電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）芯片，一直被譽(yù)為 人類智慧、工程協(xié)作與精密制造的集大成者 ，而制造芯片的重要設(shè)備光刻機(jī)就是 雕刻這個(gè)結(jié)晶的 “ 神之手 ”。但僅有光刻機(jī)還不夠，還需要光刻膠、掩膜版以及
2025-10-28 08:53:35
6234 ，中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所高功率激光元件技術(shù)與工程部研究團(tuán)隊(duì)在中紅外光譜合束光柵研究方面取得新進(jìn)展，相關(guān)研究成果以“Robust volcano-shaped gold-coated
2025-12-24 06:38:3830 
、5G網(wǎng)絡(luò)、衛(wèi)星通信、激光雷達(dá)等領(lǐng)域。近期，蘇州納米所納米加工平臺(tái)基于在InP材料外延、器件設(shè)計(jì)、器件制備等方面的積累在InP基半導(dǎo)體激光器領(lǐng)域取得了重要進(jìn)展。 進(jìn)展1：低閾值高功率單模激光器 DFB激光器因其窄線寬、高邊模抑制比和低相位噪聲優(yōu)勢(shì)已成為光纖
2025-12-23 06:50:0529 
從協(xié)議到實(shí)踐——EtherNet/IP與NetStaX的最新進(jìn)展
2025-12-19 15:26:55990 
2025年半導(dǎo)體芯片技術(shù)多領(lǐng)域創(chuàng)新突破，應(yīng)用前景無限 概述 近期，半導(dǎo)體芯片技術(shù)在硬件與軟件優(yōu)化、量子計(jì)算、設(shè)計(jì)工具、汽車與消費(fèi)電子應(yīng)用等多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域取得顯著進(jìn)展。臺(tái)積電等領(lǐng)軍企業(yè)技術(shù)突破，以及AI
2025-12-17 11:18:42887 收購湖北三峽實(shí)驗(yàn)室重大科技成果“光刻膠用光引發(fā)劑制備專有技術(shù)及實(shí)驗(yàn)設(shè)備所有權(quán)”，標(biāo)志著我國(guó)在這一關(guān)鍵材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破性進(jìn)展。 ? “這不僅是一項(xiàng)技術(shù)成果的市場(chǎng)轉(zhuǎn)化，更是我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控進(jìn)程中的重要突破?！睒I(yè)內(nèi)專家
2025-12-17 09:16:275950 在半導(dǎo)體制造過程中，晶圓去膠工藝之后確實(shí)需要進(jìn)行清洗和干燥步驟。以下是具體介紹：一、清洗的必要性去除殘留物光刻膠碎片：盡管去膠工藝旨在完全去除光刻膠，但在實(shí)際操作中，可能會(huì)有一些微小的光刻膠顆粒殘留
2025-12-16 11:22:10110 
在Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2025) 上，Soitec 的寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品設(shè)計(jì)經(jīng)理 Eric Guiot 代表 Soitec 分享了我們?cè)谔蓟瑁⊿iC）技術(shù)方面的最新進(jìn)展。
2025-12-13 15:50:181689 11月26日，立訊精密在最新的投資者關(guān)系活動(dòng)記錄中披露了在人形機(jī)器人領(lǐng)域的最新進(jìn)展。
2025-12-03 14:50:35817 在芯片制造這場(chǎng)微觀世界的雕刻盛宴中，光刻膠（PR）如同一位技藝精湛的工匠手中的隱形畫筆，在硅片這片“晶圓畫布”上勾勒出億萬個(gè)晶體管組成的復(fù)雜電路。然而，這支“畫筆”卻成了中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)最難突破的瓶頸之一：
2025-11-29 09:31:004623 
晶圓邊緣曝光（WEE）作為半導(dǎo)體制造關(guān)鍵精密工藝，核心是通過光刻膠光化學(xué)反應(yīng)去除晶圓邊緣多余膠層，從源頭減少污染、提升產(chǎn)品良率。文章聚焦其四階段工作流程、核心參數(shù)要求及光機(jī)電協(xié)同等技術(shù)難點(diǎn)。友思特
2025-11-27 23:40:39243 
Labs（芯科科技）亞太區(qū)業(yè)務(wù)副總裁王祿銘、中國(guó)大陸區(qū)總經(jīng)理周巍及臺(tái)灣區(qū)總經(jīng)理寶陸格就公司技術(shù)路線、產(chǎn)品策略及市場(chǎng)趨勢(shì)回答了媒體提問。三位高管圍繞安全認(rèn)證、無線連接、邊緣計(jì)算等議題，介紹了公司在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的最新進(jìn)展。
2025-11-13 10:48:13946 如有雷同或是不當(dāng)之處，還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 在半導(dǎo)體行業(yè)，光刻（Photo）工藝技術(shù)就像一位技藝高超的藝術(shù)家，負(fù)責(zé)將復(fù)雜的電路圖案從掩模轉(zhuǎn)印到光滑的半導(dǎo)體晶圓上。作為制造過
2025-11-10 09:27:481749 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李彎彎）2025年10月27日，VESA（視頻電子標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)）在深圳益田威斯汀酒店舉辦新聞發(fā)布會(huì)，詳細(xì)介紹了DisplayPort汽車擴(kuò)展標(biāo)準(zhǔn)（DP AE）的最新進(jìn)展，同時(shí)分享了
2025-11-08 10:43:0110205 
近日，上揚(yáng)軟件與其長(zhǎng)期合作伙伴新進(jìn)半導(dǎo)體再度達(dá)成深度合作共識(shí)，將為其在宜興建設(shè)的全新6英寸產(chǎn)線提供CIM解決方案，涵蓋MES（制造執(zhí)行系統(tǒng)）、EAP（設(shè)備自動(dòng)化程序）、RMS（配方管理系統(tǒng)）等核心
2025-11-07 13:47:17576 科技，涵蓋 光通信、光學(xué)、半導(dǎo)體、激光、量子、紅外及傳感 等領(lǐng)域。本屆展會(huì)將匯聚全球領(lǐng)先企業(yè)與創(chuàng)新力量，通過技術(shù)展覽、商貿(mào)對(duì)接、高端論壇等多元場(chǎng)景，深度呈現(xiàn)光電技術(shù)在半導(dǎo)體、量子技術(shù)、先進(jìn)制造、生物醫(yī)療、消費(fèi)電子等關(guān)鍵領(lǐng)域的創(chuàng)新成果與應(yīng)用前景
2025-11-07 10:42:44422 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日，我國(guó)半導(dǎo)體材料領(lǐng)域迎來重大突破。北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院彭海琳教授團(tuán)隊(duì)及合作者通過冷凍電子斷層掃描技術(shù)，首次在原位狀態(tài)下解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的微觀三維結(jié)構(gòu)、界面
2025-10-27 09:13:046178 
近日，深圳穩(wěn)頂聚芯技術(shù)有限公司（簡(jiǎn)稱“穩(wěn)頂聚芯”）宣布，其自主研發(fā)的首臺(tái)國(guó)產(chǎn)高精度步進(jìn)式光刻機(jī)已成功出廠，標(biāo)志著我國(guó)在半導(dǎo)體核心裝備領(lǐng)域取得新進(jìn)展。 此次穩(wěn)頂聚芯出廠的步進(jìn)式光刻機(jī)屬于WS180i
2025-10-10 17:36:33929 意法半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱ST）公布了其位于法國(guó)圖爾的試點(diǎn)生產(chǎn)線開發(fā)下一代面板級(jí)包裝（PLP）技術(shù)的最新進(jìn)展。該生產(chǎn)線預(yù)計(jì)將于2026年第三季度投入運(yùn)營(yíng)。
2025-10-10 09:39:42608 清洗策略半導(dǎo)體制造過程中產(chǎn)生的污染物可分為四類：顆粒物（灰塵/碎屑）、有機(jī)殘留（光刻膠/油污）、金屬離子污染、氧化層。針對(duì)不同類型需采用差異化的解決方案：顆粒物清除
2025-10-09 13:40:46705 
半導(dǎo)體腐蝕清洗機(jī)是集成電路制造過程中不可或缺的關(guān)鍵設(shè)備，其作用貫穿晶圓加工的多個(gè)核心環(huán)節(jié)，具體體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：一、精準(zhǔn)去除表面污染物與殘留物在半導(dǎo)體工藝中，光刻、刻蝕、離子注入等步驟會(huì)留下多種
2025-09-25 13:56:46497 
摩矽半導(dǎo)體：專耕半導(dǎo)體行業(yè)20年，推動(dòng)半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展！
2025-09-24 09:52:052102 
、金屬屑），優(yōu)先選擇物理作用強(qiáng)的超聲波或兆聲波模塊；針對(duì)有機(jī)殘留（光刻膠、樹脂）、油污等，則需化學(xué)溶解能力強(qiáng)的噴淋系統(tǒng)配合溶劑（如丙酮、NMP）。對(duì)于金屬離子污染，
2025-09-22 11:04:05463 
圖1 肘形圖形為目標(biāo)圖形，不同方法得到的全息掩模分布、空間像與光刻膠輪廓 近日，中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所高端光電裝備部李思坤研究員團(tuán)隊(duì)在全息光刻研究方面取得進(jìn)展。相關(guān)成果以
2025-09-19 09:19:56443 
光刻膠剝離工藝是半導(dǎo)體制造和微納加工中的關(guān)鍵步驟，其核心目標(biāo)是高效、精準(zhǔn)地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結(jié)構(gòu)。以下是該工藝的主要類型及實(shí)施要點(diǎn)：濕法剝離技術(shù)有機(jī)溶劑溶解法原理：使用丙酮、NMP
2025-09-17 11:01:271282 
%。至少將GAA納米片提升幾個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)。
2、晶背供電技術(shù)
3、EUV光刻機(jī)與其他競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)
光刻技術(shù)是制造3nm、5nm等工藝節(jié)點(diǎn)的高端半導(dǎo)體芯片的關(guān)鍵技術(shù)。是將設(shè)計(jì)好的芯片版圖圖形轉(zhuǎn)移到硅晶圓上的一種精細(xì)
2025-09-15 14:50:58
近日，來自中國(guó)的晶眾光電科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“晶眾”）自主研發(fā)的InAs/GaSb II型超晶格SESAM技術(shù)，在國(guó)際頂尖光學(xué)期刊《Optics Letters》上再次獲得關(guān)注，這一成就標(biāo)志著中國(guó)在高端光電技術(shù)領(lǐng)域取得了重要突破。
2025-09-11 15:06:30913 提高光刻膠殘留清洗效率需要結(jié)合工藝優(yōu)化、設(shè)備升級(jí)和材料創(chuàng)新等多方面策略，以下是具體方法及技術(shù)要點(diǎn)：1.工藝參數(shù)精準(zhǔn)控制動(dòng)態(tài)調(diào)整化學(xué)配方根據(jù)殘留類型（正膠/負(fù)膠、厚膜/薄膜）實(shí)時(shí)匹配最佳溶劑組合。例如
2025-09-09 11:29:06627 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 ?三安半導(dǎo)體在近期發(fā)布的中報(bào)里公開了不少關(guān)于碳化硅業(yè)務(wù)的新進(jìn)展，包括器件產(chǎn)品、客戶導(dǎo)入、產(chǎn)能等信息。 ? 在產(chǎn)能方面，湖南三安在職員工1560人，已經(jīng)擁有6英寸碳化硅配套產(chǎn)能
2025-09-09 07:31:001630 引言 晶圓光刻圖形是半導(dǎo)體制造中通過光刻工藝形成的微米至納米級(jí)三維結(jié)構(gòu)（如光刻膠線條、接觸孔、柵極圖形等），其線寬、高度、邊緣粗糙度等參數(shù)直接決定后續(xù)蝕刻、沉積工藝的精度，進(jìn)而影響器件性能。傳統(tǒng)
2025-09-03 09:25:20648 
在芯片制造領(lǐng)域的光刻工藝中，光刻膠旋涂是不可或缺的基石環(huán)節(jié)，而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優(yōu)可測(cè)薄膜厚度測(cè)量?jī)xAF系列憑借高精度、高速度的特點(diǎn)，為光刻膠厚度監(jiān)測(cè)提供了可靠解決方案。
2025-08-22 17:52:461542 
這一突破的核心力量。 ? 然而，EUV光刻的廣泛應(yīng)用并非坦途，其光源本身存在反射損耗大、亮度低等固有缺陷，這對(duì)配套的光刻膠材料提出了前所未有的嚴(yán)苛要求——不僅需要具備高效的EUV吸收能力，還要在反應(yīng)機(jī)制的穩(wěn)定性、缺陷控制的精準(zhǔn)度等方面實(shí)
2025-08-17 00:03:004219 電子束光刻（EBL）是一種無需掩模的直接寫入式光刻技術(shù)，其工作原理是通過聚焦電子束在電子敏感光刻膠表面進(jìn)行納米級(jí)圖案直寫。
2025-08-14 10:07:212552 
當(dāng)您尋找可靠的國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體材料供應(yīng)商時(shí)，一家在光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈突破的企業(yè)正脫穎而出——久日新材（688199.SH）。這家光引發(fā)劑巨頭，正以令人矚目的速度在半導(dǎo)體核心材料國(guó)產(chǎn)化浪潮中嶄露頭角
2025-08-12 16:45:381160 半導(dǎo)體濕法去膠是一種通過化學(xué)溶解與物理輔助相結(jié)合的技術(shù)，用于高效、可控地去除晶圓表面的光刻膠及其他工藝殘留物。以下是其核心原理及關(guān)鍵機(jī)制的詳細(xì)說明：化學(xué)溶解作用溶劑選擇與反應(yīng)機(jī)制有機(jī)溶劑體系：針對(duì)正性光刻膠
2025-08-12 11:02:511505 
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日，八億時(shí)空宣布其KrF光刻膠萬噸級(jí)半導(dǎo)體制程高自動(dòng)化研發(fā)/量產(chǎn)雙產(chǎn)線順利建成，標(biāo)志著我國(guó)在中高端光刻膠領(lǐng)域的自主化進(jìn)程邁出關(guān)鍵一步。 ? 此次建成的KrF光刻膠產(chǎn)線采用
2025-08-10 03:26:009090 圖1 實(shí)驗(yàn)原理示意圖 近期，中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所超強(qiáng)激光科學(xué)與技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室賓建輝研究員團(tuán)隊(duì)在激光驅(qū)動(dòng)離子加速方面取得新進(jìn)展。相關(guān)研究成果分別以“Enhanced proton
2025-08-06 09:36:46517 
光刻工藝是芯片制造的關(guān)鍵步驟，其精度直接決定集成電路的性能與良率。隨著制程邁向3nm及以下，光刻膠圖案三維結(jié)構(gòu)和層間對(duì)準(zhǔn)精度的控制要求達(dá)納米級(jí)，傳統(tǒng)檢測(cè)手段難滿足需求。光子灣3D共聚焦顯微鏡憑借非
2025-08-05 17:46:43944 
浸泡的方式，用去離子水（DIWater）或其他溶劑清除晶圓表面的殘留物（如光刻膠碎片、蝕刻劑副產(chǎn)物、顆粒污染物等）。主要作用：確保前一道工序后的有害物質(zhì)被徹底去除
2025-08-04 14:53:231078 
于：光刻工藝后清洗：去除光刻膠殘留及顯影液副產(chǎn)物?？涛g后清潔：清除蝕刻副產(chǎn)物及側(cè)壁顆粒。先進(jìn)封裝：TSV（硅通孔）、Bumping（凸點(diǎn)）等3D結(jié)構(gòu)的窄縫污染物清除。
2025-07-23 15:06:54
晶圓蝕刻后的清洗是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，旨在去除蝕刻殘留物（如光刻膠、蝕刻產(chǎn)物、污染物等），同時(shí)避免對(duì)晶圓表面或結(jié)構(gòu)造成損傷。以下是常見的清洗方法及其原理：一、濕法清洗1.溶劑清洗目的：去除光刻膠
2025-07-15 14:59:011621 
圖1 激光燒蝕曲面元件示意圖 近期，中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所高功率激光元件技術(shù)與工程部魏朝陽研究員團(tuán)隊(duì)，在激光燒蝕曲面元件理論研究中取得新進(jìn)展。研究首次闡明激光燒蝕過程中曲面元件對(duì)形貌
2025-07-15 09:58:24462 
污染物。 方法：濕法化學(xué)清洗（如SC-1溶液）或超聲波清洗。 硅片拋光后清洗 目的：清除拋光液殘留（如氧化層、納米顆粒），避免影響后續(xù)光刻精度。 方法：DHF（氫氟酸）腐蝕+去離子水沖洗。 2. 光刻工序 光刻膠涂覆前清洗 目的：去除硅
2025-07-14 14:10:021016 厚膠量產(chǎn)到ArF浸沒式膠驗(yàn)證，從樹脂國(guó)產(chǎn)化到EUV原料突破，一場(chǎng)靜默卻浩蕩的技術(shù)突圍戰(zhàn)已進(jìn)入深水區(qū)。 ? 例如在248nm波長(zhǎng)的KrF光刻膠武漢太紫微的T150A膠以120nm分辨率和93.7%的良率通過中芯國(guó)際28nm產(chǎn)線驗(yàn)證，開創(chuàng)了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體光刻制造的新
2025-07-13 07:22:006083 光刻膠，又稱光致抗蝕劑，是一種關(guān)鍵的耐蝕劑刻薄膜材料。它在紫外光、電子束、離子束、X 射線等的照射或輻射下，溶解度會(huì)發(fā)生變化，主要應(yīng)用于顯示面板、集成電路和半導(dǎo)體分立器件等細(xì)微圖形加工作業(yè)。由于
2025-07-11 15:53:24430 
上半年，東風(fēng)汽車堅(jiān)定高質(zhì)量發(fā)展步伐，整體銷量逐月回升，經(jīng)營(yíng)質(zhì)量持續(xù)改善，自主品牌和新能源滲透率和收益性進(jìn)一步提升，半年累計(jì)終端銷售汽車111.6萬輛，轉(zhuǎn)型突破取得新進(jìn)展。
2025-07-10 15:29:16810 一、涂膠顯影設(shè)備：光刻工藝的“幕后守護(hù)者” 在半導(dǎo)體制造的光刻環(huán)節(jié)里，涂膠顯影設(shè)備與光刻機(jī)需協(xié)同作業(yè)，共同實(shí)現(xiàn)精密的光刻工藝。曝光工序前，涂膠機(jī)會(huì)在晶圓表面均勻涂覆光刻膠；曝光完成后，顯影設(shè)備則對(duì)晶
2025-07-03 09:14:54770 
引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻圖形線寬變化直接影響器件性能與集成度。精確控制光刻圖形線寬是保障工藝精度的關(guān)鍵。本文將介紹改善光刻圖形線寬變化的方法，并探討白光干涉儀在光刻圖形測(cè)量中
2025-06-30 15:24:55739 
引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻圖形的垂直度對(duì)器件的電學(xué)性能、集成密度以及可靠性有著重要影響。精準(zhǔn)控制光刻圖形垂直度是保障先進(jìn)制程工藝精度的關(guān)鍵。本文將系統(tǒng)介紹改善光刻圖形垂直度的方法，并
2025-06-30 09:59:13489 、蝕刻、薄膜沉積等工序，每個(gè)環(huán)節(jié)均需準(zhǔn)確溫控。以下以典型場(chǎng)景為例，闡述半導(dǎo)體直冷機(jī)Chiller的技術(shù)需求與解決方案：1、光刻工藝中的溫度穩(wěn)定性保障光刻膠涂布與曝
2025-06-26 15:39:09820 
引言 在晶圓上芯片制造工藝中，光刻膠剝離是承上啟下的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其效果直接影響芯片性能與良率。同時(shí)，光刻圖形的精確測(cè)量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻膠剝離方法，并探討白光
2025-06-25 10:19:48815 引言 在半導(dǎo)體及微納制造領(lǐng)域，光刻膠剝離工藝對(duì)金屬結(jié)構(gòu)的保護(hù)至關(guān)重要。傳統(tǒng)剝離液易造成金屬過度蝕刻，影響器件性能。同時(shí)，光刻圖形的精確測(cè)量是保障工藝質(zhì)量的關(guān)鍵。本文將介紹金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合
2025-06-24 10:58:22565 引言 在顯示面板制造的 ARRAY 制程工藝中，光刻膠剝離是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。銅布線在制程中廣泛應(yīng)用，但傳統(tǒng)光刻膠剝離液易對(duì)銅產(chǎn)生腐蝕，影響器件性能。同時(shí)，光刻圖形的精準(zhǔn)測(cè)量對(duì)確保 ARRAY 制程工藝精度
2025-06-18 09:56:08693 半導(dǎo)體藥液?jiǎn)卧–hemical Delivery Unit, CDU）是半導(dǎo)體前道工藝（FEOL）中的關(guān)鍵設(shè)備，用于精準(zhǔn)分配、混合和回收高純化學(xué)試劑（如蝕刻液、清洗液、顯影液等），覆蓋光刻、蝕刻
2025-06-17 11:38:08
一、產(chǎn)品概述全自動(dòng)Mask掩膜板清洗機(jī)是半導(dǎo)體光刻工藝中用于清潔光罩（Reticle/Mask）表面的核心設(shè)備，主要去除光刻膠殘留、顆粒污染、金屬有機(jī)物沉積及蝕刻副產(chǎn)物。其技術(shù)覆蓋濕法化學(xué)清洗、兆
2025-06-17 11:06:03
引言 在半導(dǎo)體制造過程中，光刻膠剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮（NMF）雖在光刻膠剝離方面表現(xiàn)出色，但因其高含量使用帶來的成本、環(huán)保等問題備受關(guān)注。同時(shí)，光刻圖形的精準(zhǔn)
2025-06-17 10:01:01678 近日，瑞豐光電受邀亮相DVN（東京）國(guó)際汽車照明研討會(huì)。本次研討會(huì)，瑞豐光電在現(xiàn)場(chǎng)展示了多項(xiàng)前沿技術(shù)并發(fā)表主題演講，詳細(xì)介紹了在車載光學(xué)領(lǐng)域的技術(shù)應(yīng)用實(shí)踐，以及在車內(nèi)外顯示交互的最新進(jìn)展。
2025-06-16 17:17:42957 通過使用光掩膜和光刻膠在基板上復(fù)制流體圖案的過程?；鍖⑼扛补瓒趸瘜咏^緣層和光刻膠。光刻膠在被紫外光照射后可以容易地用顯影劑溶解，然后在腐蝕后，流體圖案將留在基板上。無塵室(Cleanroom)排除掉空間范圍內(nèi)空氣中的微
2025-06-16 14:36:251070 引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻膠剝離是重要工序。傳統(tǒng)剝離液常對(duì)金屬層產(chǎn)生過度刻蝕，影響器件性能。同時(shí)，光刻圖形的精確測(cè)量也是確保制造質(zhì)量的關(guān)鍵。本文聚焦金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應(yīng)用，并
2025-06-16 09:31:51586 ? ? 引言 ? 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，光刻膠剝離工藝是關(guān)鍵環(huán)節(jié)，但其可能對(duì)器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響。同時(shí)，光刻圖形的精確測(cè)量對(duì)于保證芯片制造質(zhì)量至關(guān)重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方法，并介紹白光
2025-06-14 09:42:56736 一、光刻工藝概述 光刻工藝是半導(dǎo)體制造的核心技術(shù)，通過光刻膠在特殊波長(zhǎng)光線或者電子束下發(fā)生化學(xué)變化，再經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等工藝過程，將設(shè)計(jì)在掩膜上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，是現(xiàn)代半導(dǎo)體、微電子、信息產(chǎn)業(yè)
2025-06-09 15:51:162127 如果說最終制造出來的芯片是一道美食，那么光刻膠就是最初的重要原材料之一，而且是那種看起來可能不起眼，但卻能決定一道菜味道的關(guān)鍵輔料。 光刻膠（photoresist），在業(yè)內(nèi)又被稱為光阻或光阻劑
2025-06-04 13:22:51992 引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料，其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時(shí)，精準(zhǔn)測(cè)量光刻圖形對(duì)把控工藝質(zhì)量意義重大，白光干涉儀為此提供了有力的技術(shù)保障
2025-05-29 09:38:531108 
優(yōu)勢(shì)，為光刻圖形測(cè)量提供了可靠手段。 ? Micro OLED 陽極像素定義層制備方法 ? 傳統(tǒng)光刻工藝 ? 傳統(tǒng) Micro OLED 陽極像素定義層制備常采用光刻剝離工藝。首先在基板上沉積金屬層作為陽極材料，接著旋涂光刻膠，通過掩模版曝光使光刻膠發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，隨后
2025-05-23 09:39:17628 圖1.拼接曝光加工系統(tǒng) 衍射光柵廣泛應(yīng)用于精密測(cè)量、激光脈沖壓縮、光譜分析等領(lǐng)域。干涉光刻作為一種無掩膜曝光光刻方法，在衍射光柵加工制造方面具有高效率、高靈活度的優(yōu)勢(shì)。但干涉光刻加工的光柵尺寸在
2025-05-22 09:30:59570 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）FMCW激光雷達(dá)有了新進(jìn)展。近日FMCW激光雷達(dá)廠商Aeva宣布，通過與SICK?AG和LMI等工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)者合作，其應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化的高精度傳感器Eve?1系列
2025-05-18 00:02:005783 近日，在2025英特爾代工大會(huì)上，英特爾展示了多代核心制程和先進(jìn)封裝技術(shù)的最新進(jìn)展，這些突破不僅體現(xiàn)了英特爾在技術(shù)開發(fā)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新，也面向客戶需求提供了更高效、更靈活的解決方案。 在制程技術(shù)方面
2025-05-09 11:42:16626 
光刻圖形轉(zhuǎn)化軟件可以將gds格式或者gerber格式等半導(dǎo)體通用格式的圖紙轉(zhuǎn)換成如bmp或者tiff格式進(jìn)行掩模版加工制造，在掩膜加工領(lǐng)域或者無掩膜光刻領(lǐng)域不可或缺，在業(yè)內(nèi)也被稱為矢量圖形光柵化軟件
2025-05-02 12:42:10
近日，我們?cè)谖錆h舉辦了Create2025百度AI開發(fā)者大會(huì)，與全球各地的5000多名開發(fā)者，分享了百度在AI領(lǐng)域的新進(jìn)展。
2025-04-30 10:14:101219 光刻膠類型及特性光刻膠（Photoresist），又稱光致抗蝕劑，是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和光刻膠特性。
2025-04-29 13:59:337829 
及應(yīng)用的詳細(xì)介紹： 一、技術(shù)原理 化學(xué)反應(yīng)機(jī)制 氨水（NH?OH）：提供堿性環(huán)境，腐蝕硅片表面的自然氧化層（SiO?），使附著的顆粒脫離晶圓表面。 過氧化氫（H?O?）：作為強(qiáng)氧化劑，分解有機(jī)物（如光刻膠殘留）并氧化硅片表面，形成新的親水性
2025-04-28 17:22:334238 刻蝕工藝的核心機(jī)理與重要性 刻蝕工藝是半導(dǎo)體圖案化過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，與光刻機(jī)和薄膜沉積設(shè)備并稱為半導(dǎo)體制造的三大核心設(shè)備。刻蝕的主要作用是將光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到功能膜層，具體而言，是通過物理及化學(xué)
2025-04-27 10:42:452200 
納微半導(dǎo)體宣布將在5月6-8日參加于德國(guó)紐倫堡舉辦的PCIM 2025，全面展示氮化鎵和碳化硅技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車、電機(jī)馬達(dá)和工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用新進(jìn)展。
2025-04-27 09:31:571008 高精度超表面逆向設(shè)計(jì)方法及透射/反射雙功能的寬頻段聚焦渦旋光產(chǎn)生器示意圖 近日，中國(guó)科學(xué)院西安光機(jī)所超快光科學(xué)與技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室在太赫茲頻段超表面逆向設(shè)計(jì)領(lǐng)域取得新進(jìn)展，相關(guān)研究成果以《High
2025-04-22 06:12:21676 
——薄膜制作(Layer)、圖形光刻(Pattern)、刻蝕和摻雜，再到測(cè)試封裝，一目了然。 全書共分20章，根據(jù)應(yīng)用于半導(dǎo)體制造的主要技術(shù)分類來安排章節(jié)，包括與半導(dǎo)體制造相關(guān)的基礎(chǔ)技術(shù)信息；總體流程圖
2025-04-15 13:52:11
體驗(yàn)的 Live API 的最新進(jìn)展，以及正式面向開發(fā)者開放的高質(zhì)量視頻生成工具 Veo 2。近期，我們面向在 Google AI Studio 中使用 Gemini API 的開發(fā)者推出了許多不容錯(cuò)過的重要更新，一起來看看吧。
2025-04-12 16:10:431534 近日，華為公司常務(wù)董事、華為云計(jì)算CEO張平安在華為云生態(tài)大會(huì)2025上公布了AI基礎(chǔ)設(shè)施架構(gòu)突破性新進(jìn)展——推出基于新型高速總線架構(gòu)的CloudMatrix 384超節(jié)點(diǎn)集群，并宣布已在蕪湖數(shù)據(jù)中心規(guī)模上線。
2025-04-12 15:09:031836 數(shù)據(jù)中介的示意圖。
光刻膠
正性光刻膠中感光部分的光刻膠可以被腐蝕溶解掉，未感光部分的光刻膠不能被腐蝕溶解；復(fù)姓光刻膠的感光部分的光刻膠不能被腐蝕溶解，未感光部分的光刻膠可以被腐蝕溶解掉。如下圖所示
2025-04-02 15:59:44
在智能電動(dòng)汽車的時(shí)代浪潮中，每一次技術(shù)的突破都可能重塑未來的出行方式。2025年3月27日，備受矚目的中國(guó)智能電動(dòng)汽車科技與供應(yīng)鏈展覽會(huì)（CIES）于重慶國(guó)際博覽中心盛大開幕。在為期3天的展會(huì)中，東芝半導(dǎo)體攜豐富的車載相關(guān)產(chǎn)品及解決方案亮相會(huì)場(chǎng)，展示了公司在車載領(lǐng)域的尖端技術(shù)與最新進(jìn)展。
2025-03-28 09:10:201985 
，三合一工藝平臺(tái)，CMOS圖像傳感器工藝平臺(tái)，微電機(jī)系統(tǒng)工藝平臺(tái)。 光掩模版:基板，不透光材料 光刻膠:感光樹脂，增感劑，溶劑。 正性和負(fù)性。 光刻工藝: 涂光刻膠。掩模版向下曝光。定影和后烘固化蝕刻
2025-03-27 16:38:20
微流控芯片制造過程中，勻膠是關(guān)鍵步驟之一，而勻膠機(jī)轉(zhuǎn)速會(huì)在多個(gè)方面對(duì)微流控芯片的精度產(chǎn)生影響： 對(duì)光刻膠厚度的影響 勻膠機(jī)轉(zhuǎn)速與光刻膠厚度成反比關(guān)系。旋轉(zhuǎn)速度影響勻膠時(shí)的離心力，轉(zhuǎn)速越大，角速度越大
2025-03-24 14:57:16750 體。在光刻工藝過程中，用作抗腐蝕涂層材料。半導(dǎo)體材料在表面加工時(shí)，若采用適當(dāng)?shù)挠羞x擇性的光刻膠，可在表面上得到所需的圖像。光刻膠按其形成的圖像分類有正性、負(fù)性兩大類
2025-03-18 13:59:533005 
日前，京東方華燦的氮化鎵研發(fā)總監(jiān)馬歡應(yīng)半導(dǎo)體在線邀請(qǐng)，分享了關(guān)于氮化鎵器件的最新進(jìn)展，引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注。隨著全球半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)Ω咝阅堋⒏咝势骷男枨蟛粩嗉哟?，氮化鎵（GaN）技術(shù)逐漸成為新一代電子器件的熱點(diǎn)，其優(yōu)越的性能使其在電源轉(zhuǎn)換和射頻應(yīng)用中展現(xiàn)出巨大的潛力。
2025-03-13 11:44:261526 北京市最值得去的十家半導(dǎo)體芯片公司
原創(chuàng) 芯片失效分析 半導(dǎo)體工程師 2025年03月05日 09:41 北京
北京市作為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要基地，聚集了眾多在芯片設(shè)計(jì)、制造、設(shè)備及新興技術(shù)領(lǐng)域具有
2025-03-05 19:37:43
近日，華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)在上海舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)，共同探討SiC功率半導(dǎo)體在設(shè)計(jì)、制造、材料等領(lǐng)域的最新進(jìn)展及挑戰(zhàn)。
2025-02-28 17:33:531172 用的有機(jī)溶劑包括以下幾種： 丙酮 性質(zhì)與特點(diǎn)：丙酮是一種無色、具有特殊氣味的液體，它具有良好的溶解性，能溶解多種有機(jī)物，如油脂、樹脂等。在半導(dǎo)體清洗中，可有效去除晶圓表面的有機(jī)污染物，對(duì)于去除光刻膠等有機(jī)材料也有較好的
2025-02-24 17:19:571828 汽車結(jié)構(gòu)件焊接技術(shù)的最新進(jìn)展、應(yīng)用現(xiàn)狀以及未來發(fā)展趨勢(shì)三個(gè)方面進(jìn)行探討。
### 汽車結(jié)構(gòu)件焊接技術(shù)的最新進(jìn)展
近年來，隨著輕量化設(shè)計(jì)要求的提高，高強(qiáng)度鋼、鋁合金
2025-02-20 08:45:27844 過去兩年中，氮化鎵雖然發(fā)展迅速，但似乎已經(jīng)遇到了瓶頸。與此同時(shí)，不少垂直氮化鎵的初創(chuàng)企業(yè)倒閉或者賣盤，這引發(fā)大家對(duì)垂直氮化鎵未來的擔(dān)憂。為此，在本文中，我們先對(duì)氮化鎵未來的發(fā)展進(jìn)行分析，并討論了垂直氮化鎵器件開發(fā)的最新進(jìn)展以及相關(guān)的可靠性挑戰(zhàn)。
2025-02-17 14:27:362014 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最近氧化鎵領(lǐng)域又有了新的進(jìn)展。今年1月，鎵仁半導(dǎo)體宣布基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長(zhǎng)設(shè)備進(jìn)行工藝優(yōu)化，采用垂直布里奇曼（VB）法成功實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵單晶的導(dǎo)電型摻雜。本次
2025-02-17 09:13:241340 圖1 多物理場(chǎng)耦合模型示意圖 近期，中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所高功率激光元件技術(shù)與工程部研究團(tuán)隊(duì)在在激光燒蝕波紋的調(diào)制機(jī)理研究中取得新進(jìn)展。研究揭示了激光燒蝕波紋對(duì)光學(xué)元件損傷閾值的影響。相關(guān)
2025-02-14 06:22:37677 
半導(dǎo)體設(shè)備光刻機(jī)防震基座的安裝涉及多個(gè)關(guān)鍵步驟和考慮因素，以確保光刻機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行和產(chǎn)品質(zhì)量。首先，選擇合適的防震基座需要考慮適應(yīng)工作環(huán)境。由于半導(dǎo)體設(shè)備通常在潔凈的環(huán)境下運(yùn)行，因此選擇的搬運(yùn)工具如
2025-02-05 16:48:451240 
機(jī)和光刻膠： ? 光掩膜：如同芯片的藍(lán)圖，上面印有每一層結(jié)構(gòu)的圖案。 ? ? ?光刻機(jī)：像一把精確的畫筆，能夠引導(dǎo)光線在光刻膠上刻畫出圖案。 ? 光刻膠：一種特殊的感光材料，通過光刻過程在光刻膠上形成圖案，進(jìn)而構(gòu)建出三維結(jié)構(gòu)。
2025-01-28 16:36:003591 
隨著汽車照明技術(shù)的快速發(fā)展，新型光電子半導(dǎo)體器件不斷涌現(xiàn)，為汽車行業(yè)帶來革新。為保證駕駛安全，AEC Q102標(biāo)準(zhǔn)作為國(guó)際公認(rèn)的規(guī)范，為車載光電子半導(dǎo)體器件的質(zhì)量和可靠性設(shè)立了嚴(yán)格的要求，對(duì)推動(dòng)整個(gè)汽車行業(yè)的發(fā)展具有重要意義。
2025-01-16 09:22:52973 
供應(yīng)商保持著長(zhǎng)期合作關(guān)系。近日，Qorvo資深產(chǎn)品行銷經(jīng)理陳慶鴻（Footmark Chen）與Qorvo亞太區(qū)無線連接事業(yè)部高級(jí)行銷經(jīng)理林健富（Jeff Lin）接受了DigiTimes的專訪，深入探討了Qorvo在手機(jī)RF和Wi-Fi 7技術(shù)上的最新進(jìn)展及市場(chǎng)策略，以下是根據(jù)此次專訪整理的報(bào)告。
2025-01-15 14:45:531187 上期介紹了TGV技術(shù)的國(guó)內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀，今天小編繼續(xù)為大家介紹TGV關(guān)鍵技術(shù)新進(jìn)展。TGV工藝流程中，成孔技術(shù)，填充工藝為兩大核心難度較高。? 成孔技術(shù) TGV成孔技術(shù)需兼顧成本、速度及質(zhì)量要求，制約
2025-01-09 15:11:432809 
用先進(jìn)材料項(xiàng)目等。 恒坤新材成立于2004年12月，是中國(guó)境內(nèi)少數(shù)具備12英寸集成電路晶圓制造關(guān)鍵材料研發(fā)和量產(chǎn)能力的創(chuàng)新企業(yè)之一。據(jù)其股東廈門市產(chǎn)業(yè)投資基金披露，恒坤新材是國(guó)內(nèi)12英寸晶圓制造先進(jìn)制程上出貨量最大的光刻膠企業(yè)。 根據(jù)弗若斯特沙利文市
2025-01-07 17:38:55843 一、烘膠技術(shù)在微流控中的作用 提高光刻膠穩(wěn)定性 在 微流控芯片 制作過程中，光刻膠經(jīng)過顯影后，進(jìn)行烘膠（堅(jiān)膜）能使光刻膠結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定。例如在后續(xù)進(jìn)行干法刻蝕、濕法刻蝕或者LIGA等工藝時(shí)，烘膠可以讓
2025-01-07 15:18:06824 泊蘇 Type C 系列防震基座在半導(dǎo)體光刻加工電子束光刻設(shè)備的應(yīng)用案例-江蘇泊蘇系統(tǒng)集成有限公司一、企業(yè)背景與光刻加工電子束光刻設(shè)備挑戰(zhàn)某大型半導(dǎo)體制造企業(yè)專注于高端芯片的研發(fā)與生產(chǎn)
2025-01-07 15:13:21
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