鍵合工藝中,焊球與焊盤界面面積通常是引線橫截面積的3-6倍。這種情況下,即使界面結(jié)合存在缺陷,拉力測試中引線往往會在鍵合頸部上方的熱影響區(qū)先斷裂,導致界面質(zhì)量問題被掩蓋。研究證實,當焊球接觸面積達到
2025-12-31 09:09:40
一、讀寫均衡失效引發(fā)的核心問題 讀寫均衡(磨損均衡,Wear Leveling)是SD卡固件通過算法將數(shù)據(jù)均勻分配到閃存芯片各單元,避免局部單元過度擦寫的關鍵機制。瀚海微SD卡出現(xiàn)讀寫均衡失效后,會
2025-12-29 15:08:07
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今天結(jié)合電子整流器的核心原理,帶大家拆解整流器內(nèi)部器件,從結(jié)構(gòu)、失效原因到檢測方法逐一講透,文末還附上實操修復案例,新手也能看懂。
2025-12-28 15:24:43
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發(fā)光二極管(LED)作為現(xiàn)代照明和顯示技術(shù)的核心元件,其可靠性直接關系到最終產(chǎn)品的性能與壽命。與所有半導體器件相似,LED在早期使用階段可能出現(xiàn)失效現(xiàn)象,對這些失效案例進行科學分析,不僅能夠定位
2025-12-24 11:59:35
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聚焦離子束技術(shù)聚焦離子束(FocusedIonBeam,FIB)技術(shù)作為現(xiàn)代半導體失效分析的核心手段之一,通常與掃描電子顯微鏡(ScanningElectronMicroscope,SEM)集成
2025-12-04 14:09:25
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聚焦離子束-掃描電鏡(FIB-SEM)雙束系統(tǒng)是現(xiàn)代材料科學研究中不可或缺的多維表征平臺。該系統(tǒng)將聚焦離子束的精準加工能力與掃描電鏡的高分辨率成像功能有機結(jié)合,為從微觀到納米尺度的材料結(jié)構(gòu)解析提供了
2025-11-24 14:42:18
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從最初的光學顯微鏡到如今的電子顯微鏡,我們觀察微觀世界的能力不斷提升,推動了材料科學、生物學、半導體技術(shù)等領域的革命性進展。本文將講解現(xiàn)代微觀分析的兩大主力工具——掃描電子顯微鏡(SEM)和透射
2025-11-06 12:36:07
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在材料科學與生物實驗領域,電子顯微鏡(EM)作為關鍵的微結(jié)構(gòu)表征手段,以電子束代替可見光作為照明源,可實現(xiàn)納米級分辨能力,顯著優(yōu)于光學顯微鏡的觀測極限。掃描電子顯微鏡(SEM)1.原理SEM的核心
2025-11-05 14:39:25
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,實現(xiàn)了對樣品從微觀觀測到納米級加工的全流程操控。SEM/FIB雙束系統(tǒng)不僅具備高分辨成像能力,還能進行精確的刻蝕、沉積、注入和截面制備,因此在半導體失效分析、材料科
2025-10-30 21:04:04
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掃描電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope,簡稱SEM)是電子顯微鏡的重要類別。它擅長捕捉樣品表面的微觀形貌,能清晰呈現(xiàn)納米級別的表面起伏、結(jié)構(gòu)細節(jié),比如觀察金屬材料的斷口形態(tài)、生物細胞的表面紋理。這種“表面成像”能力使其成為材料失效分析、生物學微觀觀察的核心工具。
2025-10-24 14:30:39
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7215紅外觀察儀 紅外激光觀察鏡*7215已停產(chǎn),目前有替代型號866007215手持式紅外觀察儀紅外激光觀察鏡原產(chǎn)自美國Electrophysics,公司有近三十年研究和生產(chǎn)光電成像產(chǎn)品的歷史
2025-10-23 15:20:24
Abris-M紅外激光觀察鏡紅外觀察儀Abris-M紅外激光觀察鏡紅外觀察儀是高性能的圖像轉(zhuǎn)換觀察鏡。其通過將被觀測物體所反射或發(fā)射的光聚焦到攝像管里而進行觀察的,光譜響應范圍覆蓋270~2000
2025-10-23 15:18:26
橫截面分析操作與目的利用聚焦離子束(FIB)技術(shù)對電池材料進行精確切割,能夠制備出適合觀察的橫截面。這一操作的核心目的在于使研究人員能夠直接觀察材料內(nèi)部不同層次的結(jié)構(gòu)特征,從而獲取材料在特定平面
2025-10-20 15:31:56
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電子元器件失效可能導致電路功能異常,甚至整機損毀,耗費大量調(diào)試時間。部分半導體器件存在外表完好但性能劣化的“軟失效”,進一步增加了問題定位的難度。電阻器失效1.開路失效:最常見故障。由過電流沖擊導致
2025-10-17 17:38:52
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的有機融合,已成為材料科學及相關領域不可或缺的分析平臺。雙束協(xié)同:原理與優(yōu)勢FIB-SEM系統(tǒng)由兩大核心技術(shù)組成:聚焦離子束(FIB)和掃描電子顯微鏡(SEM)。
2025-10-14 12:11:10
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失效和封裝失效的原因,并分析其背后的物理機制。金鑒實驗室作為一家專注于LED產(chǎn)業(yè)的科研檢測機構(gòu),致力于改善LED品質(zhì),服務LED產(chǎn)業(yè)鏈中各個環(huán)節(jié),使LED產(chǎn)業(yè)健康
2025-10-14 12:09:44
242 
高壓起弧試驗機的測試價值,不僅在于完成對被測試件的“考核”,更在于其產(chǎn)生的海量測試數(shù)據(jù) —— 從電弧留下的細微痕跡,到材料最終的失效狀態(tài),每一項數(shù)據(jù)都是破解被測試件性能短板、優(yōu)化產(chǎn)品設計的關鍵線索
2025-10-14 09:18:54
275 實際應用環(huán)境中,LED器件常常面臨高溫、高濕、電壓波動等復雜工況,這些因素會放大材料缺陷,加速器件老化,導致實際使用壽命遠低于理論值。本文通過系統(tǒng)分析LED器件的
2025-09-29 22:23:35
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串口接收數(shù)據(jù)后release信號量,接收線程take sem,高頻大數(shù)據(jù)量接受數(shù)據(jù),運行一段時間后接受線程suspend,但是release正常釋放
出現(xiàn)問題問題后查看信息如下:
接受線程為suspend,sem的值一直在增加,考慮了線程棧及線程優(yōu)先級問題,沒有找到根本原因.
2025-09-23 08:17:20
在使用lwip的時候,發(fā)現(xiàn)調(diào)用lwip_select()函數(shù)時,在該函數(shù)2138行,sys_sem_free(&API_SELECT_CB_VAR_REF(select_cb
2025-09-23 07:07:36
分享一個在熱發(fā)射顯微鏡下(Thermal EMMI) 芯片失效分析案例,展示我們?nèi)绾瓮ㄟ^ IV測試 與 紅外熱點成像,快速鎖定 IGBT 模組的失效點。
2025-09-19 14:33:02
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聚焦離子束(Focusionbeam,F(xiàn)IB)結(jié)合掃描電子顯微鏡(Scanningelectronmicroscopy,SEM)結(jié)合形成的雙束系統(tǒng),是現(xiàn)代微納加工與表征領域的重要工具。該系統(tǒng)同時具備
2025-09-18 11:41:34
628 
近年來,隨著LED照明市場的快速擴張,越來越多的企業(yè)加入LED研發(fā)制造行列。然而行業(yè)繁榮的背后,卻隱藏著一個令人擔憂的現(xiàn)象:由于從業(yè)企業(yè)技術(shù)實力參差不齊,LED驅(qū)動電路質(zhì)量差異巨大,導致燈具失效事故
2025-09-16 16:14:52
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SEM和TEM)在制樣環(huán)節(jié)面臨的定位難、效率低和精度不足等問題,成為聯(lián)接形貌觀察與內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析不可或缺的橋梁。掃描電子顯微鏡(SEM)可用于觀察材料表面形貌與成分組
2025-09-12 14:39:33
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LED壽命雖被標稱5萬小時,但那只是25℃下的理論值。高溫、高濕、粉塵、電流沖擊等現(xiàn)場條件會迅速放大缺陷,使產(chǎn)品提前失效。統(tǒng)計表明,現(xiàn)場失效多集中在投運前三年,且呈批次性,直接推高售后成本。把常見
2025-09-12 14:36:55
641 
在芯片設計完成后,樣品功能性測試、可靠性測試以及失效分析除錯等環(huán)節(jié)開展之前,樣品備制前處理是不可或缺的關鍵步驟。其中,芯片切片方式用于斷面/橫截面觀察,對于確認芯片內(nèi)部的金屬接線、各層結(jié)構(gòu)、錫球接合
2025-09-08 15:13:22
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在微觀世界的探索中,材料的宏觀性能究竟由其微觀世界中哪些區(qū)域的哪些元素所決定?掃描電鏡mapping圖為我們深入了解材料的微觀結(jié)構(gòu)和成分分布提供了獨特視角,尤其在靜電紡絲纖維結(jié)構(gòu)觀察方面,有著
2025-08-29 11:49:04
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,系統(tǒng)分析風華貼片電感的典型失效模式,并提出針對性預防措施。 ?一、典型失效模式分析 1.? 磁路破損類失效 磁路破損是貼片電感的核心失效模式之一,具體表現(xiàn)為磁芯裂紋、磁導率偏差及結(jié)構(gòu)斷裂。此類失效通常源于以下原
2025-08-27 16:38:26
658 。FIB主要功能1.微納米級截面加工FIB可以精確地在器件的特定微區(qū)進行截面觀測,同時可以邊加工刻蝕、邊利用SEM實時觀察樣品。截面分析是FIB最常見的應用。這種刻
2025-08-26 15:20:22
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,能滿足用戶對多類型樣品的觀測需求,實現(xiàn)微觀的形貌和元素分析等。CEM3000國產(chǎn)掃描電鏡SEM廠家采用的鎢燈絲電子槍,發(fā)射電流大、穩(wěn)定性好,以及對真空度要求不高
2025-08-22 11:19:12
為內(nèi)部因素與外部因素兩大類。內(nèi)部原因內(nèi)部失效通常源于元器件在材料、結(jié)構(gòu)或工藝層面的固有缺陷,或在長期工作過程中因內(nèi)部物理化學變化導致的性能衰退。主要包括以下幾類:
2025-08-21 14:09:32
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短路失效網(wǎng)上已經(jīng)有很多很詳細的解釋和分類了,但就具體工作中而言,我經(jīng)常遇到的失效情況主要還是發(fā)生在脈沖階段和關斷階段以及關斷完畢之后的,失效的模式主要為熱失效和動態(tài)雪崩失效以及電場尖峰過高失效(電流分布不均勻)。理論上還有其他的一些失效情況,但我工作中基本不怎么遇到了。
2025-08-21 11:08:54
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的高分辨率觀察,尤其擅長處理微小、復雜的器件結(jié)構(gòu)。什么是截面分析?截面分析是失效分析中的一種重要方法,而使用雙束聚焦離子束-掃描電鏡(FIB-SEM)則是截面分析
2025-08-15 14:03:37
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限制,PCB在生產(chǎn)和應用中常出現(xiàn)失效,引發(fā)質(zhì)量糾紛。為查明原因、解決問題并明確責任,失效分析成為必不可少的環(huán)節(jié)。失效分析流程1.失效定位失效分析的首要任務是基于失效
2025-08-15 13:59:15
630 
在半導體芯片的研發(fā)與失效分析環(huán)節(jié),聚焦離子束雙束系統(tǒng)(FIB-SEM)憑借其獨特的功能,逐漸成為該領域的核心技術(shù)工具。簡而言之,這一系統(tǒng)將聚焦離子束(FIB)的微加工優(yōu)勢與掃描電子顯微鏡(SEM
2025-08-14 11:24:43
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SEM(Soft Error Mitigation)技術(shù)通過目標式ECC奇偶校驗位注入實現(xiàn)可觀測的軟錯誤模擬。該機制在配置存儲器幀(CRAM Frame)內(nèi)精確選擇校驗位進行可控翻轉(zhuǎn),確保注入錯誤
2025-08-13 16:59:01
1475 
使用PCB印刷電路板。其質(zhì)量的好壞和可靠性水平?jīng)Q定了整機設備的質(zhì)量與可靠性。PCB金相切片分析是通過切割取樣、鑲嵌、磨拋、蝕刻、觀察等一系列制樣步驟獲得PCB截面結(jié)構(gòu)切
2025-08-06 13:02:33
430 
,能滿足用戶對多類型樣品的觀測需求,實現(xiàn)微觀的形貌和元素分析等。CEM3000SEM掃描電子顯微電鏡采用的鎢燈絲電子槍,發(fā)射電流大、穩(wěn)定性好,以及對真空度要求不高
2025-08-04 13:43:34
LED技術(shù)因其高效率和長壽命在現(xiàn)代照明領域扮演著關鍵角色。然而,LED封裝的失效問題可能影響其性能,甚至導致整個照明系統(tǒng)的故障。以下是一些常見的問題原因及其預防措施:1.固晶膠老化和芯片脫落:LED
2025-07-29 15:31:37
452 
掃描電鏡(SEM)把細束電子像畫筆一樣在樣品表面來回掃描,電子與表層原子短暫碰撞后,釋放出二次電子或背散射電子。探測器把這些信號逐點收集、放大,最后在屏幕上拼成一幅二維強度圖。因為作用深度只有幾納米
2025-07-18 21:05:21
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制樣方式由于切片分析可以獲取到豐富的樣品內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)信息,因此被金鑒實驗室廣泛應用于LED支架結(jié)構(gòu)觀察。例如:支架鍍層的厚度與均勻度,鍍層內(nèi)部質(zhì)量、鍍層晶體結(jié)構(gòu)和形貌、基材的材質(zhì)與質(zhì)量,無一不關乎到
2025-07-18 21:03:56
521 
聚焦離子束掃描電鏡(FIB-SEM)是一種集多種先進技術(shù)于一體的微觀分析儀器,其工作原理基于離子束與電子束的協(xié)同作用。掃描電子顯微鏡(SEM)工作機制掃描電子顯微鏡(SEM)的核心成像邏輯并非
2025-07-17 16:07:54
661 
芯片失效分析的主要步驟芯片開封:去除IC封膠,同時保持芯片功能的完整無損,保持die,bondpads,bondwires乃至lead-frame不受損傷,為下一步芯片失效分析實驗做準備。SEM
2025-07-11 10:01:15
2706 
在電子封裝領域,各類材料因特性與應用場景不同,失效模式和分析檢測方法也各有差異。
2025-07-09 09:40:52
999 不良的問題。LED芯片和負極金屬域開裂的形貌經(jīng)過固封、研磨等處理后,通過掃描電子顯微鏡(SEM)觀察發(fā)現(xiàn),金屬化層從LED芯片上開裂,而非鍵合絲與金屬化層之間開裂
2025-07-08 15:29:13
561 
芯片失效和封裝失效的原因,并分析其背后的物理機制。金鑒實驗室是一家專注于LED產(chǎn)業(yè)的科研檢測機構(gòu),致力于改善LED品質(zhì),服務LED產(chǎn)業(yè)鏈中各個環(huán)節(jié),使LED產(chǎn)業(yè)健康
2025-07-07 15:53:25
765 
連接器失效可能由電氣、機械、環(huán)境、材料、設計、使用不當或壽命到期等多種原因引起。通過電氣、機械、外觀和功能測試,可以判斷連接器是否失效。如遇到失效的情況需要及時更新,保證工序的正常進行。
2025-06-27 17:00:56
654 戶手邊實時呈現(xiàn)所得結(jié)果。CEM3000材料表征SEM掃描電鏡能夠提供多種成像參數(shù)供用戶選擇,滿足專業(yè)用戶的調(diào)節(jié)需求;搭配有多種探頭,能夠?qū)悠愤M行多種手段的分析。
2025-06-27 11:37:55
中圖儀器SEM掃描電鏡斷裂失效分析采用鎢燈絲電子槍,其電子槍發(fā)射電流大、穩(wěn)定性好,以及對真空度要求不高,使得鎢燈絲臺式掃描電鏡能夠在較短的時間內(nèi)達到穩(wěn)定的工作狀態(tài)并獲得清晰的圖像,從而提高了檢測效率
2025-06-17 15:02:09
,則可能會由于縱斷面中的大臺階而產(chǎn)生其他影響。
輸出數(shù)據(jù)的采樣:一維周期光柵(Lamellar)
對于1D周期性(片狀)光柵,分析儀使用對話框“采樣”部分中指定的參數(shù)生成2D橫截面圖像。
輸出數(shù)據(jù)
2025-06-12 08:52:23
在芯片設計完成后,樣品功能性測試、可靠性測試以及失效分析除錯等環(huán)節(jié)開展之前,樣品備制前處理是不可或缺的關鍵步驟。其中,芯片切片方式用于斷面/橫截面觀察,對于確認芯片內(nèi)部的金屬接線、各層結(jié)構(gòu)、錫球接合
2025-06-05 15:14:06
557 
,開發(fā)具備優(yōu)良發(fā)光特性的熒光粉是至關重要的核心環(huán)節(jié)。熒光粉檢測項目(1)熒光粉形貌和分散性觀察(SEM)(2)熒光粉直徑的測量(SEM)(3)熒光粉顆粒度分布測量(激
2025-06-05 15:09:28
965 
隨著LED業(yè)內(nèi)競爭的不斷加劇,LED品質(zhì)受到了前所未有的重視。LED在制造、運輸、裝配及使用過程中,生產(chǎn)設備、材料和操作者都有可能給LED帶來靜電(ESD)損傷,導致LED過早出現(xiàn)漏電流增大,光衰
2025-05-28 18:08:32
608 
超稀疏納米線柵——由周期介質(zhì)導線組成的光柵結(jié)構(gòu),其截面比所使用的波長小得多——在很寬的波長范圍內(nèi)表現(xiàn)出強烈的偏振依賴性。這些特性使它們成為光學系統(tǒng)的納米結(jié)構(gòu)偏振器的可行選擇,在光學系統(tǒng)中,緊湊的可積
2025-05-26 08:45:20
芯片失效分析中對芯片的截面進行觀察,需要對樣品進行截面研磨達到要觀察的位置,而后再采用光學顯微鏡(OM Optical Microscopy)或者掃描電子顯微(SEM Scanning Electron Microscopy)進行形貌觀察。
2025-05-15 13:59:00
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失效分析的定義與目標失效分析是對失效電子元器件進行診斷的過程。其核心目標是確定失效模式和失效機理。失效模式指的是我們觀察到的失效現(xiàn)象和形式,例如開路、短路、參數(shù)漂移、功能失效等;而失效機理則是指導
2025-05-08 14:30:23
910 
橫截面分析操作與目的利用聚焦離子束(FIB)技術(shù)對電池材料進行精確切割,能夠制備出適合觀察的橫截面。這一操作的核心目的在于使研究人員能夠直接觀察材料內(nèi)部不同層次的結(jié)構(gòu)特征,從而獲取材料在特定平面
2025-04-30 15:20:21
539 
超稀疏納米線柵——由周期介質(zhì)導線組成的光柵結(jié)構(gòu),其截面比所使用的波長小得多——在很寬的波長范圍內(nèi)表現(xiàn)出強烈的偏振依賴性。這些特性使它們成為光學系統(tǒng)的納米結(jié)構(gòu)偏振器的可行選擇,在光學系統(tǒng)中,緊湊的可積
2025-04-28 10:09:23
LED光源發(fā)黑現(xiàn)象LED光源以其高效、節(jié)能、環(huán)保的特性,在照明領域得到了廣泛應用。然而,LED光源在使用過程中出現(xiàn)的發(fā)黑現(xiàn)象,卻成為了影響其性能和壽命的重要因素。LED光源黑化的多重原因分析LED
2025-04-27 15:47:07
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本資料共分兩篇,第一篇為基礎篇,主要介紹了電子元器件失效分析基本概念、程序、技術(shù)及儀器設備;第二篇為案例篇,主要介紹了九類元器件的失效特點、失效模式和失效機理以及有效的預防和控制措施,并給出九類
2025-04-10 17:43:54
技術(shù)原理與核心優(yōu)勢聚焦離子束雙束系統(tǒng)(FIB-SEM)是一種集成多種先進技術(shù)的高端設備,其核心構(gòu)成包括聚焦離子束(FIB)模塊、掃描電子顯微鏡(SEM)模塊以及多軸樣品臺,這種獨特的結(jié)構(gòu)設計使得它能
2025-04-10 11:53:44
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和元素分析等。CEM3000系列掃描電鏡SEM品牌運用了快速抽放氣設計,讓用戶在使用時不再等待,且全系列可選配低真空系統(tǒng),以便精準調(diào)節(jié)樣品倉內(nèi)真空度,滿足不同樣品的
2025-04-09 09:03:07
聚焦離子束顯微鏡(FIB-SEM)作為一種前沿的微觀分析與加工工具,將聚焦離子束(FIB)和掃描電子顯微鏡(SEM)技術(shù)深度融合,兼具高分辨率成像和精密微加工能力,廣泛應用于材料科學、電子工業(yè)
2025-04-01 18:00:03
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系統(tǒng)構(gòu)成與工作原理FIB-SEM雙束系統(tǒng)是一種集微區(qū)成像、加工、分析、操縱于一體的綜合型分析與表征設備。其基本構(gòu)成是將單束聚焦離子束系統(tǒng)與掃描電子顯微鏡(SEM)耦合而成。在常見的雙束設備中,電子束
2025-03-28 12:14:50
734 
超稀疏納米線柵——由周期介質(zhì)導線組成的光柵結(jié)構(gòu),其截面比所使用的波長小得多——在很寬的波長范圍內(nèi)表現(xiàn)出強烈的偏振依賴性。這些特性使它們成為光學系統(tǒng)的納米結(jié)構(gòu)偏振器的可行選擇,在光學系統(tǒng)中,緊湊的可積
2025-03-28 08:55:41
SEM掃描電鏡即掃描電子顯微鏡,主要用于以下方面的檢測:1、材料微觀形貌觀察-材料表面結(jié)構(gòu):可以清晰地觀察到材料表面的微觀結(jié)構(gòu),如金屬材料的表面紋理、陶瓷材料的晶粒分布、高分子材料的表面形貌等。例如
2025-03-24 11:45:43
3200 
高密度互聯(lián)(HDI)板的激光盲孔技術(shù)是5G、AI芯片的關鍵工藝,但孔底開路失效卻讓無數(shù)工程師頭疼!SGS微電子實驗室憑借在失效分析領域的豐富經(jīng)驗,總結(jié)了一些失效分析經(jīng)典案例,旨在為工程師提供更優(yōu)
2025-03-24 10:45:39
1271 
的高精度分析與納米級加工。FIB-SEM的原理與結(jié)構(gòu)FIB-SEM的工作原理通過電透鏡將液態(tài)金屬離子源產(chǎn)生的離子束加速并聚焦,作用于樣品表面,實現(xiàn)納米級的銑削、沉積和成
2025-03-21 15:27:33
792 
的發(fā)展提供了強有力的支撐。定點剖面形貌與成分分析FIB-SEM系統(tǒng)具備精準的定點切割與分析能力,能夠深入材料內(nèi)部,揭示其微觀結(jié)構(gòu)與成分。以CdS微米線為例,光學顯
2025-03-19 11:51:59
925 
問題。為了確保PCB的質(zhì)量和可靠性,失效分析技術(shù)顯得尤為重要。外觀檢查外觀檢查是失效分析的第一步,通過目測或借助簡單儀器(如立體顯微鏡、金相顯微鏡或放大鏡)對PC
2025-03-17 16:30:54
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氬離子拋光技術(shù)又稱CP截面拋光技術(shù),是利用氬離子束對樣品進行拋光,可以獲得表面平滑的樣品,而不會對樣品造成機械損害。去除損傷層,從而得到高質(zhì)量樣品,用于在SEM,光鏡或者掃描探針顯微鏡上進行成像
2025-03-17 16:27:36
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本文首先介紹了器件失效的定義、分類和失效機理的統(tǒng)計,然后詳細介紹了封裝失效分析的流程、方法及設備。
2025-03-13 14:45:41
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太誘電容的失效分析,特別是針對裂紋與短路問題,需要從多個角度進行深入探討。以下是對這兩個問題的詳細分析: 一、裂紋問題 裂紋成因 : 熱膨脹系數(shù)差異 :電容器的各個組成部分(如陶瓷介質(zhì)、端電極
2025-03-12 15:40:02
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掃描電子顯微鏡(SEM)具有高分辨率、大景深、可觀察多種信號等特點,在多個領域都有廣泛的應用場景,以下是一些主要的應用方面:一、材料科學領域-金屬材料研究:用于觀察金屬材料的微觀組織結(jié)構(gòu),如晶粒大小
2025-03-12 15:01:22
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離子束掃描電子顯微鏡(FIB-SEM)是將聚焦離子束(FIB)技術(shù)與掃描電子顯微鏡(SEM)技術(shù)有機結(jié)合的高端設備。什么是FIB-SEM?FIB-SEM系統(tǒng)通過聚焦離子束(FIB)和掃描電子顯微鏡
2025-03-12 13:47:40
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設計一種既能減少光損失又能保持高導電性的前接觸結(jié)構(gòu)。采用微米級三角形橫截面柵線,通過光散射原理實現(xiàn)了99.86%的光學透明度和低至4.8Ω/sq的薄層電阻。三角形柵線設
2025-03-12 09:02:35
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SEM技術(shù)及其在陶瓷電阻分析中的作用掃描電子顯微鏡(SEM)是一種強大的微觀分析工具,能夠提供高分辨率的表面形貌圖像。通過SEM測試,可以清晰地觀察到陶瓷電阻表面的微觀結(jié)構(gòu)和形態(tài)特征,從而評估其質(zhì)量
2025-03-05 12:44:38
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高密度封裝技術(shù)在近些年迅猛發(fā)展,同時也給失效分析過程帶來新的挑戰(zhàn)。常規(guī)的失效分析手段難以滿足結(jié)構(gòu)復雜、線寬微小的高密度封裝分析需求,需要針對具體分析對象對分析手法進行調(diào)整和改進。
2025-03-05 11:07:53
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微觀結(jié)構(gòu)的分析氬離子束拋光技術(shù)作為一種先進的材料表面處理方法,憑借其精確的工藝參數(shù)控制,能夠有效去除樣品表面的損傷層,為高質(zhì)量的成像和分析提供理想的樣品表面。這一技術(shù)廣泛應用于掃描電子顯微鏡(SEM
2025-02-26 15:22:11
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在材料科學的微觀研究領域,電子顯微鏡扮演著至關重要的角色。它能夠深入揭示材料樣品內(nèi)部的精細結(jié)構(gòu),為科研人員分析組織形貌和結(jié)構(gòu)特征提供了強大的技術(shù)支持。掃描電鏡(SEM)樣品制備掃描電鏡(SEM)以其
2025-02-25 17:26:05
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SEM是掃描電鏡,英文全稱為ScanningElectronMicroscope。以下是關于掃描電鏡的一些基本信息:1、工作原理:掃描電鏡是一種利用電子束掃描樣品表面,通過檢測電子與樣品相互作用產(chǎn)生
2025-02-24 09:46:26
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掃描電鏡SEM(ScanningElectronMicroscope)是一種用于觀察和分析樣品微觀結(jié)構(gòu)和表面形貌的大型精密分析儀器,以下從其構(gòu)造、工作過程、應用等方面進行具體介紹:一、基本構(gòu)造
2025-02-20 11:38:40
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? 本文介紹了芯片失效分析的方法和流程,舉例了典型失效案例流程,總結(jié)了芯片失效分析關鍵技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)和對策,并總結(jié)了芯片失效分析的注意事項。 ? ? 芯片失效分析是一個系統(tǒng)性工程,需要結(jié)合電學測試
2025-02-19 09:44:16
2908 這是一維周期線光柵案例的一個變形。它的靈感來自閃耀光柵。在一維線柵的案例中,周期單元晶胞包含通過光柵的二維橫截面。這里的橫截面包含兩個寬度、高度和角度不同的三角形。這些三角形線條位于襯底上,被背景
2025-02-18 08:51:02
) LLZTO 陶瓷片的橫截面SEM-EDS 圖。
圖 1a 表明,制備的 LLZTO 粉末和電解質(zhì)片的 XRD 圖譜與立方石榴石結(jié)構(gòu)相匹配。圖 1b 顯示LLZTO 電解質(zhì)在室溫下的離子電導率為 8
2025-02-15 15:08:47
摘要結(jié)合聚焦離子束(FIB)技術(shù)和掃描電子顯微鏡(SEM)的FIB-SEM雙束系統(tǒng),通過整合氣體注入系統(tǒng)、納米操控器、多種探測器以及可控樣品臺等附件,已發(fā)展成為一個能夠進行微觀區(qū)域成像、加工、分析
2025-02-10 11:48:44
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中圖儀器SEM掃描電鏡用于對樣品進行微觀尺度形貌觀測和分析。標配有高性能二次電子探頭和多象限背散射探頭、并可選配能譜儀、低真空系統(tǒng),能滿足用戶對多類型樣品的觀測需求,實現(xiàn)微觀的形貌和元素分析等
2025-02-08 15:29:42
DualBeamFIB-SEM技術(shù)在現(xiàn)代材料科學的探索中,微觀世界的洞察力是推動技術(shù)進步的關鍵。隨著科技的不斷進步,分析儀器也在不斷升級,以滿足日益復雜的研究需求。其中
2025-01-26 13:40:47
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。。FIB系統(tǒng)通常建立在掃描電子顯微鏡(SEM)的基礎上,結(jié)合聚焦離子束和能譜分析,能夠在微納米精度加工的同時進行實時觀察和能譜分析,廣泛應用于生命科學、材料科學和半導
2025-01-24 16:17:29
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氬離子拋光技術(shù)氬離子束拋光技術(shù),亦稱為CP(ChemicalPolishing)截面拋光技術(shù),是一種先進的樣品表面處理手段。該技術(shù)通過氬離子束對樣品進行精密拋光,利用氬離子束的物理轟擊作用,精確控制
2025-01-22 22:53:04
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PCB失效分析:步驟與技術(shù)作為各種元器件的載體與電路信號傳輸?shù)臉屑~PCB(PrintedCircuitBoard,印刷電路板)已經(jīng)成為電子信息產(chǎn)品的最為重要而關鍵的部分,其質(zhì)量的好壞與可靠性水平?jīng)Q定
2025-01-20 17:47:01
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圖像分析功能進行渲染,并通過可視化視圖功能顯示在3D視圖中。 圖9.彩色圖像分析結(jié)果窗口顯示4個窗格(左上至右下):RGB值渲染的彩色圖像;X灰度橫截面;Y灰度橫截面;色度圖與色度坐標。顯示在圖9中
2025-01-17 09:59:17
的額定范圍內(nèi)。
進行負載測試:逐漸增加負載電阻的阻值,觀察電壓表和電流表的變化。記錄不同負載條件下的電壓和電流值,并計算相應的功率因數(shù)。
分析測試結(jié)果:根據(jù)測試數(shù)據(jù),分析高壓電阻箱在不同負載條件下的性能
2025-01-16 12:34:00
中圖儀器CEM3000系列高分辨率SEM掃描電鏡用于對樣品進行微觀尺度形貌觀測和分析。它空間分辨率出色和易用性強,用戶能夠非??旖莸剡M行各項操作。甚至在自動程序的幫助下,無需過多人工調(diào)節(jié),便可一鍵
2025-01-15 17:15:21
整流二極管失效分析方法主要包括對失效原因的分析以及具體的檢測方法。 一、失效原因分析 防雷、過電壓保護措施不力 : 整流裝置未設置防雷、過電壓保護裝置,或保護裝置工作不可靠,可能因雷擊或過電壓而損壞
2025-01-15 09:16:58
1589 光熱分布檢測意義在LED失效分析領域,光熱分布檢測技術(shù)扮演著至關重要的角色。LED作為一種高效的照明技術(shù),其性能和壽命受到多種因素的影響,其中光和熱的分布情況尤為關鍵。光熱分布不均可能導致芯片界面
2025-01-14 12:01:24
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電子背散射衍射(ElectronBackscatterDiffraction,簡稱EBSD)技術(shù)是一種基于掃描電子顯微鏡(SEM)的顯微分析技術(shù),它能夠提供材料微觀結(jié)構(gòu)的詳細信息,包括晶體取向
2025-01-14 12:00:14
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失效分析的重要性失效分析其核心任務是探究產(chǎn)品或構(gòu)件在服役過程中出現(xiàn)的各種失效形式。這些失效形式涵蓋了疲勞斷裂、應力腐蝕開裂、環(huán)境應力開裂引發(fā)的脆性斷裂等諸多類型。深入剖析失效機理,有助于工程師
2025-01-09 11:01:46
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圖像分析功能進行渲染,并通過可視化視圖功能顯示在3D視圖中。 圖9.彩色圖像分析結(jié)果窗口顯示4個窗格(左上至右下):RGB值渲染的彩色圖像;X灰度橫截面;Y灰度橫截面;色度圖與色度坐標。顯示在圖9中
2025-01-07 08:59:23
,實現(xiàn)了微區(qū)成像、加工、分析和操縱的一體化。這種系統(tǒng)在物理、化學、生物、新材料、農(nóng)業(yè)、環(huán)境和能源等多個領域都有著廣泛的應用。FIB-SEM雙束系統(tǒng)1.系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與工作原
2025-01-06 12:26:55
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