吉時利6487皮安表主要特點及優(yōu)點： 1）10fA 分辨率； 2）吉時利6487皮安表/電壓源具有5位半讀數(shù)； 3）輸入端壓降
2026-01-02 15:21:57
UV三防漆固化后附著力強，難以直接去除，需根據(jù)基材類型、漆層面積及操作環(huán)境選擇科學方法。常見去除方式主要有化學法、加熱法與微研磨技術(shù)，操作時應(yīng)以安全為首要原則，并盡量避免損傷基材與周邊元器件。電子三
2025-12-27 15:17:19
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振弦式表面應(yīng)變計是現(xiàn)代工程結(jié)構(gòu)健康監(jiān)測中的關(guān)鍵設(shè)備，廣泛應(yīng)用于大壩、橋梁、隧道及工業(yè)與民用建筑中，用于精確測量結(jié)構(gòu)表面的應(yīng)變變化，并同步監(jiān)測溫度。為確保其長期穩(wěn)定運行和數(shù)據(jù)的準確性，正確的安裝方法
2025-12-12 11:17:04107 
襯底清洗是半導體制造、LED外延生長等工藝中的關(guān)鍵步驟，其目的是去除襯底表面的污染物（如顆粒、有機物、金屬離子、氧化層等），確保后續(xù)薄膜沉積或器件加工的質(zhì)量。以下是常見的襯底清洗方法及適用場景：一
2025-12-10 13:45:30323 
外延片氧化清洗流程是半導體制造中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，旨在去除表面污染物并為后續(xù)工藝（如氧化層生長）提供潔凈基底。以下是基于行業(yè)實踐和技術(shù)資料的流程解析：一、預(yù)處理階段初步清洗目的：去除外延片表面的大顆粒塵埃
2025-12-08 11:24:01236 
芯源IR調(diào)制器都有哪些具體使用？以及使用方法是怎樣的？
2025-12-02 06:33:11
如題，板上的CW32L010有讀保護，JLINK能識別到內(nèi)核，但無法擦除下載程序。
要怎么才能去除讀保護呢
2025-11-20 06:23:51
在鋼廠，不同的位置都有長度的檢測需求，如剪切位置、鋼坯位置、成品位置等，在不同的位置部署在線測長儀，保證測量精度，提升產(chǎn)品品質(zhì)。
全流程場景落地：這些環(huán)節(jié)“吃勁”，管控效果明顯
在線測長儀在鋼鐵生產(chǎn)
2025-11-04 14:23:07
簡單有效的應(yīng)急處理與操作調(diào)整，即可消除干擾，獲取可靠數(shù)據(jù)。? 一、現(xiàn)場應(yīng)急清潔：快速去除表面干擾層? 針對氧化測試點，可采用物理打磨法處理。若現(xiàn)場有砂紙、鋼絲刷等工具，用其輕輕打磨測試點表面，直至露出金屬本色
2025-10-30 09:33:36127 
清洗晶圓以去除金屬薄膜需要根據(jù)金屬類型、薄膜厚度和工藝要求選擇合適的方法與化學品組合。以下是詳細的技術(shù)方案及實施要點：一、化學濕法蝕刻（主流方案）酸性溶液體系稀鹽酸（HCl）或硫酸（H?SO?）基
2025-10-28 11:52:04363 
步驟：爐前清洗：在擴散工藝前對硅片進行徹底清潔，去除可能影響摻雜均勻性的污染物。光刻后清洗：有效去除殘留的光刻膠，為后續(xù)工序提供潔凈的表面條件。氧化前自動清洗：在
2025-10-16 17:42:03737 
中產(chǎn)生空化效應(yīng)，形成微小氣泡破裂時釋放的能量可剝離晶圓表面的顆粒物和有機膜層。該方法對去除光刻膠殘渣尤為有效，且能穿透復(fù)雜結(jié)構(gòu)如溝槽和通孔進行深度清潔。高壓噴淋沖洗
2025-10-09 13:46:43472 
和優(yōu)化。
嚴格保證框架基板的清潔度與質(zhì)量
清潔處理：在點涂或印刷銀膏前，務(wù)必對框架進行嚴格的清洗。推薦使用等離子清洗（如氧氣/氬氣等離子體）或紫外/臭氧清洗。這種方法能有效去除微觀有機物污染，大幅提高
2025-10-08 09:23:32
形成空洞，進一步劣化性能和可靠性。
如何避免或減輕樹脂析出？
針對上述原因，業(yè)界通常采取以下措施：
基板表面處理（最有效的方法之一）：
預(yù)鍍銀或鍍金： 在銅基板上鍍一層幾微米的銀或金。這極大地提高了表面
2025-10-05 13:29:24
真空脫泡
原理 ：這是最常用、最有效的脫泡方法。將待涂覆的銀膏（如在注射器中）或已印刷好銀膏的基板，放入真空腔室內(nèi)，抽至高真空（通常要求達到 10?2 Pa 甚至更高的真空度）。在低氣壓下，氣泡內(nèi)部
2025-10-04 21:13:49
不斷拉伸、擠壓，使氣泡在剪切力和真空（如果配合真空室）作用下被有效去除。
方法：使用專用的行星式攪拌機，通常可以設(shè)置在真空環(huán)境下進行。
優(yōu)點：脫泡和混合（如回溫后恢復(fù)膏體均勻性）效果極佳，能獲得非常均勻
2025-10-04 21:11:19
SnO?:F薄膜作為重要透明導電氧化物材料，廣泛用于太陽能電池、觸摸屏等電子器件，其表面電阻特性直接影響器件性能。本研究以射頻（RF）濺射技術(shù)制備的SnO?:F薄膜為研究對象，通過鋁PAD法與四探針
2025-09-29 13:43:26654 
SOI（silicon-on-insulator，絕緣襯底上的硅）技術(shù)的核心設(shè)計，是在頂層硅與硅襯底之間引入一層氧化層，這層氧化層可將襯底硅與表面的硅器件層有效分隔（見圖 1）。
2025-09-22 16:17:006145 
1.卓越的可焊性和焊接可靠性(核心原因)防止氧化:金(Au)是一種非常穩(wěn)定的金屬，在空氣中不易氧化。而其他常用的焊盤表面處理方式，如鍍錫(HASL)，在存放過程中容易氧化生成氧化錫膜，導致可焊性下降
2025-09-19 15:07:18544 
半導體RCA清洗工藝中使用的主要藥液包括以下幾種，每種均針對特定類型的污染物設(shè)計，并通過化學反應(yīng)實現(xiàn)高效清潔：SC-1（堿性清洗液）成分組成：由氫氧化銨（NH?OH）、過氧化氫（H?O?）和去離子水
2025-09-11 11:19:131329 
優(yōu)化碳化硅（SiC）清洗工藝需要綜合考慮材料特性、污染物類型及設(shè)備兼容性，以下是系統(tǒng)性的技術(shù)路徑和實施策略：1.精準匹配化學配方與反應(yīng)動力學選擇性蝕刻控制：針對SiC表面常見的氧化層（SiO
2025-09-08 13:14:28621 
吉時利Keithley6487皮安表
吉時利6487皮安表 主要特點及優(yōu)點：
·10fA 分辨率
·吉時利6487皮安表/電壓源具有5位半讀數(shù)
·輸入端壓降 <200μV
·交互式電壓
2025-08-26 17:45:02
在工業(yè)生產(chǎn)和日常生活中，油污的清洗一直是個難題。尤其是在機械零件、廚房器具和電子設(shè)備等場合，油污不僅影響美觀，更可能影響設(shè)備的正常運轉(zhuǎn)。如何有效地去除油污成為許多用戶所關(guān)注的問題。而超聲波清洗機作為
2025-08-18 16:31:14773 
濕法刻蝕SC2工藝在半導體制造及相關(guān)領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用，以下是其主要應(yīng)用場景和優(yōu)勢：材料選擇性去除與表面平整化功能描述：通過精確控制化學溶液的組成，能夠?qū)崿F(xiàn)對特定材料的選擇性去除。例如，它能有效
2025-08-06 11:19:181198 
中通入微量陰離子表面活性劑，利用同種電荷相斥原理阻止帶電顆粒重返表面。此方法對去除堿性環(huán)境中的金屬氫氧化物特別有效。3.溶解度梯度管理采用階梯式濃度遞減的多級漂洗
2025-08-05 11:47:20692 
講解一、解密“電子鼻”1電子鼻的工作原理金屬氧化物半導體（MOS）氣體傳感器構(gòu)成的“電子鼻”，核心原理是利用金屬氧化物（如SnO?、ZnO等）表面對氣體的吸附-脫附特性。當目標氣體與金屬氧化物表面接觸時，會發(fā)生化學吸附反應(yīng)，導致材料的電導率
2025-07-31 18:26:26895 
光阻去除（即去膠工藝）屬于半導體制造中的光刻制程環(huán)節(jié)，是光刻技術(shù)流程中不可或缺的關(guān)鍵步驟。以下是其在整個制程中的定位和作用：1.在光刻工藝鏈中的位置典型光刻流程為：涂膠→軟烘→曝光→硬烘→顯影→后烘
2025-07-30 13:33:021120 
涂層不均、防護失效的常見原因，需從表面處理、漆料調(diào)整、工藝優(yōu)化三方面針對性改善。一、預(yù)處理：提升表面張力穩(wěn)定性徹底去除低張力污染物油污焊劑處理：用50℃中性清洗劑超
2025-07-28 09:33:35667 
光刻膠殘留）發(fā)生氧化反應(yīng)，生成CO?和H?O等揮發(fā)性物質(zhì)1。表面活化：增強晶圓表面親水性，為后續(xù)工藝（如CVD）提供更好的附著力3。優(yōu)勢：高效去除有機污染，適用于光
2025-07-23 14:41:42495 
〉》《JJF（冀）3012—2021〈觸針式表面輪廓測量儀校準規(guī)范〉》這兩種校準方法的差異，F(xiàn)lexfilm臺階儀可以驗證其有效性，為儀器校準提供技術(shù)參考。輪廓儀的基
2025-07-22 09:52:32607 
三防漆的附著力是衡量防護可靠性的“底層指標”——即使涂層厚度達標、固化完全，若附著力不足，在振動、冷熱交替環(huán)境中仍會出現(xiàn)起翹、脫落，失去防護作用。常用的劃格法是行業(yè)公認的簡單有效方法，其操作和判斷需
2025-07-18 18:13:17704 
晶圓蝕刻后的清洗是半導體制造中的關(guān)鍵步驟，旨在去除蝕刻殘留物（如光刻膠、蝕刻產(chǎn)物、污染物等），同時避免對晶圓表面或結(jié)構(gòu)造成損傷。以下是常見的清洗方法及其原理：一、濕法清洗1.溶劑清洗目的：去除光刻膠
2025-07-15 14:59:011620 
隨著工業(yè)制造和表面處理技術(shù)的快速發(fā)展，陽極氧化線作為一種高效、環(huán)保的表面處理工藝，正逐漸成為金屬制品加工的重要環(huán)節(jié)。據(jù)統(tǒng)計，全球陽極氧化市場預(yù)計年增長率達7%以上，尤其是在航空航天、汽車及電子產(chǎn)品
2025-07-14 16:37:20646 
污染物。 方法：濕法化學清洗（如SC-1溶液）或超聲波清洗。 硅片拋光后清洗 目的：清除拋光液殘留（如氧化層、納米顆粒），避免影響后續(xù)光刻精度。 方法：DHF（氫氟酸）腐蝕+去離子水沖洗。 2. 光刻工序 光刻膠涂覆前清洗 目的：去除硅
2025-07-14 14:10:021016 去離子水清洗的核心目的在于有效去除物體表面的雜質(zhì)、離子及污染物，同時避免普通水中的電解質(zhì)對被清洗物的腐蝕與氧化，確保高精度工藝環(huán)境的純凈。這一過程不僅提升了產(chǎn)品質(zhì)量，還為后續(xù)加工步驟奠定了良好基礎(chǔ)
2025-07-14 13:11:301045 
一.經(jīng)皮神經(jīng)電刺激TENS（機理）經(jīng)皮神經(jīng)電刺激（TranscutaneousElectricalNerveStimulation,TENS）是一種通過皮膚電極向淺表神經(jīng)施加可控低強度脈沖電流的非
2025-07-11 22:12:102125 
在PCB（印刷電路板）制造過程中，銅箔因長期暴露在空氣中極易氧化，這會嚴重影響PCB的可焊性與電性能。因此，表面處理工藝在PCB生產(chǎn)中扮演著至關(guān)重要的角色。下面將詳細介紹幾種常見的PCB表面處理
2025-07-09 15:09:49996 
減薄poly-Si會惡化金屬化接觸，而選區(qū)結(jié)構(gòu)（poly-Si僅存于金屬柵線下）可兼顧光學與電學性能。本文解析了一種利用納秒紫外激光氧化技術(shù)制備TOPCon太陽能電池前表面選
2025-07-07 11:00:121977 
微小毛刺的存在會對產(chǎn)品品質(zhì)、安全造成隱患，因此對于一些行業(yè)而言，去除毛刺是特別重要的工序。傳統(tǒng)的清洗方法可能無法徹底解決毛刺問題，但是超聲波清洗機能夠有效地去除微小毛刺，提高產(chǎn)品質(zhì)量和安全性。本文將
2025-07-02 16:22:27493 
干涉儀在光刻圖形測量中的應(yīng)用。 針對晶圓上芯片工藝的光刻膠剝離方法 濕法剝離 濕法剝離是晶圓芯片工藝中常用的光刻膠去除方式。通過將涂覆光刻膠的晶圓浸入含有特定化學成分的剝離液中，利用剝離液與光刻膠發(fā)生化學反應(yīng)，
2025-06-25 10:19:48815 
經(jīng)皮脊髓電刺激（transcutaneousspinalcordstimulation,tSCS）經(jīng)皮脊髓電刺激是一種通過皮膚表面電極向脊髓背根傳遞低頻脈沖電流、實現(xiàn)神經(jīng)調(diào)控的非侵入性技術(shù)。其核心
2025-06-17 19:21:044631 折射率介質(zhì)亞微米量級的二氧化鈦(TiO2)圓盤作為標準異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池的抗反射惠更斯超表面在試驗中進行開發(fā)。無序陣列使用基于膠體自組裝的可伸縮自下而上的技術(shù)制造，該技術(shù)幾乎不考慮設(shè)備的材料或表面形態(tài)
2025-06-17 08:58:17
由鍍銀層氧化導致發(fā)黑的LED光源LED光源鍍銀層發(fā)黑跡象明顯，這使我們不得不做出氧化的結(jié)論。但EDS能譜分析等純元素分析檢測手段都不易判定氧化，因為存在于空氣環(huán)境、樣品表面吸附以及封裝膠等有機物中
2025-06-13 10:40:241335 
在集成電路制造工藝中，氧化工藝也是很關(guān)鍵的一環(huán)。通過在硅晶圓表面形成二氧化硅(SiO?)薄膜，不僅可以實現(xiàn)對硅表面的保護和鈍化，還能為后續(xù)的摻雜、絕緣、隔離等工藝提供基礎(chǔ)支撐。本文將對氧化工藝進行簡單的闡述。
2025-06-12 10:23:222135 
作中的得力助手。它通過高壓水流，迅速且有效地去除各種污漬，極大地提高了清潔效率。本文將深入探討高壓清洗機的工作原理、優(yōu)勢、實際應(yīng)用步驟，以及一些專業(yè)建議，幫助您更好地利用這一
2025-06-11 16:44:12636 
ISSG(In-Situ Steam Generation，原位水蒸汽生成)是半導體制造中的一種高溫氧化工藝，核心原理是利用氫氣(H?)與氧氣(O?)在反應(yīng)腔內(nèi)直接合成高活性水蒸氣，并解離生成原子氧(O*)，實現(xiàn)對硅表面的精準氧化。
2025-06-07 09:23:294588 
特性。本文從半導體硅表面氧化的必要性出發(fā)，深入探討其原理、方法、優(yōu)勢以及在集成電路、微電子器件等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，旨在揭示表面氧化處理在推動半導體技術(shù)發(fā)展中的重要作
2025-05-30 11:09:301781 
在現(xiàn)代制造業(yè)中，表面質(zhì)量對產(chǎn)品的性能和外觀至關(guān)重要。超聲波清洗機作為一種高效的清洗工具，在去除表面污垢和缺陷方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。本文將介紹超聲波清洗機的作用，以及它是否能夠有效去除毛刺。超聲波清洗機
2025-05-29 16:17:33874 
化學沉錫工藝作為現(xiàn)代PCB表面處理技術(shù)的新成員，其發(fā)展軌跡與電子制造業(yè)自動化浪潮緊密相連。這項在近十年悄然興起的技術(shù)，憑借其獨特的冶金學特性，在通信基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域找到了專屬舞臺——當高速背板需要實現(xiàn)
2025-05-28 10:57:42
氮氧化鎵(Gallium Oxynitride，GaOxNy)是一種介于晶態(tài)與非晶態(tài)之間的化合物。其物化性質(zhì)可通過調(diào)控制備條件在氮化鎵(GaN)與氧化鎵(Ga2O3)之間連續(xù)調(diào)整，兼具寬禁帶半導體特性與靈活的功能可設(shè)計性，因此在功率電子、紫外光電器件及光電催化等領(lǐng)域展現(xiàn)出獨特優(yōu)勢。
2025-05-23 16:33:201471 
一站式PCBA加工廠家今天為大家講講PCBA加工如何選擇合適的表面處理工藝?PCBA表面處理優(yōu)缺點與應(yīng)用場景。在電子制造中，PCBA板的表面處理工藝對電路板的性能、可靠性和成本都有重要影響。選擇合適
2025-05-05 09:39:431225 
：去除硅片表面的顆粒、有機物和氧化層，確保光刻膠均勻涂覆。 清洗對象： 顆粒污染：通過物理或化學方法（如SC1槽的堿性清洗）剝離硅片表面的微小顆粒。 有機物殘留：清除光刻膠殘渣或前道工藝留下的有機污染物（如SC2槽的酸性清洗）
2025-04-30 09:23:27478 半導體清洗SC1是一種基于氨水（NH?OH）、過氧化氫（H?O?）和去離子水（H?O）的化學清洗工藝，主要用于去除硅片表面的有機物、顆粒污染物及部分金屬雜質(zhì)。以下是其技術(shù)原理、配方配比、工藝特點
2025-04-28 17:22:334234 半導體BOE（Buffered Oxide Etchant，緩沖氧化物蝕刻液）刻蝕技術(shù)是半導體制造中用于去除晶圓表面氧化層的關(guān)鍵工藝，尤其在微結(jié)構(gòu)加工、硅基發(fā)光器件制作及氮化硅/二氧化硅刻蝕中廣
2025-04-28 17:17:255511 下的潛在影響。 SPM清洗的化學特性 SPM成分：硫酸（H?SO?）與過氧化氫（H?O?）的混合液，通常比例為2:1至4:1（體積比），溫度控制在80-120℃35。 主要作用： 強氧化性：分解有機物（如光刻膠殘留）、氧化金屬污染物； 表面氧化：在硅表面生成親水
2025-04-27 11:31:40866 你是否曾經(jīng)遇到過難以清潔的油漬？無論是廚房里的油煙機，還是工業(yè)設(shè)備上的油漬，它們總是讓清潔變得困難重重。傳統(tǒng)的清潔方法常常需要大量的時間和勞動力，而且效果也不盡如人意。幸運的是，現(xiàn)在有一種創(chuàng)新的方法
2025-04-23 16:48:06846 
IBC太陽能電池因其背面全電極設(shè)計，可消除前表面金屬遮擋損失，成為硅基光伏技術(shù)的效率標桿。然而，傳統(tǒng)圖案化技術(shù)（如光刻、激光燒蝕）存在工藝復(fù)雜或硅基損傷等問題。本研究創(chuàng)新性地結(jié)合激光摻雜與濕法氧化
2025-04-23 09:03:43722 表面頻域功率監(jiān)視器設(shè)置為例）
?材料庫與材料瀏覽器（以多晶硅與二氧化鈦的數(shù)據(jù)導入為例）
?模擬計算與分析：資源管理、運行模擬
?結(jié)果分析：視覺化器使用Visualize、使用腳本進行高級分析
2025-04-22 11:59:20
晶圓擴散前的清洗是半導體制造中的關(guān)鍵步驟，旨在去除表面污染物（如顆粒、有機物、金屬離子等），確保擴散工藝的均勻性和器件性能。以下是晶圓擴散清洗的主要方法及工藝要點： 一、RCA清洗工藝（標準清洗
2025-04-22 09:01:401289 解釋： 一、清洗原理 化學作用：浸泡式清洗方法依賴于化學溶液與晶圓表面的雜質(zhì)發(fā)生化學反應(yīng)，從而去除雜質(zhì)。這些化學溶液通常具有特定的化學成分，能夠針對不同類型的雜質(zhì)進行有效清洗。 物理作用：除了化學作用外，浸泡
2025-04-14 15:18:54766 二氧化硅是芯片制造中最基礎(chǔ)且關(guān)鍵的絕緣材料。本文介紹其常見沉積方法與應(yīng)用場景，解析SiO?在柵極氧化、側(cè)墻注入、STI隔離等核心工藝中的重要作用。
2025-04-10 14:36:414405 
本文深入解析了焊盤起皮的成因、機制及其與工藝參數(shù)之間的關(guān)系，結(jié)合微觀形貌圖和仿真分析，系統(tǒng)探討了劈刀狀態(tài)、超聲參數(shù)、滑移行為等關(guān)鍵因素的影響，并提出了優(yōu)化建議，為提高芯片封裝質(zhì)量和可靠性提供了重要參考。
2025-04-09 16:15:351534 
在制造業(yè)中，一家企業(yè)的競爭力往往與其工件的出廠速度直接掛鉤，而其中金屬加工領(lǐng)域更是如此。再這樣的大市場環(huán)境當中，工業(yè)超聲波清洗機憑借其高效、精準的特性，成為去除金屬表面油污、氧化層和雜質(zhì)的核心設(shè)備
2025-04-07 16:55:21830 種方式長常用在半導體零件的焊接上。幾乎所有的有機酸或無機酸都有能力去除氧化物，但大部份都不能用來焊錫，助焊劑之被使用除了去除氧化物的功能外，還有其他功能，這些功能是焊接作業(yè)時，必須考慮的。2. 熱穩(wěn)
2025-04-01 14:12:08
的清洗工藝提出了更為嚴苛的要求。其中，單片腐蝕清洗方法作為一種關(guān)鍵手段，能夠針對性地去除晶圓表面的雜質(zhì)、缺陷以及殘留物，為后續(xù)的制造工序奠定堅實的基礎(chǔ)。深入探究這些單片腐蝕清洗方法，對于提升晶圓生產(chǎn)效率、保
2025-03-24 13:34:23776 銅箔技術(shù)吧。 普通銅箔暴露在空氣中會迅速氧化，形成氧化層，導致導電性能下降和焊接困難。抗氧化銅箔通過在銅表面形成致密的保護層，有效阻隔氧氣和濕氣的侵蝕。這種保護層通常由有機化合物或金屬合金構(gòu)成，既要保證良好的導電
2025-03-10 15:05:23641 氬離子拋光技術(shù)作為一種先進的材料表面處理方法，該技術(shù)的核心原理是利用氬離子束對樣品表面進行精細拋光，通過精確控制離子束的能量、角度和作用時間，實現(xiàn)對樣品表面的無損傷處理，從而獲得高質(zhì)量的表面效果
2025-03-10 10:17:50937 
折射率介質(zhì)亞微米量級的二氧化鈦(TiO2)圓盤作為標準異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池的抗反射惠更斯超表面在試驗中進行開發(fā)。無序陣列使用基于膠體自組裝的可伸縮自下而上的技術(shù)制造，該技術(shù)幾乎不考慮設(shè)備的材料或表面形態(tài)
2025-03-05 08:57:32
切割精度高、速度快、切口平整、無毛刺、熱影響區(qū)小等優(yōu)點。在紙基微流控芯片的加工中，主要采用二氧化碳激光器和光纖激光器。 壓印技術(shù) 壓印技術(shù)是一種將圖案或文字壓印到材料表面的加工方法。它具有簡便、快速、成本低等優(yōu)點
2025-02-26 15:15:57875 本文介紹了集成電路制造工藝中的偽柵去除技術(shù)，分別討論了高介電常數(shù)柵極工藝、先柵極工藝和后柵極工藝對比，并詳解了偽柵去除工藝。 高介電常數(shù)金屬柵極工藝 隨著CMOS集成電路特征尺寸的持續(xù)縮小，等效柵氧
2025-02-20 10:16:361303 
本篇文章想要給大家分享一下?lián)P聲器的有效頻率范圍這項指標的一些測試方法，這個指標在《GB/T 12060 聲系統(tǒng)設(shè)備》系列標準的第五部分：揚聲器主要性能測試方法中有出現(xiàn)，此外在其他的一些音頻相關(guān)產(chǎn)品
2025-02-19 13:15:471373 
? ? 焊接應(yīng)力是個啥？6種方法輕松去除！ ??? 由于焊接時局部不均勻熱輸入，導致構(gòu)件內(nèi)部溫度場、應(yīng)力場以及顯微組織狀態(tài)發(fā)生快速變化，容易產(chǎn)生不均勻彈塑性形變，因此采用焊接工藝加工的工件較其他加工
2025-02-18 09:29:302308 
實驗名稱：ATA-304C功率放大器在半波整流電化學
方法去除低濃度含鉛廢水中鉛離子中的應(yīng)用實驗方向：環(huán)境電化學實驗設(shè)備：ATA-304C功率放大器，信號發(fā)生器、蠕動泵、石墨棒等實驗?zāi)康模涸诎氩ㄕ?/div>
2025-02-13 18:32:04792 
請問ads1298怎么去除工頻干擾，我測出的信號看起來很像50hz的工頻干擾，請問這個干擾要用軟件去除嗎，還是在輸入端搭電路或者是我測出的信號不對？
2025-02-12 07:54:29
外延片的質(zhì)量和性能。因此，采用高效的化學機械清洗方法，以徹底去除SiC外延片表面的污染物，成為保證外延片質(zhì)量的關(guān)鍵步驟。本文將詳細介紹SiC外延片的化學機械清洗方法
2025-02-11 14:39:46414 
。 目前，GO的批量制備主要采用化學氧化方法（如Hummers法），即通過石墨與濃硫酸、濃硝酸、高錳酸鉀等強氧化劑的反應(yīng)來實現(xiàn)GO制備。該反應(yīng)迄今已有150多年的歷史，由于大量強氧化劑的使用，在制備過程中存在爆炸風險、嚴重的環(huán)境污
2025-02-09 16:55:121089 
傳統(tǒng)AFM檢測氧化鎵表面三維形貌和粗糙度需要20分鐘左右，優(yōu)可測白光干涉儀檢測方案僅需3秒，百倍提升檢測效率！
2025-02-08 17:33:50994 
氬離子拋光技術(shù)的原理氬離子拋光技術(shù)基于物理濺射機制。其核心過程是將氬氣電離為氬離子束，并通過電場加速這些離子，使其以特定能量和角度撞擊樣品表面。氬離子的沖擊能夠有效去除樣品表面的損傷層和雜質(zhì)，從而
2025-02-07 14:03:34867 
在BUSY信號有效時讀取數(shù)據(jù)，請問TI的工程師：能否在BUSY信號有效時讀??？
另外，請問TI有沒有28335針對ADS8568并行的例程？
2025-02-07 06:23:44
亟待解決的問題。金屬殘留不僅會影響SiC晶片的電學性能和可靠性，還可能對后續(xù)的器件制造和封裝過程造成不利影響。因此，開發(fā)高效的碳化硅晶片表面金屬殘留的清洗方法，對于提高
2025-02-06 14:14:59395
大家好，我在使用TLC7524做數(shù)模轉(zhuǎn)換，在上電的一瞬間有接近100ms的最高值電壓輸出。如果將WR腳用1K電阻拉到地（此引腳未連接其他電路），則時間縮短至1ms以內(nèi)，但仍然無法徹底消除。請問有什么好方法可以去除上電高電平輸出，以下是原理圖：
2025-01-24 07:32:47
DS90C365干擾怎么去除？ 只要DS90C365一工作，USB HUB就沒自動降速到低速設(shè)備，攝像頭沒法打開。我已將把DS90C365移開，單它好像還是會通過排線串擾HUB那，把排線割成1條條的，明顯可以工作幾分鐘，各位專家求個解決方案啊。板子已經(jīng)回來了，急需解決方案啊
THANKS
2025-01-24 06:22:23
速率適中，而且氧化后較不容易因為熱應(yīng)力造成上反射鏡磊晶結(jié)構(gòu)破裂剝離。砷化鋁（AlAs）材料氧化機制普遍認為相對復(fù)雜，可能的化學反應(yīng)過程可能包含下列幾項： 通常在室溫環(huán)境下鋁金屬表面自然形成的氧化鋁是一層致密的薄膜，可以
2025-01-23 11:02:331085 
不受影響。而當雷電沖擊過電壓或操作過電壓等異常情況發(fā)生，導致電壓幅值瞬間升高達到避雷器動作電壓時，氧化鋅閥片的電阻會急劇下降，迅速變?yōu)榈妥鑼顟B(tài)。 此時，過電壓產(chǎn)生的能量通過避雷器被快速泄放入地，從而有效
2025-01-08 15:41:111006 可能來源于前道工序或環(huán)境。通常采用超聲波清洗、機械刷洗等物理方法，結(jié)合化學溶液（如酸性過氧化氫溶液）進行清洗。 刻蝕后清洗 目的與方法：在晶圓經(jīng)過刻蝕工藝后，表面會殘留刻蝕劑和其他雜質(zhì)，需要通過清洗去除。此步驟通常
2025-01-07 16:12:00813 bin文件去除開機logo，有償，能做的聯(lián)系我
2025-01-07 15:25:43
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