看到了其前景并提前布局。AI推理也使得存儲HBM不再是唯一熱門，更多存儲芯片與AI推理芯片結合，擁有了市場機會。 ? 已經有不少AI推理芯片、存算一體芯片將SRAM替代DRAM，從而獲得更快的訪問速度、更低的刷新延遲等。 ? 靜態(tài)隨機存取存儲器（Static
2025-03-03 08:51:57
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）周二xAI發(fā)布了Grok3，這個馬斯克稱之為“地球上最聰明的AI”搶占了所有人的眼球。 ? 為了打造最強AI大模型，xAI投入了20萬塊H100 GPU，計算資源是上一代Grok2的15倍左右。在Benchmarks中，Grok3毫無懸念成功地領先Deepseek R1、o3 mini等對手。 ? 不過用如此大規(guī)模的算力集群，花費上一代15倍的計算資源投入，業(yè)界認為Grok3的性能只是略微提升了大模型能力上限，實際提升幅度低于算力投入的預期。這或許也預示著大模型的Scaling L
2025-02-20 11:25:382751 
AI(人工智能)極大地增加了物聯(lián)網(wǎng)邊緣的需求。為了滿足這種需求，Etron公司推出了世界上第一款扇入式晶圓級封裝的DRAM——RPC DRAM?支持高帶寬和更小的尺寸。憑借RPC DRAM的性價比和低功耗優(yōu)勢，創(chuàng)新型DRAM是許多可穿戴設備和物聯(lián)網(wǎng)設備上的微型人工智能相機中使用的理想存儲器。
2026-01-05 14:29:3728 ，這樣可以減少SRAM的容量從而節(jié)約了成本。因為其讀取速度快，多用來存儲程序、操作系統(tǒng)等重要信息。
2.NAND Flash1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高
2026-01-04 07:10:12
DRAM 被組織成層次化的陣列，總共由數(shù)十億個 DRAM 單元組成，每個單元存儲一位數(shù)據(jù)。
2025-12-26 15:10:02647 
信道傳輸?shù)臄?shù)據(jù)包發(fā)生沖突，會導致藍牙接收機接收錯誤包。
藍牙采用了多種技術來降低沖突概率并降低錯包率。
（1） 藍牙幀長度短且快。
藍牙數(shù)據(jù)包通常只有一半大小，速度快四倍。擁有小而快的數(shù)據(jù)包可以
2025-12-26 07:25:40
(IEDM)上得到展示，并有望應用于各種領域，包括人工智能服務器和物聯(lián)網(wǎng)組件。 ? 在AI時代，市場對容量更大、功耗更低的DRAM 需求日益增長。傳統(tǒng)的DRAM技術正逐漸觸及內存容量的物理極限，這促使研究人員尋求提供額外容量。傳統(tǒng)上將單晶硅用作晶體管通道材料的做法
2025-12-19 09:36:061903 
10日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件大會(IEDM)上亮相，有望降低AI服務器和物聯(lián)網(wǎng)組件等眾多應用場景的功耗。 在AI時代，市場對于具備更大容量、更低功耗、可處理海量數(shù)據(jù)的DRAM的需求持續(xù)攀升。傳統(tǒng)DRAM技術在存儲單元尺寸微縮方面已逼近物理極限，業(yè)界因此開始研究
2025-12-16 16:40:501027 在存儲技術快速迭代的今天，MRAM芯片（磁阻隨機存取存儲器）以其獨特的性能，逐漸成為業(yè)界關注焦點。它不同于傳統(tǒng)的閃存或DRAM，利用磁性而非電荷來存儲數(shù)據(jù)，兼具高速、耐用與非易失性特點。
2025-12-15 14:39:04242 安科瑞ADL200W/400W智能電表專為光伏并網(wǎng)系統(tǒng)、微逆系統(tǒng)等新能源發(fā)電系統(tǒng)設計，具有精度高、體積小、響應速度快、安裝方便等優(yōu)點。
2025-12-10 15:37:37370 
的容量-體積矛盾日益突出：增大容量往往以犧牲布局空間為代價，而縮小體積則可能導致濾波性能下降、系統(tǒng)穩(wěn)定性受損。 ? ? ? 這一痛點這個矛盾在高頻、高功率密度、高紋波的快充、移動電源應用中尤為明顯。 永銘解決方案與優(yōu)勢 ? ? ? 相較于傳統(tǒng)液態(tài)鋁電解電容在
2025-12-10 14:38:38310 
在內存技術持續(xù)革新的今天，SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）和DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）依然是計算系統(tǒng)中最核心的存儲組件。盡管出現(xiàn)了MRAM、ReRAM等新興存儲方案，但二者憑借成熟的設計與明確
2025-12-02 13:50:46868 在當今高速發(fā)展的3C領域（計算機外設、通信及消費電子），對存儲器的性能與功耗提出了更高要求。DRAM動態(tài)隨機存取存儲器作為核心存儲部件，其性能表現(xiàn)直接影響設備整體效能。Etron憑借其活緩沖DRAM
2025-12-01 13:42:00253 引言在消費電子設備小型化與高功率化的雙重驅動下，移動電源、GaNPD快充適配器、USB-C擴展塢等智能數(shù)碼電源小板上的PCB空間已成為設計師的“兵家必爭之地”。傳統(tǒng)電容的容量-體積矛盾日益突出：增大
2025-11-27 10:18:19403 
4Gb基本相當。明年公司將實現(xiàn)自研LPDDR4X系列產品的量產，并著手規(guī)劃LPDDR5X小容量產品的研發(fā)。 ? 公司利基型DRAM產品今年一季度末價格回暖，下半年利基型DRAM收入有明顯增長。2025年公司利基型DRAM業(yè)務營收有望超預期達成本年初計劃同比增長50%的目標，本年下半年利基型
2025-11-26 11:58:365359 在各類電子設備與嵌入式系統(tǒng)中，存儲器的性能與功耗表現(xiàn)直接影響著整體設計的穩(wěn)定與效率。低功耗SRAM，特別是異步SRAM系列，憑借其出色的能效比與高可靠性，正成為越來越多工業(yè)控制、通信設備及便攜終端中的關鍵部件。
2025-11-25 15:42:56271 
在各類存儲設備中，SRAM（靜態(tài)隨機存儲器）因其高速、低功耗和高可靠性，被廣泛應用于高性能計算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中，雙口SRAM靜態(tài)隨機存儲器憑借其獨特的雙端口設計，在高帶寬和多任務場景中表現(xiàn)尤為出色，成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44273 在嵌入式存儲應用中，串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關注。作為磁性隨機存儲器技術的代表，Everspin磁性隨機存儲器在工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心和汽車電子等領域表現(xiàn)優(yōu)異。
2025-11-19 11:51:41146 DRAM利用電容存儲數(shù)據(jù)，由于電容存在漏電現(xiàn)象，必須通過周期性刷新來維持數(shù)據(jù)。此外，DRAM采用行列地址復用設計，提高了存儲密度，但增加了控制復雜性。它廣泛用于大容量、低成本存儲場景，如計算機內存。
2025-11-18 11:49:00477 在現(xiàn)代高性能電子系統(tǒng)中，存儲器的讀寫速度往往是影響整體性能的關鍵因素之一。同步SRAM（Synchronous Static Random Access Memory）正是在這一需求下發(fā)展起來的重要
2025-11-18 11:13:01242 大家好！疊層固態(tài)電容工藝相比傳統(tǒng)的電容工藝，在響應速度上具體快在哪里？
2025-11-15 10:03:31
在需要高速數(shù)據(jù)讀寫與高可靠性的現(xiàn)代電子系統(tǒng)中，傳統(tǒng)存儲技術往往面臨寫入速度慢、耐久性有限等挑戰(zhàn)。Everspin公司推出的MR25H256系列MRAM芯片，以其獨特的磁阻存儲技術，為工業(yè)控制、汽車
2025-11-13 11:23:46210 高端處理器芯片中通常設計有包含四個層級的SRAM緩存子系統(tǒng)：從專屬于單個處理器核心的一級緩存，到多個計算單元共享的三級或四級末級緩存，每一級都在存取速度、存儲容量與制造成本之間實現(xiàn)精密平衡。
2025-11-12 13:58:08455 云鎵半導體樂高化組裝，一鍵式測試|云鎵GaN自動化雙脈沖測試平臺作為一種新型開關器件，GaN功率器件擁有開關速度快、開關損耗低等優(yōu)點。當前不同GaN工藝平臺下器件行為表現(xiàn)差異較大，且GaN器件的靜態(tài)
2025-11-11 11:47:16610 
PSRAM（偽靜態(tài)隨機存儲器）是一種兼具SRAM接口協(xié)議與DRAM內核架構的特殊存儲器。它既保留了SRAM無需復雜刷新控制的易用特性，又繼承了DRAM的高密度低成本優(yōu)勢。這種獨特的設計使PSRAM在嵌入式系統(tǒng)和移動設備領域獲得了廣泛應用。
2025-11-11 11:39:04497 在要求高性能與高可靠性的電子系統(tǒng)中，存儲器的選擇往往成為設計成敗的關鍵。Netsol推出的高速異步SRAM系列，憑借其出色的性能表現(xiàn)與獨有的錯誤校正（ECC）能力，為工業(yè)控制、通信設備及高精度計算等應用提供了值得信賴的存儲解決方案。
2025-11-05 16:21:39284 英尚微電子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存儲芯片，基于最新的JEDEC xSPI標準與獨有的STT-MRAM技術構建，這款串行接口MRAM存儲芯片可全面替代傳統(tǒng)SRAM
2025-11-05 15:31:48285 在當今對數(shù)據(jù)持久性與系統(tǒng)可靠性要求極高的企業(yè)基礎設施和數(shù)據(jù)中心中，Everspin推出的自旋轉移扭矩MRAM（STT-MRAM）存儲器——EMD4E001G-1Gb，憑借其卓越的性能與獨特的技術優(yōu)勢，成為眾多高性能存儲解決方案中的亮點。
2025-11-05 14:34:28280 設計
全局 buffer (SRAM)，用于緩存 DRAM 中的數(shù)據(jù)以便快速使用，一般在 100~300KB 左右。再在每個 PE 中加入控制邏輯和寄存器緩存臨時結果。通常全局 buffer 的1
2025-10-31 07:14:52
PSRAM全稱為pseudo SRAM，一般叫偽靜態(tài)SRAM,串行PSRAM具有類似SRAM的接口協(xié)議，給出地址，讀、寫命令，就可以實現(xiàn)存取，不同于DRAM需要用到memory controller來控制內存單元定期數(shù)據(jù)刷新
2025-10-27 16:04:47450 在存儲解決方案中，外置SRAM通常配備并行接口。盡管并口SRAM在數(shù)據(jù)傳輸率方面表現(xiàn)卓越，但其原有的局限性也日益凸顯。最明顯的挑戰(zhàn)在于物理尺寸：不論是占用的電路板空間或是所需的引腳數(shù)量，并行接口都
2025-10-26 17:25:18835 在需要高速數(shù)據(jù)寫入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標桿。這款Everspin存儲器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲器，以高達35
2025-10-24 16:36:03532 MRAM是一種利用電子的自旋磁性來存儲信息的非易失性存儲器。它完美結合了SRAM的高速讀寫特性與閃存（Flash）的非易失性，能夠在斷電后永久保存數(shù)據(jù)，同時具備無限次擦寫、無磨損的卓越耐用性。MRAM將磁性材料集成于硅電路中，在單一芯片上實現(xiàn)了高速、可靠與長壽命的統(tǒng)一，是存儲技術的一次重大飛躍。
2025-10-24 15:48:44411 作為磁阻存儲器領域的重要分支，SOT-MRAM因其獨特的寫入機制與結構設計，正成為高性能MRAM研發(fā)的熱點方向。該技術利用具有強自旋軌道耦合效應的材料層，通過自旋軌道力矩驅動磁性隧道結中納米磁體的確定性翻轉，從而實現(xiàn)高效、可控的數(shù)據(jù)寫入與擦除操作。
2025-10-24 14:46:24338 eFuse IC是一種基于半導體技術的可復位保護器件。它采用集成電路工藝，將多種高性能、高精度的保護功能集成于單一封裝中，具備可重復使用、響應速度快和功能豐富等優(yōu)點。這不僅有助于降低系統(tǒng)的維護成本，也大幅縮短了故障后的恢復時間。
2025-10-23 11:46:1810450 
本篇將詳細介紹如何利用Verilog HDL在FPGA上實現(xiàn)SRAM的讀寫測試。SRAM是一種非易失性存儲器，具有高速讀取和寫入的特點。在FPGA中實現(xiàn)SRAM讀寫測試，包括設計SRAM接口模塊
2025-10-22 17:21:384118 
ADSP-21060LCW-160內容介紹： 哈嘍，朋友們，今天我要向大家介紹的是一款處理器——ADSP-21060LCW-160。 它擁有一個
2025-10-15 12:01:31
【美能鋰電】觀察：隨著電動汽車對續(xù)航里程和充電速度的要求不斷提高，傳統(tǒng)鋰離子電池的能量密度和快充能力逐漸接近理論極限。鋰金屬電池（LMBs）因其極高的理論容量而被視為下一代高能量密度電池的終極選擇
2025-09-10 09:03:321322 
在此前的文章《SRAM PUF：為每顆芯片注入“不可復制的物理指紋”，守護芯片安全》中，我們探討了基于SRAM的物理不可克隆功能（PUF）的基本原理，并介紹了SRAM PUF作為一種安全可靠、經濟
2025-09-05 10:46:161152 ISSI IS62WV51216BLL-55TLI是一款8Mb（512K×16）高速異步SRAM，采用55ns訪問速度、2.5V~3.6V寬電壓設計，支持-40℃~85℃工業(yè)級溫度范圍，適用于車載導航、工業(yè)控制及通信設備等高可靠性場景。
2025-09-04 10:00:00533 
MIPI接口具有速度快、傳輸數(shù)據(jù)量大、功耗低、抗干擾好等優(yōu)點。那么，SONY FCB-EV9500M搭載維爾斯的MIPI網(wǎng)絡控制板后，與其他攝像機模組相比，有什么不一樣的優(yōu)勢呢？
2025-09-04 09:39:21564 
SPI NOR FLASH是什么？ ? SPI NOR FLASH是一種非易失性存儲器，它通過串行接口進行數(shù)據(jù)傳輸，具有讀寫速度快、可靠性高、體積小等優(yōu)點。它采用類似SRAM的存儲方式，每個存儲單元
2025-08-21 09:26:001270 5G時代智能設備的全面普及，手機、平板、輕薄筆記本等終端產品的性能持續(xù)躍升，功耗也隨之大幅增加，消費者對便攜充電的需求從 “能充” 升級為 “快充、安全、大容量”。快充充電寶作為移動能源的核心載體，近年來市場規(guī)模持續(xù)擴張，技術迭代加速，而安全與效率的平衡始終是行業(yè)發(fā)展的核心命題。
2025-08-18 10:33:552192 
你的安防設備反應速度飆升，成為客戶眼中的“安全守護神”，訂單量蹭蹭往上漲！一、3大核心優(yōu)勢，筑牢安防設備無線防線N8900藍牙芯片可不是普通的連接模塊，它是安防設
2025-08-04 12:05:03688 
采樣法和等效面積法分別加以分析,并迪過高精度定點32位DSP微處理器 TIS320F2812在線生成SPI波形。實驗表明采用對稱規(guī)則采樣法產生的SPWM波形，具有速度快、變頻方便等優(yōu)點。采用等效面積法
2025-07-31 13:34:23
電源芯片方案的成本優(yōu)化可從芯片選型、模塊化設計、外圍元件減少等方面實現(xiàn)。采用高集成度電源芯片可大幅減少外圍元件數(shù)量。今天推薦的PD快充芯片U8621具有全負載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應用元件等優(yōu)點，還有搭配的同步整流芯片介紹！
2025-07-21 16:34:10792 通常來講，充電器輸出功率的增加，充電器的體積也要相應擴大。因為內置GaN芯片的使用，快充充電器擁有小體積、高性能、協(xié)議多、節(jié)能高等特點，所以快充充電器比我們設想的要小、要薄。今天推薦的是一款集成E-GaN的高頻高性能準氮化鎵快充ic U8733L，特別適應于快速充電器和適配器上！
2025-07-15 15:26:062542 
本文主要討論了超級電容器和鋰離子電池在儲能方面的差異。超級電容器的體積小、容量大，但能量密度低；而鋰離子電池體積大、容量小，但能量密度高。超級電容器的功率密度高，反應速度快，壽命長，但需要適應性更強的環(huán)境；而鋰離子電池在低溫下性能下降...
2025-07-15 09:32:002165 
客戶要求Flash driver不能存儲在Flash中，需要在升級的時候，由CAN FBL發(fā)送到SRAM中，再運行SRAM中的Flash driver
我應該如何實現(xiàn)這個要求？如何能把Flash driver分離成一個單獨的部分，再由CAN FBL加載到SRAM中?你們有相關的文檔和示例程序嗎？
2025-07-15 07:22:16
視覺檢測技術因其成熟穩(wěn)定、檢測精度高、速度快、靈敏度高、經濟性好、性價比高、通用性強，長期獨占鰲頭。
2025-07-13 11:37:56630 
PD快充的出現(xiàn)，讓我們手機充電器越來越小，但充電速度越來越快，甚至一個充電器可以滿足手機、平板電腦、筆記本電腦的充電需求。
2025-07-04 16:39:363076 ,通過控制換相電流保持在穩(wěn)定的狀態(tài),從而實現(xiàn)對轉矩脈動的抑制。通過仿真和實際實驗表明,該無刷直流電機調速系統(tǒng)在實際運行中具有轉矩脈動小、響應速度快等優(yōu)點。
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2025-06-26 13:49:03
測量濕度。其優(yōu)點是精度高、響應速度快，但缺點是價格較高，且易受污染和干擾。
電阻式濕度傳感器
電阻式濕度傳感器通過吸濕后電阻值的變化來測量濕度。其優(yōu)點是價格低廉、穩(wěn)定性好，但缺點是精度較低。
熱電式濕度
2025-06-24 09:24:13
RAM），支持XIP。
特點：
優(yōu)點：非易失性，支持隨機訪問且速度快（讀取接近RAM），可靠性高，支持XIP。
缺點：寫入和擦除速度慢，容量較?。ㄏ啾萅AND），成本高（單位容量）。
應用：存儲固件
2025-06-24 09:09:39
HC2016W6G121C-1C45
產品規(guī)格
產品尺寸2.01.60.63mm
電壓2.8-3.2V
傳輸速率
電流350-700MA
功能性具有反應速度快的特點，只要一接通電源，馬上就會亮起來。
產品特點
低光衰，高顯指，低能耗，不頻閃，無輻射，散熱好，瞬間點亮，發(fā)熱量小，高亮度
獲取報價
2025-06-23 09:41:43
)檢測，CO 氣體在工作電極上發(fā)生氧化反應，失去電子，產生電流，儀器通過測量電流大小來計算 CO 的濃度。這種技術具有靈敏度高、響應速度快、成本相對較低等優(yōu)點，適用于檢測多種常見氣體，如 CO
2025-06-16 16:10:00
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，基于產品和市場特性，DRAM可分為主流DRAM和利基DRAM。主流DRAM產品具有大容量、高傳輸速率的特點，主要應用于智能手機、個人計算機、服務器等大規(guī)模標準化電子設備。其市場
2025-06-07 00:01:004203 
CS56404L 64Mb Quad-SPI Pseudo-SRAM 產品特點及核心優(yōu)勢：核心特點接口與模式支持 SPI（單線） 和 QPI（四線） 模式，默認上電為 SPI 模式，可通過指令切換至
2025-06-06 15:01:36
近期受晶圓廠委托， 季豐在執(zhí)行完SRAM芯片在中子輻射下SER測試后， 通過對SRAM芯片的深入研究，對測試失效數(shù)據(jù)的分析，將邏輯失效地址成功轉換為物理坐標地址，最終在圖像上顯示失效位置，幫助客戶直觀地看到失效點分布位置。 通過多個失效芯片圖像的疊加，客戶可以看到多個芯片失效積累效果。
2025-06-03 10:08:45861 
、128GB、256GB等
TF存儲卡是一種基于半導體快閃記憶器的新一代記憶設備，由于它體積小、數(shù)據(jù)傳輸速度快、可熱插拔等優(yōu)良的特性，被廣泛地于便攜式裝置上使用，例如數(shù)碼相機、平板電腦和多媒體播放器等
2025-05-21 17:48:25
、安全可靠等優(yōu)點。它所存儲的能量比傳統(tǒng)物理電容器大一個數(shù)量級以上，容量可達到法拉級甚至數(shù)千法拉，同時保持了傳統(tǒng)物理電容器釋放能量速度快的特點。超級電容器兼有電容器
2025-05-16 08:43:53709 
的 FPGA 中實現(xiàn)，使用非常靈活。而且在大容量的 FPGA 中還可以集成多個軟 core，實現(xiàn)多核并行處理。硬 core是在特定的 FPGA 內部做好的 CPU core，優(yōu)點是速度快、性能好，缺點是不夠靈活
2025-05-13 15:41:38
一、什么是快充協(xié)議？ 快充協(xié)議是一種通過提高充電效率來縮短設備充電時間的電池充電技術。它是通過在充電器和設備之間建立一種溝通機制，充電器能夠根據(jù)設備的需求和狀態(tài)，調整輸出的電壓和電流。這種溝通機制由
2025-05-12 14:02:454585 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）高帶寬存儲HBM因數(shù)據(jù)中心、AI訓練而大熱，HBM三強不同程度地受益于這一存儲產品的營收增長，甚至就此改變了DRAM市場的格局。根據(jù)CFM閃存市場的分析數(shù)據(jù)，2025年
2025-05-10 00:58:008822 一季度在AI服務器保持穩(wěn)健推動對服務器DRAM需求，PC和移動需求復蘇力度也較預期更為明顯，此外疊加關稅觸發(fā)的部分補庫存需求的共同影響下，2025年一季度整體表現(xiàn)優(yōu)于預期，全球DRAM市場規(guī)模同比
2025-05-06 15:50:231210 
變壓器容量特性測試儀是我公司研發(fā)人員在原我司變壓器容量測試儀基礎上升級而成。延續(xù)了我司原儀器的體積小巧、操作簡單、使用方便等優(yōu)點，并全面升級了內部處理器、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、國標數(shù)據(jù)，使儀器可用范圍更寬，測試精度更高。
2025-04-24 18:13:51
0 UV-EPROM的結構與使用方法，閃速存儲器的結構與使用方法，EEPROM的結構與使用方法， SRAM的結構與使用方法， 特殊的SRAM的結構與使用方法 ，DRAM的結構與使用方法，
2025-04-16 16:04:56
我在定制硬件中使用S32K312 IC （單核）。我已使用 RTD SDK 創(chuàng)建了該項目。
我看到有以下 RAM（大分區(qū)）可供我們使用（根據(jù)生成的鏈接器文件）：
int_dtcm
int_sram
2025-03-27 07:16:12
對比如下圖所示。
閃存芯片
Flash主要分為NOR Flash和NAND Flash兩種。
NOR Flash具有可靠性高、可隨機讀取數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)讀取速度快、可以直接從存儲器中讀取和執(zhí)行程序代碼等優(yōu)點
2025-03-23 09:47:39
中圖儀器SJ6000位移加速度動態(tài)激光干涉測量儀利用激光干涉現(xiàn)象來實現(xiàn)非接觸式測量，具有高精度、高分辨率、快速測量等優(yōu)點。結合不同的光學鏡組，可實現(xiàn)線性測長、角度、直線度、垂直度、平行度、平面度等
2025-03-19 17:33:50
優(yōu)化的架構設計和成熟的制程技術，具備內置的硬擦除器、錯誤檢測和校正機制，為用戶提供了可靠的開發(fā)環(huán)境。用戶可利用最新的Radiant工具，直接實現(xiàn)MRAM的編程接口，支持多種存儲容量和數(shù)據(jù)速率。利用這些FPGA器件，用戶可以受益于低功耗FPGA架構和快速安全的位流配置/重新配置。 ? 為
2025-03-08 00:10:001803 本書主要介紹了UV-EPROM的結構和使用方法，閃速存儲器的結構和使用方法，EEPROM的結構和使用方法， SRAM的結構與使用方法，特殊的SRAM的結構與使用方法，DRAM的結構與使用方法，
2025-03-07 10:52:47
ai泥石流識別攝像機畫質真實清晰、智能識別速度快，距離遠能耗低，智能預警和多平臺推送，為相關部門提供寶貴的時間采取預防措施，提高災害應對效率。
2025-03-06 17:49:55793 
的噴碼機可以節(jié)約成本
編碼器可以根據(jù)設備的移動速度提供速度和方向的反饋，比如SD3012 可以提供ABZ信號輸出，速度快AB響應的頻率也快，慢同步電信號也會慢，同樣也可以提供啟停的信號反饋，這樣控制
2025-03-04 16:52:57
本文要點提示：? ? ? ? ?? 1. DRAM 的工作原理圖文解說，包括讀寫以及存儲；? ? ? ? ? 2. 揭秘DRAM便宜但SRAM貴之謎。? ? ?? 內存應該是每個硬件工程師都繞不開
2025-03-04 14:45:072241 
P1032BF1是一款基于ARM Cortex-M3的單片機，專為Wi-Fi /藍牙通信控制而設計；能夠實現(xiàn)指紋的圖像采集、特征提取、特征比對，可應用于智能鎖；支持大型程序代碼和擁有大型嵌入式SRAM，也可用于一般的MCU應用。
2025-03-04 09:27:09759 SJ6000國產單頻激光干涉儀具有測量精度高、測量范圍大、測量速度快、高測速下分辨率高等優(yōu)點，結合不同的光學鏡組，可實現(xiàn)線性測長、角度、直線度、垂直度、平行度、平面度等幾何參量的高精度測量
2025-03-03 14:59:31
電氣防火限流式保護器可有效克服傳統(tǒng)斷路器、空氣開關和監(jiān)控設備存在的短路電流大、切斷短路電流時間長、短路時產生的電弧火花大，以及使用壽命短等弊端，發(fā)生短路故障時，能以微秒級速度快速限制短路電流以實現(xiàn)滅弧保護，從而能顯著減少電氣火災事故，保障使用場所人員和財產的安全。
2025-02-28 11:06:35668 
在10700 MT/s運行。 ? 為了提高速度，三星必須在其DRAM芯片中添加四相自校準和交流耦合收發(fā)器均衡?！八南嘧孕虱h(huán)路”技術，它能確保高速內存接
2025-02-28 00:07:006338 的一小部分。MEMS加速度計具有體積小、重量輕、能耗低等優(yōu)點。 ER-MA-6是一種慣性傳感器，可以測量重力引起的
2025-02-27 14:09:33
切割精度高、速度快、切口平整、無毛刺、熱影響區(qū)小等優(yōu)點。在紙基微流控芯片的加工中，主要采用二氧化碳激光器和光纖激光器。 壓印技術 壓印技術是一種將圖案或文字壓印到材料表面的加工方法。它具有簡便、快速、成本低等優(yōu)點
2025-02-26 15:15:57875 三極管優(yōu)點：耐壓高；缺點：電流驅動MOS管優(yōu)點：開關速度快，電壓驅動一、一鍵開關機電路（小魚冠名）（知
2025-02-26 13:54:472305 
MT48LC4M32B2P-6A:L是一款高性能的動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM），由MICRON制造，專為滿足各種電子設備的內存需求而設計。該產品具備出色的存儲性能和穩(wěn)定性，適用于多種應用場景。目前
2025-02-14 07:28:17
我剛剛接觸MSP430，前段時間有幸擁有一TI的一塊MSP430fr5739開發(fā)板，就在我用里面的加速度傳感器計算角度時，發(fā)現(xiàn)不知道該怎么樣才能通過ADC10MENO算出原始的X,Y,Z方向加速度的值，望各高手幫忙
2025-02-13 07:58:13
DZDR-AS導熱系數(shù)測定儀。這款導熱系數(shù)測定儀采用瞬態(tài)熱源法，具有測量范圍廣和測量速度快的優(yōu)勢。1、測量速度快，實驗效率高。DZDR-AS導熱系數(shù)測定儀采用了瞬態(tài)熱源法，能
2025-02-08 14:36:51858 
功率應用的舞臺上。它擁有著令人驚嘆的 Fast Trench + Field Stop IGBT3 技術，就像一位優(yōu)秀的運動員，擁有著驚人的速度和耐力，能夠在高電壓
2025-02-08 11:09:02
近日，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內存現(xiàn)貨價格趨勢報告，DRAM和NAND閃存市場近期呈現(xiàn)出截然不同的表現(xiàn)。 在DRAM方面，消費者需求在春節(jié)過后依然沒有顯著回暖，市場呈現(xiàn)出疲軟態(tài)勢
2025-02-07 17:08:291017 近日，據(jù)市場研究機構TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的報告指出，DRAM內存與NAND閃存市場近期均呈現(xiàn)出低迷的走勢。 特別是在DRAM市場方面，春節(jié)長假過后，消費者對于DRAM的需求并未如預期
2025-02-06 14:47:47930 據(jù)報道，三星電子已正式否認了有關其將重新設計第五代10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認引發(fā)了業(yè)界對三星電子內存產品策略的新一輪關注。 此前有報道指出，三星電子為應對其12nm級
2025-01-23 15:05:11921 據(jù)DigiTimes報道，三星電子對重新設計其第五代10nm級DRAM（1b DRAM）的報道予以否認。 此前，ETNews曾有報道稱，三星電子內部為解決12nm級DRAM內存產品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:151360 影響25Q20D閃存芯片寫入速度和使用壽命的因素有哪些？首先我們來談談影響寫入速度九個方面：存儲容量和架構：存儲容量的增加會導致芯片內部的數(shù)據(jù)管理和尋址更為復雜，從而影響寫入速度。較大的閃存芯片在寫數(shù)據(jù)時，需要更多時間來定位和管理數(shù)據(jù)。此外，如果閃存的存儲架構未經優(yōu)化，同樣會限制寫入速度。
2025-01-22 16:48:251099 
sj6000機床激光干涉測量校準系統(tǒng)具有測量精度高、測量范圍大、測量速度快、高測速下分辨率高等優(yōu)點，結合不同的光學鏡組，可實現(xiàn)線性測長、角度、直線度、垂直度、平行度、平面度等幾何參量的高精度測量。在
2025-01-17 15:00:29
溫度影響大等問題。
? 本產品感測原理為電容式，具有靈敏度高、響應速度快的優(yōu)點，目前國際上已有成熟產品對標（但售價高昂、不對個人銷售）。
2025-01-15 16:26:441436 
是造價低，但存在反應時間過長、受溫度影響大等問題。? 本產品感測原理為電容式，具有靈敏度高、響應速度快的優(yōu)點，目前國際上已有成熟產品對標（但售價高昂、不對個人銷售）
2025-01-15 16:25:161 APTGT50TL601G型號簡介 APTGT50TL601G是Microchip推出的一款功率模塊，這款功率模塊擁有低導通壓降、低尾部電流，如同
2025-01-15 16:07:37
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