 )、重新分配層(RDL)封裝、倒片(Flip Chip)封裝、及硅通孔(TSV)封裝。此外，本文還將介紹應(yīng)用于這些晶圓級(jí)封裝的各項(xiàng)工藝，包括光刻(Photolithography)工藝、濺射(Sputtering)工藝、電鍍(Electroplating)工藝和濕法(Wet)工藝。
2023-11-08 09:20:1911649 
本內(nèi)容詳解了晶圓制造工藝流程，包括表面清洗，初次氧化，熱處理，光刻技術(shù)和離子刻蝕技術(shù)等
2011-11-24 09:32:107546 （GaAs）晶圓上實(shí)現(xiàn)的。光電子驅(qū)動(dòng)砷化鎵（GaAs）晶圓市場(chǎng)增長(zhǎng)GaAs晶圓已經(jīng)是激光器和LED技術(shù)領(lǐng)域幾十年的老朋友了，主要應(yīng)用有復(fù)印機(jī)、DVD播放器甚至激光指示器。近年來，LED推動(dòng)了化合物半導(dǎo)體
2019-05-12 23:04:07
15瓦高功率紫外激光器用在陶瓷杯旋轉(zhuǎn)打標(biāo)，激光刻字 很多人對(duì)于現(xiàn)代的激光技術(shù)還不夠了解，以為激光只能做到簡(jiǎn)單的切割、打孔，其實(shí)現(xiàn)在的激光技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到了，可以在工藝品上進(jìn)行雕刻甚至根據(jù)需求刻上各種
2022-01-13 08:38:25
小弟想知道8寸晶圓盒的制造工藝和檢驗(yàn)規(guī)范，還有不知道在大陸有誰在生產(chǎn)？
2010-08-04 14:02:12
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個(gè)數(shù)量級(jí)（從毫米級(jí)到亞微米級(jí)），已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術(shù)；使用波長(zhǎng)已從4000埃擴(kuò)展到 0.1埃
2012-01-12 10:51:59
關(guān)于光刻工藝的原理，大家可以想象一下膠片照片的沖洗，掩膜版就相當(dāng)于膠片，而光刻機(jī)就是沖洗臺(tái)，它把掩膜版上的芯片電路一個(gè)個(gè)的復(fù)制到光刻膠薄膜上，然后通過刻蝕技術(shù)把電路“畫”在晶圓上?！ ‘?dāng)然
2020-07-07 14:22:55
芯片制造流程其實(shí)是多道工序?qū)⒏鞣N特性的材料打磨成形，經(jīng)循環(huán)往復(fù)百次后，在晶圓上“刻”出各種電子特性的區(qū)域，最后形成數(shù)十億個(gè)晶體管并被組合成電子元件。那光刻，整個(gè)流程中的一個(gè)重要步驟，其實(shí)并沒有
2020-09-02 17:38:07
光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會(huì)發(fā)生改變。光刻膠主要用來將光刻掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負(fù)膠之分。正膠經(jīng)過曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經(jīng)過顯影后被
2019-11-07 09:00:18
本人想了解下晶圓制造會(huì)用到哪些生產(chǎn)輔材或生產(chǎn)耗材
2017-08-24 20:40:10
晶圓凸點(diǎn)模板技術(shù)和應(yīng)用效果評(píng)價(jià)詳細(xì)介紹了晶圓凸點(diǎn)目前的技術(shù)現(xiàn)狀，應(yīng)用效果，通過這篇文章可以快速全面了解晶圓凸點(diǎn)模板技術(shù)晶圓凸點(diǎn)模板技術(shù)和應(yīng)用效果評(píng)價(jià)[hide][/hide]
2011-12-02 12:44:29
` 晶圓級(jí)封裝是一項(xiàng)公認(rèn)成熟的工藝，元器件供應(yīng)商正尋求在更多應(yīng)用中使用WLP，而支持WLP的技術(shù)也正快速走向成熟。隨著元件供應(yīng)商正積極轉(zhuǎn)向WLP應(yīng)用，其使用范圍也在不斷擴(kuò)大?！ ∧壳坝?種成熟
2011-12-01 14:33:02
是在晶圓上制作電路及電子元件（如晶體管、電容、邏輯開關(guān)等），其處理程序通常與產(chǎn)品種類和所使用的技術(shù)有關(guān)，但一般基本步驟是先將晶圓適當(dāng)清洗，再在其表面進(jìn)行氧化及化學(xué)氣相沉積，然后進(jìn)行涂膜、曝光、顯影、蝕刻
2011-12-01 15:43:10
圓比人造鉆石便宜多了，感覺還是很劃算的。硅的純化I——通過化學(xué)反應(yīng)將冶金級(jí)硅提純以生成三氯硅烷硅的純化II——利用西門子方法，通過三氯硅烷和氫氣反應(yīng)來生產(chǎn)電子級(jí)硅 二、制造晶棒晶體硅經(jīng)過高溫成型，采用
2019-09-17 09:05:06
所用的硅晶圓。) 通過使用化學(xué)、電路光刻制版技術(shù)，將晶體管蝕刻到硅晶圓之上，一旦蝕刻是完成，單個(gè)的芯片被一塊塊地從晶圓上切割下來?！ ≡诠?b class="flag-6" style="color: red">晶圓圖示中，用黃點(diǎn)標(biāo)出的地方是表示這個(gè)地方存在一定缺陷，或是
2011-12-01 16:16:40
效率高，它以圓片形式的批量生產(chǎn)工藝進(jìn)行制造，一次完成整個(gè)晶圓芯片的封裝大大提高了封裝效率?！ ?）具有倒裝芯片封裝的優(yōu)點(diǎn)，即輕，薄，短，小。封裝尺寸接近芯片尺寸，同時(shí)也沒有管殼的高度限制。 3）封裝芯片
2021-02-23 16:35:18
。您能否告訴我們您對(duì)晶圓探針去嵌入技術(shù)的可行性的看法？ 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文We would like to characterize our co-planar wafer probes
2019-01-23 15:24:48
，然后切割成一片一片薄薄的晶圓。會(huì)聽到幾寸的晶圓廠，如果硅晶圓的直徑越大，代表著這座晶圓廠有較好的技術(shù)。另外還有scaling技術(shù)可以將電晶體與導(dǎo)線的尺寸縮小，這兩種方式都可以在一片晶圓上，制作出更多
2011-09-07 10:42:07
先進(jìn)封裝發(fā)展背景晶圓級(jí)三維封裝技術(shù)發(fā)展
2020-12-28 07:15:50
晶圓級(jí)封裝技術(shù)源自于倒裝芯片。晶圓級(jí)封裝的開發(fā)主要是由集成器件制造廠家（IBM）率先啟動(dòng)。1964年，美國(guó)IBM公司在其M360計(jì)算器中最先采用了FCOB焊料凸點(diǎn)倒裝芯片器件。
2020-03-06 09:02:23
晶圓級(jí)芯片封裝技術(shù)是對(duì)整片晶圓進(jìn)行封裝測(cè)試后再切割得到單個(gè)成品芯片的技術(shù)，封裝后的芯片尺寸與裸片一致。
2019-09-18 09:02:14
（Engineering die，test die）：這些芯片與正式器件（或稱電路芯片）不同。它包括特殊的器件和電路模塊用于對(duì)晶圓生產(chǎn)工藝的電性測(cè)試。（4）邊緣芯片（Edge die）：在晶圓的邊緣上的一些掩膜殘缺不全
2020-02-18 13:21:38
,、WAFER承載料盒、晶圓提籃,芯片盒,晶圓包裝盒,晶圓包裝,晶圓切片,晶圓生產(chǎn)，晶圓制造，晶圓清洗，晶圓測(cè)試，晶圓切割，晶圓代工，晶圓銷售，晶圓片測(cè)試，晶圓運(yùn)輸用包裝盒，晶圓切割,防靜電IC托盤(IC
2020-07-10 19:52:04
激光用于晶圓劃片的技術(shù)與工藝 激光加工為無接觸加工，激光能量通過聚焦后獲得高能量密度，直接將硅片
2010-01-13 17:01:57
同個(gè)型號(hào)生產(chǎn)工藝上晶圓差異較大的原因是？
2024-08-07 07:02:43
SiTime晶振采用全硅的MEMS技術(shù)，由兩個(gè)芯片堆棧起來，下方是CMOS PLL驅(qū)動(dòng)芯片，上方則是MEMS諧振器，以標(biāo)準(zhǔn)QFN IC封裝方式完成。封裝完成之后，進(jìn)行激光打標(biāo)環(huán)節(jié)，黑色晶振表面一般打
2017-04-06 14:22:11
通過退火優(yōu)化和應(yīng)力平衡技術(shù)控制。
3、彎曲度（Bow） 源于材料與工藝的對(duì)稱性缺陷，對(duì)多層堆疊和封裝尤為敏感，需在晶體生長(zhǎng)和鍍膜工藝中嚴(yán)格調(diào)控。
在先進(jìn)制程中，三者共同決定了晶圓的幾何完整性，是良率提升
2025-05-28 16:12:46
。
光刻則是在晶圓上“印刷”電路圖案的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，類似于在晶圓表面繪制半導(dǎo)體制造所需的詳細(xì)平面圖。光刻的精細(xì)度直接影響到成品芯片的集成度，因此需要借助先進(jìn)的光刻技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。
刻蝕目的是去除多余氧化膜，僅
2024-12-30 18:15:45
TSMC，中芯國(guó)際SMIC 組成:核心:生產(chǎn)線，服務(wù):技術(shù)部門，生產(chǎn)管理部門，動(dòng)力站（雙路保障），廢水處理站(環(huán)保，循環(huán)利用)等。生產(chǎn)線主要設(shè)備: 外延爐，薄膜設(shè)備，光刻機(jī)，蝕刻機(jī)，離子注入機(jī)，擴(kuò)散爐
2025-03-27 16:38:20
圓在晶圓制造工藝中有很高的價(jià)值，為了保持精確的可追溯性，區(qū)別它們和防止誤操作是必須的。因而使用條形碼和數(shù)字矩陣碼的激光刻號(hào)來區(qū)分它們。對(duì)300mm的晶圓，使用激光點(diǎn)是一致認(rèn)同的方法。磨片半導(dǎo)體晶圓
2018-07-04 16:46:41
三種常見的光刻技術(shù)方法根據(jù)暴光方法的不同,可以劃分為接觸式光刻,接近式光刻和投影式光刻三種光刻技術(shù)?！ 敉队笆奖┕馐抢猛哥R或反射鏡將掩膜版上的圖形投影到襯底上的暴光方法.在這種暴光方法中,由于掩膜
2012-01-12 10:56:23
納米到底有多細(xì)微？什么晶圓？如何制造單晶的晶圓？
2021-06-08 07:06:42
，由于硅晶棒是由一顆晶面取向確定的籽晶在熔融態(tài)的硅原料中逐漸生成，此過程稱為“長(zhǎng)晶”。硅晶棒再經(jīng)過切段，滾磨，切片，倒角，拋光，激光刻，包裝后，即成為積體電路工廠的基本原料——硅晶圓片，這就是“晶圓”。`
2011-12-01 11:40:04
的核算會(huì)給晶圓生產(chǎn)人員提供全面業(yè)績(jī)的反饋。合格芯片與不良品在晶圓上的位置在計(jì)算機(jī)上以晶圓圖的形式記錄下來。從前的舊式技術(shù)在不良品芯片上涂下一墨點(diǎn)。 晶圓測(cè)試是主要的芯片良品率統(tǒng)計(jì)方法之一。隨著芯片的面積
2011-12-01 13:54:00
是最流行的半導(dǎo)體，這是由于其在地球上的大量供應(yīng)。半導(dǎo)體晶圓是從錠上切片或切割薄盤的結(jié)果，它是根據(jù)需要被摻雜為P型或N型的棒狀晶體。然后對(duì)它們進(jìn)行刻劃，以用于切割或切割單個(gè)裸片或方形子組件，這些單個(gè)裸片或
2021-07-23 08:11:27
1、為什么晶圓要做成圓的？如果做成矩形，不是更加不易產(chǎn)生浪費(fèi)原料？2、為什么晶圓要多出一道研磨的工藝？為什么不能直接做成需求的厚度？
2014-01-20 15:58:42
方案是把24個(gè)微型聚焦頭固定在 Y軸上，再把X,Y高精度二維平臺(tái)放在生產(chǎn)線的下面，照射方式選擇從下往上照射晶圓基板，通過金屬基板熱傳遞來固化；CCD1和CCD2進(jìn)行自動(dòng)定位；激光器實(shí)時(shí)監(jiān)控，如有報(bào)警信息
2011-12-02 14:03:52
今日分享晶圓制造過程中的工藝及運(yùn)用到的半導(dǎo)體設(shè)備。晶圓制造過程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴(kuò)散等。這幾個(gè)主要步驟都需要若干種半導(dǎo)體設(shè)備，滿足不同的需要。設(shè)備中應(yīng)用較為廣泛
2018-10-15 15:11:22
imperfections on a wafer.激光散射 - 由晶圓片表面缺陷引起的脈沖信號(hào)。Lay - The main direction of surface texture on a wafer.層 - 晶
2011-12-01 14:20:47
TEL:***回收拋光片、光刻片、晶圓片碎片、小方片、牙簽料、藍(lán)膜片回收晶圓片硅片回收/廢硅片回收/單晶硅片回收/多晶硅片回收/回收太陽能電池片/半導(dǎo)休硅片回收
2011-04-15 18:24:29
`所謂多項(xiàng)目晶圓(簡(jiǎn)稱MPW)，就是將多種具有相同工藝的集成電路設(shè)計(jì)放在同一個(gè)硅圓片上、在同一生產(chǎn)線上生產(chǎn)，生產(chǎn)出來后，每個(gè)設(shè)計(jì)項(xiàng)目可以得到數(shù)十片芯片樣品，這一數(shù)量足夠用于設(shè)計(jì)開發(fā)階段的實(shí)驗(yàn)、測(cè)試
2011-12-01 14:01:36
看到了晶圓切割的一個(gè)流程，但是用什么工具切割晶圓？求大蝦指教啊 ？
2011-12-01 15:47:14
越大，代表著這座晶圓廠有較好的技術(shù)。另外還有scaling技術(shù)可以將電晶體與導(dǎo)線的尺寸縮小，這兩種方式都可以在一片晶圓上，制作出更多的硅晶粒，提高品質(zhì)與降低成本。所以這代表6寸、8寸、12寸晶圓當(dāng)中
2011-12-02 14:30:44
; 2010年1月3日，蘇州天弘激光股份有限公司推出了新一代激光晶圓劃片機(jī)，該激光劃片機(jī)應(yīng)用于硅晶圓、玻璃披覆（玻鈍）二極管等半導(dǎo)體晶圓的劃片和切割，技術(shù)領(lǐng)先于國(guó)內(nèi)
2010-01-13 17:18:57
`一、照明用LED光源照亮未來 隨著市場(chǎng)的持續(xù)增長(zhǎng)，LED制造業(yè)對(duì)于產(chǎn)能和成品率的要求變得越來越高。激光加工技術(shù)迅速成為LED制造業(yè)普遍的工具，甚者成為了高亮度LED晶圓加工的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">激光刻劃
2011-12-01 11:48:46
長(zhǎng)期收購(gòu)藍(lán)膜片.藍(lán)膜晶圓.光刻片.silicon pattern wafer. 藍(lán)膜片.白膜片.晶圓.ink die.downgrade wafer.Flash內(nèi)存.晶片.good die.廢膜硅片
2016-01-10 17:50:39
` 集成電路按生產(chǎn)過程分類可歸納為前道測(cè)試和后到測(cè)試；集成電路測(cè)試技術(shù)員必須了解并熟悉測(cè)試對(duì)象—硅晶圓。測(cè)試技術(shù)員應(yīng)該了解硅片的幾何尺寸形狀、加工工藝流程、主要質(zhì)量指標(biāo)和基本檢測(cè)方法；集成電路晶圓測(cè)試基礎(chǔ)教程ppt[hide][/hide]`
2011-12-02 10:20:54
前言利用光學(xué)+激光制造技術(shù)新的創(chuàng)新，武漢易之測(cè)儀器可以制造各種高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)或定制設(shè)計(jì)的各種石英晶圓玻璃激光厚度測(cè)量?jī)x定制，以滿足許多客戶應(yīng)用的需求。一、產(chǎn)品描述1.產(chǎn)品特性以下原材料可以用于石英晶圓
2025-02-13 09:32:35
在半導(dǎo)體制造的精密流程中，晶圓濕法清洗設(shè)備扮演著至關(guān)重要的角色。它不僅是芯片生產(chǎn)的基礎(chǔ)工序，更是決定良率、效率和成本的核心環(huán)節(jié)。本文將從技術(shù)原理、設(shè)備分類、行業(yè)應(yīng)用到未來趨勢(shì)，全面解析這一關(guān)
2025-06-25 10:26:37
松下電工成功開發(fā)出通過晶圓級(jí)接合，將封裝有LED的晶圓和配備有光傳感器的晶圓合計(jì)4枚晶圓進(jìn)行集成封裝。
2011-08-28 11:37:221683 光刻(photoetching)是通過一系列生產(chǎn)步驟將晶圓表面薄膜的特定部分除去的工藝在此之后，晶圓表面會(huì)留下帶有微圖形結(jié)構(gòu)的薄膜。被除去的部分可能形狀是薄膜內(nèi)的孔或是殘留的島狀部
2011-09-05 11:38:424410 一、照明用LED光源照亮未來 隨著市場(chǎng)的持續(xù)增長(zhǎng)， LED 制造業(yè)對(duì)于產(chǎn)能和成品率的要求變得越來越高。激光加工技術(shù)迅速成為LED制造業(yè)普遍的工具，甚者成為了高亮度LED晶圓加工的工業(yè)
2011-09-30 10:54:121354 影響LED藍(lán)寶石晶圓制造的質(zhì)量和成本因素
2017-02-08 01:00:09
17 本文開始介紹了晶圓的概念，其次闡述了CPU的工藝要素和和CPU生產(chǎn)流程，最后詳細(xì)介紹了晶圓如何變成cpu的。
2018-03-16 13:54:5821909 硅晶圓就是硅元素加以純化（99.999%），接著是將這些純硅制成長(zhǎng)硅晶棒，成為制造積體電路的石英半導(dǎo)體的材料，經(jīng)過照相制版，研磨，拋光，切片等程序，將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圓。
2018-03-26 10:57:1744222 
本文主要詳細(xì)介紹了六家生產(chǎn)硅晶圓的上市公司。硅晶圓是硅元素進(jìn)行純化之后的一種化工材料，在制造電路的實(shí)驗(yàn)半導(dǎo)體當(dāng)中，經(jīng)常會(huì)使用到這種材料。簡(jiǎn)而言之，就是在多晶硅的基礎(chǔ)上，經(jīng)過一系列的復(fù)雜程序，將其制造成為單晶硅晶棒，然后切割成硅晶圓。那么目前市面上有哪些生產(chǎn)硅晶元的上市公司發(fā)展比較好呢？
2018-08-25 10:33:1048419 晶圓代工大廠三星宣布，正式開始使用其7納米LPP制程來生產(chǎn)晶圓。三星的7納米LPP制程中使用極紫外光刻（EUV）技術(shù)，這將使三星7納米LPP制程能夠明顯提升芯片內(nèi)的電晶體密度，同時(shí)優(yōu)化其功耗。此外，EUV技術(shù)的使用還能使客戶減少每個(gè)芯片所需的光罩?jǐn)?shù)量，在降低生產(chǎn)成本下，還能縮短其生產(chǎn)的時(shí)間。
2018-10-18 16:01:005337 據(jù)悉，英國(guó)光電子技術(shù)解決方案的領(lǐng)先開發(fā)商Plessey Semiconductor日前表示，已從晶圓鍵合和光刻設(shè)備生產(chǎn)商EVG購(gòu)買了GEMINI晶圓鍵合系統(tǒng)。
2018-11-16 15:10:082158 現(xiàn)在的CPU和GPU等等的芯片什么的都是從晶圓片上切出來的，一大片晶圓可以切成很多的芯片越靠近圓中心的理論上質(zhì)量越好質(zhì)量較差的就做成型號(hào)較低的 。什么是晶圓代工呢？用最簡(jiǎn)單的話講，就是專門幫別人生產(chǎn)晶圓片。
2019-03-29 15:32:2719893 MUNICH - Karl Suss KG GmbH＆amp;公司今天宣布與硅谷的Image Technology公司合作，開發(fā)和標(biāo)準(zhǔn)化9英寸掩模，用于大批量晶圓凸點(diǎn)和晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝的生產(chǎn)。總體目標(biāo)是降低晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝的掩模成本。
2019-08-13 10:48:593098 根據(jù)臺(tái)積電在第二十四屆年度技術(shù)研討會(huì)中的說明，SoIC是一種創(chuàng)新的多芯片堆疊技術(shù)，是一種晶圓對(duì)晶圓（Wafer-on-wafer）的鍵合（Bonding）技術(shù)，這是一種3D IC制程技術(shù)，可以讓臺(tái)積電具備直接為客戶生產(chǎn)3D IC的能力。
2019-08-14 11:21:064993 
由上海福賽特智能設(shè)備有限公司獨(dú)立研發(fā)的LED半導(dǎo)體晶圓倒片機(jī)將于年內(nèi)在三安生產(chǎn)線投入量產(chǎn)運(yùn)營(yíng)。該設(shè)備用于LED外延工藝，可實(shí)現(xiàn)晶圓從原料倉至PVD工序間，以及PVD工序到MOCVD間的周轉(zhuǎn)。
2019-09-08 10:37:353406 激光隱形切割作為激光切割晶圓的一種方案，很好的避免了砂輪劃片存在的問題。如圖1所示，激光隱形切割是通過將脈沖激光的單個(gè)脈沖通過光學(xué)整形
2020-06-01 09:38:239733 的熱點(diǎn)話題，只有自主開發(fā)、自主生產(chǎn)，才擁有話語權(quán)，而長(zhǎng)期以來，在半導(dǎo)體激光隱形晶圓切割機(jī)方面，我國(guó)一直依靠進(jìn)口，此次中國(guó)長(zhǎng)城在半導(dǎo)體激光隱形晶圓切割技術(shù)方面的突破意義重大。 據(jù)直線電機(jī)模組小編所知，該半導(dǎo)體激光隱形晶
2020-06-29 08:07:501160 。
近年來，中國(guó)芯片制造行業(yè)飛速發(fā)展，多個(gè)12英寸生產(chǎn)線建成或擴(kuò)產(chǎn)，帶來巨大的***采購(gòu)需求，亞化咨詢整理了近幾年國(guó)內(nèi)部分12吋晶圓產(chǎn)線的***采購(gòu)情況。
——光刻膠，半導(dǎo)體制造的核心
2020-12-29 15:41:443108 環(huán)球晶圓是全球重要的晶圓供應(yīng)商，他們擁有完整的晶圓生產(chǎn)線，生產(chǎn)高附加值的晶圓產(chǎn)品，除了用于制造芯片的半導(dǎo)體晶圓，他們也生產(chǎn)太陽能晶圓及晶棒。
2021-01-06 15:34:502653 以下內(nèi)容由對(duì)話音頻整理 本期話題 ● EUV光刻機(jī)產(chǎn)能如何？ ● 晶圓為什么是圓的？ ● 不同制程的芯片之間有何區(qū)別？ ● 什么是邏輯芯片，邏輯芯片又包括哪些？ ● 專用芯片與通用芯片 ● 中科院
2021-03-14 09:46:3025244 隨著厚度的不斷減薄，晶圓會(huì)變得更為脆弱，因此機(jī)械劃片的破片率大幅增加，而此階段晶圓價(jià)格昂貴，百分之幾的破片率就足以使利潤(rùn)全無。另外，當(dāng)成品晶圓覆蓋金屬薄層時(shí)，問題會(huì)變得更加復(fù)雜，金屬碎屑會(huì)包裹
2022-12-08 14:25:539688 本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機(jī)理，并重點(diǎn)對(duì)碳化硅晶圓激光標(biāo)記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應(yīng)用進(jìn)行了介紹。
2023-04-23 09:58:272335 
當(dāng)?shù)姆绞綖?b class="flag-6" style="color: red">激光解鍵合。鴻浩半導(dǎo)體設(shè)備所生產(chǎn)的UV激光解鍵合設(shè)備具備低溫、不傷晶圓等技術(shù)特點(diǎn)，并且提供合理的制程成本，十分適合應(yīng)用于扇出晶圓級(jí)封裝。 01 扇出晶圓級(jí)封裝簡(jiǎn)介 扇出晶圓級(jí)封裝（Fan Out Wafer Level Packaging, FOWLP，簡(jiǎn)稱扇出
2023-04-28 17:44:432743 
芯片的制造分為原料制作、單晶生長(zhǎng)和晶圓的制造、集成電路晶圓的生產(chǎn)和集成電路的封裝階段。本節(jié)主要講解集成電路封裝階段的部分。
集成電路晶圓生產(chǎn)是在晶圓表面上和表面內(nèi)制造出半導(dǎo)體器件的一系列生產(chǎn)過程。整個(gè)制造過程從硅單晶拋光片開始，到晶圓上包含了數(shù)以百計(jì)的集成電路戲芯片。
2023-05-06 10:59:062208 改質(zhì)切割是一種將半導(dǎo)體晶圓分離成單個(gè)芯片或晶粒的激光技術(shù)。該過程是使用精密激光束在晶圓內(nèi)部形成改質(zhì)層，使晶圓可以通過輕微外力沿激光掃描路徑精確分離。
2023-05-25 10:25:552747 
光刻光刻是通過光線將電路圖案“印刷”到晶圓上，我們可以將其理解為在晶圓表面繪制半導(dǎo)體制造所需的平面圖。電路圖案的精細(xì)度越高，成品芯片的集成度就越高，必須通過先進(jìn)的光刻技術(shù)才能實(shí)現(xiàn)。具體來說，光刻
2022-07-11 11:04:122700 
使用激光切割，激光切割可以減少剝落和裂紋的問題，但是在100um以上時(shí)，生產(chǎn)效率將大大降低；厚度不到30um的晶圓則使用等離子切割，等離子切割速度快，不會(huì)對(duì)晶圓表面造成
2022-10-08 16:02:4416406 
半導(dǎo)體制造設(shè)備廠商DISCO Corporation（總部：東京都大田區(qū)；總裁：Kazuma Sekiya）采用了KABRA（一種使用激光加工的晶錠切片方法），并開發(fā)了一種針對(duì)GaN（氮化鎵）晶圓生產(chǎn)而優(yōu)化的工藝。通過該工藝，可以同時(shí)提高GaN晶圓片產(chǎn)量，并縮短生產(chǎn)時(shí)間。
2023-08-25 09:43:521777 
晶圓檢測(cè)機(jī)，又稱為半導(dǎo)體芯片自動(dòng)化檢測(cè)設(shè)備，是用于對(duì)半導(dǎo)體芯片的質(zhì)量進(jìn)行檢驗(yàn)和測(cè)試的專用設(shè)備。它可以用于硅片、硅晶圓、LED芯片等半導(dǎo)體材料的表面檢測(cè)，通過對(duì)晶圓的表面特征進(jìn)行全面檢測(cè)，可以有效降低
2023-10-26 10:51:340 【科普】什么是晶圓級(jí)封裝
2023-12-07 11:34:012771 
共讀好書 在本文中，我們將重點(diǎn)介紹半導(dǎo)體封裝的另一種主要方法——晶圓級(jí)封裝（WLP）。本文將探討晶圓級(jí)封裝的五項(xiàng)基本工藝，包括：光刻（Photolithography）工藝、濺射
2024-03-05 08:42:133555 
特正在尋找新的解決方案，例如解決圖像傳輸不準(zhǔn)確的主要原因：宏觀缺陷。 實(shí)驗(yàn) 即使在超潔凈10級(jí)環(huán)境中，我們也會(huì)發(fā)現(xiàn)在晶圓上有時(shí)會(huì)產(chǎn)生宏觀缺陷，在單晶晶錠生長(zhǎng)和晶圓制造之后的工藝步驟中尤其如此，這些步驟包括鋸切晶錠以生產(chǎn)晶圓
2024-04-03 17:31:47988 
半導(dǎo)體晶圓（Wafer）是半導(dǎo)體器件制造過程中的基礎(chǔ)材料，而劃片是將晶圓上的芯片分離成單個(gè)器件的關(guān)鍵步驟。本文將詳細(xì)介紹半導(dǎo)體晶圓劃片的幾種常用方法，包括機(jī)械劃片、激光劃片和化學(xué)蝕刻劃片等，并分析它們的優(yōu)缺點(diǎn)及適用場(chǎng)景。
2024-05-06 10:23:403649 
科普 EVASH Ultra EEPROM 晶圓生產(chǎn)過程
2024-06-26 10:16:051078 晶圓邊緣曝光是幫助減少晶圓涂布過程中多余的光刻膠對(duì)電子器件影響的重要步驟。友思特 ALE/1 和 ALE/3 UV-LED 高性能點(diǎn)光源，作為唯一可用于寬帶晶圓邊緣曝光的 i、h 和 g 線的 LED 解決方案，可高效實(shí)現(xiàn)WEE系統(tǒng)設(shè)計(jì)和曝光需求。
2024-07-25 13:45:552051 
考拉悠然自主研發(fā)的國(guó)內(nèi)首臺(tái)玻璃基Micro LED晶圓量檢測(cè)設(shè)備近日正式完成出貨。這標(biāo)志著考拉悠然已完成產(chǎn)品的技術(shù)研發(fā)并獲得客戶認(rèn)可，同時(shí)具備了Micro LED晶圓量檢測(cè)設(shè)備批量生產(chǎn)的能力。該產(chǎn)品具有高精度、高穩(wěn)定性、高效率等特點(diǎn)。
2024-08-10 11:18:251275 。而硅晶圓是傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料，具有成熟的制造工藝和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。 制造工藝： 碳化硅晶圓的制造工藝相對(duì)復(fù)雜，需要高溫、高壓和長(zhǎng)時(shí)間的生長(zhǎng)過程。而硅晶圓的制造工藝相對(duì)成熟，可以實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)。此外，碳化硅晶圓的生長(zhǎng)速度
2024-08-08 10:13:174711 圓切片工藝具有重要價(jià)值。然而，該技術(shù)的原理和損傷層形成機(jī)理尚未完全明確。因此，本文將介紹超短脈沖激光輔助SiC晶圓切片工藝原理，并深入探討超短脈沖激光在材料內(nèi)部加工的機(jī)理問題。 超短脈沖激光輔助碳化硅晶圓切片工藝原理
2024-11-25 10:02:101329 
在半導(dǎo)體晶片生產(chǎn)工廠中，每天都會(huì)有大量的芯片在生產(chǎn)、傳輸，通過RFID技術(shù)，可以對(duì)晶圓盒進(jìn)行識(shí)別、智能管理，確定晶片在生產(chǎn)過程中的工藝流程、生產(chǎn)進(jìn)度等，實(shí)時(shí)跟蹤與優(yōu)化生產(chǎn)過程中的每一步，確保晶片在生產(chǎn)
2024-11-29 17:46:581223 
使用激光切割，激光切割可以減少剝落和裂紋的問題，但是在100um以上時(shí)，生產(chǎn)效率將大大降低； 厚度不到30um的晶圓則使用等離子切割，等離子切割速度快，不會(huì)對(duì)晶圓表面造成損傷，從而提高良率，但是其工藝過程更為復(fù)雜； 在晶圓切割過程中，事
2024-12-10 11:36:231680 
本文介紹了晶圓料號(hào)打標(biāo)的方式以及激光打標(biāo)的原理。 ? 晶圓為什么要打標(biāo)？ 晶圓在制造過程中有數(shù)百道工藝步驟，標(biāo)記使得每片晶圓能夠在不同階段進(jìn)行身份識(shí)別，有助于追朔，生產(chǎn)管理，數(shù)據(jù)收集分析，防止混淆
2024-12-16 16:48:441677 
和基本概念 T/R（Turn Ratio），在晶圓制造領(lǐng)域中，指的是在制品的周轉(zhuǎn)率，即每片晶圓平均每天經(jīng)過的工藝步驟（Stage）的數(shù)量。它是衡量生產(chǎn)線效率、工藝設(shè)計(jì)合理性和生產(chǎn)進(jìn)度的重要指標(biāo)之一。 ? ? 在實(shí)際制造過程中，晶圓需要依次通過多個(gè)工藝步驟，例如光刻、刻
2024-12-17 11:34:562617 本文簡(jiǎn)單介紹了在晶圓制造過程中，晶圓邊緣需要鋪滿電路的原因。 晶圓制造工藝是半導(dǎo)體生產(chǎn)中的關(guān)鍵步驟，晶圓的邊緣區(qū)域?qū)φ麄€(gè)制造過程和成品良率具有重要影響。 1. 防止邊緣效應(yīng)影響芯片質(zhì)量 邊緣效應(yīng)
2024-12-31 11:24:252164 
隨著半導(dǎo)體器件的應(yīng)用范圍越來越廣，晶圓制造技術(shù)也得到了快速發(fā)展。其中，光刻技術(shù)在晶圓制造過程中的地位尤為重要。光刻膠是光刻工藝中必不可少的材料，其質(zhì)量直接影響到晶圓生產(chǎn)的效率和質(zhì)量。本文將圍繞著晶圓
2025-01-03 16:22:061227 技術(shù)參考。 關(guān)鍵詞：激光退火；晶圓；TTV 變化；管控方法 一、引言 激光退火作為半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵工藝，在改善晶圓電學(xué)性能方面發(fā)揮著重要作用。然而，激光退火過程中產(chǎn)生的高熱量及不均勻的能量分布，易導(dǎo)致晶圓內(nèi)部應(yīng)力變化，從而引
2025-05-23 09:42:45583 
引言 在晶圓上芯片制造工藝中，光刻膠剝離是承上啟下的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其效果直接影響芯片性能與良率。同時(shí)，光刻圖形的精確測(cè)量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻膠剝離方法，并探討白光
2025-06-25 10:19:48816 
的均勻性直接影響光刻工藝中曝光深度、圖形轉(zhuǎn)移精度等關(guān)鍵參數(shù) 。當(dāng)前，如何優(yōu)化玻璃晶圓 TTV 厚度在光刻工藝中的反饋控制，以提高光刻質(zhì)量和生產(chǎn)效率，成為亟待研究的重要
2025-10-09 16:29:24576 
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