一、讀寫均衡失效引發(fā)的核心問題 讀寫均衡（磨損均衡，Wear Leveling）是SD卡固件通過算法將數(shù)據(jù)均勻分配到閃存芯片各單元，避免局部單元過度擦寫的關(guān)鍵機(jī)制。瀚海微SD卡出現(xiàn)讀寫均衡失效后，會
2025-12-29 15:08:07
98 
的 bootloader 源碼
但 CMake 緩存中記錄的卻是 D:/esp-idf-v5.4.3 路徑的源碼
路徑不匹配導(dǎo)致配置階段失敗，進(jìn)而中斷整個(gè)編譯流程
解決方案
下面是一步步的修復(fù)操作，你可以按順序執(zhí)行
2025-12-23 07:07:26
本次測評基于瑞薩RA6E2地奇星開發(fā)板，驗(yàn)證其內(nèi)部CodeFlash與DataFlash的讀寫功能穩(wěn)定性與可靠性，測試Flash擦除、寫入、讀取及數(shù)據(jù)驗(yàn)證的全流程可行性，為后續(xù)嵌入式項(xiàng)目存儲方案提供參考依據(jù)。
2025-12-16 08:08:45651 
視頻推薦隨著儲能控制系統(tǒng)智能化發(fā)展，對實(shí)時(shí)處理和高速緩存需求提升。本測試對EM-1000與EM-1000G的Redis性能進(jìn)行對比，評估其在吞吐、響應(yīng)與穩(wěn)定性上的差異，為客戶提供精準(zhǔn)硬件選型依據(jù)
2025-12-02 11:39:20207 
本章的實(shí)驗(yàn)任務(wù)是在 PL 端自定義一個(gè) AXI4 接口的 IP 核，通過 AXI_HP 接口對 PS 端 DDR3 進(jìn)行讀寫測試，讀寫的內(nèi)存大小是 4K 字節(jié)。
2025-11-24 09:19:423467 
的運(yùn)算速度遠(yuǎn)高于內(nèi)存的讀寫速度，為了避免被拖慢，CPU 都自帶一級緩存和二級緩存?；旧希珻PU 緩存可以看作是讀寫速度較快的內(nèi)存。
但是，CPU 緩存還是不夠快，另外數(shù)據(jù)在緩存里面的地址是不固定
2025-11-20 06:45:06
的flash均無法進(jìn)行讀寫。
麻煩給解釋一下為什么會出現(xiàn)這種問題以及解決方案，是否一定需要外部加上SDRAM或者DDR？
2025-11-19 19:53:00
RA6809MQ4N是臺灣瑞佑科技股份有限公司(RAiO)研發(fā)推出的一款低功耗及顯示功能強(qiáng)大的彩色液晶圖文顯示控制器，芯片內(nèi)建了128Mb SDRAM顯存，可作為多區(qū)塊顯示的緩存，可以快速更新屏幕
2025-11-18 10:32:24
全面解析，覆蓋全場景需求。 一、數(shù)據(jù)讀寫超時(shí)涉及的核心方面 （一）接口與硬件適配層面 接口速率瓶頸：使用USB2.0、SDHC等低速接口或老舊讀卡器，限制高速存儲卡（如支持UHS-II協(xié)議的瀚海微卡）性能發(fā)揮，大數(shù)據(jù)傳輸時(shí)速率不匹配引發(fā)超時(shí)。 硬
2025-11-17 10:04:44461 在處理器性能持續(xù)攀升的今天，存儲系統(tǒng)的速度已成為制約整體算力的關(guān)鍵瓶頸之一。作為最接近CPU核心的存儲單元，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器）承擔(dān)著高速緩存的重要角色，其性能直接影響數(shù)據(jù)處理效率。當(dāng)前
2025-11-12 13:58:08455 在物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)飛速發(fā)展的當(dāng)下，RFID讀寫器作為數(shù)據(jù)采集的核心設(shè)備，已廣泛滲透到生產(chǎn)生活的多個(gè)領(lǐng)域。其中，超高頻rfid讀寫器憑借獨(dú)特的性能優(yōu)勢，成為物流、零售、制造等行業(yè)的“得力助手”。很多人會好
2025-11-06 15:08:46340 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DDR3 SDRAM參考設(shè)計(jì)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-11-05 17:04:01
4 蜂鳥E203怎樣外部的攝像頭進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸
2025-11-05 06:58:39
在有些情況下，我們想要把代碼放到SDRAM運(yùn)行。下面介紹在APM32的MCU中，如何把代碼重定位到SDRAM運(yùn)行。對于不同APM32系列的MCU，方法都是一樣的。
2025-11-04 09:14:184981 
OPPO Pad 5 搭載 3nm 先進(jìn)制程的天璣 9400+ 旗艦芯，全大核架構(gòu)設(shè)計(jì)，內(nèi)建大容量高速緩存，以更高的單線程和多線程任務(wù)處理性能，帶來令人驚嘆的日常應(yīng)用、游戲等全場景應(yīng)用體驗(yàn)，內(nèi)置
2025-10-30 15:44:42622 SD卡讀步驟：
SD卡初始化完成后，SD 卡初始化過程中的 SPI 時(shí)鐘需要使用低速時(shí)鐘（最好小于 400Khz）。所以要對系統(tǒng)時(shí)鐘進(jìn)行分頻。
SD 卡讀取模塊： SD 卡讀取的過程和初始化流程
2025-10-29 07:04:53
凱芯CascadeTeq CSS6404SU-L是一款64Mb QSPI pSRAM，采用串行接口實(shí)現(xiàn)高帶寬數(shù)據(jù)傳輸，工作電壓2.7-3.6V，時(shí)鐘頻率達(dá)133MHz。適用于物聯(lián)網(wǎng)、便攜設(shè)備和工業(yè)控制等需要高速緩存的嵌入式場景。
2025-10-28 09:25:00332 
本篇將詳細(xì)介紹如何利用Verilog HDL在FPGA上實(shí)現(xiàn)SRAM的讀寫測試。SRAM是一種非易失性存儲器，具有高速讀取和寫入的特點(diǎn)。在FPGA中實(shí)現(xiàn)SRAM讀寫測試，包括設(shè)計(jì)SRAM接口模塊
2025-10-22 17:21:384118 
DDR控制協(xié)議
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫操作所需要的時(shí)序，繼而實(shí)現(xiàn)對片外存儲器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲資源
2025-10-21 14:30:16
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫操作所需要的時(shí)序，繼而實(shí)現(xiàn)對片外存儲器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲資源難以實(shí)現(xiàn)大量圖像數(shù)據(jù)
2025-10-21 10:40:28
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫操作所需要的時(shí)序，繼而實(shí)現(xiàn)對片外存儲器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲資源難以實(shí)現(xiàn)大量圖像數(shù)據(jù)
2025-10-21 08:43:39
鍵技術(shù)的特點(diǎn)與價(jià)值。 Q1：什么是DRAM緩存，它在SSD中起什么作用？ DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器）在固態(tài)硬盤中扮演著"高速緩沖區(qū)"的角色。具體到天碩G55 Pro M.2 NVMe工業(yè)級SSD，其DRAM緩存主要承擔(dān)兩項(xiàng)關(guān)鍵任務(wù)：存儲FTL映射表和管理數(shù)據(jù)傳輸?shù)呐R
2025-10-20 17:59:28655 
keil+Env怎么把很大的數(shù)組定義到SDRAM中？
RTT自帶的SDRAM程序運(yùn)行正常，能夠申請里面的空間。
但是沒有辦法把很大的數(shù)組——ltdc_lcd_framebuf[1280][800]
定義到SDRAM中，一運(yùn)行就出錯(cuò)，請問各位大佬怎么解決啊？
2025-10-11 16:10:01
串口DMA發(fā)送有緩存嗎， 我是從ringbuffer取出來，放到申請的緩存里，啟動(dòng)串口DMA發(fā)送，然后就釋放了。暫時(shí)沒發(fā)現(xiàn)什么問題。
用的drv_usart.c是這個(gè)版本
2025-10-10 06:14:05
包、 指令響應(yīng)包、 PRP 響應(yīng)包并將其放入對應(yīng)的緩存隊(duì)列中。 如果類型為 TLP 請求， 根據(jù)請求類型對配置空間或 BAR 空間進(jìn)行讀寫操作， 讀操作生成 CplD 發(fā)送到模型輸出緩存。
Admin
2025-09-29 09:31:50
當(dāng)請求類型為 MEM 讀寫請求時(shí)使用地址路由的方式。 如果請求地址在此設(shè)備 BAR 空間內(nèi)， 則對 BAR 空間進(jìn)行讀寫操作，讀操作將生成 CplD， 從對應(yīng)請求端口的輸出端口發(fā)出； 如果請求地址在下游總線域，根據(jù)請求 ID 的設(shè)備號將事務(wù)轉(zhuǎn)發(fā)到對應(yīng)的下游輸出端口。
2025-09-23 09:05:25443 
程序的執(zhí)行流程圖當(dāng)對應(yīng)任務(wù)接口的事務(wù)緩存中存在未處理事務(wù)時(shí)， 處理程序從緩存中獲取事務(wù)。首先檢查事務(wù)類型， 當(dāng)事務(wù)類型為 Cpl 響應(yīng)類型事務(wù)時(shí)， 如果當(dāng)前程序?qū)?yīng)接收端口號為 0， 即接收端口為唯一
2025-09-21 08:51:04
裸機(jī)以及RTT初始化是可以正常讀寫的，但在線程中，用了rt_thread_mdelay，SDRAM內(nèi)的數(shù)據(jù)會被清理，數(shù)據(jù)丟失，也無法讀寫了，調(diào)試發(fā)現(xiàn)是rt_schedule導(dǎo)致的，請問這個(gè)該問題如何解決？
2025-09-18 07:53:44
：
擴(kuò)展 MCU 外部數(shù)據(jù) RAM
超低功耗
簡單的接口設(shè)計(jì)，可高效利用 PCB 空間
SDRAM 擴(kuò)展解決方案的經(jīng)濟(jì)高效的替代方案
Hyper Bus 接口由 13 條數(shù)據(jù)和控制線組成，確保緊湊的設(shè)計(jì)并
2025-09-05 06:06:33
藍(lán)牙耳機(jī)作為現(xiàn)代科技的熱門產(chǎn)品，其生產(chǎn)流程的高效與精準(zhǔn)至關(guān)重要。本文將深入剖析藍(lán)牙耳機(jī)的生產(chǎn)流程，并重點(diǎn)介紹一套兼顧穩(wěn)定、快速與性價(jià)比的系統(tǒng)搭建方案，帶您領(lǐng)略科技生產(chǎn)背后的精細(xì)工藝與智慧選擇。藍(lán)牙
2025-09-04 11:39:06489 作為主處理器，F(xiàn)PGA 外掛兩組 72 位 DDR4 SDRAM，用來實(shí)現(xiàn)超大容量數(shù)據(jù)緩存，DDR4 的最高數(shù)據(jù)緩存帶寬可以達(dá)到2400MHz，DDR4 的緩存
2025-08-29 15:57:37398 
：XCKU115-2FLVF1924I 作為主處理器，F(xiàn)PGA 外掛兩組 72 位 DDR4 SDRAM，用來實(shí)現(xiàn)超大容量數(shù)據(jù)緩存，DDR4 的最高數(shù)據(jù)緩存帶寬可以達(dá)到 2400M
2025-08-29 15:49:41
DDR4SDRAM，用來實(shí)現(xiàn)超大容量數(shù)據(jù)緩存，F(xiàn)PGA的PS端外掛1組72位的DDR4SDRAM的高速數(shù)據(jù)緩存，用來支持操作系統(tǒng)的運(yùn)行。該平臺支持2個(gè)FMC+接口，每個(gè)F
2025-08-29 15:29:491292 
DDR4 SDRAM，用來實(shí)現(xiàn)超大容量數(shù)據(jù)緩存，F(xiàn)PGA的PS端外掛1組72位的DDR4 SDRAM的高速數(shù)據(jù)緩存，用來支持操作系統(tǒng)的運(yùn)行。該平臺支持2個(gè)FMC+接口，
2025-08-29 15:28:59
瀏覽 M453 的各種示例代碼，我沒有看到顯式啟用 4kb 緩存，那么緩存是否默認(rèn)啟用？
2025-08-28 08:27:31
用戶瘋狂查詢數(shù)據(jù)庫中不存在的數(shù)據(jù)，每次查詢都繞過緩存直接打到數(shù)據(jù)庫，導(dǎo)致數(shù)據(jù)庫壓力驟增。
2025-08-20 16:24:14627 硬盤的物理結(jié)構(gòu)可以分為外部結(jié)構(gòu)和內(nèi)部結(jié)構(gòu)。外部結(jié)構(gòu)主要包括硬盤的外殼和電路板，硬盤的外部物理故障通常是電路板故障。
硬盤的電路板上分布著主控芯片、緩存、電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片、BIOS及其他電子元器件。在電路板前端還有硬盤的電源接口和數(shù)據(jù)線接口。這些電路板上的元器件都有出現(xiàn)故障的可能。
2025-08-20 14:34:20662 兩個(gè)總線能不能同時(shí)使用，用了華邦的SDRAM發(fā)現(xiàn)SDRAM數(shù)據(jù)高概率讀寫錯(cuò)誤，但是用ISSI的沒問題。如果不對外部SRAM讀寫就正常。
2025-08-12 06:56:57
最新版K230IDE怎么打開幀緩存區(qū)
2025-08-08 06:01:51
二、測試原理
核心三步驟
清除緩存 ：確保數(shù)據(jù)從物理介質(zhì)讀取echo 3 > /proc/sys/vm/drop_caches
執(zhí)行讀取 ：使用dd命令直讀設(shè)備dd if=/U盤路徑
2025-08-07 19:48:25
文章將采用“總-分-總”的結(jié)構(gòu)對配置固定大小元素驅(qū)逐策略的 Caffeine 緩存進(jìn)行介紹，首先會講解它的實(shí)現(xiàn)原理，在大家對它有一個(gè)概念之后再深入具體源碼的細(xì)節(jié)之中，理解它的設(shè)計(jì)理念，從中能學(xué)習(xí)到
2025-08-05 14:49:12586 
我們詳細(xì)介紹了 Caffeine 緩存添加元素和讀取元素的流程，并詳細(xì)解析了配置固定元素?cái)?shù)量驅(qū)逐策略的實(shí)現(xiàn)原理。在本文中我們將主要介紹 配置元素過期時(shí)間策略的實(shí)現(xiàn)原理 ，補(bǔ)全 Caffeine
2025-08-05 14:48:13525 
問了技術(shù)支持說可以進(jìn)行讀寫操作，但是我看著手冊修改指令和流程，連第一步打開RF會話的反饋都不對，有沒有好心人指導(dǎo)指導(dǎo)，可有償
2025-07-28 14:34:23
我用讀卡器能夠讀寫M1的卡，但是現(xiàn)在要用ST25TA64K這個(gè)卡，我在原讀寫M1的程序上改，因問過技術(shù)支持，說能夠進(jìn)行讀寫操作這個(gè)卡。但我修改后，連第一步打開RF會話都不行。
原M1卡流程：尋卡喚醒
2025-07-28 14:16:30
harmony-utils之CacheUtil，緩存工具類
2025-07-04 16:36:34374 在多核高并發(fā)場景下， 緩存偽共享（False Sharing） 是導(dǎo)致性能驟降的“隱形殺手”。當(dāng)不同線程頻繁修改同一緩存行（Cache Line）中的獨(dú)立變量時(shí)，CPU緩存一致性協(xié)議會強(qiáng)制同步整個(gè)
2025-07-01 15:01:35578 
，MT/s）、時(shí)序（CL值）。
3.2 SRAM - CPU的高速緩存
原理：利用4-6個(gè)晶體管組成雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來存儲一位數(shù)據(jù)。只要通電，狀態(tài)就能保持，無需刷新。
特點(diǎn)：
優(yōu)點(diǎn)：速度最快（皮秒到納秒級
2025-06-24 09:09:39
無法確定如何在 C++ 中的 NPU 上使用模型緩存
2025-06-24 07:25:43
cy7c68013a 異步slave fifo 模式，外部mcu無法讀寫fifo
上位機(jī)發(fā)送bulk數(shù)據(jù)，flag標(biāo)志是對的，SLCS也拉低了，是設(shè)置的低有效， 檢測到了flag不為空的標(biāo)志后
2025-06-03 10:49:04
怎樣使用Jlink (SEGGER) 通過SWD讀寫呢？Jlink沒有找到CYPD6125的信號，官方也沒有找到CYPD6125對應(yīng)的FLM和xml 文件
2025-05-27 06:45:43
維煩惱，非常適合高并發(fā)場景下的數(shù)據(jù)快速讀寫需求
下面我將從信息獲取到代碼實(shí)戰(zhàn)，手把手帶大家實(shí)現(xiàn)云緩存接入。
一、云緩存信息獲取全攻略
1.1 基礎(chǔ)信息獲取
??登錄控制臺??
打開AppGallery
2025-05-22 18:37:01
的解決方案，用于構(gòu)建新一代信任設(shè)備，例如：便攜式多媒體EFT-POS終端。MAX32590集成了存儲器管理單元(MMU)、32KB指令高速緩存器、16KB數(shù)據(jù)高速緩存、4KB指令TCM、4KB數(shù)據(jù)TCM
2025-05-15 09:38:55660 
分應(yīng)用場景來看；銅互聯(lián)應(yīng)用場景主要有：芯片直出跳線overpass：高速跳線overpass可解決數(shù)據(jù)量激增及帶寬更高時(shí)面臨的傳輸問題，可實(shí)現(xiàn)AISC與背板、ASIC與IO接口及芯片之間的互連，芯片
2025-05-09 07:34:362023 
的解決方案，用于構(gòu)建新一代信任設(shè)備，例如：便攜式多媒體EFT-POS終端。MAX32591集成了存儲器管理單元(MMU)、32KB指令高速緩存器、16KB數(shù)據(jù)高速緩存、4KB指令TCM、4KB數(shù)據(jù)TCM
2025-05-08 14:34:17636 
的解決方案，用于構(gòu)建新一代信任設(shè)備，例如：便攜式多媒體EFT-POS終端。MAX32592集成了存儲器管理單元(MMU)、32KB指令高速緩存器、16KB數(shù)據(jù)高速緩存、4KB指令TCM、4KB數(shù)據(jù)
2025-05-08 14:15:46679 
從Flash或外部存儲器讀取的指令，減少CPU因等待指令加載而停滯，適用于實(shí)時(shí)性要求高的場景（如中斷服務(wù)程序）。 D-Cache?：緩存從Flash、SRAM或外部存儲器讀取的數(shù)據(jù)，加速變量與堆棧的讀寫操作。 TCM（緊耦合內(nèi)存）?：部分MCU（如STM32H743）設(shè)置獨(dú)立TCM區(qū)域，存放需極低延
2025-05-07 15:29:47937 Nginx 是一個(gè)功能強(qiáng)大的 Web 服務(wù)器和反向代理服務(wù)器，它可以用于實(shí)現(xiàn)靜態(tài)內(nèi)容的緩存，緩存可以分為客戶端緩存和服務(wù)端緩存。
2025-05-07 14:03:021105 
高頻工業(yè)RFID讀寫器 型號：SG-HF40-485、SG-HF40-TCP 產(chǎn)品功能 高頻工業(yè)讀寫器（RFID）產(chǎn)品用在自動(dòng)化生產(chǎn)線,自動(dòng)化分揀系統(tǒng),零部件組裝產(chǎn)線等情境下，在自動(dòng)化節(jié)點(diǎn)的工位上部
2025-05-06 15:33:17810 
了新的活力。而規(guī)范、科學(xué)的安裝流程，則是確保叁仟智慧路燈能夠穩(wěn)定運(yùn)行、充分發(fā)揮其功能的基礎(chǔ)。深入了解叁仟智慧路燈的安裝流程，不僅有助于施工團(tuán)隊(duì)高效開展工作，更能為智慧城市建設(shè)的穩(wěn)步推進(jìn)提供有力保障。接下來，將從前期規(guī)劃
2025-04-27 17:22:57780 TMS320C6452是一款高性能的數(shù)字信號處理器，集成豐富的外設(shè)接口和高速緩存，適用于需要高速數(shù)字信號處理的多種應(yīng)用領(lǐng)域。其強(qiáng)大的處理能力和靈活的配置選項(xiàng)，使得它成為通信、音頻/視頻處理、圖像處理等領(lǐng)域的理想選擇。
2025-04-15 10:38:43942 
Ethernet IP）、AXI PCIe IP等模塊。該系統(tǒng)能夠持續(xù)接收高速數(shù)據(jù)流數(shù)據(jù)，并經(jīng)緩存模塊處理后，存儲至NVMe SSD，同時(shí)可以將存儲數(shù)據(jù)通過萬兆光纖以UDP協(xié)議上傳至上位機(jī)以供后續(xù)處理。
2025-04-14 13:38:13659 
The issue was i need to run data from external SDRAM memory instead of using internal RAM(DTCM). I
2025-04-14 12:21:59
數(shù)據(jù)緩存控制器主要實(shí)現(xiàn)了對大量突發(fā)數(shù)據(jù)的緩存、AXI4接口與AXI4-Stream接口之間的轉(zhuǎn)換和NVMe命令的生成等功能。這里主要介紹相關(guān)開發(fā)流程。
2025-04-14 10:46:12678 
高速SSD系統(tǒng)中流程控制模塊設(shè)計(jì)。該模塊主要由寄存器、讀狀態(tài)機(jī)、寫狀態(tài)機(jī)和命令生成模塊組成，系統(tǒng)介紹各模塊功能。
2025-04-14 10:43:28694 
DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品，相較于DDR2，DDR3有更高的運(yùn)行性能與更低的電壓。
2025-04-10 09:42:533930 
使用的sdram型號是IS42S16160 32mb的是正常的但是更改到IS4216400 8mb的sdram后不能使用，請問1052支持嗎？需要修改哪些配置，請大神講解一下
2025-04-08 19:40:06
RT1176 與 DDR SDRAM 兼容嗎？
2025-04-04 06:09:26
強(qiáng)緩存直接告訴瀏覽器：在緩存過期前，無需與服務(wù)器通信，直接使用本地緩存。
2025-04-01 16:01:51798 我按照 AN5191指南啟動(dòng)MPC5777C自定義板，它的一些內(nèi)置測試要求我禁用緩存以執(zhí)行某些作，然后重新啟用它們以進(jìn)行正常作?？紤]到我把一半的數(shù)據(jù)緩存作為我的堆棧（使用基于 dcbz 和 dcbtls 指令的 AN5191代碼），我應(yīng)該如何在禁用其余數(shù)據(jù)緩存的同時(shí)繼續(xù)保持堆棧工作？
2025-03-27 06:01:37
μXI-X1073是中科采象公司自主研發(fā)的一款1GSPS、16-bit、8通道高速數(shù)字化儀，結(jié)合高速大容量數(shù)據(jù)緩存和高速數(shù)據(jù)交換技術(shù)，適合于高速、瞬態(tài)信號的精確捕獲，可用于構(gòu)建多通道、高精度、同步
2025-03-26 09:59:39
耦合的大容量內(nèi)存 （576KB），可以降低使用高速緩存存儲器時(shí)出現(xiàn)的執(zhí)行時(shí)間波動(dòng)，并提供確定性與高速響應(yīng)處理。RZ/T2L在CPU 內(nèi)核、外設(shè)功能和 LLPP（低延時(shí)外設(shè)端口）總線等方面具備與 RZ
2025-03-14 15:07:56907 
各位大神，我在給G030配置外部高速無源晶振之后，發(fā)現(xiàn)無法起振。電路圖就跟其他的項(xiàng)目一樣，很常規(guī)的一個(gè)配置。G030的datasheet里面也沒說不能使用外部高速無源晶振啊，但是在使用Cube進(jìn)行
2025-03-14 06:16:14
SDRAM和NAND都使能了，都能正常工作，但是讀取Nand數(shù)據(jù)然后存放到SDRAM中，發(fā)現(xiàn)SDRAM中的數(shù)據(jù)是錯(cuò)誤的。但是將數(shù)據(jù)存到內(nèi)部的IRAM中數(shù)據(jù)是正確的。請問NAND跟SDRAM不能同時(shí)訪問么？該問題同時(shí)存在于STM32F767跟STM32H743中。請幫忙解答，謝謝！
2025-03-11 08:13:19
前言 SDRAM控制器里面包含5個(gè)主要的模塊，分別是PLL模塊，異步FIFO 寫模塊，異步FIFO讀模塊，SDRAM接口控制模塊，SDRAM指令執(zhí)行模塊。 其中異步FIFO模塊解讀
2025-03-04 10:49:012301 
CameraLink、CoaXPress）轉(zhuǎn)換為計(jì)算機(jī)可處理的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。數(shù)據(jù)緩沖：通過高速緩存（如DDR、SDRAM）緩解數(shù)據(jù)傳輸速率與計(jì)算機(jī)處理速度的不匹配。協(xié)議解
2025-03-03 14:36:08787 
怎樣修改固件會將開機(jī)時(shí)顯示的為無啟動(dòng)畫面且為外部輸入模式呢？或者說有什么工具可以修改呢？
2025-02-27 06:08:21
為了加深讀者對 FPGA 端控制架構(gòu)的印象，在數(shù)據(jù)讀取的控制部分，首先我們可以將SDRAM 想作是一個(gè)自來水廠，清水得先送至用戶樓上的水塔中存放，在家里轉(zhuǎn)開水龍頭要用水時(shí)，才能及時(shí)供應(yīng)，相同
2025-02-26 15:27:091813 
command.v文件對應(yīng)圖中SDRAM指令執(zhí)行模塊，它會從SDRAM接口控制模塊接收指令，然后產(chǎn)生控制信號直接輸出到SDRAM器件來完成所接收指令的動(dòng)作。
2025-02-25 10:32:121034 
VMware vsan架構(gòu)采用2+1模式。每臺設(shè)備只有一個(gè)磁盤組（7+1），緩存盤的大小為240GB，容量盤的大小為1.2TB。
由于其中一臺主機(jī)（0號組設(shè)備）的緩存盤出現(xiàn)故障，導(dǎo)致VMware虛擬化環(huán)境中搭建的2臺虛擬機(jī)的磁盤文件（vmdk）丟失。
2025-02-23 17:05:54701
您好，最近購買了貴司的DLP4710LC開發(fā)模塊，我了解到其有32位輸入數(shù)據(jù)總線，我想知道數(shù)據(jù)的加載方式是怎樣的，就是這32位數(shù)據(jù)總線是如何控制1920×1080個(gè)像素的，他的工作流程是怎樣的，相關(guān)資料有嗎，謝謝。
2025-02-20 06:51:46
在用高速AD采樣時(shí)當(dāng)采樣開始后發(fā)現(xiàn)輸入信號質(zhì)量惡化，感覺應(yīng)該是采樣時(shí)鐘的影響，請問怎樣隔離
2025-02-14 08:09:27
按鍵KEY1觸發(fā)寫，將計(jì)數(shù)器產(chǎn)生的0到255的數(shù)據(jù)寫到FIFO寫模塊里面，繼而寫到SDRAM 器件里面。
2025-02-07 09:33:411192 
使用25M的采樣頻率對1M的信號進(jìn)行采樣，ADS4129以12位cmos電平輸出，出來后的數(shù)據(jù)接緩存器SN74AVC16244，緩存器工作電壓是3.3V，在工作過程中緩存器很燙，芯片管腳沒有短路
2025-02-07 08:42:27
請問，ADS1210的校準(zhǔn)功能怎么使用？具體的流程怎樣？ 如果在開始就設(shè)置好校準(zhǔn)模式為 Self-Calibration 模式，那么在讀 DOR 的過程中，需要對 OCR 或 FCR操作嗎？
2025-02-07 07:22:33
隨著信息技術(shù)的不斷進(jìn)步，存儲設(shè)備作為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的核心組成部分，其性能與穩(wěn)定性直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行效率。固態(tài)硬盤（Solid State Disk，簡稱SSD）作為新一代存儲設(shè)備，以其高速讀寫、低
2025-02-06 16:35:364682 在程序運(yùn)行結(jié)束后不會自動(dòng)釋放。這可能會導(dǎo)致程序頻繁讀寫文件后可用物理內(nèi)存變得很少，必要時(shí)(比如內(nèi)存確實(shí)不夠用)，需要主動(dòng)釋放緩存內(nèi)存。 注意：一般情況下，是不推薦主動(dòng)釋放緩存內(nèi)存的，除非你有非常明確的需求，比如測試程序緩存內(nèi)存的使用情況，
2025-01-16 10:04:022241 數(shù)據(jù)庫中的熱數(shù)據(jù)緩存在redis/本地緩存中，代碼如下： ? @Cacheable(value = { "per" }, key="#person.getId
2025-01-14 15:18:041250 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-178：ADSP-TS101S TigerSHARC片上SDRAM控制器.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-14 15:00:140 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-326: Blackfin處理器與SDRAM技術(shù).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-07 14:38:140 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-162：通過外部存儲器總線將ADSP-BF535 Blackfin處理器與高速轉(zhuǎn)換器連接.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-07 14:24:490 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-286：SDRAM存儲器與SHARC處理器的接口.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-06 15:47:010 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-127：ADSP-21065L片內(nèi)SDRAM控制器.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-06 15:45:000
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論