約2?mm的8英寸碳化硅晶片。 ? Hobby點(diǎn)評(píng):今年一月,國(guó)內(nèi)爍科晶體實(shí)現(xiàn)8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產(chǎn),而僅僅幾個(gè)月后,國(guó)產(chǎn)碳化硅襯底就再傳來(lái)了好消息。碳化硅器件的成本中,襯底占比超過(guò)40%,所以碳化硅襯底尺寸提高,單位襯底上制造出
2022-05-07 00:55:00
4627 摘要 本發(fā)明提供一種能夠提供低位錯(cuò)缺陷的高質(zhì)量襯底的單晶碳化硅錠,和由此獲得的襯底和外延晶片。 它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠,該單晶碳化硅含有濃度為2X1018 cm-3至6X
2022-02-15 14:55:38
2489 
嚴(yán)重供不應(yīng)求。增加產(chǎn)能的有效方法就是提高襯底尺寸,目前碳化硅襯底尺寸正在從6英寸往8英寸發(fā)展。 ? 全球最大的碳化硅襯底供應(yīng)商Wolfspeed,今年4月剛剛開始在全球首個(gè)8英寸碳化硅晶圓廠試產(chǎn),預(yù)計(jì)今年年底可以向客戶供貨。8英寸
2022-09-07 07:56:00
3503 空間大 ? 國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)近年來(lái)發(fā)展神速,首先是碳化硅襯底上6英寸襯底的量產(chǎn)以及8英寸襯底的研發(fā)進(jìn)度大幅拉近了與海外領(lǐng)先玩家的差距,另一方面是產(chǎn)能擴(kuò)張上的投入越來(lái)越大。這使得國(guó)內(nèi)在全球碳化硅產(chǎn)業(yè)中,無(wú)論是從市場(chǎng)需求,還是
2023-12-12 01:35:00
2680 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)碳化硅產(chǎn)業(yè)當(dāng)前主流的晶圓尺寸是6英寸,并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展,在最上游的晶體、襯底,業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能,8英寸的碳化硅晶圓產(chǎn)線也開始逐漸落地,進(jìn)入試產(chǎn)階段。 ? 讓
2024-11-21 00:01:00
5497 
尺寸是6英寸,并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展,在最上游的晶體、襯底,業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能,8英寸的碳化硅晶圓產(chǎn)線也開始逐漸落地,一些頭部的襯底廠商已經(jīng)開始批量出貨。 ? 而在去年11月,天岳先進(jìn)一鳴驚人,發(fā)布了行業(yè)首款12英寸N型碳化
2025-04-16 00:24:00
2850 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在SiC行業(yè)逐步進(jìn)入8英寸時(shí)代后,業(yè)界并沒有停下腳步,開始投入到12英寸襯底的開發(fā)中。 ? 去年11月,天岳先進(jìn)率先出手,發(fā)布了行業(yè)首款12英寸碳化硅襯底;一個(gè)月后,爍
2025-05-21 00:51:00
7317 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)今年以來(lái),各家廠商都開始展示出12英寸SiC產(chǎn)品,包括晶錠和襯底,加速推進(jìn)12英寸SiC的產(chǎn)業(yè)化。最近,天成半導(dǎo)體宣布成功研制出12英寸N型碳化硅單晶材料;晶越半導(dǎo)體也
2025-07-30 09:32:13
11754 16000片/月,配套產(chǎn)能即從襯底、外延、芯片制程,到封測(cè)的全流程產(chǎn)能。8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能為1000片/月,外延產(chǎn)能2000片/月,目前8英寸碳化硅芯片產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)通線。 ? 其中6英寸襯底和外延的工藝和良率持續(xù)優(yōu)化,已經(jīng)向國(guó)際客戶穩(wěn)定出貨;8英寸
2025-09-09 07:31:00
1631 替代第一代Rubin GPU上采用的硅中介層,并最晚在2027年廣泛應(yīng)用。 ? 碳化硅過(guò)去的主力市場(chǎng)是功率器件,但功率器件市場(chǎng)需求增速存在瓶頸,從6英寸到8英寸的進(jìn)程花費(fèi)時(shí)間較長(zhǎng),除了技術(shù)原因之外,市場(chǎng)需求也是其中的關(guān)鍵。 ? 6英寸碳化硅襯底只能滿足兩副
2025-09-26 09:13:55
6424 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 12英寸碳化硅再迎來(lái)跨越式進(jìn)展!9月26日,晶盛機(jī)電宣布,首條12英寸碳化硅襯底加工中試線在晶盛機(jī)電子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通線,至此,浙江晶瑞SuperSiC真正
2025-09-29 08:59:00
4709 的12英寸單片式碳化硅外延生長(zhǎng)設(shè)備順利交付瀚天天成。 相較于目前主流的6英寸碳化硅外延晶片及仍處于產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)階段的8英寸晶片,12英寸晶片憑借直徑的大幅增加,在相同生產(chǎn)流程下單片可承載的芯片數(shù)量顯著提升分別為6英寸晶片的4.4倍和8英寸晶片
2025-12-28 09:55:37
813 的3.25eV和氮化鎵的3.4eV。而氧化鎵的擊穿場(chǎng)強(qiáng)理論上可以達(dá)到8eV/cm,是氮化鎵的2.5倍,是碳化硅的3倍多。從功率半導(dǎo)體特性來(lái)看,與前代半導(dǎo)體材料相比,氧化鎵材料具備更高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度與更低的導(dǎo)通電
2023-03-15 11:09:59
,因此碳化硅功率器件有低的結(jié)到環(huán)境的熱阻?! ?4)碳化硅器件可工作在高溫,碳化硅器件已有工作在600oC的報(bào)道,而硅器件的最大工作溫度僅為150oC. (5)碳化硅具有很高的抗輻照能力。 (6
2019-01-11 13:42:03
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
。抗氧化性也是所有非氧化物陶瓷中好的。是極其優(yōu)秀的陶瓷材料。碳化硅(SiC)的市場(chǎng)前景隨著信息科技的飛速發(fā)展,我國(guó)對(duì)半導(dǎo)體需求越來(lái)越多,我國(guó)已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó),半導(dǎo)體消費(fèi)量占全球消費(fèi)量的比重
2021-01-12 11:48:45
。強(qiáng)氧化氣體在1000℃以上與SiC反應(yīng),并分解SiC.水蒸氣能促使碳化硅氧化在有50%的水蒸氣的氣氛中,能促進(jìn)綠色碳化硅氧化從100℃開始,隨著溫度的提高,氧化程度愈為明顯,到1400℃時(shí)為最大
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過(guò),自1893 年以來(lái),粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
:Anode Metal 外延層:N- drift(輕摻雜),主要作用是承擔(dān)反向耐壓 襯底層:N+(重?fù)诫s),呈電阻特性,不具備電壓耐受能力 陰極金屬:Cathode Metal 圖(2)碳化硅
2023-02-28 16:55:45
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32
,從而能夠改善應(yīng)用終端的性能和效率,并且比碳化硅材料要好得多,因此,可以大規(guī)模生產(chǎn)?,F(xiàn)在,研究和開發(fā)人員正致力于收集有關(guān)的資料來(lái)驗(yàn)證以上的結(jié)論。森勇介教授,日本大坂大學(xué),在以上研究和開發(fā)活動(dòng)中
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
電機(jī)驅(qū)動(dòng)。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽(yáng)能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、電焊機(jī)、電力機(jī)車、遠(yuǎn)距離輸電、服務(wù)器、家電、電動(dòng)汽車、充電樁等用途。創(chuàng)能動(dòng)力于2015年在國(guó)內(nèi)開發(fā)出6英寸SiC制造技術(shù),2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
降低到75%。 表 2:SEMITRANS 3 完整碳化硅案例研究 只有使用硅或碳化硅電源模塊才能用基于TO器件的電源設(shè)計(jì)取代耗時(shí)的生產(chǎn)流程。SiC的特定特性需要優(yōu)化換向電感和熱性能。因此,可以提高性價(jià)比,并充分利用SiC的優(yōu)勢(shì),使應(yīng)用受益。
2023-02-20 16:29:54
家族中的新成員?! ∠噍^于前兩代二極管,基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎(chǔ)上,實(shí)現(xiàn)了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向?qū)▔航??! 』景雽?dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管繼承
2023-02-28 17:13:35
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問(wèn)題,解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問(wèn)題,如果你有類似的困惑,歡迎前來(lái)探討,鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問(wèn)題及時(shí)交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41
范圍-5V~-15V,客戶根據(jù)需求選擇合適值,常用值有-8V、-10V、-15V; · 優(yōu)先穩(wěn)定正電壓,保證開通穩(wěn)定?! ?)碳化硅MOSFET:不同廠家碳化硅MOSFET對(duì)開關(guān)電壓要求不盡相同
2023-02-27 16:03:36
LED襯底目前主要是藍(lán)寶石、碳化硅、硅襯底三種。大多數(shù)都采用藍(lán)寶石襯底技術(shù)。碳化硅是科銳的專利,只有科銳一家使用,成本等核心數(shù)據(jù)不得而知。硅襯底成本低,但目前技術(shù)還不完善?! 腖ED成本上來(lái)看,用
2012-03-15 10:20:43
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
碳化硅(SiC)基地知識(shí)
碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:49
1558 據(jù)中央紀(jì)委國(guó)家監(jiān)委網(wǎng)報(bào)道,目前,中國(guó)電科山西碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地已經(jīng)實(shí)現(xiàn)4英寸晶片的大批量產(chǎn),6英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底也已經(jīng)開始工程化驗(yàn)證,預(yù)計(jì)年底達(dá)到產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用與國(guó)際水平相當(dāng)。 此外,中電科
2020-06-09 18:58:42
2884 碳化硅襯底生產(chǎn)的國(guó)外核心企業(yè),主要是美國(guó)CREE,美國(guó) II-VI,和日本昭和電工,三者合計(jì)占據(jù)75%以上的市場(chǎng)。技術(shù)上,正在從 4 英寸襯底向 6 英寸過(guò)渡,8 英寸硅基襯底在研。
2020-10-19 14:59:07
10715 國(guó)投創(chuàng)業(yè)官方消息顯示,第三代半導(dǎo)體碳化硅單晶襯底企業(yè)河北同光晶體有限公司(簡(jiǎn)稱“同光晶體”)完成A輪融資,投資方包括:國(guó)投創(chuàng)業(yè)等。本輪融資助力同光晶體實(shí)現(xiàn)淶源基地6英寸碳化硅襯底項(xiàng)目快速擴(kuò)產(chǎn)和現(xiàn)有產(chǎn)品優(yōu)化提升。
2020-12-03 11:05:15
3796 隨著下游新能源汽車、充電樁、光伏、5G基站等領(lǐng)域的爆發(fā),引爆了對(duì)第三代半導(dǎo)體——碳化硅材料襯底、外延與器件方面的巨大市場(chǎng)需求,國(guó)內(nèi)眾多企業(yè)紛紛通過(guò)加強(qiáng)技術(shù)研發(fā)與資本投入布局碳化硅產(chǎn)業(yè),今天我們首先
2021-07-29 11:01:18
5164 最近晶盛機(jī)電宣布,公司成功生產(chǎn)出行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅晶體。翻看公司公告,在8月12日晶盛機(jī)電首顆8英寸N型碳化硅晶體就已經(jīng)成功出爐,表示成功解決了8英寸碳化硅晶體生長(zhǎng)過(guò)程中溫場(chǎng)不均、晶體開裂、氣相原料分布等難點(diǎn)問(wèn)題。
2022-09-07 09:29:44
3278 雙方同意對(duì)Soitec技術(shù)進(jìn)行產(chǎn)前驗(yàn)證, 以面向未來(lái)的8寸碳化硅襯底制造 提供關(guān)鍵半導(dǎo)體賦能技術(shù),支持汽車電動(dòng)化和工業(yè)系統(tǒng)能效提升等轉(zhuǎn)型目標(biāo) 意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱ST)和世界先驅(qū)的創(chuàng)新半導(dǎo)體材料設(shè)計(jì)制造
2022-12-08 12:22:48
1145 市場(chǎng)份額,Cree是SiC襯底主要供應(yīng)商,羅姆、意法半導(dǎo)體等擁有自己的SiC生產(chǎn)線等。 襯底方面,國(guó)際主流產(chǎn)品從4英寸向6英寸過(guò)渡,Cree已經(jīng)開發(fā)出8英寸襯底。國(guó)內(nèi)襯底主要供應(yīng)商有天科合達(dá)、山東天岳、同光晶體等能夠供應(yīng)3 英寸-6 英寸的單晶襯底。國(guó)內(nèi)SiC襯底以4英
2023-02-02 15:02:54
5134 全球碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)明顯的行業(yè)上下游收購(gòu)兼并、大廠積極布局的特征。襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié),已成為兵家必爭(zhēng)之地。
2023-03-23 10:30:04
2505 碳化硅襯底 產(chǎn)業(yè)鏈核心材料,制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。
2023-05-09 09:36:48
6511 
從實(shí)際情況上看,目前多數(shù)SiC都采用的4英寸、6英寸晶圓進(jìn)行生產(chǎn),而6英寸和8英寸的可用面積大約相差1.78倍,這也就意味著8英寸制造將會(huì)在很大程度上降低SiC的應(yīng)用成本。但為什么目前市場(chǎng)上主流還是6英寸碳化硅襯底?
2023-06-20 15:01:24
3321 
隨著新能源汽車、光伏和儲(chǔ)能等市場(chǎng)的快速發(fā)展,國(guó)內(nèi)的碳化硅產(chǎn)業(yè)正迅速進(jìn)入商業(yè)化階段。國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭對(duì)該產(chǎn)業(yè)表達(dá)了濃厚的興趣,并與國(guó)內(nèi)企業(yè)合作,積極追趕更先進(jìn)的8英寸工藝節(jié)點(diǎn)。
2023-07-10 15:21:24
2655 碳化硅襯底是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中成本最高、技術(shù)門檻最高的環(huán)節(jié)之一。近期,受到新能源汽車、光伏和儲(chǔ)能等市場(chǎng)的推動(dòng),碳化硅廠商紛紛投資建設(shè)8英寸晶圓生產(chǎn)線,。國(guó)內(nèi)外廠商如Wolfspeed、羅姆、英飛凌、意法半導(dǎo)體、三星和三菱電機(jī)等都宣布參與8英寸碳化硅生產(chǎn)的競(jìng)爭(zhēng)。
2023-07-14 16:22:58
1831 采用砂漿多線切割工藝加工6英寸(1英寸=25.4 mm)N型碳化硅晶體,研究了此工藝中鋼線張力、 線速度、進(jìn)給速度等切割參數(shù)對(duì)晶片切割表面的影響。通過(guò)優(yōu)化切割工藝參數(shù),最終得到高平坦度、低翹曲度、 低線痕深度的6英寸N型碳化硅晶片。
2023-08-09 11:25:31
4324 
前來(lái)看,在未來(lái)一段時(shí)間內(nèi),6英寸導(dǎo)電型產(chǎn)品將作為主流尺寸,但隨著技術(shù)的進(jìn)步、基于成本和下游應(yīng)用領(lǐng)域等因素考慮,8英寸導(dǎo)電型碳化硅產(chǎn)品將是碳化硅襯底行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)。最終的周期將取決于技術(shù)的進(jìn)度、下游市場(chǎng)的發(fā)展情況等多方面因素。
2023-09-12 09:27:35
598 從產(chǎn)能來(lái)看,湖南三安現(xiàn)有SiC產(chǎn)能15,000片/月,較2022年底新增3,000片/月,提升25%;GaN-on-Si(硅基氮化鎵)產(chǎn)能2,000片/月。其6英寸碳化硅襯底已通過(guò)數(shù)家國(guó)際大客戶驗(yàn)證,并實(shí)現(xiàn)批量出貨,且2023年、2024年供應(yīng)已基本鎖定。
2023-09-14 11:14:54
2322 據(jù)科創(chuàng)包頭透露,該計(jì)劃將在包頭、北京科創(chuàng)基地合作引進(jìn)計(jì)劃落地包頭市青山區(qū)裝備制造產(chǎn)業(yè)園區(qū)總投資34.57億韓元。建設(shè)總事業(yè)建設(shè)周期將在3年正式啟動(dòng)時(shí),每年要投入能夠同時(shí)容納70萬(wàn)6-8英寸單晶襯底生產(chǎn)線的碳化硅芯片和研磨加工和檢查等。
2023-10-16 14:14:52
1434 2023年9月,科友半導(dǎo)體自產(chǎn)首批8英寸碳化硅襯底成功下線。
2023-10-18 09:17:46
1174 科友半導(dǎo)體8英寸碳化硅(SiC)中試線在2023年4月正式貫通后,同步推進(jìn)晶體生長(zhǎng)厚度、良率提升和襯底加工產(chǎn)線建設(shè),加快襯底加工設(shè)備調(diào)試與工藝參數(shù)優(yōu)化。
2023-10-18 17:43:40
1457 業(yè)內(nèi)人士預(yù)測(cè),今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭Wolfspeed和意法半導(dǎo)體等公司正在加速推進(jìn)8英寸碳化硅技術(shù)。在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)方面,碳化硅設(shè)備、襯底和外延領(lǐng)域也有突破性進(jìn)展,多家行業(yè)龍頭選擇與國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:21
2166 三安光電10月23日宣布,旗下湖南三安在碳化硅產(chǎn)品上取得階段性進(jìn)展,實(shí)現(xiàn)8英寸襯底準(zhǔn)量產(chǎn),部分產(chǎn)品已進(jìn)入主流新能源汽車企業(yè)供應(yīng)鏈。
2023-10-25 14:55:04
1652 在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中,碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價(jià)值量最大的環(huán)節(jié),是未來(lái)碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)的核心環(huán)節(jié)。
碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長(zhǎng)晶、切片、研磨和拋光四個(gè)環(huán)節(jié)。
2023-10-27 09:35:57
3651 環(huán)球晶董事長(zhǎng)徐秀蘭10月26日表示,她2年前錯(cuò)估了客戶對(duì)8英寸碳化硅(SiC)需求,現(xiàn)在情況超出預(yù)期,她強(qiáng)調(diào)環(huán)球晶將加快8英寸碳化硅基板產(chǎn)能建設(shè),預(yù)估明年將送樣給需要8英寸基板的客戶進(jìn)行認(rèn)證,并于2025年量產(chǎn)。
2023-10-27 15:07:43
1115 碳化硅襯底,新能源與5G的基石
2023-01-13 09:07:40
3 晶盛機(jī)電指出,最近在公司舉行的每年25萬(wàn)6、5為8英寸碳化硅襯底片項(xiàng)目合同及啟動(dòng)儀式為半導(dǎo)體材料方向,加快關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān),國(guó)產(chǎn)化替代這一措施標(biāo)志著晶盛機(jī)電半導(dǎo)體材料的技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力得到了進(jìn)一步提高。
2023-11-23 11:00:16
1248 11月上旬,羅姆株式會(huì)社社長(zhǎng)松本功在財(cái)報(bào)電話會(huì)議上宣布,他們將在日本宮崎縣的國(guó)富工廠生產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓,預(yù)計(jì)將于2024年開始。
2023-11-25 16:07:34
1866 自2019年4月在江蘇南京建立以來(lái),超芯星專注于6至8英寸碳化硅襯底技術(shù)的研發(fā)和商品化。其創(chuàng)始者為劉欣宇博士,他具有豐富的海內(nèi)外產(chǎn)業(yè)化經(jīng)歷以及廣闊的國(guó)際視野,為1至6英寸碳化硅襯底的研究和商業(yè)化注入獨(dú)特見解。
2023-12-14 10:05:56
1588 當(dāng)前,大尺寸襯底成為碳化硅襯底制備技術(shù)的重要發(fā)展方向。
2023-12-24 14:18:08
1964 
1月23日,山東有研硅半導(dǎo)體表示已與山東粵海金于1月17日正式簽署了《碳化硅襯底片業(yè)務(wù)合作協(xié)議》,該協(xié)議旨在充分發(fā)揮雙方各自優(yōu)勢(shì),創(chuàng)新業(yè)務(wù)合作模式,共同拓展碳化硅襯底片市場(chǎng)與客戶。
2024-01-29 14:36:57
1705 平煤神馬集團(tuán)碳化硅半導(dǎo)體粉體驗(yàn)證線傳來(lái)喜訊——實(shí)驗(yàn)室成功生長(zhǎng)出河南省第一塊8英寸碳化硅單晶,全面驗(yàn)證了中宜創(chuàng)芯公司碳化硅半導(dǎo)體粉體在長(zhǎng)晶方面的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。
2024-02-21 09:32:31
1666 總計(jì)投資32.7億元人民幣的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地是中共廣東省委和深圳市委重點(diǎn)關(guān)注的項(xiàng)目之一,同時(shí)也是深圳全球招商大會(huì)的重點(diǎn)簽約項(xiàng)目。
2024-02-28 16:33:34
1589 2月27日,第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地在寶安區(qū)啟用,由深圳市重投天科半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱“重投天科”)建設(shè)運(yùn)營(yíng),預(yù)計(jì)今年襯底和外延產(chǎn)能達(dá)25萬(wàn)片
2024-02-29 14:09:14
1483 聚焦碳化硅襯底片和碳化硅外延設(shè)備兩大業(yè)務(wù)。公司已掌握行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅襯底技術(shù)和工藝,量產(chǎn)晶片的核心位錯(cuò)達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。
2024-03-22 09:39:29
1418 近日,芯聯(lián)集成宣布其8英寸碳化硅工程批已順利下線,這一里程碑事件標(biāo)志著芯聯(lián)集成成為國(guó)內(nèi)首家成功開啟8英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)的廠家。此項(xiàng)技術(shù)的突破不僅體現(xiàn)了芯聯(lián)集成在碳化硅領(lǐng)域的領(lǐng)先實(shí)力,也展示了其對(duì)推動(dòng)行業(yè)技術(shù)發(fā)展的堅(jiān)定決心。
2024-05-27 10:57:49
1312 5月27日,中國(guó)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域迎來(lái)里程碑式的事件——芯聯(lián)集成宣布其8英寸碳化硅工程批次成功下線,這一成就標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)正式邁入國(guó)產(chǎn)化階段。此項(xiàng)目總投資高達(dá)9.61億元,預(yù)計(jì)全面投產(chǎn)
2024-05-30 11:24:52
2315 
從2023年起,中國(guó)碳化硅襯底行業(yè)迎來(lái)了前所未有的發(fā)展高潮。隨著新玩家的不斷加入和多個(gè)項(xiàng)目的全國(guó)落地,行業(yè)產(chǎn)能迅速擴(kuò)張,達(dá)到了新的高度。根據(jù)最新行業(yè)數(shù)據(jù),國(guó)內(nèi)碳化硅襯底的折合6英寸銷量已突破百萬(wàn)大關(guān)
2024-06-03 14:18:17
1096 
英飛凌于近期宣布,其位于馬來(lái)西亞的新晶圓廠正式進(jìn)入第一階段建設(shè),該晶圓廠將成為全球最大、最具競(jìng)爭(zhēng)力的8英寸碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體晶圓廠。無(wú)獨(dú)有偶,安森美、意法半導(dǎo)體、羅姆等國(guó)際巨頭紛紛投入8英寸
2024-08-16 16:48:36
1306 
近日,重慶三安意法8英寸碳化硅(SiC)襯底廠正式投產(chǎn),標(biāo)志著這一高科技項(xiàng)目比預(yù)期提前兩個(gè)月進(jìn)入生產(chǎn)階段,為中國(guó)電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈注入了強(qiáng)勁動(dòng)力。該項(xiàng)目由全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商意法半導(dǎo)體
2024-09-04 18:07:24
1531 一、碳化硅襯底修邊處理的作用與挑戰(zhàn)
修邊處理是碳化硅襯底加工中的一個(gè)關(guān)鍵步驟,主要用于去除襯底邊緣的毛刺、裂紋和不規(guī)則部分,以提高襯底的尺寸精度和邊緣質(zhì)量。然而,修邊過(guò)程中由于機(jī)械應(yīng)力、熱應(yīng)力以及
2024-12-23 16:56:37
487 
一、碳化硅襯底TTV控制的重要性
碳化硅襯底的TTV是指襯底表面各點(diǎn)厚度最高點(diǎn)與最低點(diǎn)之間的差值。TTV的大小直接影響后續(xù)研磨、拋光工序的效率和成本,以及最終產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。因此,在碳化硅襯底
2024-12-26 09:51:54
465 
直接關(guān)系到外延層的質(zhì)量和生產(chǎn)效率。本文將詳細(xì)介紹一種8英寸單片高溫碳化硅外延生長(zhǎng)室的結(jié)構(gòu)及其特點(diǎn)。
結(jié)構(gòu)概述
8英寸單片高溫碳化硅外延生長(zhǎng)室結(jié)構(gòu)主要由以下幾個(gè)部分組
2024-12-31 15:04:18
398 
近日,晶馳機(jī)電開發(fā)的8英寸碳化硅(SiC)電阻式長(zhǎng)晶爐順利通過(guò)客戶驗(yàn)證,設(shè)備穩(wěn)定性和工藝穩(wěn)定性均滿足客戶需求。 ? 8英寸碳化硅晶驗(yàn)收晶錠 技術(shù)創(chuàng)新,引領(lǐng)未來(lái) 此次推出的8英寸碳化硅電阻式長(zhǎng)晶爐
2025-01-09 11:25:33
891 
在半導(dǎo)體領(lǐng)域,隨著碳化硅(SiC)材料因其卓越的電學(xué)性能、高熱導(dǎo)率等優(yōu)勢(shì)逐漸嶄露頭角,成為新一代功率器件、射頻器件等制造的熱門襯底選擇,對(duì)碳化硅襯底質(zhì)量的精準(zhǔn)把控愈發(fā)關(guān)鍵。其中,碳化硅襯底的 BOW
2025-01-13 14:36:13
394 
在當(dāng)今蓬勃發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,碳化硅(SiC)襯底作為關(guān)鍵基礎(chǔ)材料,正引領(lǐng)著高性能芯片制造邁向新的臺(tái)階。對(duì)于碳化硅襯底而言,其 BOW(彎曲度)和 WARP(翹曲度)參數(shù)猶如精密天平上的砝碼,細(xì)微
2025-01-14 10:23:10
400 
碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其出色的物理和化學(xué)特性,如高硬度、高熔點(diǎn)、高熱導(dǎo)率和化學(xué)穩(wěn)定性,在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。SiC襯底是制造高性能SiC器件的關(guān)鍵材料,其生產(chǎn)過(guò)程復(fù)雜
2025-02-03 14:21:00
1981 一、引言
隨著碳化硅在半導(dǎo)體等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,對(duì)其襯底質(zhì)量的檢測(cè)愈發(fā)關(guān)鍵。BOW(翹曲度)和 WARP(彎曲度)是衡量碳化硅襯底質(zhì)量的重要參數(shù),準(zhǔn)確測(cè)量這些參數(shù)對(duì)于保證器件性能至關(guān)重要。而不同的吸附
2025-01-23 10:30:54
286 
近日,環(huán)球晶董事長(zhǎng)徐秀蘭表示,主流6英寸碳化硅(SiC)襯底的價(jià)格已經(jīng)穩(wěn)定,但市場(chǎng)反彈仍不確定。中國(guó)臺(tái)灣制造商正專注于開發(fā)8英寸SiC襯底,盡管2025年對(duì)SiC的市場(chǎng)預(yù)期仍較為保守,但2026年
2025-02-19 11:35:49
946 端快速實(shí)現(xiàn)市場(chǎng)突破,公司8英寸碳化硅外延設(shè)備和光學(xué)量測(cè)設(shè)備順利實(shí)現(xiàn)銷售,12英寸三軸減薄拋光機(jī)拓展至國(guó)內(nèi)頭部封裝客戶,12英寸硅減壓外延生長(zhǎng)設(shè)備實(shí)現(xiàn)銷售出貨并拓展了新客戶,相關(guān)設(shè)備訂單持續(xù)增長(zhǎng)。 ? ? 6-8 英寸碳化硅襯底實(shí)現(xiàn)批量出
2025-02-22 15:23:22
1830 三安光電和意法半導(dǎo)體于2023年6月共同宣布在重慶成立8英寸碳化硅晶圓合資制造廠(安意法半導(dǎo)體有限公司,簡(jiǎn)稱安意法),全面落成后預(yù)計(jì)總投資約為230億元人民幣(約32億美元)。該合資廠預(yù)計(jì)將在2025年四季度投產(chǎn),屆時(shí)將成為國(guó)內(nèi)首條8英寸車規(guī)級(jí)碳化硅功率芯片規(guī)模化量產(chǎn)線。
2025-02-27 18:12:34
1590 2月27日,三安光電與意法半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)立的安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓廠正式通線。預(yù)計(jì)項(xiàng)目將在2025年四季度實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn),這將成為國(guó)內(nèi)首條8英寸車規(guī)級(jí)碳化硅功率芯片規(guī)?;慨a(chǎn)線,項(xiàng)目規(guī)劃全面達(dá)產(chǎn)
2025-02-27 18:45:10
4660 近日,士蘭微電子8英寸碳化硅(SiC)功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目(廈門士蘭集宏一期)正式封頂。封頂儀式現(xiàn)場(chǎng),海滄臺(tái)商投資區(qū)管委會(huì)副主任眭國(guó)瑜,士蘭微電子董事會(huì)秘書、高級(jí)副總裁陳越,中建三局(福建)投資建設(shè)有限公司總經(jīng)理王召坤分別致辭。
2025-03-04 14:20:05
1179 )的壟斷與衰落 技術(shù)壟斷期:Wolfspeed(原CREE)曾長(zhǎng)期主導(dǎo)全球碳化硅襯底市場(chǎng),其物理氣相傳輸法(PVT)生長(zhǎng)技術(shù)及6英寸襯底工藝占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。2018年特斯拉采用碳化硅后,Wolfspeed市值一度飆升,但此后因技術(shù)迭代緩慢、成本高企及中國(guó)企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng),市值暴
2025-03-05 07:27:05
1295 
近日,博世汽車電子中國(guó)區(qū)(ME-CN)在蘇州五廠建成碳化硅(SiC)功率模塊生產(chǎn)基地,并于2025年1月成功下線首批產(chǎn)品。這標(biāo)志著博世在全球碳化硅功率模塊制造領(lǐng)域邁出了重要一步,也進(jìn)一步提升了本土市場(chǎng)的響應(yīng)速度,增強(qiáng)了博世智能出行集團(tuán)的競(jìng)爭(zhēng)力。
2025-03-06 18:09:29
1115 超薄碳化硅襯底(
2025-07-02 09:49:10
483 
01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過(guò)晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過(guò)程后形成的單片材料。按照電學(xué)性能
2025-07-15 15:00:19
961 
了國(guó)內(nèi)相關(guān)技術(shù)應(yīng)用的空白,更為第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵制造裝備的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程注入了強(qiáng)大動(dòng)力,同時(shí)也為全球碳化硅產(chǎn)業(yè)突破成本瓶頸、提升生產(chǎn)效率開辟了創(chuàng)新路徑。 此前,該激光剝離技術(shù)已在6英寸、8英寸碳化硅晶圓加工領(lǐng)域通過(guò)了多家行
2025-09-10 09:12:48
1432 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)碳化硅襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)的上游核心材料,在下游器件需求高速增長(zhǎng)下,近年來(lái)襯底廠商加速推進(jìn)8英寸襯底的量產(chǎn)進(jìn)度,去年業(yè)界龍頭Wolfspeed已經(jīng)啟動(dòng)了全球首家8英寸
2023-06-22 00:16:00
4657 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在過(guò)去的2023年里,國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了可能是發(fā)展速度最快的一年。首先是碳化硅襯底取得突破,8英寸進(jìn)展神速,同時(shí)三安和天岳先進(jìn)、天科合達(dá)等獲得海外芯片巨頭的認(rèn)可,簽下
2024-01-08 08:25:34
5166 
,同時(shí)也涵蓋部分氮化鎵外延生產(chǎn)。 ? 進(jìn)入2024年下半年,在過(guò)去幾年時(shí)間里全球各地投資的8英寸碳化硅產(chǎn)線也開始逐步落地投入使用,在英飛凌之外,近期三安半導(dǎo)體、安森美等也有8英寸碳化硅產(chǎn)線的新進(jìn)展。 ? 大廠8 英寸產(chǎn)線陸續(xù)落地 ? 英
2024-08-12 09:10:33
5264
評(píng)論