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相對(duì)漏電起痕指數(shù)失效分析

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芯片失效分析的主要步驟芯片開封:去除IC封膠,同時(shí)保持芯片功能的完整無損,保持die,bondpads,bondwires乃至lead-frame不受損傷,為下一步芯片失效分析實(shí)驗(yàn)做準(zhǔn)備。SEM
2025-07-11 10:01:152706

針對(duì)芯片失效的專利技術(shù)與解決方法

,為了弄清楚各類異常所導(dǎo)致的失效根本原因,IC失效分析也同樣在行業(yè)內(nèi)扮演著越來越重要的角色。一塊芯片上集成的器件可達(dá)幾千萬,因此進(jìn)行集成電路失效分析必須具備先進(jìn)、準(zhǔn)確的技術(shù)和設(shè)備,并由具有相關(guān)專業(yè)知識(shí)的半導(dǎo)體分析人員開展分析工作。
2025-07-10 11:14:34591

淺談封裝材料失效分析

在電子封裝領(lǐng)域,各類材料因特性與應(yīng)用場景不同,失效模式和分析檢測方法也各有差異。
2025-07-09 09:40:52999

芯片封裝失效的典型現(xiàn)象

本文介紹了芯片封裝失效的典型現(xiàn)象:金線偏移、芯片開裂、界面開裂、基板裂紋和再流焊缺陷。
2025-07-09 09:31:361505

LED失效的典型機(jī)理分析

一、芯片缺陷在LED器件的失效案例中,芯片缺陷是一個(gè)不容忽視的因素。失效的LED器件表現(xiàn)出正向壓降(Vf)增大的現(xiàn)象,在電測過程中,隨著正向電壓的增加,樣品仍能發(fā)光,這暗示著LED內(nèi)部可能存在電連接
2025-07-08 15:29:13561

帶單點(diǎn)失效保護(hù)的15W電源管理方案

芯片單點(diǎn)失效保護(hù)是一種關(guān)鍵的安全設(shè)計(jì)機(jī)制,旨在確保當(dāng)芯片的某一組件發(fā)生故障時(shí),系統(tǒng)不會(huì)完全崩潰或引發(fā)連鎖性失效,而是進(jìn)入預(yù)設(shè)的安全狀態(tài)。今天推薦的15W電源管理方案,主控芯片就自帶單點(diǎn)失效保護(hù)功能。接下來,一走進(jìn)U6218C+U7712電源方案組合!
2025-07-08 13:44:17766

LED芯片失效和封裝失效的原因分析

芯片失效和封裝失效的原因,并分析其背后的物理機(jī)制。金鑒實(shí)驗(yàn)室是一家專注于LED產(chǎn)業(yè)的科研檢測機(jī)構(gòu),致力于改善LED品質(zhì),服務(wù)LED產(chǎn)業(yè)鏈中各個(gè)環(huán)節(jié),使LED產(chǎn)業(yè)健康
2025-07-07 15:53:25765

上海貝嶺能效管理芯片的漏電監(jiān)測方案

實(shí)現(xiàn)漏電監(jiān)測的一種方法就是利用零序互感器監(jiān)測電路中電流的矢量平衡狀態(tài)。理想狀態(tài)下的電路中進(jìn)線與出線的電流大小相等,方向相反,二者的矢量和為零,當(dāng)電路發(fā)生漏電時(shí)部分電流會(huì)通過漏電路徑流向大地或其他非
2025-07-05 13:07:02916

連接器會(huì)失效情況分析?

連接器失效可能由電氣、機(jī)械、環(huán)境、材料、設(shè)計(jì)、使用不當(dāng)或壽命到期等多種原因引起。通過電氣、機(jī)械、外觀和功能測試,可以判斷連接器是否失效。如遇到失效的情況需要及時(shí)更新,保證工序的正常進(jìn)行。
2025-06-27 17:00:56654

電解電容的漏電流問題如何解決?

電解電容作為電子電路中常用的儲(chǔ)能元件,在電源濾波、能量存儲(chǔ)等方面發(fā)揮著重要作用。然而,電解電容的漏電流問題一直是影響其性能和可靠性的關(guān)鍵因素。漏電流不僅會(huì)導(dǎo)致能量損耗,還可能引發(fā)電路故障,因此需要
2025-06-24 14:23:17684

順絡(luò)貼片電容的漏電流問題如何解決?

順絡(luò)貼片電容的漏電流問題如何解決?要解決順絡(luò)貼片電容的漏電流問題,可以從以下方面入手: 1、選型與材料優(yōu)化 選擇優(yōu)質(zhì)型號(hào):優(yōu)先選擇質(zhì)量可靠、穩(wěn)定性好的順絡(luò)貼片電容,如具有低漏電流特性的X7R或X5R
2025-06-19 15:07:54568

MDD肖特基整流橋失效模式解析:溫升、漏電與擊穿的工程應(yīng)對(duì)

失效的問題,如溫升過高、反向漏電流異常、器件擊穿等。本文將系統(tǒng)解析肖特基整流橋的三大典型失效模式及其背后的機(jī)理,并提出具體的設(shè)計(jì)與使用建議,助力提升電路的穩(wěn)定性與可
2025-06-19 09:49:49820

SEM掃描電鏡斷裂失效分析

中圖儀器SEM掃描電鏡斷裂失效分析采用鎢燈絲電子槍,其電子槍發(fā)射電流大、穩(wěn)定性好,以及對(duì)真空度要求不高,使得鎢燈絲臺(tái)式掃描電鏡能夠在較短的時(shí)間內(nèi)達(dá)到穩(wěn)定的工作狀態(tài)并獲得清晰的圖像,從而提高了檢測效率
2025-06-17 15:02:09

普通整流橋失效模式大解析:短路、過熱與浪涌沖擊應(yīng)對(duì)策略

在電子電源設(shè)計(jì)中,MDD普通整流橋作為AC轉(zhuǎn)DC的核心器件,被廣泛應(yīng)用于適配器、家電、照明、工業(yè)電源等領(lǐng)域。盡管普通整流橋結(jié)構(gòu)相對(duì)簡單,但其失效問題仍是影響系統(tǒng)穩(wěn)定性和壽命的重要隱患。本文將從
2025-06-13 09:48:131158

抗靜電指標(biāo)差的LED失效分析案例曝光!

隨著LED業(yè)內(nèi)競爭的不斷加劇,LED品質(zhì)受到了前所未有的重視。LED在制造、運(yùn)輸、裝配及使用過程中,生產(chǎn)設(shè)備、材料和操作者都有可能給LED帶來靜電(ESD)損傷,導(dǎo)致LED過早出現(xiàn)漏電流增大,光衰
2025-05-28 18:08:32608

MDD穩(wěn)壓二極管失效模式分析:開路、熱擊穿與漏電問題排查

電路的供電穩(wěn)定性甚至導(dǎo)致系統(tǒng)癱瘓。因此,深入了解其典型失效模式,如開路、熱擊穿和漏電流異常,是每位工程師必須掌握的故障排查技能。一、開路失效:電路中的“隱形人”開路
2025-05-16 09:56:081095

離子研磨在芯片失效分析中的應(yīng)用

芯片失效分析中對(duì)芯片的截面進(jìn)行觀察,需要對(duì)樣品進(jìn)行截面研磨達(dá)到要觀察的位置,而后再采用光學(xué)顯微鏡(OM Optical Microscopy)或者掃描電子顯微(SEM Scanning Electron Microscopy)進(jìn)行形貌觀察。
2025-05-15 13:59:001657

元器件失效分析有哪些方法?

失效分析的定義與目標(biāo)失效分析是對(duì)失效電子元器件進(jìn)行診斷的過程。其核心目標(biāo)是確定失效模式和失效機(jī)理。失效模式指的是我們觀察到的失效現(xiàn)象和形式,例如開路、短路、參數(shù)漂移、功能失效等;而失效機(jī)理則是指導(dǎo)
2025-05-08 14:30:23910

MDDTVS管失效模式大底:熱擊穿、漏電流升高與反向擊穿問題解析

、漏電流升高與反向擊穿,幫助大家深入理解失效機(jī)理,提升電路防護(hù)的可靠性。一、熱擊穿:過載能量導(dǎo)致的不可逆損傷熱擊穿是TVS管最常見、也最致命的失效方式之一。它通常
2025-04-28 13:37:05954

破局SiC封裝瓶頸 | 攻克模組失效分析全流程問題

分析方面面臨諸多挑戰(zhàn),尤其是在化學(xué)開封、X-Ray和聲掃等測試環(huán)節(jié),國內(nèi)技術(shù)尚不成熟?;诖?,廣電計(jì)量集成電路測試與分析研究所推出了先進(jìn)封裝SiC功率模組失效分析
2025-04-25 13:41:41747

MDD超快恢復(fù)二極管的典型失效模式分析:如何避免過熱與短路?

使用環(huán)境導(dǎo)致失效,常見的失效模式主要包括過熱失效和短路失效。1.過熱失效及其規(guī)避措施過熱失效通常是由于功率損耗過大、散熱不良或工作環(huán)境溫度過高導(dǎo)致的。主要成因包括:正向
2025-04-11 09:52:17685

電子元器件失效分析與典型案例(全彩版)

本資料共分兩篇,第一篇為基礎(chǔ)篇,主要介紹了電子元器件失效分析基本概念、程序、技術(shù)及儀器設(shè)備;第二篇為案例篇,主要介紹了九類元器件的失效特點(diǎn)、失效模式和失效機(jī)理以及有效的預(yù)防和控制措施,并給出九類
2025-04-10 17:43:54

程斯-漏電測試儀-英文解說視頻

測試儀
jf_62302303發(fā)布于 2025-04-03 14:25:07

程斯-漏電測試儀-英文解說視頻

測試儀
jf_62302303發(fā)布于 2025-04-03 14:24:20

IGBT高溫漏電流和電壓阻斷能力固有缺陷是其被淘汰的根本原因

(1.1 eV),高溫下本征載流子濃度呈指數(shù)級(jí)增長。當(dāng)溫度從25°C升至175°C時(shí),漏電流(如ICES)可從微安級(jí)升至毫安級(jí)(例如某IGBT在1200V下的漏電流從20μA升至50mA)。漏電流增大會(huì)導(dǎo)致靜態(tài)功耗(Pleakage=VCE×ICES)顯著上升,引發(fā)局部溫升,形成熱失控循環(huán),最終
2025-03-31 12:12:081420

開關(guān)電源會(huì)出現(xiàn)漏電的情況,這種情況該怎么避免漏電?

開關(guān)電源會(huì)出現(xiàn)漏電的情況,這種情況該怎么避免漏電?
2025-03-31 06:17:05

詳解半導(dǎo)體集成電路的失效機(jī)理

半導(dǎo)體集成電路失效機(jī)理中除了與封裝有關(guān)的失效機(jī)理以外,還有與應(yīng)用有關(guān)的失效機(jī)理。
2025-03-25 15:41:371791

HDI板激光盲孔底部開路失效原因分析

高密度互聯(lián)(HDI)板的激光盲孔技術(shù)是5G、AI芯片的關(guān)鍵工藝,但孔底開路失效卻讓無數(shù)工程師頭疼!SGS微電子實(shí)驗(yàn)室憑借在失效分析領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn),總結(jié)了一些失效分析經(jīng)典案例,旨在為工程師提供更優(yōu)
2025-03-24 10:45:391271

PCB失效分析技術(shù):保障電子信息產(chǎn)品可靠性

問題。為了確保PCB的質(zhì)量和可靠性,失效分析技術(shù)顯得尤為重要。外觀檢查外觀檢查是失效分析的第一步,通過目測或借助簡單儀器(如立體顯微鏡、金相顯微鏡或放大鏡)對(duì)PC
2025-03-17 16:30:54935

變頻器出現(xiàn)漏電問題分析及解決措施

變頻器控制電機(jī)時(shí),有時(shí)會(huì)出現(xiàn)漏電問題,漏電電壓可能在幾十伏到二百伏之間。以下是對(duì)變頻器漏電問題的詳細(xì)分析: 一、漏電原因 1. 電磁感應(yīng)原理: ? ?● 電動(dòng)機(jī)的三相定子繞組流過電流后產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)磁場
2025-03-16 07:37:162723

封裝失效分析的流程、方法及設(shè)備

本文首先介紹了器件失效的定義、分類和失效機(jī)理的統(tǒng)計(jì),然后詳細(xì)介紹了封裝失效分析的流程、方法及設(shè)備。
2025-03-13 14:45:411819

太誘電容的失效分析:裂紋與短路問題

太誘電容的失效分析,特別是針對(duì)裂紋與短路問題,需要從多個(gè)角度進(jìn)行深入探討。以下是對(duì)這兩個(gè)問題的詳細(xì)分析: 一、裂紋問題 裂紋成因 : 熱膨脹系數(shù)差異 :電容器的各個(gè)組成部分(如陶瓷介質(zhì)、端電極
2025-03-12 15:40:021222

高密度封裝失效分析關(guān)鍵技術(shù)和方法

高密度封裝技術(shù)在近些年迅猛發(fā)展,同時(shí)也給失效分析過程帶來新的挑戰(zhàn)。常規(guī)的失效分析手段難以滿足結(jié)構(gòu)復(fù)雜、線寬微小的高密度封裝分析需求,需要針對(duì)具體分析對(duì)象對(duì)分析手法進(jìn)行調(diào)整和改進(jìn)。
2025-03-05 11:07:531289

恒流源輸出漏電問題分析和解決方案

這個(gè)問題是逛TI論壇時(shí)看到的一個(gè)恒流源輸出漏電的問題,原帖沒有給出合適的解決方案,并且這個(gè)問題比較經(jīng)典,所以與各位道友一同分享我的看法和解決思路。
2025-03-03 09:47:072038

IEC 60947-2用于充電樁漏電流保護(hù)標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證的可行性分析

歐洲地區(qū)對(duì)充電樁的標(biāo)準(zhǔn)與認(rèn)證執(zhí)行要求較高,本文從歐標(biāo)IEC不同的漏電流標(biāo)準(zhǔn)角度探討,如何滿足這些標(biāo)準(zhǔn)以降低設(shè)計(jì)復(fù)雜度和成本。通過對(duì)標(biāo)準(zhǔn)中機(jī)械耦合、電子耦合、漏電流檢測及控制電路的詳細(xì)解讀,本文提出了一種符合標(biāo)準(zhǔn)的可行性方案,我們歡迎各位讀者參與探討并提出寶貴的意見和建議。
2025-02-27 17:11:311607

程斯-漏電測試儀-英文視頻.

測試儀
csizhineng發(fā)布于 2025-02-22 14:23:48

程斯-漏電測試儀—AI解說視頻

測試儀
jf_62302303發(fā)布于 2025-02-19 13:43:31

芯片失效分析的方法和流程

、物理分析、材料表征等多種手段,逐步縮小問題范圍,最終定位失效根源。以下是典型分析流程及關(guān)鍵方法詳解: ? ? ? 前期信息收集與失效現(xiàn)象確認(rèn) 1.?失效背景調(diào)查 收集芯片型號(hào)、應(yīng)用場景、失效模式(如短路、漏電、功能異常等)、
2025-02-19 09:44:162908

誠衛(wèi)-漏電試驗(yàn)儀-解說視頻

儀器儀表
chenweizwg發(fā)布于 2025-02-18 16:28:42

傲穎-漏電試驗(yàn)儀-解說視頻

測試儀
jf_12990097發(fā)布于 2025-02-18 09:54:11

潤和軟件入選MSCI中國指數(shù)

2月12日,國際指數(shù)編制公司MSCI公布了其2025年2月的指數(shù)季度調(diào)整結(jié)果。其中,MSCI中國指數(shù)新納入8只股票。江蘇潤和軟件股份有限公司(以下簡稱“潤和軟件”,300339.SZ)憑借在行業(yè)中
2025-02-13 10:33:28748

雪崩失效和過壓擊穿哪個(gè)先發(fā)生

在電子與電氣工程領(lǐng)域,雪崩失效與過壓擊穿是兩種常見的器件失效模式,它們對(duì)電路的穩(wěn)定性和可靠性構(gòu)成了嚴(yán)重威脅。盡管這兩種失效模式在本質(zhì)上是不同的,但它們之間存在一定的聯(lián)系和相互影響。本文將深入探討雪崩失效與過壓擊穿的發(fā)生順序、機(jī)制、影響因素及預(yù)防措施,為技術(shù)人員提供全面、準(zhǔn)確的技術(shù)指導(dǎo)。
2025-01-30 15:53:001271

漏電繼電器多長時(shí)間檢查一次,漏電斷路器壞了怎么判斷

在電氣系統(tǒng)中,漏電繼電器與漏電斷路器作為關(guān)鍵的安全裝置,承擔(dān)著監(jiān)測電路中的漏電情況并在檢測到異常時(shí)及時(shí)切斷電源的重要職責(zé),以防止電擊事故和火災(zāi)等安全隱患。為了確保這些設(shè)備的正常運(yùn)行和電氣系統(tǒng)的整體安全,定期的檢查與維護(hù)是必不可少的。本文將深入探討漏電繼電器的檢查周期以及漏電斷路器的故障判斷方法。
2025-01-29 16:34:002411

漏電TVS—讓電池“超長待機(jī)

在使用電池供電的便攜電子產(chǎn)品里,降低漏電流是工程師會(huì)重點(diǎn)考慮的關(guān)鍵問題。比如給電池供電提供靜電浪涌保護(hù)的 TVS(瞬態(tài)電壓抑制二極管),它的漏電流就不容忽視。工程師常常測試多家版本的 TVS,即便是
2025-01-22 10:32:15858

PCB及PCBA失效分析的流程與方法

PCB失效分析:步驟與技術(shù)作為各種元器件的載體與電路信號(hào)傳輸?shù)臉屑~PCB(PrintedCircuitBoard,印刷電路板)已經(jīng)成為電子信息產(chǎn)品的最為重要而關(guān)鍵的部分,其質(zhì)量的好壞與可靠性水平?jīng)Q定
2025-01-20 17:47:011696

整流二極管失效分析方法

整流二極管失效分析方法主要包括對(duì)失效原因的分析以及具體的檢測方法。 一、失效原因分析 防雷、過電壓保護(hù)措施不力 : 整流裝置未設(shè)置防雷、過電壓保護(hù)裝置,或保護(hù)裝置工作不可靠,可能因雷擊或過電壓而損壞
2025-01-15 09:16:581589

LED失效分析重要手段——光熱分布檢測

光熱分布檢測意義在LED失效分析領(lǐng)域,光熱分布檢測技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色。LED作為一種高效的照明技術(shù),其性能和壽命受到多種因素的影響,其中光和熱的分布情況尤為關(guān)鍵。光熱分布不均可能導(dǎo)致芯片界面
2025-01-14 12:01:24738

漏電試驗(yàn)

漏電的定義與重要性當(dāng)固體絕緣材料在電場和電解液的聯(lián)合作用下,其表面可能會(huì)逐漸形成導(dǎo)電路徑,這種現(xiàn)象被稱為電化。材料對(duì)電化現(xiàn)象的抵抗能力,即其耐電化性能,是衡量絕緣材料絕緣性能優(yōu)劣的一個(gè)重要
2025-01-13 11:20:571013

不同頻率下的相對(duì)介電常數(shù)變化

相對(duì)介電常數(shù)是描述介質(zhì)對(duì)電場的響應(yīng)能力的物理量,通常隨頻率的變化而發(fā)生變化。以下是不同頻率下相對(duì)介電常數(shù)變化的分析: 一、低頻區(qū)域 在低頻區(qū)域,相對(duì)介電常數(shù)通常與頻率的關(guān)系呈現(xiàn)以下特點(diǎn): 極化過程
2025-01-10 10:12:074395

相對(duì)介電常數(shù)與介質(zhì)損耗的關(guān)系

相對(duì)介電常數(shù)與介質(zhì)損耗之間存在一定關(guān)系,但并非絕對(duì)的正比或反比關(guān)系,而是受到多種因素的影響。以下是對(duì)這種關(guān)系的分析: 一、基本概念 相對(duì)介電常數(shù) :表征介質(zhì)材料的介電性質(zhì)或極化性質(zhì)的物理參數(shù)。其值
2025-01-10 10:09:573683

開關(guān)電源漏電怎么辦?開關(guān)電源漏電流標(biāo)準(zhǔn)是什么?

在現(xiàn)在水電工程中,開關(guān)電源是必不可少的家居用品,開關(guān)電源漏電怎么辦,市面上開關(guān)電源產(chǎn)品還是不少的,功能很多,品牌也不少,所以,選擇的時(shí)候也需要特別注意。好的品牌就會(huì)避免漏電的情況出現(xiàn),開關(guān)電源漏電
2025-01-09 13:59:29

如何有效地開展EBSD失效分析

失效分析的重要性失效分析其核心任務(wù)是探究產(chǎn)品或構(gòu)件在服役過程中出現(xiàn)的各種失效形式。這些失效形式涵蓋了疲勞斷裂、應(yīng)力腐蝕開裂、環(huán)境應(yīng)力開裂引發(fā)的脆性斷裂等諸多類型。深入剖析失效機(jī)理,有助于工程師
2025-01-09 11:01:46996

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