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IGBT/功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)IGBT/功率器件欄目提供igbt器件，功率器件，功率半導(dǎo)體器件，功率開關(guān)器件，igbt功率模塊，igbt功率管，大功率igbt驅(qū)動，大功率igbt等IGBT/功率器件設(shè)計所需的所有最新行業(yè)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點方案及介紹。
NTC熱敏電阻詳細(xì)應(yīng)用解析
溫度相同區(qū)間不同的B值，說明材料可能不一樣，因為NTC熱敏電阻是負(fù)溫度系數(shù)溫度升高阻值成規(guī)律下降，B值代表曲線的彎曲程度或者說溫度的敏感指數(shù)，單位溫度變化的這時阻力值設(shè)施程度就...
揭秘電動汽車IGBT芯片鍵合線
在電控模塊中，IGBT模塊是逆變器的最核心部件，總結(jié)其工作原理：通過非通即斷的半導(dǎo)體特性，不考慮過渡過程和寄生效應(yīng)，我們將單個IGBT芯片看做一個理想的開關(guān)。...
2024-04-27 標(biāo)簽：電動汽車逆變器IGBT驅(qū)動系統(tǒng)減速器 1159
深度解析DCDC電路中的前饋電容應(yīng)用
A(s)為電源系統(tǒng)的開環(huán)增益，為方便討論我們假定A(s)里已經(jīng)包含了輸出電容、負(fù)載等其他因素的影響。...
2024-04-19 標(biāo)簽：電容DC-DC電源系統(tǒng)buck電路電源芯片 3264
全球首款氮化鎵量子光源芯片誕生
量子光源芯片作為量子互聯(lián)網(wǎng)的“心臟”，在量子通信中扮演著至關(guān)重要的角色。而電子科技大學(xué)團隊此次研發(fā)的氮化鎵量子光源芯片，在性能上取得了顯著的突破。...
IGBT器件失效模式的影響分析
功率循環(huán)加速老化試驗中，IGBT 器件失效模式 主要為鍵合線失效或焊料老化，失效模式可能存在 多個影響因素，如封裝材料、器件結(jié)構(gòu)以及試驗條 件等。...
SiC器件工作原理與優(yōu)勢
碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具備高電子遷移率、高熱導(dǎo)率以及高擊穿電場強度等特點。這些特性使得SiC器件在高溫、高電壓和高頻率下依然能夠穩(wěn)定工作，同時比傳統(tǒng)硅基器件體積更小，...
2024-04-18 標(biāo)簽：電機控制器功率器件SiC輸電系統(tǒng)太陽能逆變器 1381
納芯微發(fā)布首款車規(guī)級1200V SiC MOSFET
為了提供給客戶更可靠的碳化硅MOSFET產(chǎn)品，在碳化硅芯片生產(chǎn)過程中施行嚴(yán)格的質(zhì)量控制，所有碳化硅產(chǎn)品做到 100% 靜態(tài)電參數(shù)測試，100%抗雪崩能力測試。...
2024-04-18 標(biāo)簽：MOSFETSiC碳化硅納芯微熱管理系統(tǒng) 777
一、二、三代半導(dǎo)體的區(qū)別
在5G和新能源汽車等新市場需求的驅(qū)動下，第三代半導(dǎo)體材料有望迎來加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢被放大。...
2024-04-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體cpugpu半導(dǎo)體材料氮化鎵 4039
三極管小電流如何駕馭大電流
三極管有兩種基本類型，即NPN型和PNP型。在這兩種類型中，NPN型的三極管更為常用，所以我們將主要討論NPN型的三極管。...
電阻不同顏色的色環(huán)代表什么意思
電阻器顏色代碼是一種標(biāo)準(zhǔn)化系統(tǒng)，用于表示電阻器的電阻值、容差，有時甚至表示電阻器的溫度系數(shù)。它們由涂在電阻器主體上的彩色帶組成，每個彩色帶代表電阻器值中的特定數(shù)字或乘數(shù)。...
MOS管柵極前加100Ω電阻的作用是什么
功率MOS管的驅(qū)動電路中會分布各種電感，例如圖中的L，它們與MOSFET的Cgd, Cge會形成諧振電路：對開關(guān)驅(qū)動信號中的高頻諧波分量產(chǎn)生諧振，進(jìn)而引起功率管輸出電壓的波動。...
2024-04-16 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻電阻MOSFETMOS管 976
碳化硅器件的類型及應(yīng)用
碳化硅是一種廣泛用于制造半導(dǎo)體器件的材料，具有比傳統(tǒng)硅更高的電子漂移率和熱導(dǎo)率。這意味著碳化硅器件能夠在更高的溫度和電壓下工作，同時保持穩(wěn)定性和效率。...
2024-04-16 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體器件碳化硅 1092
深度解析TVS關(guān)鍵參數(shù)及選型技巧
TVS（Transient Voltage Suppressors），即瞬態(tài)電壓抑制器，又稱雪崩擊穿二極管。它是采用半導(dǎo)體工藝制成的單個 PN 結(jié)或多個 PN 結(jié)集成的器件。...
IGBT無損緩沖吸收電路設(shè)計原理
電磁干擾嚴(yán)重。隨著頻率提高，電路中的di/dt和du/dt增大，從而使電磁干擾增大，影響變換器和周圍電子設(shè)備的工作。...
2024-04-12 標(biāo)簽：二極管IGBT電磁干擾開關(guān)器件IGBT二極管吸收電路開關(guān)器件電磁干擾 4213
探討氮化鎵在汽車動力系統(tǒng)和激光雷達(dá)的應(yīng)用
氮化鎵（GaN）作為一種新興的半導(dǎo)體材料，因其優(yōu)異的電子特性和潛在的系統(tǒng)成本優(yōu)勢，在汽車和移動手機市場中展現(xiàn)出巨大的商業(yè)潛力。...
2024-04-12 標(biāo)簽：氮化鎵GaN激光雷達(dá)汽車動力系統(tǒng) 1255
小米SU7碳化硅應(yīng)用情況如何？
小米SU7單電機版，400V電壓平臺的電驅(qū)供應(yīng)商為聯(lián)合汽車電子，其中搭載了來自博世的碳化硅芯片，根據(jù)調(diào)研：其中搭載了博世第二代750V，6毫歐的芯片產(chǎn)品。...
2024-04-11 標(biāo)簽：永磁電機碳化硅SiC MOSFET小米SU7 1827
全國最大8英寸碳化硅襯底生產(chǎn)基地落地山東？
作為技術(shù)應(yīng)用最成熟的襯底材料，碳化硅襯底在市場上“一片難求”。碳化硅功率器件在新能源汽車中的滲透率正在快速擴大，能顯著提升續(xù)航能力與充電效率，并降低整車成本。...
光電三極管的特性及結(jié)構(gòu)示意圖
光電三極管是一種半導(dǎo)體器件，能夠感應(yīng)光水平并根據(jù)其接收的光水平來改變在發(fā)射極和集電極之間流動的電流。顧名思義，光電三極管是一種晶體管，可以感應(yīng)光并改變晶體管端子之間的電流...
2024-04-10 標(biāo)簽：場效應(yīng)管MOS管晶體管半導(dǎo)體器件光電三極管 2797
關(guān)于光電三極管的簡單介紹
光電三極管有塑封、金屬封裝、陶瓷、樹脂等多種封裝結(jié)構(gòu)，引腳分為兩腳型和三腳型。一般兩個管腳的光電三極管，管腳分別為集電極和發(fā)射極，光窗口則為基極。...
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