，而光刻工藝又是精密電子元器件制造的關鍵流程，這使得光刻膠在整個電子元器件加工產業(yè)，都有著至關重要的地位。 本文簡要介紹幾種代表性光刻膠的成分和機理，重點是光刻膠的新技術應用，以及國產化機會。 ? 光刻膠主要成分 ?
2022-04-25 17:35:22
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了光刻劑。但重大挑戰(zhàn)仍然存在，部分原因是去除率不足以首先在半導體制造業(yè)中使用微氣泡。因此，我們需要通過明確了解微氣泡去除光刻抗蝕劑層的功能機制，來提高微氣泡的去除能力。本研究的目的是闡明微氣泡對光刻膠層表面的影響。
2022-01-10 11:37:131980 
光刻膠為何要謀求國產替代？中國國產光刻膠企業(yè)的市場發(fā)展機會和挑戰(zhàn)如何？光刻膠企業(yè)發(fā)展要具備哪些核心競爭力？在南京半導體大會期間，徐州博康公司董事長傅志偉和研發(fā)總監(jiān)潘新剛給我們帶來前沿觀點和獨家分析。
2022-08-29 15:02:238662 
光刻膠類型及特性光刻膠（Photoresist），又稱光致抗蝕劑，是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和光刻膠特性。
2025-04-29 13:59:337845 
波長不同，可分為g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm），ArF（193nm）以及EUV光刻膠，其中KrF、ArF和EUV光刻膠被認為是高端光刻膠，目前國內幾乎空白。 ? 日本壟斷全球光刻膠大部分市場份額，全球排名前四的光刻膠廠商都來自日本，包括合成橡膠
2021-07-03 07:47:0026808 ，增幅11.11%。 ? 截圖自企查查 ? 光刻膠是芯片制造中光刻環(huán)節(jié)的重要材料，目前主要被日美把控，國內在光刻膠方面投入研制的廠商主要晶瑞股份、南大光電、上海新陽、徐州博康、北京科華等，那么華為投資的徐州博康在光刻膠方面有何優(yōu)勢，國內廠商在光
2021-08-12 07:49:006896 電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 ? 近日，全球半導體市場規(guī)模增長帶動了上游半導體材料旺盛需求，“光刻膠”的突破也成為國內關注焦點。正當日本光刻膠企業(yè)JSR、東京應化和美國Lam Research在EUV光刻膠
2022-08-31 07:45:004234 厚膠量產到ArF浸沒式膠驗證，從樹脂國產化到EUV原料突破，一場靜默卻浩蕩的技術突圍戰(zhàn)已進入深水區(qū)。 ? 例如在248nm波長的KrF光刻膠武漢太紫微的T150A膠以120nm分辨率和93.7%的良率通過中芯國際28nm產線驗證，開創(chuàng)了國內半導體光刻制造的新
2025-07-13 07:22:006083 “研發(fā)+量產”雙軌并行模式，總產能達萬噸級，是目前國內規(guī)模領先的KrF光刻膠生產基地。產線集成了高自動化控制系統(tǒng)，從原料配比到成品檢測的全流程實現(xiàn)智能化管控，不僅大幅提升了生產效率，更確保了產品質量的穩(wěn)定性。 ? 研發(fā)線專注于新
2025-08-10 03:26:009092 /㎝2條件下進行曝光。曝光結束后，選擇合適的烘烤溫度及時間。將晶片在顯影液中浸漬顯影，隨后用氮氣吹干。AZ光刻膠AZ光刻膠刻蝕厚度從1μm到150μm以及更厚。高感光度,高產出率；高附著性,特別為濕法刻蝕工藝
2018-07-12 11:57:08
（電子科技大學 微電子與固體電子學院，成都 610054）摘 要：光刻膠技術是曝光技術中重要的組成部分,高性能的曝光工具需要有與之相配套的高性能的光刻膠才能真正獲得高分辨率的加工能力。主要圍繞光刻膠
2018-08-23 11:56:31
光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會發(fā)生改變。光刻膠主要用來將光刻掩膜版上的圖形轉移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負膠之分。正膠經(jīng)過曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經(jīng)過顯影后被
2019-11-07 09:00:18
這是我的版圖一部分，然后生成了圖案是這樣的： 感覺間距小的地方全都有殘留，間距大的地方?jīng)]有殘留；工藝參數(shù)：s9920光刻膠， evg 620‘未進行蒸汽底漆層涂覆，前烘：100攝氏度，90s
2016-11-29 14:59:18
100μm并具有極高的分辨率。 NR5 系列 NR5-系列負性光刻膠，用于深度離子蝕刻（RIE）中的厚膜掩膜工藝。 PR1 系列 正性光刻膠，用于光刻，蝕刻和高溫制程。 IC1/DC5 系列 作為
2010-04-21 10:57:46
SU 8光刻膠系列產品簡介：新型的化學增幅型負像 SU- 8 膠是一種負性、環(huán)氧樹脂型、近紫外線光刻膠，克服了普通光刻膠采用 UV光刻導致的深寬比不足的問題，十分適合于制備高深寬比微結構。SU- 8
2018-07-04 14:42:34
請問各位，誰知道這個芯片有什么國產化替代方案嗎
2022-06-27 10:38:38
://www.wetsemi.com/index.html 關鍵詞：光刻膠附著力，砷化鎵，濕蝕刻，表面處理，輪廓 概要報告了幾個旨在修復 InGaP/GaAs NPN HBT 噴霧濕法化學蝕刻期間光刻膠粘附失效
2021-07-06 09:39:22
`在今年4月份，F(xiàn)irefly推出了基于RK3399的全國產化核心板后，引起了業(yè)界的廣泛關注。為了更好地推進國內科技產業(yè)的發(fā)展，F(xiàn)irefly繼續(xù)深入開發(fā)穩(wěn)定的國產化平臺，形成了國產化系列。目前已在
2021-06-15 10:21:22
噴膠機是現(xiàn)代光電子產業(yè)中光刻膠涂布的重要設備?？蓪Σ煌叽绾托螤畹幕M行涂膠，最大涂膠尺寸達8寸，得到厚度均勻的光刻膠層，同時可對大深寬比結構的側壁進行均勻涂膠；通過計算機系統(tǒng)控制器進行工藝參數(shù)的編輯和操作。
2020-03-23 09:00:57
國產FPGA正在面臨挑戰(zhàn)如何選擇國產化替代FPGA產品
2021-03-02 06:30:14
本帖最后由 Tronlong創(chuàng)龍科技 于 2023-6-15 16:57 編輯
創(chuàng)龍科技RK3568J核心板獲得“100%國產化”認證
日前，創(chuàng)龍科技“國產化率100%認證”的核心板再添一員
2023-06-15 16:56:01
151n光刻膠曝光顯影后開口底部都會有一撮殘留，找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52
光刻膠與光刻工藝技術 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內,然后把這些區(qū)域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0 這是一種老式的旋轉涂膠機，將芯片上涂上光刻膠然后將芯片放到上邊，可以通過機器的旋轉的力度將光刻膠均勻分布到芯片表面，光刻膠只有均勻涂抹在芯片表面，才能保證光刻的成功。
2018-05-17 14:39:3719874 默克與中電彩虹的創(chuàng)新合作項目光刻膠國產化項目于 7 月 17 日在陜西咸陽正式竣工。
2018-07-19 09:09:387903 光刻膠是電子領域微細圖形加工關鍵材料之一，是由感光樹脂、增感劑和溶劑等主要成分組成的對光敏感的混合液體。在紫外光、深紫外光、電子束、離子束等光照或輻射下，其溶解度發(fā)生變化，經(jīng)適當溶劑處理，溶去可溶性部分，最終得到所需圖像。
2019-02-19 09:17:0641237 在國家政策與市場的雙重驅動下，近年來，國內企業(yè)逐步向面板、半導體光刻膠發(fā)力……
2019-04-23 16:15:3614108 
2018年，南大光電和上海新陽先后宣布，投入ArF光刻膠產品的開發(fā)與產業(yè)化，立志打破集成電路制造最為關鍵的基礎材料之一——高檔光刻膠材料幾乎完全依賴于進口的局面，填補國內高端光刻膠材料產品的空白。
2019-05-21 09:24:247863 
預計2019年底建成一條光刻膠生產線，項目產業(yè)化基地建設順利。
2019-07-19 14:08:305922 經(jīng)開區(qū)企業(yè)北京欣奕華科技有限公司（以下簡稱“欣奕華”）了解到，經(jīng)過多年的行業(yè)累積和技術迭代，欣奕華在平板顯示用負性光刻膠領域實現(xiàn)了量產，預計今年將有1000噸的光刻膠交付用戶，約占國內市場的8%。
2019-10-28 16:38:494539 今年7月17日，南大光電在互動平臺透露，公司設立光刻膠事業(yè)部，并成立了全資子公司“寧波南大光電材料有限公司”，全力推進“ArF光刻膠開發(fā)和產業(yè)化項目”落地實施。目前該項目完成的研發(fā)技術正在等待驗收中，預計2019年底建成一條光刻膠生產線，項目產業(yè)化基地建設順利。
2019-12-16 13:58:528273 日本放寬半導體EUV（極紫外線）制程原料“光刻膠”的出口限制，韓國半導體產業(yè)暫時獲得喘息的空間，但韓國業(yè)界仍堅定推動國產化策略。
2019-12-23 16:25:444208 隨著電子信息產業(yè)發(fā)展的突飛猛進，光刻膠市場總需求不斷提升。2019年全球光刻膠市場規(guī)模預計接近90億美元，自2010年至今CAGR約5.4%，預計未來3年仍以年均5%的速度增長，預計至2022年全球光刻膠市場規(guī)模將超過100億美元。
2020-03-01 19:02:484848 在國際半導體領域，我國雖已成為半導體生產大國，但整個半導體產業(yè)鏈仍比較落后。特別是由于國內光刻膠廠布局較晚，半導體光刻膠技術相較于海外先進技術差距較大，國產化不足5%。在這種條件下，國內半導體廠商積極開展研究，如晶瑞股份的KrF光刻膠，南大光電的ArF光刻膠均取得較好的研究效果。
2020-03-06 15:40:565517 與ASML一臺售價媲美一架F35 戰(zhàn)斗機，達到1億以上歐元的NXE3400B EVU設備比較起來，全球市場規(guī)模只有90億美元的光刻膠就要不顯眼許多。
2020-03-29 17:04:004299 光刻膠按應用領域分類，大致分為LCD光刻膠、PCB光刻膠（感光油墨）與半導體光刻膠等。按照下游應用來看，目前LCD光刻膠占比26．6%，刻膠占比24．5%，半導體光刻膠占比24．1%，PCB光其他類光刻膠占比24．8%。
2020-06-12 17:13:396218 光刻工序將所需要的微細圖形從光罩（掩模版）轉移到待加工基片上。依據(jù)使用場景，這里的待加工基片可以是集成電路材料，顯示面板材料或者印刷電路板。 據(jù)第三方機構智研咨詢統(tǒng)計，2019年全球光刻膠市場規(guī)模預計近90億美元，
2020-09-15 14:00:1420205 全球光刻膠市場規(guī)模從2016 年的15 億美元增長至2019年的18億美元，年復合增長率達6.3%；應用方面，光刻膠主要應用在PCB、半導體及LCD顯示等領域，各占約25%市場份額。
2020-09-21 11:28:046826 
開發(fā)行股票計劃募集資金總額不超過人民幣 120,000.00萬元，扣除發(fā)行費用后的募集資金凈額擬投入以下項目。其中，有8.5億元將會投入到新一代電子信息材料國產化項目-光刻膠及光刻膠配套試劑研發(fā)當中。 雅克科技于2010年在深交所中小企業(yè)板上市，主
2020-09-24 10:32:016129 
全球光刻膠市場規(guī)模從2016 年的15 億美元增長至2019年的18億美元，年復合增長率達6.3%；應用方面，光刻膠主要應用在PCB、半導體及LCD顯示等領域，各占約25%市場份額。 國內光刻膠整體
2020-10-10 17:40:253534 光刻膠是由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成份組成的、對光敏感的混合液體。利用光化學反應，經(jīng)曝光、顯影、刻蝕等工藝將所需要的微細圖形從掩模版轉移到待加工基片上的圖形轉移介質，其中曝光是通過紫外光
2022-12-06 14:53:542357 此外，由于光刻加工分辨率直接關系到芯片特征尺寸大小，而光刻膠的性能關系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效應。光刻分辨率與曝光波長、數(shù)值孔徑和工藝系數(shù)相關。
2020-10-15 15:09:187666 光刻膠是微納加工過程中非常關鍵的材料。有專家表示，中國要制造芯片，光有光刻機還不夠，還得打破國外對“光刻膠”的壟斷。
2020-12-08 10:53:564956 大光電的ArF光刻膠產品測試各項性能滿足工藝規(guī)格要求，良率結果達標?！?“ArF 光刻膠產品開發(fā)和產業(yè)化”是寧波南大光電承接國家 “02 專項”的一個重點攻關項目。本次產品的認證通過，標志著 “ArF 光刻膠產品開發(fā)和產業(yè)化”項目取得了關鍵性的突破
2020-12-18 09:29:427279 ，“ArF 光刻膠產品開發(fā)和產業(yè)化”是寧波南大光電承接國家“02 專項”的一個重點攻關項目。本次產品的認證通過，標志著“ArF 光刻膠產品開發(fā)和產業(yè)化”項目取得了關鍵性的突破，成為國內通過產品驗證的第一只國產 ArF 光刻膠。? 此舉意味著國產193nm ArF 光刻膠產
2020-12-25 18:24:097828 近期，專注于電子材料市場研究的TECHCET發(fā)布最新統(tǒng)計和預測數(shù)據(jù)：2021年，半導體制造所需的光刻膠市場規(guī)模將同比增長11％，達到19億美元。
2021-03-22 10:51:126146 關鍵在于能造是一回事，能用是另一回事，這其實也是半導體材料產業(yè)的核心問題所在。 01純度 無論是氟化氫、聚酰亞胺、光刻膠還是硅片，純度是其最核心的標準之一。比如對于光刻膠來說，目前國外的光刻膠阻抗可以做到10^15，國內基本上
2021-05-11 13:46:384021 
按照應用領域分類，光刻膠主要包括印制電路板（PCB）光刻膠專用化學品（光引發(fā)劑和樹脂）、液晶顯示器（LCD）光刻膠光引發(fā)劑、半導體光刻膠光引發(fā)劑和其他用途光刻膠四大類。本文主要討論半導體光刻膠。
2021-05-17 14:15:525022 
由于KrF光刻膠產能受限以及全球晶圓廠積極擴產等，占據(jù)全球光刻膠市場份額超兩成的日本供應商信越化學已經(jīng)向中國大陸多家一線晶圓廠限制供貨KrF光刻膠，且已通知更小規(guī)模晶圓廠停止供貨KrF光刻膠。 信越
2021-06-25 16:12:281241 大漲9.72%，雅克科技大漲9.93%，強力新材、上海新陽、彤程新材等跟漲。 光刻膠板塊的大漲吸引了產業(yè)注意 ，國產光刻膠再遇發(fā)展良機？ KrF光刻膠海外供應告急 據(jù)了解，光刻膠板塊本輪異動的背后，是KrF光刻膠海外供應告急。自日本福島2月份發(fā)生強震后，光刻膠市場一度傳
2021-05-28 10:34:154020 光刻膠是光刻機研發(fā)的重要材料，換句話說光刻機就是利用特殊光線將集成電路映射到硅片的表面，如果想要硅片的表面不留下痕跡，就需要網(wǎng)硅片上涂一層光刻膠。
2022-02-05 16:11:0015756 AZ703的自旋速度為3000r/min，厚度為1.10um，對光刻膠的去除有顯著影響。為了最小化頂層與襯底物接觸的面積，進一步減少浮渣，我們選擇了8μm作為底層抗蝕劑的最佳縮回距離d。 導讀 一般來說，負光致抗蝕劑具有良好的抗蝕特性作為掩
2022-01-26 11:43:221169 
什么是光刻？光刻是將掩模上的幾何形狀轉移到硅片表面的過程。光刻工藝中涉及的步驟是晶圓清洗；阻擋層的形成；光刻膠應用；軟烤；掩模對準；曝光和顯影；和硬烤。
2022-03-15 11:38:021489 
的自旋速度為3000r/min，厚度為1.10um，對光刻膠的去除有顯著影響。為了最小化頂層與襯底物接觸的面積，進一步減少浮渣，我們選擇了8μm作為底層抗蝕劑的最佳縮回距離d。
2022-03-24 16:04:231451 
灰化，簡單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉，光刻膠的基本成分是碳氫有機物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學反應，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通過泵被真空抽走，完成光刻膠的去除。
2022-07-21 11:20:178339 光刻膠產品說明英文版資料分享。
2022-08-12 16:17:2511 南大光電最新消息顯示，國產193nm（ArF）光刻膠研發(fā)成功，這家公司成為通過國家“02專項”驗收的ArF光刻膠項目實施主體；徐州博康宣布，該公司已開發(fā)出數(shù)十種高端光刻膠產品系列，包括
2022-08-31 09:47:142371 光刻膠的組成：樹脂（resin/polymer），光刻膠中不同材料的粘合劑，給與光刻膠的機械與化學性質（如粘附性、膠膜厚度、熱穩(wěn)定性等）；感光劑，感光劑對光能發(fā)生光化學反應；溶劑（Solvent
2022-10-21 16:40:0423795 半導體光刻膠用光敏材料仍屬于“卡脖子”產品，海外進口依賴較重，不同品質之間價 格差異大。以國內 PAG 對應的化學放大型光刻膠（主要是 KrF、ArF 光刻膠）來看，樹脂在 光刻膠中的固含量占比約
2022-11-18 10:07:434880 作為芯片產業(yè)鏈上的重要一環(huán)——光刻膠，是由樹脂，感光劑，溶劑，光引發(fā)劑等組成的混合液態(tài)感光材料。
2023-03-15 11:25:233327 光刻膠是IC制造的核心耗材，技術壁壘極高。根據(jù)TECHCET數(shù)據(jù)，預計2022年全球半導體光刻膠市場規(guī)模達到23億美元，同比增長7.5%，2025年超過25億美元。
2023-03-21 14:00:493248 此前該公司指出，公司已建成年產5噸ArF干式光刻膠生產線、年產20噸ArF浸沒式光刻膠生產線及年產45噸的光刻膠配套高純試劑生產線，具備ArF光刻膠及配套關鍵組分材料的生產能力，目前公司送樣驗證的產品均由該自建產線產出。
2023-04-11 09:25:321910 芯片制造的國產化任重道遠，比如在EDA工具的國產化、光刻機等，國產化都還有很長的路要走。有統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，目前階段我國在清洗、熱處理、去膠設備的國產化率分別達到34％、40％、90％，在涂膠顯影、刻蝕
2023-08-09 11:50:205018 光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體，不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項重要指標。那么光刻膠的黏度為什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻膠算高黏度，哪些算低黏度呢？
2023-11-13 18:14:112940 
為了生產高純度、高質量的光刻膠，需要高純度的配方原料，例如光刻樹脂，溶劑PGMEA…此外，生產過程中的反應釜鍍膜和金屬析出污染監(jiān)測也是至關重要的控制環(huán)節(jié)。例如，2019年，某家半導體制造公司由于光刻膠受到光阻原料的污染，導致上萬片12吋晶圓報廢
2023-11-27 17:15:481717 光刻膠類別的多樣化，此次漲價案所涉KrF光刻膠屬于高階防護用品，也是未來各地廠家的競爭焦點。當前市場中，光刻膠主要由東京大賀工業(yè)、杜邦、JSR、信越化學、住友化學及東進半導體等大型制造商掌控。
2023-12-14 15:20:362439 勻膠是光刻中比較重要的一步，而旋涂速度是勻膠中至關重要的參數(shù)，那么我們在勻膠時，是如何確定勻膠速度呢？它影響光刻膠的哪些性質？
2023-12-15 09:35:563928 
所謂的“光刻膠”，即是在紫外線、電子束等輻射下，其溶解度會產生變化的耐腐蝕薄膜材料。作為光刻工藝中的關鍵要素，廣泛應用于晶圓和分立器件的精細圖案制作中。其品種繁多，此次漲價涉及的KrF 光刻膠則屬高級別光刻膠，將成為各廠商關注的焦點。
2023-12-28 11:14:341635 光刻膠主要下游應用包括：顯示屏制造、印刷電路板生產、半導體制造等，其中顯示屏是光刻膠最大的下游應用，占比30%。光刻膠在半導體制造應用占比24%，是第三達應用場景。
2024-01-03 18:12:212813 
光刻膠不能太厚或太薄，需要按制程需求來定。比如對于需要長時間蝕刻以形成深孔的應用場景，較厚的光刻膠層能提供更長的耐蝕刻時間。
2024-03-04 10:49:162061 
光刻膠是一種涂覆在半導體器件表面的特殊液體材料，可以通過光刻機上的模板或掩模來進行曝光。
2024-03-04 17:19:189618 與正光刻膠相比，電子束負光刻膠會形成相反的圖案?；诰酆衔锏呢撔?b class="flag-6" style="color: red">光刻膠會在聚合物鏈之間產生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解，而曝光的光刻膠則保留下來，從而形成負像。
2024-03-20 11:36:505058 
在紫外光照射下，三芳基碘鹽光敏劑被激活，釋放活性碘離子。這些活性碘離子與SU-8光刻膠中的丙烯酸酯單體反應，引發(fā)單體之間的交聯(lián)反應，導致SU-8光刻膠在曝光區(qū)域形成凝膠化的圖案。
2024-03-31 16:25:209092 
共讀好書 前烘對正膠顯影的影響 前烘對負膠膠顯影的影響 需要這個原報告的朋友可轉發(fā)這篇文章獲取百份資料，內含光刻膠多份精品報告【贈2024電子資料百份】6 月 28-30 日北京“電子化學品行業(yè)分析檢測與安全管理培訓班”。 審核編輯 黃宇
2024-06-23 08:38:021725 
我們在使用光刻膠的時候往往關注的重點是光刻膠的性能，但是有時候我們會忽略光刻膠的保存和壽命問題，其實這個問題應該在我們購買光刻膠前就應該提出并規(guī)劃好。并且，在光刻過程中如果發(fā)現(xiàn)有異常情況發(fā)生，我們
2024-07-08 14:57:083146 圖形反轉膠是比較常見的一種紫外光刻膠，它既可以當正膠使用又可以作為負膠使用。相比而言，負膠工藝更被人們所熟知。本文重點介紹其負膠工藝。 應用領域 在反轉工藝下，通過適當?shù)墓に噮?shù)，可以獲得底切的側壁
2024-07-09 16:06:001988 
后烘是指（post exposure bake-PEB）是指在曝光之后的光刻膠膜的烘烤過程。由于光刻膠膜還未顯影，也就是說還未閉合，PEB也可以在高于光刻膠軟化溫度的情況下進行。前面的文章中我們在
2024-07-09 16:08:433446 
評價一款光刻膠是否適合某種應用需要綜合看這款光刻膠的特定性能，這里給出光刻膠一般特性的介紹。 1. 靈敏度 靈敏度（sensitivity）是衡量曝光速度的指標。光刻膠的靈敏度越高，所需的曝光劑量
2024-07-10 13:43:492388 根據(jù)光刻膠的應用工藝，我們可以采用適當?shù)姆椒▽σ扬@影的光刻膠結構進行處理以提高其化學或物理穩(wěn)定性。通常我們可以采用烘烤步驟來實現(xiàn)整個光刻膠結構的熱交聯(lián)，稱為硬烘烤或者堅膜。或通過低劑量紫外線輻照
2024-07-10 13:46:592702 
為了確保光刻工藝的可重復性、可靠性和可接受性，必須在基板表面上均勻涂覆光刻膠。光刻膠通常分散在溶劑或水溶液中，是一種高粘度材料。根據(jù)工藝要求，有許多工藝可用于涂覆光刻膠。 旋涂是用光刻膠涂覆基材
2024-07-11 15:46:362757 存儲時間 正膠和圖形反轉膠在存儲數(shù)月后會變暗，而且隨著儲存溫度升高而加速。因為該類型光刻膠含有的光活性化合物形成偶氮染料，在 可見光譜的部分具有很強的吸收能力，對紫外靈敏度沒有任何影響。這種變色過程
2024-07-11 16:07:491791 在微流控PDMS芯片或SU-8模具制作的過程中，需要把PDMS膠或SU-8光刻膠根據(jù)所需要的厚度來選擇合適的旋涂轉速并且使PDMS膠或SU-8膠涂布均勻化。 如何成功的旋涂微流控SU-8光刻膠
2024-08-26 14:16:011298 在微流控PDMS芯片加工的過程中，需要使用烘膠臺或者烤膠設備對SU-8光刻膠或PDMS聚合物進行烘烤。SU-8光刻膠的烘烤通常需要進行2-3次。本文簡要介紹SU-8光刻膠烘烤的注意事項。 微流
2024-08-27 15:54:011241 共讀好書關于常用光刻膠型號也可以查看這篇文章：收藏！常用光刻膠型號資料大全，幾乎包含所有芯片用光刻膠歡迎掃碼添加小編微信掃碼加入知識星球，領取公眾號資料
2024-11-01 11:08:073091 設計，有望開創(chuàng)國內半導體光刻制造新局面。 ? 眾所周知，光刻膠是半導體芯片制造過程中所必須的關鍵材料，其研發(fā)和生產過程復雜且嚴格。光刻膠是指經(jīng)過紫外光、深紫外光、電子束、離子束、X射線等光照或輻射后，溶解度發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜
2024-10-17 13:22:441105 
本文介紹了光刻膠的使用過程與原理。
2024-10-31 15:59:452789 光刻技術是現(xiàn)代微電子和納米技術的研發(fā)中的關鍵一環(huán)，而光刻膠，又是光刻技術中的關鍵組成部分。隨著技術的發(fā)展，對微小、精密的結構的需求日益增強，光刻膠的需求也水漲船高，在微電子制造和納米技術等高精尖領域占據(jù)著至關重要的位置。
2024-11-11 10:08:214404 
光刻膠作為掩模進行干法刻蝕或是濕法腐蝕后，一般都是需要及時的去除清洗，而一些高溫或者其他操作往往會導致光刻膠碳化難以去除。
2024-11-11 17:06:222391 
分辨率（resolution）。區(qū)別硅片表面相鄰圖形特征的能力。一般用關鍵尺寸（CD，Critical Dimension）來衡量分辨率。形成的關鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好。
2024-11-15 10:10:414832 
光刻膠是半導體制造等領域的一種重要材料，在整個電子元器件加工產業(yè)有著舉足輕重的地位。 它主要由感光樹脂、增感劑和溶劑等成分組成。其中，感光樹脂決定了光刻膠的感光度和分辨率等關鍵性能，增感劑有助于提高
2024-12-19 13:57:362091 引言 在半導體制造與微納加工領域，光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料，其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質量。同時，精準測量光刻圖形對把控工藝質量意義重大，白光干涉儀為此提供了有力的技術保障
2025-05-29 09:38:531108 
如果說最終制造出來的芯片是一道美食，那么光刻膠就是最初的重要原材料之一，而且是那種看起來可能不起眼，但卻能決定一道菜味道的關鍵輔料。 光刻膠（photoresist），在業(yè)內又被稱為光阻或光阻劑
2025-06-04 13:22:51993 ? ? 引言 ? 在半導體制造領域，光刻膠剝離工藝是關鍵環(huán)節(jié)，但其可能對器件性能產生負面影響。同時，光刻圖形的精確測量對于保證芯片制造質量至關重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方法，并介紹白光
2025-06-14 09:42:56736 
引言 在半導體及微納制造領域，光刻膠剝離工藝對金屬結構的保護至關重要。傳統(tǒng)剝離液易造成金屬過度蝕刻，影響器件性能。同時，光刻圖形的精確測量是保障工藝質量的關鍵。本文將介紹金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合
2025-06-24 10:58:22565 引言 在晶圓上芯片制造工藝中，光刻膠剝離是承上啟下的關鍵環(huán)節(jié)，其效果直接影響芯片性能與良率。同時，光刻圖形的精確測量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻膠剝離方法，并探討白光
2025-06-25 10:19:48816 當您尋找可靠的國產半導體材料供應商時，一家在光刻膠領域實現(xiàn)全產業(yè)鏈突破的企業(yè)正脫穎而出——久日新材（688199.SH）。這家光引發(fā)劑巨頭，正以令人矚目的速度在半導體核心材料國產化浪潮中嶄露頭角
2025-08-12 16:45:381162 在芯片制造領域的光刻工藝中，光刻膠旋涂是不可或缺的基石環(huán)節(jié)，而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優(yōu)可測薄膜厚度測量儀AF系列憑借高精度、高速度的特點，為光刻膠厚度監(jiān)測提供了可靠解決方案。
2025-08-22 17:52:461542 
光刻膠剝離工藝是半導體制造和微納加工中的關鍵步驟，其核心目標是高效、精準地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結構。以下是該工藝的主要類型及實施要點：濕法剝離技術有機溶劑溶解法原理：使用丙酮、NMP
2025-09-17 11:01:271282 
其他工藝器件的參與才能保障芯片的高良率。 ? 以光刻膠為例，這是決定芯片 圖案能否被精準 刻下來的“感光神經(jīng)膜”。并且隨著芯片步入 7nm及以下先進制程芯片 時代，不僅需要EUV光刻機，更需要EUV光刻膠的參與。但在過去 國內長期依賴進
2025-10-28 08:53:356236
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