化學(xué)放大型光刻膠的作用原理

感光速度:即光刻膠受光照射發(fā)生溶解速度改變所需的最小能量，感光速度越快，單位時(shí)間內(nèi)芯片制造的產(chǎn)出越高，經(jīng)濟(jì)效益越好，另-方面，過(guò)快的感光速度會(huì)對(duì)引起工藝寬容度的減小，影響工藝制程的穩(wěn)定性。

董玉穎:查找資料.；

倪一凡:查找資料；

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編輯：黃飛

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光刻膠(31624) 光刻膠(31624)
半導(dǎo)體工藝(26916) 半導(dǎo)體工藝(26916)

評(píng)論

一文看懂：光刻膠的創(chuàng)新應(yīng)用與國(guó)產(chǎn)替代機(jī)會(huì)

引言 ? 光刻膠又稱(chēng)“光致抗蝕劑”或“光阻劑”，被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細(xì)圖形線路的加工制作，是微納制造技術(shù)的關(guān)鍵性材料。 光刻膠是光刻工藝最重要的耗材，其性能決定了加工成品的精密程度和良品率

2022-04-25 17:35:22

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微氣泡對(duì)光刻膠層的影響

關(guān)鍵詞：氧氣、微氣泡、光刻膠、高劑量離子注入、氣水界面介紹? ??? 微氣泡是一種很有前途的環(huán)保光刻膠去除方法的候選方法。已經(jīng)證明，臭氧微氣泡可以去除硅片上的光刻劑，即使被高劑量的離子注入破壞

2022-01-10 11:37:13

1980

使用超臨界二氧化碳剝離碳化光刻膠的實(shí)驗(yàn)

關(guān)鍵詞:超臨界清洗，離子注入光刻膠，光刻膠剝離摘要本文提出了一種有效的、環(huán)保的干剝離方法，使用超臨界二氧化碳(SCCO2)系統(tǒng)，在40℃到100℃和壓力從90巴到340巴時(shí)去除離子植入的光刻劑

2022-01-27 14:07:43

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A股半導(dǎo)體光刻膠企業(yè)營(yíng)收靚麗！打造光刻膠全產(chǎn)業(yè)鏈博康欲成國(guó)產(chǎn)光刻膠的中流砥柱

光刻膠為何要謀求國(guó)產(chǎn)替代？中國(guó)國(guó)產(chǎn)光刻膠企業(yè)的市場(chǎng)發(fā)展機(jī)會(huì)和挑戰(zhàn)如何？光刻膠企業(yè)發(fā)展要具備哪些核心競(jìng)爭(zhēng)力？在南京半導(dǎo)體大會(huì)期間，徐州博康公司董事長(zhǎng)傅志偉和研發(fā)總監(jiān)潘新剛給我們帶來(lái)前沿觀點(diǎn)和獨(dú)家分析。

2022-08-29 15:02:23

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光刻膠的類(lèi)型及特性

光刻膠類(lèi)型及特性光刻膠（Photoresist），又稱(chēng)光致抗蝕劑，是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類(lèi)型和光刻膠特性。

2025-04-29 13:59:33

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國(guó)產(chǎn)高端光刻膠新進(jìn)展，KrF、ArF進(jìn)一步突破！

近日，上海新陽(yáng)發(fā)布公告稱(chēng)，公司自主研發(fā)的KrF（248nm）厚膜光刻膠產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)客戶(hù)認(rèn)證，并成功取得第一筆訂單，取得不錯(cuò)進(jìn)展。 ? 光刻膠用于半導(dǎo)體光刻工藝環(huán)節(jié)，是決定制造質(zhì)量的重要因素，根據(jù)曝光

2021-07-03 07:47:00

26808

華為投資光刻膠企業(yè) 光刻膠單體材料全部自供

，增幅11.11%。 ? 截圖自企查查 ? 光刻膠是芯片制造中光刻環(huán)節(jié)的重要材料，目前主要被日美把控，國(guó)內(nèi)在光刻膠方面投入研制的廠商主要晶瑞股份、南大光電、上海新陽(yáng)、徐州博康、北京科華等，那么華為投資的徐州博康在光刻膠方面有何優(yōu)勢(shì)，國(guó)內(nèi)廠商在光

2021-08-12 07:49:00

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半導(dǎo)體光刻膠企業(yè)營(yíng)收靚麗！打造光刻膠全產(chǎn)業(yè)鏈博康欲成國(guó)產(chǎn)光刻膠的中流砥柱

電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 ? 近日，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)帶動(dòng)了上游半導(dǎo)體材料旺盛需求，“光刻膠”的突破也成為國(guó)內(nèi)關(guān)注焦點(diǎn)。正當(dāng)日本光刻膠企業(yè)JSR、東京應(yīng)化和美國(guó)Lam Research在EUV光刻膠

2022-08-31 07:45:00

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國(guó)產(chǎn)光刻膠突圍，日企壟斷終松動(dòng)

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 光刻膠作為芯片制造光刻環(huán)節(jié)的核心耗材，尤其高端材料長(zhǎng)期被日美巨頭壟斷，國(guó)外企業(yè)對(duì)原料和配方高度保密，我國(guó)九成以上光刻膠依賴(lài)進(jìn)口。不過(guò)近期，國(guó)產(chǎn)光刻膠領(lǐng)域捷報(bào)頻傳——從KrF

2025-07-13 07:22:00

6083

光刻工藝步驟

一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類(lèi)型：正性光刻和負(fù)性光刻，區(qū)別如下

2021-01-12 10:17:47

光刻膠

的厚膜圖形；它還具有良好的力學(xué)性能、抗化學(xué)腐蝕性和熱穩(wěn)定性；在受到紫外輻射后發(fā)生交聯(lián)，是一種化學(xué)擴(kuò)大負(fù)性膠，可以形成臺(tái)階等結(jié)構(gòu)復(fù)雜的圖形；在電鍍時(shí)可以直接作為絕緣體使用。 SU-8光刻膠的優(yōu)點(diǎn)：1

2018-07-12 11:57:08

光刻膠在集成電路制造中的應(yīng)用

過(guò)程才能完成,光刻膠及蝕刻技術(shù)是實(shí)現(xiàn)集成電路微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵[2]。蝕刻的方式主要分為濕法和干法兩種，等離子與反應(yīng)離子刻蝕（RIE）屬于干法蝕刻，主要是通過(guò)物理轟擊濺射和化學(xué)反應(yīng)的綜合作用來(lái)腐蝕薄膜層

2018-08-23 11:56:31

光刻膠有什么分類(lèi)？生產(chǎn)流程是什么？

光刻膠也稱(chēng)為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會(huì)發(fā)生改變。光刻膠主要用來(lái)將光刻掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負(fù)膠之分。正膠經(jīng)過(guò)曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經(jīng)過(guò)顯影后被

2019-11-07 09:00:18

光刻膠殘留要怎么解決？

這是我的版圖一部分，然后生成了圖案是這樣的：感覺(jué)間距小的地方全都有殘留，間距大的地方?jīng)]有殘留；工藝參數(shù)：s9920光刻膠， evg 620‘未進(jìn)行蒸汽底漆層涂覆，前烘：100攝氏度，90s

2016-11-29 14:59:18

Futurrex高端光刻膠

于正負(fù)型光刻膠且顯影速度快。 RR41 & 5系列 化學(xué)品，具有獨(dú)特性能的光刻膠去膠液，并能安全的去除多種臨時(shí)涂層，且與Si、III/V基襯底、II/VI襯底、氧化銦錫(ITO)及銅

2010-04-21 10:57:46

Microchem SU-8光刻膠 2000系列

SU 8光刻膠系列產(chǎn)品簡(jiǎn)介：新型的化學(xué)增幅型負(fù)像 SU- 8 膠是一種負(fù)性、環(huán)氧樹(shù)脂型、近紫外線光刻膠，克服了普通光刻膠采用 UV光刻導(dǎo)致的深寬比不足的問(wèn)題，十分適合于制備高深寬比微結(jié)構(gòu)。SU- 8

2018-07-04 14:42:34

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學(xué)蝕刻過(guò)程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓

書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學(xué)蝕刻過(guò)程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號(hào)：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網(wǎng)址：http

2021-07-06 09:39:22

噴膠機(jī)有什么典型應(yīng)用？

噴膠機(jī)是現(xiàn)代光電子產(chǎn)業(yè)中光刻膠涂布的重要設(shè)備?？蓪?duì)不同尺寸和形狀的基片進(jìn)行涂膠，最大涂膠尺寸達(dá)8寸，得到厚度均勻的光刻膠層，同時(shí)可對(duì)大深寬比結(jié)構(gòu)的側(cè)壁進(jìn)行均勻涂膠；通過(guò)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)控制器進(jìn)行工藝參數(shù)的編輯和操作。

2020-03-23 09:00:57

負(fù)光刻膠顯影殘留原因

151n光刻膠曝光顯影后開(kāi)口底部都會(huì)有一撮殘留，找不到原因。各位幫分析下

2023-04-20 13:13:52

離線光刻膠微粒子計(jì)數(shù)器

PMT-2離線光刻膠微粒子計(jì)數(shù)器是一款新型液體顆粒監(jiān)測(cè)儀器。采用激光光散或光阻原理的顆粒檢測(cè)傳感器，可以對(duì)超純水、自來(lái)水、飲用水、去離子水、礦泉水、蒸餾水、無(wú)機(jī)化學(xué)品、有機(jī)化學(xué)品、有機(jī)溶劑、清洗劑

2022-12-14 10:44:24

化學(xué)品、光刻膠微粒子計(jì)數(shù)器

MPS-100A化學(xué)品、光刻膠微粒子計(jì)數(shù)器是普納赫科技向韓國(guó)公司訂制的一款新型在線液體顆粒監(jiān)測(cè)儀器。采用激光光散或光阻原理的顆粒檢測(cè)傳感器，可以對(duì)超純水、自來(lái)水、飲用水、去離子水、礦泉水、蒸餾水

2023-01-03 15:30:32

【科普轉(zhuǎn)載】光刻工作原理簡(jiǎn)介03（光刻膠）#硬聲創(chuàng)作季

光刻光刻膠

電子知識(shí)科普發(fā)布于 2022-10-27 17:14:48

光刻膠與光刻工藝技術(shù)

光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來(lái)以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形的工藝是由光刻來(lái)完成的,也就是說(shuō),首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將其曝露于某種光源下,如紫外光,

2011-03-09 16:43:21

光刻膠是芯片制造的關(guān)鍵材料，圣泉集團(tuán)實(shí)現(xiàn)了

這是一種老式的旋轉(zhuǎn)涂膠機(jī)，將芯片上涂上光刻膠然后將芯片放到上邊，可以通過(guò)機(jī)器的旋轉(zhuǎn)的力度將光刻膠均勻分布到芯片表面，光刻膠只有均勻涂抹在芯片表面，才能保證光刻的成功。

2018-05-17 14:39:37

19874

探討PCB光刻膠專(zhuān)用化學(xué)品行業(yè)基本概況

干膜光刻膠是由預(yù)先配制好的液態(tài)光刻膠（Photoresist）在精密的涂布機(jī)上和高清潔度的條件下均勻涂布在載體聚酯薄膜（PET膜）上，經(jīng)烘干、冷卻后，再覆上聚乙烯薄膜（PE膜），收卷而成卷狀的薄膜型光刻膠。

2019-01-30 16:49:14

11964

上海新陽(yáng)再次轉(zhuǎn)換戰(zhàn)場(chǎng) 選擇研發(fā)3D NAND用的KrF 光刻膠

2018年，南大光電和上海新陽(yáng)先后宣布，投入ArF光刻膠產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，立志打破集成電路制造最為關(guān)鍵的基礎(chǔ)材料之一——高檔光刻膠材料幾乎完全依賴(lài)于進(jìn)口的局面，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)高端光刻膠材料產(chǎn)品的空白。

2019-05-21 09:24:24

7863

南大光電將建成光刻膠生產(chǎn)線，明年或光刻機(jī)進(jìn)場(chǎng)

今年7月17日，南大光電在互動(dòng)平臺(tái)透露，公司設(shè)立光刻膠事業(yè)部，并成立了全資子公司“寧波南大光電材料有限公司”，全力推進(jìn)“ArF光刻膠開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”落地實(shí)施。目前該項(xiàng)目完成的研發(fā)技術(shù)正在等待驗(yàn)收中，預(yù)計(jì)2019年底建成一條光刻膠生產(chǎn)線，項(xiàng)目產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)順利。

2019-12-16 13:58:52

8273

光刻膠國(guó)產(chǎn)化刻不容緩

隨著電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的突飛猛進(jìn)，光刻膠市場(chǎng)總需求不斷提升。2019年全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)接近90億美元，自2010年至今CAGR約5.4%，預(yù)計(jì)未來(lái)3年仍以年均5%的速度增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)至2022年全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)100億美元。

2020-03-01 19:02:48

4848

LCD光刻膠需求快速增長(zhǎng)，政策及國(guó)產(chǎn)化風(fēng)向帶動(dòng)國(guó)產(chǎn)廠商發(fā)展

光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類(lèi)，大致分為L(zhǎng)CD光刻膠、PCB光刻膠（感光油墨）與半導(dǎo)體光刻膠等。按照下游應(yīng)用來(lái)看，目前LCD光刻膠占比26．6%，刻膠占比24．5%，半導(dǎo)體光刻膠占比24．1%，PCB光其他類(lèi)光刻膠占比24．8%。

2020-06-12 17:13:39

6218

一文帶你看懂光刻膠

來(lái)源：浙商證券研究院 光刻膠又稱(chēng)光致抗蝕劑，是一種對(duì)光敏感的混合液體。其組成部分包括：光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑）、光刻膠樹(shù)脂、單體、溶劑和其他助劑。光刻膠可以通過(guò)光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等

2020-09-15 14:00:14

20205

2020年光刻膠行業(yè)情況解析

全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模從2016 年的15 億美元增長(zhǎng)至2019年的18億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)6.3%；應(yīng)用方面，光刻膠主要應(yīng)用在PCB、半導(dǎo)體及LCD顯示等領(lǐng)域，各占約25%市場(chǎng)份額。

2020-09-21 11:28:04

6826

新材料在線：2020年光刻膠行業(yè)研究報(bào)告

2020-10-10 17:40:25

3534

博聞廣見(jiàn)之半導(dǎo)體行業(yè)中的光刻膠

光刻膠是由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑三種主要成份組成的、對(duì)光敏感的混合液體。利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影、刻蝕等工藝將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上的圖形轉(zhuǎn)移介質(zhì)，其中曝光是通過(guò)紫外光

2022-12-06 14:53:54

2357

日本信越化學(xué)將斥資300億日提高光刻膠產(chǎn)能

據(jù)日經(jīng)報(bào)道，日本信越化學(xué)將斥資300億日元（約2.85億美元），把光刻膠的產(chǎn)能提高20%，以擴(kuò)充對(duì)半導(dǎo)體關(guān)鍵材料的供應(yīng)。根據(jù)報(bào)道，信越化學(xué)將會(huì)在日本和中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)興建工廠，位于中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)云林工廠

2020-10-22 17:25:32

4788

為打破光刻膠壟斷，我國(guó)冰刻2.0技術(shù)獲突破

光刻膠是微納加工過(guò)程中非常關(guān)鍵的材料。有專(zhuān)家表示，中國(guó)要制造芯片，光有光刻機(jī)還不夠，還得打破國(guó)外對(duì)“光刻膠”的壟斷。

2020-12-08 10:53:56

4956

南大光電自主研發(fā)的 ArF（193nm）光刻膠成功通過(guò)認(rèn)證

今日南大光電發(fā)布公告稱(chēng)，其控股子公司 “寧波南大光電”自主研發(fā)的 ArF（193nm）光刻膠產(chǎn)品近日成功通過(guò)客戶(hù)的使用認(rèn)證。報(bào)告顯示，“本次認(rèn)證選擇客戶(hù) 50nm 閃存產(chǎn)品中的控制柵進(jìn)行驗(yàn)證，寧波南

2020-12-18 09:29:42

7279

南大光電首款國(guó)產(chǎn)ArF光刻膠通過(guò)認(rèn)證可用于45nm工藝光刻需求

? 導(dǎo) 讀日前，南大光電公告稱(chēng)，由旗下控股子公司寧波南大光電材料自主研發(fā)的 ArF 光刻膠產(chǎn)品成功通過(guò)客戶(hù)使用認(rèn)證，線制程工藝可以滿(mǎn)足 45nm-90nm光刻需求。圖：南大光電公告 ? 公告稱(chēng)

2020-12-25 18:24:09

7828

光刻膠的價(jià)值與介紹及市場(chǎng)格局對(duì)國(guó)產(chǎn)光刻膠的發(fā)展趨勢(shì)

近期，專(zhuān)注于電子材料市場(chǎng)研究的TECHCET發(fā)布最新統(tǒng)計(jì)和預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)：2021年，半導(dǎo)體制造所需的光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將同比增長(zhǎng)11％，達(dá)到19億美元。

2021-03-22 10:51:12

6146

2021年，半導(dǎo)體制造所需的光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將同比增長(zhǎng)11％

按照應(yīng)用領(lǐng)域分類(lèi)，光刻膠主要包括印制電路板（PCB）光刻膠專(zhuān)用化學(xué)品（光引發(fā)劑和樹(shù)脂）、液晶顯示器（LCD）光刻膠光引發(fā)劑、半導(dǎo)體光刻膠光引發(fā)劑和其他用途光刻膠四大類(lèi)。本文主要討論半導(dǎo)體光刻膠。

2021-05-17 14:15:52

5022

光刻膠又遇“卡脖子”，國(guó)產(chǎn)替代刻不容緩

由于KrF光刻膠產(chǎn)能受限以及全球晶圓廠積極擴(kuò)產(chǎn)等，占據(jù)全球光刻膠市場(chǎng)份額超兩成的日本供應(yīng)商信越化學(xué)已經(jīng)向中國(guó)大陸多家一線晶圓廠限制供貨KrF光刻膠，且已通知更小規(guī)模晶圓廠停止供貨KrF光刻膠。信越

2021-06-25 16:12:28

1241

光刻膠板塊的大漲吸引了產(chǎn)業(yè)注意，國(guó)產(chǎn)光刻膠再遇發(fā)展良機(jī)？

5月27日，半導(dǎo)體光刻膠概念股開(kāi)盤(pán)即走強(qiáng)，截至收盤(pán)，A股光刻膠板塊漲幅達(dá)6.48%。其中晶瑞股份、廣信材料直線拉升大漲20%封漲停，容大感光大漲13.28%，揚(yáng)帆新材大漲11.37%，南大光電

2021-05-28 10:34:15

4020

光刻膠和光刻機(jī)的關(guān)系

光刻膠是光刻機(jī)研發(fā)的重要材料，換句話說(shuō)光刻機(jī)就是利用特殊光線將集成電路映射到硅片的表面，如果想要硅片的表面不留下痕跡，就需要網(wǎng)硅片上涂一層光刻膠。

2022-02-05 16:11:00

15756

世人皆言光刻膠難，它到底難在哪里

來(lái)源：?果殼硬科技 1、光刻膠究竟是怎樣一個(gè)行業(yè)？ 光刻膠，又稱(chēng)“光致抗蝕劑”，是光刻成像的承載介質(zhì)，可利用光化學(xué)反應(yīng)將光刻系統(tǒng)中經(jīng)過(guò)衍射、濾波后的光信息轉(zhuǎn)化為化學(xué)能量，從而把微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到

2022-01-20 21:02:46

2355

改善去除負(fù)光刻膠效果的方法報(bào)告

摘要我們?nèi)A林科納提出了一種新型的雙層光阻劑方法來(lái)減少負(fù)光阻劑浮渣。選擇正光刻膠作為底層抗蝕劑，選擇負(fù)光刻膠作為頂層抗蝕膠。研究了底層抗蝕劑的粘度和厚度對(duì)浮渣平均數(shù)量的影響。實(shí)驗(yàn)表明，低粘度正光刻膠

2022-01-26 11:43:22

1169

晶片光刻膠處理系統(tǒng)的詳細(xì)介紹

摘要在這項(xiàng)工作中，研究了新一代相流體剝離溶液在各種半導(dǎo)體光刻膠中的應(yīng)用。這些實(shí)驗(yàn)中使用的獨(dú)特的水基智能流體配方均為超大規(guī)模集成電路級(jí)，與銅兼容且無(wú)毒。實(shí)驗(yàn)的第一階段是確定是否在合理的時(shí)間內(nèi)與光刻膠

2022-03-03 14:20:05

888

晶片清洗、阻擋層形成和光刻膠應(yīng)用

什么是光刻？光刻是將掩模上的幾何形狀轉(zhuǎn)移到硅片表面的過(guò)程。光刻工藝中涉及的步驟是晶圓清洗；阻擋層的形成；光刻膠應(yīng)用；軟烤；掩模對(duì)準(zhǔn)；曝光和顯影；和硬烤。

2022-03-15 11:38:02

1489

采用雙層抗蝕劑法去除負(fù)光刻膠

本文提出了一種新型的雙層光阻劑方法來(lái)減少負(fù)光阻劑浮渣。選擇正光刻膠作為底層抗蝕劑，選擇負(fù)光刻膠作為頂層抗蝕膠。研究了底層抗蝕劑的粘度和厚度對(duì)浮渣平均數(shù)量的影響。實(shí)驗(yàn)表明，低粘度正光刻膠AZ703

2022-03-24 16:04:23

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一種半導(dǎo)體制造用光刻膠去除方法

本發(fā)明涉及一種去除光刻膠的方法，更詳細(xì)地說(shuō)，是一種半導(dǎo)體制造用光刻膠去除方法，該方法適合于在半導(dǎo)體裝置的制造過(guò)程中進(jìn)行吹掃以去除光刻膠。在半導(dǎo)體裝置的制造工藝中，將殘留在晶片上的光刻膠，在H2O

2022-04-13 13:56:42

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用于光刻膠去除的單晶片清洗技術(shù)

本文的目標(biāo)是討論一種新技術(shù)，它可以在保持競(jìng)爭(zhēng)力的首席運(yùn)營(yíng)官的同時(shí)改善權(quán)衡。將開(kāi)發(fā)濕化學(xué)抗蝕劑去除溶液的能力與對(duì)工藝和工具要求的理解相結(jié)合，導(dǎo)致了用于光刻膠去除的單晶片清洗技術(shù)的發(fā)展。該技術(shù)針對(duì)晶

2022-05-07 15:11:11

1355

干法刻蝕去除光刻膠的技術(shù)

灰化，簡(jiǎn)單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉，光刻膠的基本成分是碳?xì)溆袡C(jī)物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通過(guò)泵被真空抽走，完成光刻膠的去除。

2022-07-21 11:20:17

8339

光刻膠az1500產(chǎn)品說(shuō)明

光刻膠產(chǎn)品說(shuō)明英文版資料分享。

2022-08-12 16:17:25

光刻膠為何要謀求國(guó)產(chǎn)替代

南大光電最新消息顯示，國(guó)產(chǎn)193nm（ArF）光刻膠研發(fā)成功，這家公司成為通過(guò)國(guó)家“02專(zhuān)項(xiàng)”驗(yàn)收的ArF光刻膠項(xiàng)目實(shí)施主體；徐州博康宣布，該公司已開(kāi)發(fā)出數(shù)十種高端光刻膠產(chǎn)品系列，包括

2022-08-31 09:47:14

2371

光刻膠的原理和正負(fù)光刻膠的主要組分是什么

光刻膠的組成：樹(shù)脂（resin/polymer），光刻膠中不同材料的粘合劑，給與光刻膠的機(jī)械與化學(xué)性質(zhì)（如粘附性、膠膜厚度、熱穩(wěn)定性等）；感光劑，感光劑對(duì)光能發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)；溶劑（Solvent

2022-10-21 16:40:04

23795

國(guó)產(chǎn)光刻膠市場(chǎng)前景國(guó)內(nèi)廠商迎來(lái)發(fā)展良機(jī)

半導(dǎo)體光刻膠用光敏材料仍屬于“卡脖子”產(chǎn)品，海外進(jìn)口依賴(lài)較重，不同品質(zhì)之間價(jià) 格差異大。以國(guó)內(nèi) PAG 對(duì)應(yīng)的化學(xué)放大型光刻膠（主要是 KrF、ArF 光刻膠）來(lái)看，樹(shù)脂在 光刻膠中的固含量占比約

2022-11-18 10:07:43

4880

高端光刻膠通過(guò)認(rèn)證已經(jīng)用于50nm工藝

此前該公司指出，公司已建成年產(chǎn)5噸ArF干式光刻膠生產(chǎn)線、年產(chǎn)20噸ArF浸沒(méi)式光刻膠生產(chǎn)線及年產(chǎn)45噸的光刻膠配套高純?cè)噭┥a(chǎn)線，具備ArF光刻膠及配套關(guān)鍵組分材料的生產(chǎn)能力，目前公司送樣驗(yàn)證的產(chǎn)品均由該自建產(chǎn)線產(chǎn)出。

2023-04-11 09:25:32

1910

淺談EUV光刻中的光刻膠和掩模等材料挑戰(zhàn)

新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開(kāi)發(fā)，必須通過(guò)精心設(shè)計(jì)的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進(jìn)行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰(zhàn)，imec 最近開(kāi)發(fā)了一個(gè)新的工具箱來(lái)匹配光刻膠和底層的屬性。

2023-04-13 11:52:12

2944

全面解讀光刻膠工藝制造流程

光刻膠可以通過(guò)光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等光刻工序?qū)⑺枰奈⒓?xì)圖形從光罩（掩模版）轉(zhuǎn)移到待加工基片上。依據(jù)使用場(chǎng)景，這里的待加工基片可以是集成電路材料，顯示面板材料或者印刷電路板。

2023-05-11 16:10:49

8982

EUV光刻膠開(kāi)發(fā)面臨哪些挑戰(zhàn)？

EUV光刻膠材料是光敏物質(zhì)，當(dāng)受到EUV光子照射時(shí)會(huì)發(fā)生化學(xué)變化。這些材料在解決半導(dǎo)體制造中的各種挑戰(zhàn)方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用，包括提高靈敏度、控制分辨率、減少線邊緣粗糙度（LER）、降低釋氣和提高熱穩(wěn)定性。

2023-09-11 11:58:42

1622

半導(dǎo)體制造領(lǐng)域光刻膠的作用和意義

光刻是半導(dǎo)體加工中最重要的工藝之一，決定著芯片的性能。光刻占芯片制造時(shí)間的40%-50%，占其總成本的30%。光刻膠是光刻環(huán)節(jié)關(guān)鍵耗材，其質(zhì)量和性能與電子器件良品率、器件性能可靠性直接相關(guān)。

2023-10-26 15:10:24

1360

半導(dǎo)體關(guān)鍵材料光刻膠市場(chǎng)格局發(fā)展現(xiàn)狀

生產(chǎn)光刻膠的原料包括光引發(fā)劑（光增感劑、光致產(chǎn)酸劑幫助其更好發(fā)揮作用）、樹(shù)脂、溶劑和其他添加劑等，我國(guó)由于資金和技術(shù)的差距，如感光劑、樹(shù)脂等被外企壟斷，所以光刻膠自給能力不足。

2023-11-01 15:51:48

1331

光刻膠黏度如何測(cè)量？光刻膠需要稀釋嗎？

光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體，不同種類(lèi)的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項(xiàng)重要指標(biāo)。那么光刻膠的黏度為什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻膠算高黏度，哪些算低黏度呢？

2023-11-13 18:14:11

2940

不僅需要*，更需要光刻膠**

為了生產(chǎn)高純度、高質(zhì)量的光刻膠，需要高純度的配方原料，例如光刻樹(shù)脂，溶劑PGMEA…此外，生產(chǎn)過(guò)程中的反應(yīng)釜鍍膜和金屬析出污染監(jiān)測(cè)也是至關(guān)重要的控制環(huán)節(jié)。例如，2019年，某家半導(dǎo)體制造公司由于光刻膠受到光阻原料的污染，導(dǎo)致上萬(wàn)片12吋晶圓報(bào)廢

2023-11-27 17:15:48

1717

光刻膠價(jià)格上漲，韓國(guó)半導(dǎo)體公司壓力增大

光刻膠類(lèi)別的多樣化，此次漲價(jià)案所涉KrF光刻膠屬于高階防護(hù)用品，也是未來(lái)各地廠家的競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)。當(dāng)前市場(chǎng)中，光刻膠主要由東京大賀工業(yè)、杜邦、JSR、信越化學(xué)、住友化學(xué)及東進(jìn)半導(dǎo)體等大型制造商掌控。

2023-12-14 15:20:36

2439

勻膠速度影響光刻膠的哪些性質(zhì)？

勻膠是光刻中比較重要的一步，而旋涂速度是勻膠中至關(guān)重要的參數(shù)，那么我們?cè)趧?b class="flag-6" style="color: red">膠時(shí)，是如何確定勻膠速度呢？它影響光刻膠的哪些性質(zhì)？

2023-12-15 09:35:56

3928

全球光刻膠市場(chǎng)預(yù)計(jì)收入下滑，2024年有望反彈

所謂的“光刻膠”，即是在紫外線、電子束等輻射下，其溶解度會(huì)產(chǎn)生變化的耐腐蝕薄膜材料。作為光刻工藝中的關(guān)鍵要素，廣泛應(yīng)用于晶圓和分立器件的精細(xì)圖案制作中。其品種繁多，此次漲價(jià)涉及的KrF 光刻膠則屬高級(jí)別光刻膠，將成為各廠商關(guān)注的焦點(diǎn)。

2023-12-28 11:14:34

1635

光刻膠分類(lèi)與市場(chǎng)結(jié)構(gòu)

光刻膠主要下游應(yīng)用包括：顯示屏制造、印刷電路板生產(chǎn)、半導(dǎo)體制造等，其中顯示屏是光刻膠最大的下游應(yīng)用，占比30%。光刻膠在半導(dǎo)體制造應(yīng)用占比24%，是第三達(dá)應(yīng)用場(chǎng)景。

2024-01-03 18:12:21

2813

2023年中國(guó)光刻膠行業(yè)市場(chǎng)前景及投資研究報(bào)告

光刻膠產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)移。01光刻膠定義光刻膠，也被稱(chēng)為“光致抗蝕劑”，是一種用于光刻的載體介質(zhì)，它可以利用光化學(xué)反應(yīng)將光信息在光刻系統(tǒng)中經(jīng)過(guò)衍射和過(guò)濾后轉(zhuǎn)化為化學(xué)能，從而

2024-01-19 08:31:24

1602

瑞紅集成電路高端光刻膠總部落戶(hù)吳中

據(jù)吳中發(fā)布的最新消息，簽約項(xiàng)目涵蓋了瑞紅集成電路高端光刻膠總部項(xiàng)目，該項(xiàng)投資高達(dá)15億元，旨在新建半導(dǎo)體光刻膠及其配套試劑的生產(chǎn)基地。

2024-01-26 09:18:43

1197

如何在芯片中減少光刻膠的使用量

光刻膠不能太厚或太薄，需要按制程需求來(lái)定。比如對(duì)于需要長(zhǎng)時(shí)間蝕刻以形成深孔的應(yīng)用場(chǎng)景，較厚的光刻膠層能提供更長(zhǎng)的耐蝕刻時(shí)間。

2024-03-04 10:49:16

2061

光刻膠和光刻機(jī)的區(qū)別

光刻膠是一種涂覆在半導(dǎo)體器件表面的特殊液體材料，可以通過(guò)光刻機(jī)上的模板或掩模來(lái)進(jìn)行曝光。

2024-03-04 17:19:18

9618

關(guān)于光刻膠的關(guān)鍵參數(shù)介紹

與正光刻膠相比，電子束負(fù)光刻膠會(huì)形成相反的圖案?；诰酆衔锏呢?fù)型光刻膠會(huì)在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過(guò)程中溶解，而曝光的光刻膠則保留下來(lái)，從而形成負(fù)像。

2024-03-20 11:36:50

5058

SU-8光刻膠起源、曝光、特性

在紫外光照射下，三芳基碘鹽光敏劑被激活，釋放活性碘離子。這些活性碘離子與SU-8光刻膠中的丙烯酸酯單體反應(yīng)，引發(fā)單體之間的交聯(lián)反應(yīng)，導(dǎo)致SU-8光刻膠在曝光區(qū)域形成凝膠化的圖案。

2024-03-31 16:25:20

9092

一文讀懂半導(dǎo)體工藝制程的光刻膠

光刻膠按照種類(lèi)可以分為正性的、負(fù)性的。正膠受到紫外光照射的部分在顯影時(shí)被去除，負(fù)膠受到紫外光曝光的地方在顯影后被留下。

2024-04-24 11:37:05

6635

一份PPT帶你看懂光刻膠分類(lèi)、工藝、成分以及光刻膠市場(chǎng)和痛點(diǎn)

共讀好書(shū) 前烘對(duì)正膠顯影的影響前烘對(duì)負(fù)膠膠顯影的影響需要這個(gè)原報(bào)告的朋友可轉(zhuǎn)發(fā)這篇文章獲取百份資料，內(nèi)含光刻膠多份精品報(bào)告【贈(zèng)2024電子資料百份】6 月 28-30 日北京“電子化學(xué)品行業(yè)分析檢測(cè)與安全管理培訓(xùn)班”。審核編輯黃宇

2024-06-23 08:38:02

1725

光刻膠的保存和老化失效

我們?cè)谑褂?b class="flag-6" style="color: red">光刻膠的時(shí)候往往關(guān)注的重點(diǎn)是光刻膠的性能，但是有時(shí)候我們會(huì)忽略光刻膠的保存和壽命問(wèn)題，其實(shí)這個(gè)問(wèn)題應(yīng)該在我們購(gòu)買(mǎi)光刻膠前就應(yīng)該提出并規(guī)劃好。并且，在光刻過(guò)程中如果發(fā)現(xiàn)有異常情況發(fā)生，我們

2024-07-08 14:57:08

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光刻膠的圖形反轉(zhuǎn)工藝

形態(tài)。這種方法的主要應(yīng)用領(lǐng)域是剝離過(guò)程，在剝離過(guò)程中，底切的形態(tài)可以防止沉積的材料在光刻膠邊緣和側(cè)壁上形成連續(xù)薄膜，有助于獲得干凈的剝離光刻膠結(jié)構(gòu)。在圖像反轉(zhuǎn)烘烤步驟中，光刻膠的熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性可以得到

2024-07-09 16:06:00

1988

光刻膠后烘技術(shù)

一般光刻過(guò)程文章中簡(jiǎn)單介紹過(guò)后烘工藝但是比較簡(jiǎn)單，本文就以下一些應(yīng)用場(chǎng)景下介紹后烘的過(guò)程和作用。 化學(xué)放大正膠機(jī)理當(dāng)使用“正?！闭?b class="flag-6" style="color: red">膠時(shí)，曝光完成后光反應(yīng)也就完成了，但是化學(xué)放大的光刻膠需要隨后的烘烤步驟。光反應(yīng)在曝光期間開(kāi)始并在后烘環(huán)節(jié)中完

2024-07-09 16:08:43

3446

光刻膠的一般特性介紹

評(píng)價(jià)一款光刻膠是否適合某種應(yīng)用需要綜合看這款光刻膠的特定性能，這里給出光刻膠一般特性的介紹。 1. 靈敏度靈敏度（sensitivity）是衡量曝光速度的指標(biāo)。光刻膠的靈敏度越高，所需的曝光劑量

2024-07-10 13:43:49

2388

光刻膠的硬烘烤技術(shù)

根據(jù)光刻膠的應(yīng)用工藝，我們可以采用適當(dāng)?shù)姆椒▽?duì)已顯影的光刻膠結(jié)構(gòu)進(jìn)行處理以提高其化學(xué)或物理穩(wěn)定性。通常我們可以采用烘烤步驟來(lái)實(shí)現(xiàn)整個(gè)光刻膠結(jié)構(gòu)的熱交聯(lián)，稱(chēng)為硬烘烤或者堅(jiān)膜?；蛲ㄟ^(guò)低劑量紫外線輻照

2024-07-10 13:46:59

2702

光刻膠涂覆工藝—旋涂

為了確保光刻工藝的可重復(fù)性、可靠性和可接受性，必須在基板表面上均勻涂覆光刻膠。光刻膠通常分散在溶劑或水溶液中，是一種高粘度材料。根據(jù)工藝要求，有許多工藝可用于涂覆光刻膠。旋涂是用光刻膠涂覆基材

2024-07-11 15:46:36

2757

導(dǎo)致光刻膠變色的原因有哪些？

存儲(chǔ)時(shí)間正膠和圖形反轉(zhuǎn)膠在存儲(chǔ)數(shù)月后會(huì)變暗，而且隨著儲(chǔ)存溫度升高而加速。因?yàn)樵擃?lèi)型光刻膠含有的光活性化合物形成偶氮染料，在可見(jiàn)光譜的部分具有很強(qiáng)的吸收能力，對(duì)紫外靈敏度沒(méi)有任何影響。這種變色過(guò)程

2024-07-11 16:07:49

1791

如何成功的旋涂微流控SU-8光刻膠？

在微流控PDMS芯片或SU-8模具制作的過(guò)程中，需要把PDMS膠或SU-8光刻膠根據(jù)所需要的厚度來(lái)選擇合適的旋涂轉(zhuǎn)速并且使PDMS膠或SU-8膠涂布均勻化。如何成功的旋涂微流控SU-8光刻膠

2024-08-26 14:16:01

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如何成功的烘烤微流控SU-8光刻膠？

控SU-8光刻膠烘烤：軟烘、后曝光烘烤和硬烘在整個(gè)SU-8模具制備的過(guò)程中，微流控SU-8光刻膠需要烘烤2或3次，每一次烘烤都有不同的作用。第一次光刻膠烘烤叫做軟烘，是SU-8光刻膠旋涂之后需要完成的操作。目標(biāo)是蒸發(fā)溶劑，使SU-8光刻膠更加堅(jiān)固。溶劑蒸發(fā)會(huì)稍微的改變光

2024-08-27 15:54:01

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掩膜版與光刻膠的功能和作用

掩膜版與光刻膠在芯片制造過(guò)程中扮演著不可或缺的角色，它們的功能和作用各有側(cè)重，但共同促進(jìn)了芯片的精確制造。? 掩膜版?，也稱(chēng)為光罩、光掩膜或光刻掩膜版，是微電子制造過(guò)程中的圖形轉(zhuǎn)移母版。它的主要功能

2024-09-06 14:09:47

2516

一文看懂光刻膠的堅(jiān)膜工藝及物理特性和常見(jiàn)光刻膠

共讀好書(shū)關(guān)于常用光刻膠型號(hào)也可以查看這篇文章：收藏！常用光刻膠型號(hào)資料大全，幾乎包含所有芯片用光刻膠歡迎掃碼添加小編微信掃碼加入知識(shí)星球，領(lǐng)取公眾號(hào)資料

2024-11-01 11:08:07

3091

光刻膠的使用過(guò)程與原理

本文介紹了光刻膠的使用過(guò)程與原理。

2024-10-31 15:59:45

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一文解讀光刻膠的原理、應(yīng)用及市場(chǎng)前景展望

光刻技術(shù)是現(xiàn)代微電子和納米技術(shù)的研發(fā)中的關(guān)鍵一環(huán)，而光刻膠，又是光刻技術(shù)中的關(guān)鍵組成部分。隨著技術(shù)的發(fā)展，對(duì)微小、精密的結(jié)構(gòu)的需求日益增強(qiáng)，光刻膠的需求也水漲船高，在微電子制造和納米技術(shù)等高精尖領(lǐng)域占據(jù)著至關(guān)重要的位置。

2024-11-11 10:08:21

4404

光刻膠清洗去除方法

光刻膠作為掩模進(jìn)行干法刻蝕或是濕法腐蝕后，一般都是需要及時(shí)的去除清洗，而一些高溫或者其他操作往往會(huì)導(dǎo)致光刻膠碳化難以去除。

2024-11-11 17:06:22

2391

光刻膠的主要技術(shù)參數(shù)

分辨率（resolution）。區(qū)別硅片表面相鄰圖形特征的能力。一般用關(guān)鍵尺寸（CD，Critical Dimension）來(lái)衡量分辨率。形成的關(guān)鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好。

2024-11-15 10:10:41

4832

光刻膠成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料

對(duì)光的敏感度。在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，光刻膠通過(guò)光化學(xué)反應(yīng)，將掩膜版上的圖案精確地轉(zhuǎn)移到硅片表面。光刻工藝是半導(dǎo)體制造的核心步驟之一。在硅片表面涂上光刻膠(負(fù)膠)后，使用特定波長(zhǎng)的光線通過(guò)掩膜版照射到光刻膠上，被

2024-12-19 13:57:36

2091

光刻膠剝離液及其制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

。 光刻膠剝離液及其制備方法常見(jiàn)光刻膠剝離液類(lèi)型有機(jī)溶劑型剝離液有機(jī)溶劑型剝離液以丙酮、N - 甲基吡咯烷酮（NMP）等有機(jī)溶劑為主體成分。丙酮對(duì)普通光刻膠的溶解能力強(qiáng)，能夠快速滲透光刻膠內(nèi)部，破壞其分子間作用力，

2025-05-29 09:38:53

1108

減少光刻膠剝離工藝對(duì)器件性能影響的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

? ? 引言 ? 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，光刻膠剝離工藝是關(guān)鍵環(huán)節(jié)，但其可能對(duì)器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響。同時(shí)，光刻圖形的精確測(cè)量對(duì)于保證芯片制造質(zhì)量至關(guān)重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方法，并介紹白光

2025-06-14 09:42:56

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金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應(yīng)用及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

介紹白光干涉儀在光刻圖形測(cè)量中的作用。金屬低刻蝕的光刻膠剝離液配方設(shè)計(jì) 金屬低刻蝕光刻膠剝離液需平衡光刻膠溶解能力與金屬保護(hù)性能。其核心成分包括有機(jī)溶劑、堿性物質(zhì)和緩蝕劑。有機(jī)溶劑（如 N - 甲基吡咯烷酮）負(fù)責(zé)溶

2025-06-16 09:31:51

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用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言在顯示面板制造的 ARRAY 制程工藝中，光刻膠剝離是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。銅布線在制程中廣泛應(yīng)用，但傳統(tǒng)光刻膠剝離液易對(duì)銅產(chǎn)生腐蝕，影響器件性能。同時(shí)，光刻圖形的精準(zhǔn)測(cè)量對(duì)確保 ARRAY 制程工藝精度

2025-06-18 09:56:08

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金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合物應(yīng)用及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

物的應(yīng)用，并探討白光干涉儀在光刻圖形測(cè)量中的作用。金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合物配方組成金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合物主要由有機(jī)溶劑、堿性助劑、緩蝕體系和添加劑構(gòu)成。有機(jī)溶劑如 N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮（NMP），

2025-06-24 10:58:22

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針對(duì)晶圓上芯片工藝的光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

干涉儀在光刻圖形測(cè)量中的應(yīng)用。針對(duì)晶圓上芯片工藝的光刻膠剝離方法濕法剝離濕法剝離是晶圓芯片工藝中常用的光刻膠去除方式。通過(guò)將涂覆光刻膠的晶圓浸入含有特定化學(xué)成分的剝離液中，利用剝離液與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，

2025-06-25 10:19:48

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光刻膠旋涂的重要性及厚度監(jiān)測(cè)方法

在芯片制造領(lǐng)域的光刻工藝中，光刻膠旋涂是不可或缺的基石環(huán)節(jié)，而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優(yōu)可測(cè)薄膜厚度測(cè)量?jī)xAF系列憑借高精度、高速度的特點(diǎn)，為光刻膠厚度監(jiān)測(cè)提供了可靠解決方案。

2025-08-22 17:52:46

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光刻膠剝離工藝

光刻膠剝離工藝是半導(dǎo)體制造和微納加工中的關(guān)鍵步驟，其核心目標(biāo)是高效、精準(zhǔn)地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結(jié)構(gòu)。以下是該工藝的主要類(lèi)型及實(shí)施要點(diǎn)：濕法剝離技術(shù)有機(jī)溶劑溶解法原理：使用丙酮、NMP

2025-09-17 11:01:27

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中國(guó)打造自己的EUV光刻膠標(biāo)準(zhǔn)！

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）芯片，一直被譽(yù)為人類(lèi)智慧、工程協(xié)作與精密制造的集大成者，而制造芯片的重要設(shè)備光刻機(jī)就是雕刻這個(gè)結(jié)晶的 “ 神之手 ”。但僅有光刻機(jī)還不夠，還需要光刻膠、掩膜版以及

2025-10-28 08:53:35

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化學(xué)放大型光刻膠的作用原理

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