制造集成電路的大多數(shù)工藝區(qū)域要求100級（空氣中每立方米內(nèi)直徑大于等于0.5μm的塵埃粒子總數(shù)不超過約3500）潔凈室，在光刻區(qū)域，潔凈室要求10級或更高。
2024-03-20 12:36:00
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與正光刻膠相比，電子束負光刻膠會形成相反的圖案。基于聚合物的負型光刻膠會在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解，而曝光的光刻膠則保留下來，從而形成負像。
2024-03-20 11:36:50197 
倒裝芯片組裝過程通常包括焊接、去除助焊劑殘留物和底部填充。由于芯片不斷向微型化方向發(fā)展，倒裝芯片與基板之間的間隙不斷減小，因此去除助焊劑殘留物的難度不斷增加。這不可避免地會導致清洗成本增加
2024-03-15 09:21:28107 
在曝光過程中，掩模版與涂覆有光刻膠的硅片直接接觸。接觸式光刻機的縮放比為1:1，分辨率可達到4-5微米。由于掩模和光刻膠膜層反復接觸和分離，隨著曝光次數(shù)的增加，會引起掩模版和光刻膠膜層損壞、芯片良率下降等不良后果。
2024-03-08 10:42:3788 
利用光刻機發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。
2024-03-06 14:28:5062 
光刻膠是一種涂覆在半導體器件表面的特殊液體材料，可以通過光刻機上的模板或掩模來進行曝光。
2024-03-04 17:19:18399 光刻膠不能太厚或太薄，需要按制程需求來定。比如對于需要長時間蝕刻以形成深孔的應用場景，較厚的光刻膠層能提供更長的耐蝕刻時間。
2024-03-04 10:49:16131 
電子束光刻（e-beam lithography，EBL）是無掩膜光刻的一種，它利用波長極短的聚焦電子直接作用于對電子敏感的光刻膠（抗蝕劑）表面繪制形成與設計圖形相符的微納結(jié)構(gòu)。
2024-03-04 10:19:28206 
）：由感光劑、樹脂和溶劑構(gòu)成，用于形成電路圖案和阻擋層 光刻膠是由可溶性聚合物和光敏材料組成的化合物，當其暴露在光線下時，會在溶劑中發(fā)生降解或融合等化學反應。在運用于晶圓級封裝的光刻（Photolithography）工藝過程中時，光刻膠可用于創(chuàng)建電路圖案，還
2024-02-18 18:16:31277 
PCB是聚氯化二苯( Polychlorinated Biphenyls)的英文縮寫，是一類具有有機氯化物的有機化合物。PCB在20世紀50年代至70年代廣泛被制造和使用，主要用于電力設備、變壓器、電容器、潤滑油等工業(yè)領域。然而，隨著人們對環(huán)境和健康的關注不斷增強，PCB被發(fā)現(xiàn)對人體和環(huán)境有極高的毒性和持久性，因此從20世紀70年代初至80年代末，PCB的生產(chǎn)和使用逐漸被禁止。 PCB的結(jié)構(gòu)由兩個苯環(huán)通過碳碳單鍵連接而成，同時其中的氯原子被取代。氯原子的取代數(shù)量可以影響P
2024-02-04 10:53:35468 據(jù)吳中發(fā)布的最新消息，簽約項目涵蓋了瑞紅集成電路高端光刻膠總部項目，該項投資高達15億元，旨在新建半導體光刻膠及其配套試劑的生產(chǎn)基地。
2024-01-26 09:18:43207 光刻膠產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)移。01光刻膠定義光刻膠，也被稱為“光致抗蝕劑”，是一種用于光刻的載體介質(zhì)，它可以利用光化學反應將光信息在光刻系統(tǒng)中經(jīng)過衍射和過濾后轉(zhuǎn)化為化學能，從而
2024-01-19 08:31:24340 
在SMT貼片加工過程中，錫膏和助焊劑會產(chǎn)生殘留物質(zhì)，殘留物中包含有有機酸和可分解的電離子，其中有機酸具有腐蝕作用，電離子殘留在焊盤還會引起短路，而且這些殘留物在PCBA板上是非常臟的，而且不符合顧客對產(chǎn)品清潔度的要求。所以，對PCBA板進行清洗是非常有必要的。
2024-01-17 10:01:23256 層的作用，只會留下少量酸性離子殘留物。免洗錫膏的焊后殘留物雖少，但對于某些高精密器件仍不可忽視。因此，免洗錫膏的殘留物腐蝕性仍舊是熱議問題。
2024-01-08 09:04:56143 
光刻膠主要下游應用包括：顯示屏制造、印刷電路板生產(chǎn)、半導體制造等，其中顯示屏是光刻膠最大的下游應用，占比30%。光刻膠在半導體制造應用占比24%，是第三達應用場景。
2024-01-03 18:12:21346 
助焊劑清洗不干凈是指在焊接后，使用的助焊劑沒有完全清潔或去除干凈。這可能表現(xiàn)為在焊接區(qū)域或金屬表面上殘留有助焊劑的痕跡或殘留物。
2023-12-29 10:02:48452 所謂的“光刻膠”，即是在紫外線、電子束等輻射下，其溶解度會產(chǎn)生變化的耐腐蝕薄膜材料。作為光刻工藝中的關鍵要素，廣泛應用于晶圓和分立器件的精細圖案制作中。其品種繁多，此次漲價涉及的KrF 光刻膠則屬高級別光刻膠，將成為各廠商關注的焦點。
2023-12-28 11:14:34379 HMDS，BARC是光刻工序中比較常用的化學品，但是它們并不能用顯影液除去，根據(jù)是什么？它們一定要除去嗎？有哪幾種去除的方式？
2023-12-22 10:29:55414 
在SMT貼片加工過程中，錫膏和助焊劑會產(chǎn)生殘留物質(zhì)，殘留物中包含有有機酸和可分解的電離子，其中有機酸具有腐蝕作用，電離子殘留在焊盤還會引起短路，而且這些殘留物在PCBA板上是比較臟的，也不符合客戶對產(chǎn)品清潔度的要求。所以，對PCBA板進行清洗是非常有必要的,接下來為大家介紹手工清洗和自動清洗的方法。
2023-12-20 10:04:04277 光照條件的設置、掩模版設計以及光刻膠工藝等因素對分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評估光刻工藝的難度，ASML認為其物理極限在0.25，k?體現(xiàn)了各家晶圓廠運用光刻技術的水平。
2023-12-18 10:53:05326 
勻膠是光刻中比較重要的一步，而旋涂速度是勻膠中至關重要的參數(shù)，那么我們在勻膠時，是如何確定勻膠速度呢？它影響光刻膠的哪些性質(zhì)？
2023-12-15 09:35:56442 
光刻膠類別的多樣化，此次漲價案所涉KrF光刻膠屬于高階防護用品，也是未來各地廠家的競爭焦點。當前市場中，光刻膠主要由東京大賀工業(yè)、杜邦、JSR、信越化學、住友化學及東進半導體等大型制造商掌控。
2023-12-14 15:20:36408 揭秘pcb是什么物質(zhì)：你不知道的“化學戰(zhàn)士”
2023-12-14 10:27:30302 近期，萬潤股份在接受機構(gòu)調(diào)研時透露，其“年產(chǎn)65噸半導體用光刻膠樹脂系列”項目已經(jīng)順利投入運營。該項目旨在為客戶提供專業(yè)的半導體用光刻膠樹脂類材料。
2023-12-12 14:02:58328 半導體制造業(yè)依賴復雜而精確的工藝來制造我們需要的電子元件。其中一個過程是晶圓清洗，這個是去除硅晶圓表面不需要的顆?；?b class="flag-6" style="color: red">殘留物的過程，否則可能會損害產(chǎn)品質(zhì)量或可靠性。RCA清洗技術能有效去除硅晶圓表面的有機和無機污染物，是一項標準的晶圓清洗工藝。
2023-12-07 13:19:14235 光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來。利用光刻機發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-12-04 09:17:241334 
據(jù)報道，韓國SK集團于2020年斥資400億韓元收購當?shù)劐\湖石化的電子材料業(yè)務，收購后成立的新子公司SK Materials Performance（SKMP）已開發(fā)出一種高厚度KrF光刻膠，并通過了SK海力士的性能驗證，這將有利于SK海力士3D NAND閃存的技術開發(fā)。
2023-11-29 17:01:56433 KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進行光刻的光刻膠。248nmKrF光刻技術已廣 泛應用于0.13μm工藝的生產(chǎn)中,主要應用于150 , 200和300mm的硅晶圓生產(chǎn)中。
2023-11-29 10:28:50283 
據(jù)悉，skmp開發(fā)的新型KrF光刻膠的厚度為14至15米，與東進半導體（DONGJIN SEMICHEM）向三星提供的產(chǎn)品相似。日本jsr公司的類似產(chǎn)品厚度只有10微米。
2023-11-29 10:02:52258 為了生產(chǎn)高純度、高質(zhì)量的光刻膠，需要高純度的配方原料，例如光刻樹脂，溶劑PGMEA…此外，生產(chǎn)過程中的反應釜鍍膜和金屬析出污染監(jiān)測也是至關重要的控制環(huán)節(jié)。例如，2019年，某家半導體制造公司由于光刻膠受到光阻原料的污染，導致上萬片12吋晶圓報廢
2023-11-27 17:15:48550 20日，西隴科學（株）發(fā)布公告稱，該公司沒有生產(chǎn)銷售礦產(chǎn)品。公司生產(chǎn)及銷售用于清洗劑、顯影液、剝離液等的光刻膠，占公司營業(yè)收入的比例，是目前用于上述用途的光刻膠配套。
2023-11-21 14:54:57315 在光刻過程中，鉻被用作掩膜版的關鍵材料。鉻在紫外光下表現(xiàn)出高光學密度，可以有效阻擋光線。在石英基板上通過PVD等方法均勻地沉積一層薄的鉻，在其上涂覆一層光刻膠，再使用電子束光刻，顯影，在光刻膠上做出預期的圖形，之后進行Cr的刻蝕，最后去除光刻膠，即可得到掩膜版。
2023-11-20 17:07:57836 
光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體，不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項重要指標。那么光刻膠的黏度為什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻膠算高黏度，哪些算低黏度呢？
2023-11-13 18:14:11571 
在PCBA生產(chǎn)過程中，錫膏和助焊劑會產(chǎn)生殘留物質(zhì)，殘留物中包含的有機酸和電離子，前者易腐蝕PCBA，后者會造成焊盤間短路故障。且近年來，用戶對產(chǎn)品的清潔度要求越來越嚴格，PCBA清洗工藝逐漸被電子
2023-11-10 15:00:14346 
EUV 超薄 （≤10nm）尺度的光刻膠：隨著特征尺寸的縮小，光刻膠分子成分成為特征尺寸的一部分。構(gòu)成光刻膠的分子必須是單組分、小的構(gòu)建塊，以防止聚集和分離。新的設計結(jié)構(gòu)將需要超薄光刻膠和底層組合。
2023-11-06 11:23:15402 
股，募集資金人民幣850,000,002.24元，用于瑞紅蘇州先進制程工藝半導體光刻膠及配套試劑業(yè)務的研發(fā)、采購、生產(chǎn)和銷售及相關投資。
2023-11-02 10:59:26555 生產(chǎn)光刻膠的原料包括光引發(fā)劑（光增感劑、光致產(chǎn)酸劑幫助其更好發(fā)揮作用）、樹脂、溶劑和其他添加劑等，我國由于資金和技術的差距，如感光劑、樹脂等被外企壟斷，所以光刻膠自給能力不足。
2023-11-01 15:51:48138 
因為正極材料中的粘合劑和導電劑無法完全去除。從粉碎后的電池殘留物中獲得可接受的純度水平很復雜且能耗高。
2023-10-29 10:01:08351 
光刻是半導體加工中最重要的工藝之一，決定著芯片的性能。光刻占芯片制造時間的40%-50%，占其總成本的30%。光刻膠是光刻環(huán)節(jié)關鍵耗材，其質(zhì)量和性能與電子器件良品率、器件性能可靠性直接相關。
2023-10-26 15:10:24359 
金屬圖案的剝離方法已廣泛應用于各種電子器件的制造過程中，如半導體封裝、MEMS和LED的制造。與傳統(tǒng)的金屬刻蝕方法不同的是，采用剝離法的優(yōu)點是節(jié)省成本和工藝簡化。在剝離過程中，經(jīng)過涂層、曝光和開發(fā)過程后，光刻膠會在晶片上形成圖案。
2023-10-25 10:40:05185 
光學光刻是通過廣德照射用投影方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結(jié)構(gòu)圖形畫在涂有光刻膠的硅片上，通過光的照射，光刻膠的成分發(fā)生化學反應，從而生成電路圖。限制成品所能獲得的最小尺寸與光刻系統(tǒng)能獲得的分辨率直接相關，而減小照射光源的波長是提高分辨率的最有效途徑。
2023-10-24 11:43:15271 
黃光的波長遠離UV范圍，因此不會引起光刻膠的意外曝光。黃光燈通常不含有紫外線，從而保護光敏材料免受不必要的曝光。
2023-10-11 15:14:33747 光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一，是電子產(chǎn)業(yè)的關鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹脂三種主要成分組成，是一種具有光化學敏感性的混合液體。其利用光化學反應，經(jīng)曝光、顯影等光刻工藝，將所需要的微細圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上，是用于微細加工技術的關鍵性電子化學品。
2023-10-09 14:34:491674 
發(fā)現(xiàn)PCBA 上的殘留物對PCBA 的可靠性水平影響極大，而在殘留物中，無機殘留物會減小絕緣電阻，增加焊點或?qū)Ь€間的漏電流，在潮濕空氣條件下，還會使金屬表面腐蝕；有機殘留物(如松香、油脂等)會形成絕緣膜，從而影響連接器、開關和繼電器等元器件表面之
2023-09-22 11:05:221122 
隨著半導體工業(yè)沿著摩爾定律的曲線急速下降 ,驅(qū)使加工工藝向著更高的電流密度、更高的時鐘頻率和更多的互聯(lián)層轉(zhuǎn)移。由于器件尺寸的縮小、光學光刻設備焦深的減小 , 要求片子表面可接受的分辨率的平整度達到
2023-09-19 07:23:03
近20年來，EUV光源、EUV掩模和EUV光刻膠一直是EUV光刻的三大技術挑戰(zhàn)。
2023-09-14 09:45:12562 
：華林科納PFA管具有出色的
化學惰性，對許多酸堿
化學品都具有極高的耐腐蝕性。它能夠抵御強酸、強堿、有機溶劑以及各種腐蝕性
化學物質(zhì)的侵蝕，因此非常適合用于輸送
化學品。 2、耐高溫性：華林科納PFA管能夠在高溫環(huán)境下工作，通?？赡褪軠?/div>
2023-09-13 17:29:48266 LPS33HW代表了最新一代高性能MEMS氣壓傳感器，它專為可穿戴設備而設計，也適用于工業(yè)設備和電表。LPS33HW也可以耐受氯、溴和鹽水等化學物質(zhì)，非常適合在泳池和海水中游泳時使用。它還可以耐受
2023-09-13 06:19:07
EUV光刻膠材料是光敏物質(zhì)，當受到EUV光子照射時會發(fā)生化學變化。這些材料在解決半導體制造中的各種挑戰(zhàn)方面發(fā)揮著關鍵作用，包括提高靈敏度、控制分辨率、減少線邊緣粗糙度（LER）、降低釋氣和提高熱穩(wěn)定性。
2023-09-11 11:58:42349 
光刻技術通過光刻膠將圖案成功轉(zhuǎn)移到硅片上，但是在相關制程結(jié)束后就需要完全除去光刻膠，那么這個時候去膠液就發(fā)揮了作用，那么去膠液都有哪些種類？去膠原理是什么？
2023-09-06 10:25:011152 
摻雜少量鉑元素的鎳硅化物的穩(wěn)定性也不盡相同，還與物質(zhì)的具體結(jié)構(gòu)有關，舉個例子來說，NiPtSi，比NiSi要穩(wěn)定。
2023-08-27 09:18:27645 
湖州國資消息，寧波微芯新材料科技有限公司的半導體材料生產(chǎn)基地項目總投資3.5億元人民幣，用地35畝，年產(chǎn)1000噸的電子級光刻膠原材料（光刻膠樹脂、高等級單體等核心材料）基地建設。”全部達到，預計年產(chǎn)值可達到約5億元。
2023-08-21 11:18:26942 會上，經(jīng)開區(qū)分別同4家企業(yè)就功率器件IC封測項目、超級功率電池及鋰電池PACK產(chǎn)線項目、氫能產(chǎn)業(yè)集群項目、高性能電池項目進項現(xiàn)場簽約。會議還舉行了《2023勢銀光刻膠產(chǎn)業(yè)發(fā)展藍皮書》發(fā)布儀式。
2023-08-16 15:30:38483 整個覆銅板制作過程中的反應原理是通過感光劑、顯影劑和蝕刻液等化學物質(zhì)與曝光過程中形成的光敏膜產(chǎn)生特定的化學反應，使其能夠選擇性地去除或保留不同區(qū)域的銅箔和線路圖案，最終形成所需的印刷電路板。這一過程的控制和優(yōu)化對于確保PCB質(zhì)量和性能非常重要。
2023-08-10 15:09:474287 光刻是一種圖像復制技術，是集成電路工藝中至關重要的一項工藝。簡單地說，光刻類似照相復制方法，即將掩膜版上的圖形精確地復制到涂在硅片表面的光刻膠或其他掩蔽膜上面，然后在光刻膠或其他掩蔽膜的保護下對硅片進行離子注入、刻蝕、金屬蒸鍍等。
2023-08-07 17:52:531480 
也帶來腐蝕和漏電等問題。一般的電子產(chǎn)品可以使用免洗錫膏極少有殘留物出現(xiàn)。焊后錫膏殘留物帶來的危害：1、顆粒性污染物易造成電短路；2、極性玷污物會造成介質(zhì)擊穿、漏電和元
2023-07-25 19:18:26715 
據(jù)介紹，在器件制造過程中，由于薄膜沉積、光刻、刻蝕和化學機械拋光等工藝步驟的大幅增長，在晶圓的邊緣造成了不可避免的副產(chǎn)物及殘留物堆積，這些晶邊沉積的副產(chǎn)物及殘留物驟增導致的缺陷風險成為產(chǎn)品良率的嚴重威脅。
2023-07-19 15:02:26607 就此次事件，陶氏化學發(fā)表聲明稱，該工廠于7月14日發(fā)生火災，就此次事件，正在與當?shù)丶爸輽C構(gòu)密切合作。所有人員都被判定為安全，空氣檢查中沒有檢測出空氣中的有害物質(zhì)。事故原因還在調(diào)查中。
2023-07-17 10:55:41505 本文對動力電池中使用的不同化學物質(zhì)以及實現(xiàn)BMS的主要目的提出了全球概述。
2023-07-12 16:02:27902 
光刻膠（光敏膠）進行光刻，將圖形信息轉(zhuǎn)移到基片上，從而實現(xiàn)微細結(jié)構(gòu)的制造。光刻機的工作原理是利用光學系統(tǒng)將光線聚焦到光刻膠上，通過掩膜版（也稱為光刻掩膜）上的圖形
2023-07-07 11:46:07
在某電子制造工廠中，他們開始使用了一種新型的低溫錫膏來進行回流焊接，當他們開始使用這種新的低溫錫膏進行回流焊接時，他們注意到一些焊點上出現(xiàn)了助焊劑殘留的問題。這些殘留物在焊點周圍形成了一些明顯的白色斑點，影響了焊接點的可靠性和外觀。快和小編一起來看看~
2023-07-07 10:42:153168 系列工作在 - 40°C 至 +125°C 工業(yè)溫度范圍，能以±4% 的準確恒定電流為三種不同的儲能化學物質(zhì)（鋰離子、鉛酸和超級電容器）充電 。當存儲元件充電時，這些器件以±1% 的精度調(diào)節(jié)空載輸出
2023-07-05 20:05:10236 
然而，SAP在定義細間距特征方面面臨一些挑戰(zhàn)。細線可能會因為高縱橫比而坍塌，由于與基板的接觸面積小，可能會出現(xiàn)分層，并且用作模板的光刻膠可能會殘留在通孔中[3]。
2023-07-05 10:34:12960 
? ? 紫外光刻和曝光 是半導體行業(yè)生產(chǎn)各種高端芯片、微觀電路結(jié)構(gòu)的核心技術。在紫外光刻過程中，光源發(fā)射的紫外線通過掩模上的微小透鏡或光柵，然后投射到光刻膠層上，形成所需的微細圖案。 長期以來
2023-07-05 10:11:241026 
在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設計好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進行刻蝕工藝，以去除不必要的材料，只保留所需的圖形。
2023-06-28 10:04:58843 
JSR 是全球僅有的四家 EUV 光刻膠供應商之一，其產(chǎn)品是制造先進芯片必不可少的原料。
2023-06-27 15:51:21597 圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。其中，刻蝕工藝是光刻(Photo)工藝的下一步，用于去除光刻膠(Photo Resist
2023-06-26 09:20:10816 
在光刻膠工藝過程中，涂層曝光、顯影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下來，該涂層材料為正性光刻膠。
2023-06-25 15:32:114559 
一般而言，在焊接組件時，我們建議選用助焊劑而非使用錫油。焊接完畢后，使用者可以使用酒精或清洗劑來清除殘余的助焊劑，避免殘留物造成短路問題。
助焊劑選用原則:
依待焊物體種類選擇助焊劑的活性。如果
2023-06-25 09:01:24
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/周凱揚）在上游的半導體制造產(chǎn)業(yè)中，除了光刻機等設備外，光刻膠、掩膜版等材料也是決定晶圓質(zhì)量與良率的關鍵因素。就拿掩膜版來說，這個承載設計圖形的材料，經(jīng)過曝光后將圖形信息轉(zhuǎn)移到
2023-06-22 01:27:001984 本工作中，研究人員報道了一種可再充的生物質(zhì)流動電池，首次將生物質(zhì)的電催化氧化/還原與電池材料的氧化/還原耦合，基于生物質(zhì)平臺分子糠醛的氧化還原性，創(chuàng)制了一種新型可充放電的“生物質(zhì)電池”
2023-06-16 16:27:341160 
一般而言，在焊接組件時，我們建議選用助焊劑而非使用錫油。焊接完畢后，使用者可以使用酒精或清洗劑來清除殘余的助焊劑，避免殘留物造成短路問題。
2023-06-14 08:31:40
來源：欣奕華材料 據(jù)欣奕華材料官微消息，近日，國內(nèi)光刻膠龍頭企業(yè)阜陽欣奕華材料科技有限公司（以下簡稱“阜陽欣奕華”）完成超5億元人民幣 D 輪融資。 據(jù)悉，本輪融資由盛景嘉成母基金
2023-06-13 16:40:00552 傳統(tǒng)鋰離子電池 (LIB) 中使用的關鍵礦物（Li、Ni 和 Co）供應緊張且成本高昂，這促使人們對非鋰電池化學物質(zhì)的興趣與日俱增。
2023-06-11 10:28:31551 
上，使光刻膠在照射處發(fā)生化學反應。然后，通過顯影步驟，未照射到的光刻膠被溶解掉，形成圖案。經(jīng)過后烘烤，圖案被固定，以便后續(xù)步驟。
2023-06-09 11:36:522037 
ROHS六項有害物質(zhì)檢測：為環(huán)境與健康筑起的安全屏障 引言： 隨著科技的飛速發(fā)展，電子產(chǎn)品已經(jīng)成為我們?nèi)粘Ｉ钪胁豢苫蛉钡囊徊糠?。然而，電子產(chǎn)品的制造與使用過程中往往涉及許多化學物質(zhì)，其中一些可能
2023-06-08 17:48:421008 
光刻工藝后，在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形，下一步就是刻蝕。
2023-06-08 10:52:353320 
通常，光刻是作為特性良好的模塊的一部分執(zhí)行的，其中包括晶圓表面制備、光刻膠沉積、掩模和晶圓的對準、曝光、顯影和適當?shù)目刮g劑調(diào)節(jié)。光刻工藝步驟需要按順序進行表征，以確保模塊末端剩余的抗蝕劑是掩模的最佳圖像，并具有所需的側(cè)壁輪廓。
2023-06-02 16:30:25418 
在化學腐蝕點處的濃度越高，腐蝕速率越快。在拋光過程中拋光液持續(xù)流動，我們假設在腐蝕點處的濃度可以保持初始時的濃度，腐蝕率以最快的速度發(fā)生，則拋光液不同的PH值對應一個腐蝕率，由此可見，去除速率與PH值有關，PH越高，速率越快。
2023-06-02 15:24:06347 
來源：每日經(jīng)濟新聞，記者：程雅 編輯：張海妮，謝謝 編輯：感知芯視界 5月24日晚，國產(chǎn)光刻膠大廠彤程新材發(fā)布公告稱，于近日收到實控人Zhang Ning與Liu Dong Sheng的通知，二人
2023-05-29 09:33:44187 隨著電子信息業(yè)的發(fā)展，PCBA組裝工藝要求越來越高，而電子整機產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性取決于PCBA的質(zhì)量和可靠性。
2023-05-25 09:50:08345 感光速度:即光刻膠受光照射發(fā)生溶解速度改變所需的最小能量，感光速度越快，單位時間內(nèi)芯片制造的產(chǎn)出越高，經(jīng)濟效益越好，另-方面，過快的感光速度會對引起工藝寬容度的減小，影響工藝制程的穩(wěn)定性。
2023-05-25 09:46:09561 
改善之后的工藝與之前最大的區(qū)別在于使用光刻膠充當濺射的掩膜，在電鍍之前將電路圖形高精度的制備出來，不再進行濕法刻蝕，避免了側(cè)腐蝕對線條精度和膜基結(jié)合力的影響，同時，基板只浸入丙酮中一次以去除光刻膠，避免了大量溶液的使用
2023-05-16 09:40:351218 
在集成電路制造領域，如果說光刻機是推動制程技術進步的“引擎”，光刻膠就是這部“引擎”的“燃料”。
2023-05-13 11:28:381122 
光刻膠可以通過光化學反應，經(jīng)曝光、顯影等光刻工序?qū)⑺枰奈⒓殘D形從光罩（掩模版）轉(zhuǎn)移到待加工基片上。依據(jù)使用場景，這里的待加工基片可以是集成電路材料，顯示面板材料或者印刷電路板。
2023-05-11 16:10:492775 
晶圓廠通常使用光刻膠來圖案化抗蝕刻硬掩模，然后依靠硬掩模來保護晶圓。但是，如果光刻膠太薄，它可能會在第一個轉(zhuǎn)移步驟完成之前被侵蝕掉。隨著光刻膠厚度的減小，底層厚度也應該減小。
2023-04-27 16:25:00689 
根據(jù)維基百科的定義，光刻是半導體器件制造工藝中的一個重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結(jié)構(gòu)，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。這里所說的襯底不僅包含硅晶圓，還可以是其他金屬層、介質(zhì)層，例如玻璃、SOS中的藍寶石。
2023-04-25 11:11:331243 
清洗硅片（Wafer Clean）
清洗硅片的目的是去除污染物去除顆粒、減少針孔和其它缺陷，提高光刻膠黏附性
基本步驟：化學清洗——漂洗——烘干。
2023-04-25 11:09:403859 
光刻就是把芯片制作所需要的線路與功能區(qū)做出來。利用光刻機發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-04-25 11:05:322260 
的產(chǎn)品故障增加。本文將簡要討論污染物殘留物對PCB點焊的影響以及有關清潔的一些問題?！ ?污染物殘留對PCB點焊的影響 a.電化學遷移 電化學遷移是ECM的縮寫，是指通過某些介質(zhì)（例如，在電磁場
2023-04-21 16:03:02
的光敏膜層。該光致抗蝕劑包括在暴露于紫外光之后硬化的光反應性化學物質(zhì)層。這確保了從照相膠片到光刻膠的精確匹配。薄膜安裝在將銷釘固定在層壓板上的適當位置的銷釘上?！ ”∧ず图埌迮懦梢恍?，并接收一束紫外線
2023-04-21 15:55:18
151n光刻膠曝光顯影后開口底部都會有一撮殘留，找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52
新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開發(fā)，必須通過精心設計的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰(zhàn)，imec 最近開發(fā)了一個新的工具箱來匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:121164 此前該公司指出，公司已建成年產(chǎn)5噸ArF干式光刻膠生產(chǎn)線、年產(chǎn)20噸ArF浸沒式光刻膠生產(chǎn)線及年產(chǎn)45噸的光刻膠配套高純試劑生產(chǎn)線，具備ArF光刻膠及配套關鍵組分材料的生產(chǎn)能力，目前公司送樣驗證的產(chǎn)品均由該自建產(chǎn)線產(chǎn)出。
2023-04-11 09:25:32920 調(diào)溫調(diào)濕箱全名“恒溫恒濕試驗箱”是航空、汽車、家電、科研等領域必備的測試設備，用于測試和確定電工、電子及其他產(chǎn)品及材料進行高溫、低溫、濕熱度或恒定試驗的溫度環(huán)境變化后的參數(shù)及性能，它主要用于根據(jù)試驗
2023-03-28 09:02:36
光刻是將設計好的電路圖從掩膜版轉(zhuǎn)印到晶圓表面的光刻膠上，通過曝光、顯影將目標圖形印刻到特定材料上的技術。光刻工藝包括三個核心流程：涂膠、對準和曝光以及光刻膠顯影，整個過程涉及光刻機，涂膠顯影機、量測設備以及清洗設備等多種核心設備，其中價值量最大且技術壁壘最高的部分就是光刻機。
2023-03-25 09:32:394952 根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2020年全球晶圓制造材料中，硅片占比最高，為35%；電子氣體排名第2，占比13%；掩膜版排名第3，占比12%，光刻膠占比6%；光刻膠配套材料占比8% ；濕電子化學品占比7%；CMP拋光材料占比6%；靶材占比2%。
2023-03-25 09:30:544119 
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