域主要用于存放應(yīng)用程序代碼和用戶數(shù)據(jù)，用戶可編程。
2、啟動程序存儲器，共 2.5KB，地址空間為 0x0010 0000 - 0x0010 09FF。該區(qū)域主要用于存儲 BootLoader 啟動程序，在芯片出廠時已編程，用戶不可更改。
2025-12-23 08:28:04
全球存儲器缺貨、價(jià)格飆漲的風(fēng)口下，力積電的銅鑼新廠成了國際大廠爭搶的核心資源 —— 繼晟碟之后，美光也正在與力積電洽談合作，希望借助這座已建成、仍有 4-5 萬片月產(chǎn)能余量的工廠快速落地存儲器產(chǎn)能，雙方已敲定三種合作方向，只待力積電最終確認(rèn)。
2025-12-22 11:43:22
1292 
全球企業(yè)和政府正積極尋求解決方案，應(yīng)對數(shù)據(jù)中心能耗迅速增長問題，開發(fā)下一代“綠色”數(shù)據(jù)中心——既具備高性能，又兼具高能效的設(shè)施。全球科技巨頭富士通在先進(jìn)處理器開發(fā)領(lǐng)域已領(lǐng)先 60 年，致力于開發(fā)更節(jié)能、更可持續(xù)的數(shù)據(jù)中心。
2025-12-17 10:26:53424 法拉電容提升汽車電力系統(tǒng)性能，穩(wěn)定音響輸出、應(yīng)對冷啟動及擁堵路況，成為高效能替代方案。
2025-12-17 09:28:00218 
在計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備中，存儲器扮演著數(shù)據(jù)臨時存放與快速交換的關(guān)鍵角色。其中，DDR SDRAM（雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）已成為現(xiàn)代內(nèi)存的主流技術(shù)之一。它不僅在速度上顯著超越前代產(chǎn)品，更憑借其高效傳輸機(jī)制，廣泛應(yīng)用于電腦、服務(wù)器、移動設(shè)備及各類嵌入式系統(tǒng)中。
2025-12-08 15:20:44293 概述CW32L052內(nèi)部集成了64KB嵌入式FLASH供用戶使用，可用來存儲應(yīng)用程序和用戶數(shù)據(jù)。
芯片支持對 FLASH 存儲器的讀、擦除和寫操作，支持擦寫保護(hù)和讀保護(hù)。
芯片內(nèi)置 FLASH 編程
2025-12-05 08:22:19
Engineering) 》。其中，富士通在該指南的《Gartner 生成式AI工程新興市場象限報(bào)告 (Gartner Emerging Market Quadrant for Generative AI
2025-12-02 11:50:51637 
在當(dāng)今高速發(fā)展的3C領(lǐng)域（計(jì)算機(jī)外設(shè)、通信及消費(fèi)電子），對存儲器的性能與功耗提出了更高要求。DRAM動態(tài)隨機(jī)存取存儲器作為核心存儲部件，其性能表現(xiàn)直接影響設(shè)備整體效能。Etron憑借其活緩沖DRAM
2025-12-01 13:42:00253 的首選方案。無論是消費(fèi)電子、工業(yè)控制還是物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，都能見到它的身影。一產(chǎn)品概述24C02/24C04/24Cxx系列是基于IIC總線協(xié)議的串行電可擦除存儲器（E
2025-11-28 18:32:58316 
在各類存儲設(shè)備中，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲器）因其高速、低功耗和高可靠性，被廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中，雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲器憑借其獨(dú)特的雙端口設(shè)計(jì)，在高帶寬和多任務(wù)場景中表現(xiàn)尤為出色，成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44272 富士通16Kbit FRAM憑借微秒級寫入速度與10萬億次擦寫壽命，為圖傳模塊提供高可靠性數(shù)據(jù)存儲。其SPI接口與工業(yè)級溫度范圍（-40℃~85℃）完美適配無人機(jī)、安防監(jiān)控等場景的實(shí)時數(shù)據(jù)記錄需求。
2025-11-18 09:48:00317 
片上FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成：主FLASH 存儲器和啟動程序存儲器。
●● 主 FLASH 存儲器，共 64KB，地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)
2025-11-12 07:34:35
PSRAM（偽靜態(tài)隨機(jī)存儲器）是一種兼具SRAM接口協(xié)議與DRAM內(nèi)核架構(gòu)的特殊存儲器。它既保留了SRAM無需復(fù)雜刷新控制的易用特性，又繼承了DRAM的高密度低成本優(yōu)勢。這種獨(dú)特的設(shè)計(jì)使PSRAM在嵌入式系統(tǒng)和移動設(shè)備領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。
2025-11-11 11:39:04497 在要求高性能與高可靠性的電子系統(tǒng)中，存儲器的選擇往往成為設(shè)計(jì)成敗的關(guān)鍵。Netsol推出的高速異步SRAM系列，憑借其出色的性能表現(xiàn)與獨(dú)有的錯誤校正（ECC）能力，為工業(yè)控制、通信設(shè)備及高精度計(jì)算等應(yīng)用提供了值得信賴的存儲解決方案。
2025-11-05 16:21:39284 在當(dāng)今對數(shù)據(jù)持久性與系統(tǒng)可靠性要求極高的企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施和數(shù)據(jù)中心中，Everspin推出的自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）存儲器——EMD4E001G-1Gb，憑借其卓越的性能與獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢，成為眾多高性能存儲解決方案中的亮點(diǎn)。
2025-11-05 14:34:28280 富士通本周四發(fā)布了2025財(cái)年上半年財(cái)報(bào)。根據(jù)財(cái)報(bào)顯示，2025財(cái)年上半年整體營收為1.5665兆日元 ，調(diào)整后營業(yè)利潤達(dá)到1,213億日元，較去年同期大幅增長83.6%，營業(yè)利潤率為7.7%，較去年同期增長3.4個百分點(diǎn)。
2025-11-04 16:30:44920 在需要高速數(shù)據(jù)寫入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲器，以高達(dá)35
2025-10-24 16:36:03532 富士通近日宣布，將與英偉達(dá)(NVIDIA)擴(kuò)大戰(zhàn)略合作，共同打造集成AI Agent的全棧式AI基礎(chǔ)設(shè)施。此舉旨在利用AI能力增強(qiáng)企業(yè)競爭優(yōu)勢，同時確保企業(yè)在AI應(yīng)用上的自主性與靈活性。
2025-10-23 17:49:37748 在功能材料與器件研究領(lǐng)域，高壓放大器已成為鐵電材料測試中重要的核心設(shè)備。它如同一位精準(zhǔn)的電場調(diào)控師，為探索鐵電材料的獨(dú)特性能提供了關(guān)鍵的驅(qū)動力量。 圖：鐵電材料極化測試實(shí)驗(yàn)框圖 一、鐵電測試的技術(shù)
2025-10-23 13:48:31417 
一次性可編程（OTP）非易失性存儲器問世已久。與其他非易失性存儲技術(shù)相比，OTP的占用面積更小，且無需額外的制造工序，因此成為存儲啟動代碼、加密密鑰等內(nèi)容的熱門選擇。盡管聽起來簡單，但隨著人工智能（AI）的大規(guī)模部署和對更先進(jìn)技術(shù)的需求日益增長，平衡OTP的各項(xiàng)需求變得極具挑戰(zhàn)性。
2025-10-21 10:38:111440 
鐵電陶瓷作為一種重要的功能材料，以其獨(dú)特的自發(fā)極化特性在存儲器、傳感器、換能器等尖端設(shè)備中占據(jù)核心地位。這類材料的電疇方向可通過外部電場進(jìn)行調(diào)控，從而改變其電學(xué)、力學(xué)和光學(xué)性能。然而，鐵電材料極化
2025-10-20 14:49:24214 
基礎(chǔ)元器件，閃存產(chǎn)品在系統(tǒng)中承擔(dān)著數(shù)據(jù)保存、程序存儲以及高速讀寫的重要任務(wù)。 今天，我們榮幸地向大家介紹全新的__XT25F128F 3.3V Quad I/O串行閃存__，這是一款基于先進(jìn)架構(gòu)設(shè)計(jì)、性能卓越且安全可靠的存儲器件，為您提供極致的產(chǎn)品體驗(yàn)與系統(tǒng)優(yōu)化方案。 產(chǎn)品概述
2025-10-15 10:46:24326 富士通MB85RC04VPNF-G-JNERE1 4Kbit工業(yè)級FRAM，150ns極速寫入、1萬億次擦寫、-40℃~+85℃寬溫，I2C接口低功耗，SOP-8小封裝，為PLC、電表、編碼器等邊緣節(jié)點(diǎn)提供高可靠非易失存儲。
2025-10-10 09:45:00307 
富士通256Kbit FRAM MB85RS256BPNF-G-JNERE1為LED顯示系統(tǒng)提供高速、高耐久性數(shù)據(jù)存儲方案，支持納秒級寫入與10^12次擦寫，解決傳統(tǒng)存儲器延遲高、壽命短問題，適用于智能交通、戶外廣告等嚴(yán)苛環(huán)境，顯著提升系統(tǒng)響應(yīng)與可靠性。
2025-09-11 09:45:00480 
2025年9月19日-22日，第十七屆中日鐵電材料及其應(yīng)用會議將于湖南長沙舉辦。本次會議Aigtek安泰電子將攜最新行業(yè)測試解決方案及測試儀器產(chǎn)品亮相，我們誠摯各位專家學(xué)者、行業(yè)同仁蒞臨展臺交流
2025-09-04 18:49:16900 
簡單來說，新能源汽車上的DC-DC轉(zhuǎn)換器是一個“降壓型電壓變換器”。其主要作用是將動力電池的高壓直流電，轉(zhuǎn)換為整車低壓電氣系統(tǒng)所需的低壓直流電。
2025-09-02 15:05:394126 
隨著全球二氧化碳減排的推進(jìn)，可再生能源，尤其是太陽能發(fā)電的重要性日益凸顯。光伏逆變器又稱功率調(diào)節(jié)器可將太陽能板產(chǎn)生的電壓轉(zhuǎn)換成正確的電流及電壓波形并入電網(wǎng)。由于需要連接到電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施，因此對可靠性、易維護(hù)性和使用壽命有所要求，F(xiàn)eRAM(鐵電體存儲器)的優(yōu)異特性得以發(fā)揮。
2025-08-08 14:41:061506 
SMI是一家領(lǐng)先的研發(fā)和生產(chǎn)基于MEMS技術(shù)壓力傳感器的公司,為汽車應(yīng)用,醫(yī)療設(shè)備應(yīng)用和工業(yè)應(yīng)用提供壓力傳感方案。我們研發(fā)獨(dú)特的產(chǎn)品，為要求超低壓力范圍、極端惡劣的工作環(huán)境及微小體積的應(yīng)用提供
2025-08-08 12:04:33701 
融合現(xiàn)有存儲單元與先進(jìn)的 CMOS 技術(shù)，實(shí)現(xiàn)投資效益最大化 ? 全球存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠宣布，其采用第九代 BiCS FLASH? 3D 閃存技術(shù)的 512Gb TLC存儲器已開始送樣 （1
2025-07-28 15:30:20569 HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲器，是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）。其核心設(shè)計(jì)是通過硅通孔（TSV）和微凸塊（Microbump
2025-07-18 14:30:122949 實(shí)驗(yàn)名稱：ATA-7020高壓放大器在鐵電疇反轉(zhuǎn)研究中的應(yīng)用實(shí)驗(yàn)方向：鐵電材料測試實(shí)驗(yàn)設(shè)備：ATA-7020高壓放大器、函數(shù)信號發(fā)生器、電阻、鐵電晶體樣品等實(shí)驗(yàn)內(nèi)容：在非線性光學(xué)領(lǐng)域，頻率轉(zhuǎn)換效率
2025-07-10 20:00:111911 
生態(tài)系統(tǒng)，富士通將助力企業(yè)在應(yīng)對復(fù)雜社會挑戰(zhàn)的同時實(shí)現(xiàn)業(yè)務(wù)增長，并為環(huán)境、經(jīng)濟(jì)和人類福祉創(chuàng)造凈積極影響的(Net Positive)價(jià)值。
2025-06-28 10:15:081235 CDCE62005、ADI AD9545等高性能Jitter Cleaner與時鐘樹芯片，實(shí)現(xiàn)低抖動驅(qū)動鏈。尤其適合RAID控制器與大型SAS存儲方案。
總結(jié)
FCom富士晶振FVC-3L/5L/7L-PG
2025-06-24 17:11:20
鐵電材料以其獨(dú)特的自發(fā)極化特性及電滯回線行為，在存儲器、傳感器、換能器及微波器件中扮演著核心角色。準(zhǔn)確表征其極化性能是材料研究和器件設(shè)計(jì)的基石。在這一精密測量過程中，高壓放大器絕非簡單的附屬設(shè)備
2025-06-11 15:31:30433 
CSS6404LS-LI通過 >500MB/s帶寬、105℃高溫運(yùn)行及μA級休眠功耗三重突破，成為高清語音設(shè)備的理想存儲器
2025-06-04 15:45:23565 
? ? ? ?MCU的存儲器層次結(jié)構(gòu)通過整合不同性能與功能的存儲單元，優(yōu)化系統(tǒng)效率并滿足多樣化場景需求。其核心架構(gòu)可分為以下層次： 一、寄存器層（最高速） 定位?：集成于CPU內(nèi)核中，直接參與運(yùn)算
2025-05-09 10:21:09618 希立儀器隨著汽車工業(yè)的蓬勃發(fā)展，對車輛的各項(xiàng)性能指標(biāo)愈發(fā)嚴(yán)苛的要求。汽車的氣密性狀況直接影響著其安全性、舒適性以及使用壽命。氣密性檢測儀憑借其精準(zhǔn)的檢測能力，在汽車制造與維護(hù)過程中占據(jù)著重要地位。氣密性檢測在汽車上的應(yīng)用非常廣泛，主要涉及以下幾個關(guān)鍵應(yīng)用?：
2025-05-08 14:20:05555 
在半導(dǎo)體存儲器測試中，測試圖形（Test Pattern）是檢測故障、驗(yàn)證可靠性的核心工具。根據(jù)測試序列長度與存儲單元數(shù)N的關(guān)系，測試圖形可分為N型、N2型和N3/?型三大類。
2025-05-07 09:33:371223 
鋼廠首選，profinet轉(zhuǎn)profibus在煤電項(xiàng)目中的協(xié)議轉(zhuǎn)換解決方案
2025-05-06 16:37:54459 
多軸控制器可使用國產(chǎn)鐵電存儲器SF25C20（MB85RS2MT）
2025-05-06 09:47:26585 
15.8%。 富士通主營業(yè)務(wù)中， 服務(wù)解決方案（Service Solution） 業(yè)務(wù)營收及調(diào)整后的營業(yè)利潤均保持穩(wěn)定增長。其中，業(yè)務(wù)營收22,459億日元，較上一年度增長5.1%；營業(yè)利潤實(shí)現(xiàn)歷史
2025-04-25 19:31:161233 涵蓋存儲器、微控制器、傳感器、模擬芯片等全系產(chǎn)品線，深度覆蓋數(shù)字能源、工業(yè)、汽車、消費(fèi)電子以及物聯(lián)網(wǎng)等重點(diǎn)領(lǐng)域，全方位展現(xiàn)了兆易創(chuàng)新在多元應(yīng)用的技術(shù)積淀與廣泛布局。依托持續(xù)的技術(shù)突破、精準(zhǔn)的市場洞察、豐富的展品矩陣，兆易創(chuàng)新將不斷為客戶提供創(chuàng)新的解決方案
2025-04-22 10:25:371254 
在快節(jié)奏的云計(jì)算時代，對快速高效的數(shù)據(jù)存儲解決方案的需求至關(guān)重要。從笨重的3.5英寸SATA硬盤過渡到靈活、基于PCIe的高速NVMeSSD，ICYDOCKExpressSlot系列可拆卸式PCIe
2025-04-18 14:42:11813 
新四化大趨勢下，汽車上云之路已不可逆
2025-04-18 09:59:30507 開發(fā)創(chuàng)新應(yīng)用，包括更多需要大容量內(nèi)存的人工智能應(yīng)用。 ◆?xMemory基于意法半導(dǎo)體專有相變存儲器（PCM）技術(shù)，2025年底投產(chǎn)。 意法半導(dǎo)體（簡稱ST）推出內(nèi)置xMemory的Stellar車規(guī)級微控制器。xMemory是Stellar系列汽車微控制器內(nèi)置的新一代可改變存儲配置的存
2025-04-17 11:25:191744 UV-EPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法，閃速存儲器的結(jié)構(gòu)與使用方法，EEPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法， SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法， 特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法 ，DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，
2025-04-16 16:04:56
3.3 存儲器映射 前文所述，寄存器與RAM、FLASH一樣都是芯片內(nèi)部的一種存儲設(shè)備。那么，當(dāng)我們需要訪問它們的時候，我們需要知道它們的存儲地址。 3.3.1 存儲器映射表 如下圖所示為RA6M5
2025-04-16 15:52:091375 
中的關(guān)鍵參考頻率。FCom富士晶振的FCO5L02700033HDY00為這些應(yīng)用提供了理想的差分晶體振蕩器解決方案。
該產(chǎn)品采用HCSL差分輸出，輸出頻率為27MHz，頻率穩(wěn)定度達(dá)±25ppm，典型
2025-04-14 21:19:16
替換MB85RS128和FM25V01，舜銘存儲鐵電存儲器SF25C128電壓檢測儀應(yīng)用方案
2025-04-14 09:46:36719 
非易失性存儲器（NVM）芯片廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備中，從智能手機(jī)、個人電腦到服務(wù)器和工業(yè)控制系統(tǒng)，都是不可或缺的關(guān)鍵組件，它們不僅提高了數(shù)據(jù)的安全性和可靠性，還極大地增強(qiáng)了系統(tǒng)的整體性能。此外，為了滿足
2025-04-10 14:02:241333 單片機(jī)與存儲器的關(guān)系像什么？單片機(jī)里的存儲都是一樣的嗎？為什么有的單片機(jī)既有EEPROM又有Flash？
2025-04-10 10:06:011434 
實(shí)驗(yàn)名稱： 鐵電陶瓷雙軸應(yīng)力作用下的極化研究 研究方向： 在新型鐵電陶瓷中，鈦酸鋇壓電陶瓷的居里溫度較低導(dǎo)致其無法通過提高溫度促進(jìn)極化過程；而對于新型高溫鐵電陶瓷，其矯頑電場較高并超過了其材料本身
2025-04-08 10:46:57521 
便攜式醫(yī)療鐵電存儲器SF25C20(FM25V20A)的替換方案
2025-04-07 09:46:03626 
替換FM25V20A醫(yī)療物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備可使用鐵電存儲器SF25C20
2025-03-28 10:31:41716 
FAKRA連接器射頻探針：高頻測試解決方案，助力汽車智能化升級FAKRA連接器是一種專為汽車行業(yè)設(shè)計(jì)的超小型射頻（RF）同軸連接器，由德國Rosenberger公司開發(fā)，并通過德國汽車制造商
2025-03-21 13:32:44
兼容FM25V20A/MB85RS2MT，國產(chǎn)鐵電存儲器SF25C20助聽器應(yīng)用方案
2025-03-20 09:55:16675 
特性64 千比特鐵電隨機(jī)存取存儲器（F - RAM），邏輯上組織為 8K×8高達(dá) 100 萬億次（\(10^{14}\)）讀 / 寫耐久性151 年的數(shù)據(jù)保存期限（詳見 “數(shù)據(jù)保存期限和耐久性表
2025-03-19 11:35:49
鐵電存儲器SF25C20/SF25C512在人工智能邊緣計(jì)算中應(yīng)用
2025-03-13 09:46:30773 
富士通采用 AMD Zynq RFSoC 數(shù)字前端（ DFE ）器件來提供具有成本效益、高容量和高能效的無線電，以滿足不同市場需求。
2025-03-12 17:12:141256 、汽車、移動端及消費(fèi)端的全方位創(chuàng)新閃存解決方案，助力用戶應(yīng)對人工智能（AI）發(fā)展浪潮下日益復(fù)雜的工作負(fù)載。在此次峰會上，閃迪詳細(xì)介紹了UFS 4.1存儲解決方案——iNAND MC EU711嵌入式
2025-03-12 12:48:401227 
本書主要介紹了UV-EPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法，閃速存儲器的結(jié)構(gòu)和使用方法，EEPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法， SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，
2025-03-07 10:52:47
性鐵電存儲器SF24C64/FM24C64/MB85RC64性能及應(yīng)用介紹
2025-03-06 10:06:581473 
富士通與SNP合作，采用BLUEFIELD?方法，五個月內(nèi)成功合并兩家德國子公司SAP系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)快速遷移、高效合作、極短停機(jī)時間和業(yè)務(wù)連續(xù)性，增強(qiáng)了數(shù)字化轉(zhuǎn)型競爭力。
2025-03-05 17:00:57753 鐵電存儲器SF24C64對標(biāo)FM24C64性能、應(yīng)用和成本分析
2025-03-03 10:25:451304 AT24C64是一款串行電可擦除編程只讀存儲器 (EEPROM)，存儲容量為8192字節(jié)，分為256頁，每頁32字節(jié)。 具有低功耗CMOS技術(shù)，自定時編程周期，支持SOP-8和DIP-8封裝。 適用于智能儀器儀表、筆記本電腦、計(jì)算機(jī)、家用電器、汽車電子、通信設(shè)備和工業(yè)控制
2025-02-28 15:48:09
3 DS1992/DS1993內(nèi)存iButtons（以下簡稱DS199x）是堅(jiān)固的讀/寫數(shù)據(jù)載體，充當(dāng)本地化數(shù)據(jù)庫，易于用最少的硬件訪間。非易失性存儲器和可選的計(jì)時功能為存儲和檢索與iButton所連接
2025-02-26 10:39:06821 
DS1992/DS1993內(nèi)存iButtons（以下簡稱DS199x)是堅(jiān)固的讀/寫數(shù)據(jù)載體，充當(dāng)本地化數(shù)據(jù)庫，易于用最少的硬件訪間。非易失性存儲器和可選的計(jì)時功能為存儲和檢索與iButton所連接
2025-02-26 10:32:24881 
DS1996 Memory iButton是一種堅(jiān)固的讀/寫數(shù)據(jù)載體，可作為本地化的數(shù)據(jù)庫，使用最少的硬件即可輕松訪問。非易失性存儲器為存儲和檢索與iButton所連接的對象相關(guān)的重要信息提供了一種
2025-02-26 10:17:41871 
鐵電存儲器SF24C64對標(biāo)MB85RC64性能、應(yīng)用深度分析
2025-02-25 09:40:591103 旋轉(zhuǎn)編碼器選用國產(chǎn)鐵電存儲器(?SF24C512)的5個理由
2025-02-20 09:42:03906 隨著半導(dǎo)體器件的復(fù)雜性不斷提高，對精確可靠的晶圓測試解決方案的需求也從未像現(xiàn)在這樣高。從5G、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能應(yīng)用，到先進(jìn)封裝和高帶寬存儲器(HBM)，在晶圓級確保設(shè)備性能和產(chǎn)量是半導(dǎo)體制造過程中的關(guān)鍵步驟。
2025-02-17 13:51:161331 ? 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的核心組件，廣泛應(yīng)用于個人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、移動設(shè)備及高性能計(jì)算領(lǐng)域。本文將探討DRAM的基本工作原理、存儲單元結(jié)構(gòu)及制造工藝演進(jìn)，并分析
2025-02-14 10:24:401444 
MTFC64GAZAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲性能和能效，適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量為
2025-02-14 07:46:05
MTFC32GASAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲性能和能效，適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量為
2025-02-14 07:45:22
MTFC128GBCAQTC-AAT是一款高性能的eMMC存儲器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲性能和能效，適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:44:29
MTFC128GAVATTC-AAT是一款高性能的eMMC存儲器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲性能和能效，適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:43:46
? 非易失性存儲器是一種應(yīng)用于計(jì)算機(jī)及智能手機(jī)等設(shè)備中的存儲裝置（存儲器），其特點(diǎn)是在沒有外部電源的情況下仍能保存數(shù)據(jù)信息。本文將介紹非易失性存儲器的類型、特點(diǎn)及用途。 什么是非易失性存儲器
2025-02-13 12:42:142470 
舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20：替換FM25V20A/MB85RS2MT
2025-02-13 10:29:091167 請問各位大佬，哪些途徑可以買到解決方案？或者哪位大佬有成熟的電摩電機(jī)控制器解決方案，可以聯(lián)系我，有使用需求。
2025-02-12 15:43:50
數(shù)顯千分表的數(shù)據(jù)如何用存儲器進(jìn)行接收
2025-02-11 06:01:54
初學(xué)者要了解SDRAM需要先了解存儲器分類。按照存儲器的存儲功能劃分，可將其分為RAM 和 ROM 兩大類。
2025-02-08 11:24:513961 
鐵電存儲器SF24C512替換MB85RS512/FM25V512優(yōu)勢顯著
2025-02-07 09:29:33907 
忽略的剩余極化和在場致鐵電態(tài)中的高最大極化，在高性能儲能方面具有重要的意義。然而，低反鐵電-鐵電相變場和伴隨的大磁滯損耗會降低能量密度和可靠性。
2025-02-06 10:52:381131 
在數(shù)字存儲技術(shù)的快速發(fā)展中，閃速存儲器（Flash Memory）以其獨(dú)特的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，成為了連接隨機(jī)存取存儲器（RAM）與只讀存儲器（ROM）之間的重要橋梁。本文將深入探討閃速存儲器的技術(shù)特性、分類及其在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2025-01-29 16:53:001683 本文旨在深入探討閃速存儲器的歸屬問題，即它是否屬于RAM或ROM，同時詳細(xì)闡述閃速存儲器的功能與作用。
2025-01-29 15:21:001590 閃速存儲器之所以得名“閃速”，主要源于其擦除操作的高效性。傳統(tǒng)的EPROM（可擦除可編程只讀存儲器）和EEPROM（電可擦除可編程只讀存儲器）在擦除數(shù)據(jù)時，往往需要較長的時間，且操作相對繁瑣。而閃速
2025-01-29 15:14:001378 在信息技術(shù)飛速發(fā)展的今天，閃速存儲器（Flash Memory）以其高速度、大容量和非易失性的特性，成為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域的重要成員。而U盤，作為閃速存儲器的一種常見應(yīng)用形式，更是憑借其便攜性和易用性，在
2025-01-29 15:12:001449 高速緩沖存儲器（Cache）是內(nèi)存的一種特殊形式，但它與通常所說的主存儲器（RAM）有所不同。在計(jì)算機(jī)存儲體系中，Cache位于CPU和主存儲器之間，用于存儲CPU近期訪問過的數(shù)據(jù)或指令，以加快數(shù)據(jù)的訪問速度。
2025-01-29 11:48:003395 隨著AI技術(shù)的快速發(fā)展，特別是大規(guī)模語言模型（如ChatGPT和Sora）的出現(xiàn)，對數(shù)據(jù)處理能力和存儲技術(shù)提出了全新的需求。傳統(tǒng)存儲器架構(gòu)在能效比和計(jì)算效率上的限制，逐漸成為瓶頸。如何實(shí)現(xiàn)更高
2025-01-23 17:30:312078 
舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20能否替換賽普拉斯FM25V20A
2025-01-23 09:03:29953 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）霍爾傳感器是一種基于霍爾效應(yīng)工作的元器件，在汽車上被廣泛應(yīng)用，用于測量電流、位置、開關(guān)等。過去在燃油車上，比如發(fā)動機(jī)、變速箱的齒輪等機(jī)械部件需要大量霍爾傳感器對其進(jìn)行
2025-01-22 09:09:306204 產(chǎn)品價(jià)格。 繼美光和三星宣布減產(chǎn)計(jì)劃后，全球第二大NAND Flash廠商SK海力士也宣布了減產(chǎn)決定。據(jù)悉，SK海力士計(jì)劃將上半年NAND Flash存儲器的產(chǎn)量削減10%。這一決定無疑將對市場產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。 根據(jù)機(jī)構(gòu)先前發(fā)布的報(bào)告，SK海力士在NAND Flash存儲器領(lǐng)
2025-01-20 14:43:551095 特點(diǎn)16-Kbit 鐵電隨機(jī)存取存儲器 (F-RAM)為 2 K × 8 ? 高耐久性 100 萬億次（1014）讀/寫 ? 151 年數(shù)據(jù)保留期（請參閱數(shù)據(jù)保留期
2025-01-16 14:14:37
舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20替換FM25V20A參數(shù)分析及應(yīng)用
2025-01-16 10:17:061232 
舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20替換MB85RS2MT性能及應(yīng)用優(yōu)勢有哪些？
2025-01-10 09:12:15901 
實(shí)驗(yàn)名稱：鐵電材料極化測試 實(shí)驗(yàn)原理：鐵電材料是指具有自發(fā)極化的晶體材料，具有一系列特殊的電學(xué)和物理性質(zhì)。鐵電測試是研究鐵電材料性質(zhì)的關(guān)鍵實(shí)驗(yàn)手段之一。隨著新型鐵電材料的不斷涌現(xiàn)，正確的獲得材料的電
2025-01-09 12:00:22762 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-271: 高速緩沖存儲器在Blackfin處理器中的應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-07 14:18:170 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-286：SDRAM存儲器與SHARC處理器的接口.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-06 15:47:010 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-213：Blackfin處理器通過異步存儲器接口進(jìn)行主機(jī)通信.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-05 10:09:190
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