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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>化學放大型光刻膠的作用原理

      化學放大型光刻膠的作用原理

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      2022-04-25 17:35:2212484

      微氣泡對光刻膠層的影響

      關鍵詞：氧氣、微氣泡、光刻膠、高劑量離子注入、氣水界面 介紹? ??? 微氣泡是一種很有前途的環(huán)保光刻膠去除方法的候選方法。已經(jīng)證明，臭氧微氣泡可以去除硅片上的光刻劑，即使被高劑量的離子注入破壞
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      2022-08-29 15:02:238662

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      光刻膠類型及特性光刻膠（Photoresist），又稱光致抗蝕劑，是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和光刻膠特性。
      2025-04-29 13:59:337845

      國產(chǎn)高端光刻膠新進展，KrF、ArF進一步突破！

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      2021-07-03 07:47:0026808

      華為投資光刻膠企業(yè) 光刻膠單體材料全部自供

      ，增幅11.11%。 ? 截圖自企查查 ? 光刻膠是芯片制造中光刻環(huán)節(jié)的重要材料，目前主要被日美把控，國內(nèi)在光刻膠方面投入研制的廠商主要晶瑞股份、南大光電、上海新陽、徐州博康、北京科華等，那么華為投資的徐州博康在光刻膠方面有何優(yōu)勢，國內(nèi)廠商在光
      2021-08-12 07:49:006896

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      2021-01-12 10:17:47

      光刻膠

      的厚膜圖形；它還具有良好的力學性能、抗化學腐蝕性和熱穩(wěn)定性；在受到紫外輻射后發(fā)生交聯(lián)，是一種化學擴大負性膠，可以形成臺階等結(jié)構(gòu)復雜的圖形；在電鍍時可以直接作為絕緣體使用。 SU-8光刻膠的優(yōu)點：1
      2018-07-12 11:57:08

      光刻膠在集成電路制造中的應用

      過程才能完成,光刻膠及蝕刻技術(shù)是實現(xiàn)集成電路微細加工技術(shù)的關鍵[2]。蝕刻的方式主要分為濕法和干法兩種，等離子與反應離子刻蝕（RIE）屬于干法蝕刻，主要是通過物理轟擊濺射和化學反應的綜合作用來腐蝕薄膜層
      2018-08-23 11:56:31

      光刻膠有什么分類？生產(chǎn)流程是什么？

      光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會發(fā)生改變。光刻膠主要用來將光刻掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負膠之分。正膠經(jīng)過曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經(jīng)過顯影后被
      2019-11-07 09:00:18

      光刻膠殘留要怎么解決？

      這是我的版圖一部分，然后生成了圖案是這樣的： 感覺間距小的地方全都有殘留，間距大的地方?jīng)]有殘留；工藝參數(shù)：s9920光刻膠， evg 620‘未進行蒸汽底漆層涂覆，前烘：100攝氏度，90s
      2016-11-29 14:59:18

      Futurrex高端光刻膠

      于正負型光刻膠且顯影速度快。 RR41 & 5系列 化學品，具有獨特性能的光刻膠去膠液，并能安全的去除多種臨時涂層，且與Si、III/V基襯底、II/VI襯底、氧化銦錫(ITO)及銅
      2010-04-21 10:57:46

      Microchem SU-8光刻膠 2000系列

      SU 8光刻膠系列產(chǎn)品簡介：新型的化學增幅型負像 SU- 8 膠是一種負性、環(huán)氧樹脂型、近紫外線光刻膠，克服了普通光刻膠采用 UV光刻導致的深寬比不足的問題，十分適合于制備高深寬比微結(jié)構(gòu)。SU- 8
      2018-07-04 14:42:34

      《炬豐科技-半導體工藝》光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學蝕刻過程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓

      書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學蝕刻過程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網(wǎng)址：http
      2021-07-06 09:39:22

      噴膠機有什么典型應用 ？

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      2020-03-23 09:00:57

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      2023-04-20 13:13:52

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      2022-12-14 10:44:24

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      2023-01-03 15:30:32

      【科普轉(zhuǎn)載】光刻工作原理簡介03（光刻膠）#硬聲創(chuàng)作季

      光刻光刻膠
      電子知識科普發(fā)布于 2022-10-27 17:14:48

      光刻膠與光刻工藝技術(shù)

      光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
      2011-03-09 16:43:210

      光刻膠是芯片制造的關鍵材料，圣泉集團實現(xiàn)了

      這是一種老式的旋轉(zhuǎn)涂膠機，將芯片上涂上光刻膠然后將芯片放到上邊，可以通過機器的旋轉(zhuǎn)的力度將光刻膠均勻分布到芯片表面，光刻膠只有均勻涂抹在芯片表面，才能保證光刻的成功。
      2018-05-17 14:39:3719874

      探討PCB光刻膠專用化學品行業(yè)基本概況

      干膜光刻膠是由預先配制好的液態(tài)光刻膠（Photoresist）在精密的涂布機上和高清潔度的條件下均勻涂布在載體聚酯薄膜（PET膜）上，經(jīng)烘干、冷卻后，再覆上聚乙烯薄膜（PE膜），收卷而成卷狀的薄膜型光刻膠。
      2019-01-30 16:49:1411964

      上海新陽再次轉(zhuǎn)換戰(zhàn)場 選擇研發(fā)3D NAND用的KrF 光刻膠

      2018年，南大光電和上海新陽先后宣布，投入ArF光刻膠產(chǎn)品的開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，立志打破集成電路制造最為關鍵的基礎材料之一——高檔光刻膠材料幾乎完全依賴于進口的局面，填補國內(nèi)高端光刻膠材料產(chǎn)品的空白。
      2019-05-21 09:24:247863

      南大光電將建成光刻膠生產(chǎn)線，明年或光刻機進場

      今年7月17日，南大光電在互動平臺透露，公司設立光刻膠事業(yè)部，并成立了全資子公司“寧波南大光電材料有限公司”，全力推進“ArF光刻膠開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目”落地實施。目前該項目完成的研發(fā)技術(shù)正在等待驗收中，預計2019年底建成一條光刻膠生產(chǎn)線，項目產(chǎn)業(yè)化基地建設順利。
      2019-12-16 13:58:528273

      光刻膠國產(chǎn)化刻不容緩

      隨著電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的突飛猛進，光刻膠市場總需求不斷提升。2019年全球光刻膠市場規(guī)模預計接近90億美元，自2010年至今CAGR約5.4%，預計未來3年仍以年均5%的速度增長，預計至2022年全球光刻膠市場規(guī)模將超過100億美元。
      2020-03-01 19:02:484848

      LCD光刻膠需求快速增長，政策及國產(chǎn)化風向帶動國產(chǎn)廠商發(fā)展

      光刻膠按應用領域分類，大致分為LCD光刻膠、PCB光刻膠（感光油墨）與半導體光刻膠等。按照下游應用來看，目前LCD光刻膠占比26．6%，刻膠占比24．5%，半導體光刻膠占比24．1%，PCB光其他類光刻膠占比24．8%。
      2020-06-12 17:13:396218

      一文帶你看懂光刻膠

      來源：浙商證券研究院 光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對光敏感的混合液體。其組成部分包括：光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑）、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑。光刻膠可以通過光化學反應，經(jīng)曝光、顯影等
      2020-09-15 14:00:1420205

      2020年光刻膠行業(yè)情況解析

      全球光刻膠市場規(guī)模從2016 年的15 億美元增長至2019年的18億美元，年復合增長率達6.3%；應用方面，光刻膠主要應用在PCB、半導體及LCD顯示等領域，各占約25%市場份額。
      2020-09-21 11:28:046826

      新材料在線：2020年光刻膠行業(yè)研究報告

      全球光刻膠市場規(guī)模從2016 年的15 億美元增長至2019年的18億美元，年復合增長率達6.3%；應用方面，光刻膠主要應用在PCB、半導體及LCD顯示等領域，各占約25%市場份額。 國內(nèi)光刻膠整體
      2020-10-10 17:40:253534

      博聞廣見之半導體行業(yè)中的光刻膠

      光刻膠是由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成份組成的、對光敏感的混合液體。利用光化學反應，經(jīng)曝光、顯影、刻蝕等工藝將所需要的微細圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上的圖形轉(zhuǎn)移介質(zhì)，其中曝光是通過紫外光
      2022-12-06 14:53:542357

      日本信越化學將斥資300億日提高光刻膠產(chǎn)能

      據(jù)日經(jīng)報道，日本信越化學將斥資300億日元（約2.85億美元），把光刻膠的產(chǎn)能提高20%，以擴充對半導體關鍵材料的供應。 根據(jù)報道，信越化學將會在日本和中國臺灣地區(qū)興建工廠，位于中國臺灣地區(qū)云林工廠
      2020-10-22 17:25:324788

      為打破光刻膠壟斷，我國冰刻2.0技術(shù)獲突破

      光刻膠是微納加工過程中非常關鍵的材料。有專家表示，中國要制造芯片，光有光刻機還不夠，還得打破國外對“光刻膠”的壟斷。
      2020-12-08 10:53:564956

      南大光電自主研發(fā)的 ArF（193nm）光刻膠成功通過認證

      今日南大光電發(fā)布公告稱，其控股子公司 “寧波南大光電”自主研發(fā)的 ArF（193nm）光刻膠產(chǎn)品近日成功通過客戶的使用認證。報告顯示，“本次認證選擇客戶 50nm 閃存產(chǎn)品中的控制柵進行驗證，寧波南
      2020-12-18 09:29:427279

      南大光電首款國產(chǎn)ArF光刻膠通過認證 可用于45nm工藝光刻需求

      ? 導 讀 日前，南大光電公告稱，由旗下控股子公司寧波南大光電材料自主研發(fā)的 ArF 光刻膠產(chǎn)品成功通過客戶使用認證，線制程工藝可以滿足 45nm-90nm光刻需求。 圖：南大光電公告 ? 公告稱
      2020-12-25 18:24:097828

      光刻膠的價值與介紹及市場格局對國產(chǎn)光刻膠的發(fā)展趨勢

      近期，專注于電子材料市場研究的TECHCET發(fā)布最新統(tǒng)計和預測數(shù)據(jù)：2021年，半導體制造所需的光刻膠市場規(guī)模將同比增長11％，達到19億美元。
      2021-03-22 10:51:126146

      2021年，半導體制造所需的光刻膠市場規(guī)模將同比增長11％

      按照應用領域分類，光刻膠主要包括印制電路板（PCB）光刻膠專用化學品（光引發(fā)劑和樹脂）、液晶顯示器（LCD）光刻膠光引發(fā)劑、半導體光刻膠光引發(fā)劑和其他用途光刻膠四大類。本文主要討論半導體光刻膠。
      2021-05-17 14:15:525022

      光刻膠又遇“卡脖子”，國產(chǎn)替代刻不容緩

      由于KrF光刻膠產(chǎn)能受限以及全球晶圓廠積極擴產(chǎn)等，占據(jù)全球光刻膠市場份額超兩成的日本供應商信越化學已經(jīng)向中國大陸多家一線晶圓廠限制供貨KrF光刻膠，且已通知更小規(guī)模晶圓廠停止供貨KrF光刻膠。 信越
      2021-06-25 16:12:281241

      光刻膠板塊的大漲吸引了產(chǎn)業(yè)注意 ，國產(chǎn)光刻膠再遇發(fā)展良機？

      5月27日，半導體光刻膠概念股開盤即走強，截至收盤，A股光刻膠板塊漲幅達6.48%。其中晶瑞股份、廣信材料直線拉升大漲20%封漲停，容大感光大漲13.28%，揚帆新材大漲11.37%，南大光電
      2021-05-28 10:34:154020

      光刻膠和光刻機的關系

      光刻膠是光刻機研發(fā)的重要材料，換句話說光刻機就是利用特殊光線將集成電路映射到硅片的表面，如果想要硅片的表面不留下痕跡，就需要網(wǎng)硅片上涂一層光刻膠。
      2022-02-05 16:11:0015756

      世人皆言光刻膠難，它到底難在哪里

      來源：?果殼硬科技 1、光刻膠究竟是怎樣一個行業(yè)？ 光刻膠，又稱“光致抗蝕劑”，是光刻成像的承載介質(zhì)，可利用光化學反應將光刻系統(tǒng)中經(jīng)過衍射、濾波后的光信息轉(zhuǎn)化為化學能量，從而把微細圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到
      2022-01-20 21:02:462355

      改善去除負光刻膠效果的方法報告

      摘要 我們?nèi)A林科納提出了一種新型的雙層光阻劑方法來減少負光阻劑浮渣。選擇正光刻膠作為底層抗蝕劑，選擇負光刻膠作為頂層抗蝕膠。研究了底層抗蝕劑的粘度和厚度對浮渣平均數(shù)量的影響。實驗表明，低粘度正光刻膠
      2022-01-26 11:43:221169

      晶片光刻膠處理系統(tǒng)的詳細介紹

      摘要 在這項工作中，研究了新一代相流體剝離溶液在各種半導體光刻膠中的應用。這些實驗中使用的獨特的水基智能流體配方均為超大規(guī)模集成電路級，與銅兼容且無毒。實驗的第一階段是確定是否在合理的時間內(nèi)與光刻膠
      2022-03-03 14:20:05888

      晶片清洗、阻擋層形成和光刻膠應用

      什么是光刻？光刻是將掩模上的幾何形狀轉(zhuǎn)移到硅片表面的過程。光刻工藝中涉及的步驟是晶圓清洗；阻擋層的形成；光刻膠應用；軟烤；掩模對準；曝光和顯影；和硬烤。
      2022-03-15 11:38:021489

      采用雙層抗蝕劑法去除負光刻膠

      本文提出了一種新型的雙層光阻劑方法來減少負光阻劑浮渣。選擇正光刻膠作為底層抗蝕劑，選擇負光刻膠作為頂層抗蝕膠。研究了底層抗蝕劑的粘度和厚度對浮渣平均數(shù)量的影響。實驗表明，低粘度正光刻膠AZ703
      2022-03-24 16:04:231451

      一種半導體制造用光刻膠去除方法

      本發(fā)明涉及一種去除光刻膠的方法，更詳細地說，是一種半導體制造用光刻膠去除方法，該方法適合于在半導體裝置的制造過程中進行吹掃以去除光刻膠。在半導體裝置的制造工藝中，將殘留在晶片上的光刻膠，在H2O
      2022-04-13 13:56:421659

      用于光刻膠去除的單晶片清洗技術(shù)

      本文的目標是討論一種新技術(shù)，它可以在保持競爭力的首席運營官的同時改善權(quán)衡。 將開發(fā)濕化學抗蝕劑去除溶液的能力與對工藝和工具要求的理解相結(jié)合，導致了用于光刻膠去除的單晶片清洗技術(shù)的發(fā)展。 該技術(shù)針對晶
      2022-05-07 15:11:111355

      干法刻蝕去除光刻膠的技術(shù)

      灰化，簡單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉，光刻膠的基本成分是碳氫有機物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學反應，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通過泵被真空抽走，完成光刻膠的去除。
      2022-07-21 11:20:178339

      光刻膠az1500產(chǎn)品說明

      光刻膠產(chǎn)品說明英文版資料分享。
      2022-08-12 16:17:2511

      光刻膠為何要謀求國產(chǎn)替代

      南大光電最新消息顯示，國產(chǎn)193nm（ArF）光刻膠研發(fā)成功，這家公司成為通過國家“02專項”驗收的ArF光刻膠項目實施主體；徐州博康宣布，該公司已開發(fā)出數(shù)十種高端光刻膠產(chǎn)品系列，包括
      2022-08-31 09:47:142371

      光刻膠的原理和正負光刻膠的主要組分是什么

      光刻膠的組成：樹脂（resin/polymer），光刻膠中不同材料的粘合劑，給與光刻膠的機械與化學性質(zhì)（如粘附性、膠膜厚度、熱穩(wěn)定性等）；感光劑，感光劑對光能發(fā)生光化學反應；溶劑（Solvent
      2022-10-21 16:40:0423795

      國產(chǎn)光刻膠市場前景 國內(nèi)廠商迎來發(fā)展良機

      半導體光刻膠用光敏材料仍屬于“卡脖子”產(chǎn)品，海外進口依賴較重，不同品質(zhì)之間價 格差異大。以國內(nèi) PAG 對應的化學放大型光刻膠（主要是 KrF、ArF 光刻膠）來看，樹脂在 光刻膠中的固含量占比約
      2022-11-18 10:07:434880

      高端光刻膠通過認證 已經(jīng)用于50nm工藝

      此前該公司指出，公司已建成年產(chǎn)5噸ArF干式光刻膠生產(chǎn)線、年產(chǎn)20噸ArF浸沒式光刻膠生產(chǎn)線及年產(chǎn)45噸的光刻膠配套高純試劑生產(chǎn)線，具備ArF光刻膠及配套關鍵組分材料的生產(chǎn)能力，目前公司送樣驗證的產(chǎn)品均由該自建產(chǎn)線產(chǎn)出。
      2023-04-11 09:25:321910

      淺談EUV光刻中的光刻膠和掩模等材料挑戰(zhàn)

      新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開發(fā)，必須通過精心設計的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰(zhàn)，imec 最近開發(fā)了一個新的工具箱來匹配光刻膠和底層的屬性。
      2023-04-13 11:52:122944

      全面解讀光刻膠工藝制造流程

      光刻膠可以通過光化學反應，經(jīng)曝光、顯影等光刻工序?qū)⑺枰奈⒓殘D形從光罩（掩模版）轉(zhuǎn)移到待加工基片上。依據(jù)使用場景，這里的待加工基片可以是集成電路材料，顯示面板材料或者印刷電路板。
      2023-05-11 16:10:498982

      EUV光刻膠開發(fā)面臨哪些挑戰(zhàn)？

      EUV光刻膠材料是光敏物質(zhì)，當受到EUV光子照射時會發(fā)生化學變化。這些材料在解決半導體制造中的各種挑戰(zhàn)方面發(fā)揮著關鍵作用，包括提高靈敏度、控制分辨率、減少線邊緣粗糙度（LER）、降低釋氣和提高熱穩(wěn)定性。
      2023-09-11 11:58:421622

      半導體制造領域光刻膠的作用和意義

      光刻是半導體加工中最重要的工藝之一，決定著芯片的性能。光刻占芯片制造時間的40%-50%，占其總成本的30%。光刻膠是光刻環(huán)節(jié)關鍵耗材，其質(zhì)量和性能與電子器件良品率、器件性能可靠性直接相關。
      2023-10-26 15:10:241360

      半導體關鍵材料光刻膠市場格局發(fā)展現(xiàn)狀

      生產(chǎn)光刻膠的原料包括光引發(fā)劑（光增感劑、光致產(chǎn)酸劑幫助其更好發(fā)揮作用）、樹脂、溶劑和其他添加劑等，我國由于資金和技術(shù)的差距，如感光劑、樹脂等被外企壟斷，所以光刻膠自給能力不足。
      2023-11-01 15:51:481331

      光刻膠黏度如何測量？光刻膠需要稀釋嗎？

      光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體，不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項重要指標。那么光刻膠的黏度為什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻膠算高黏度，哪些算低黏度呢？
      2023-11-13 18:14:112940

      不僅需要***，更需要光刻膠

      為了生產(chǎn)高純度、高質(zhì)量的光刻膠，需要高純度的配方原料，例如光刻樹脂，溶劑PGMEA…此外，生產(chǎn)過程中的反應釜鍍膜和金屬析出污染監(jiān)測也是至關重要的控制環(huán)節(jié)。例如，2019年，某家半導體制造公司由于光刻膠受到光阻原料的污染，導致上萬片12吋晶圓報廢
      2023-11-27 17:15:481717

      光刻膠價格上漲，韓國半導體公司壓力增大

      光刻膠類別的多樣化，此次漲價案所涉KrF光刻膠屬于高階防護用品，也是未來各地廠家的競爭焦點。當前市場中，光刻膠主要由東京大賀工業(yè)、杜邦、JSR、信越化學、住友化學及東進半導體等大型制造商掌控。
      2023-12-14 15:20:362439

      勻膠速度影響光刻膠的哪些性質(zhì)？

      勻膠是光刻中比較重要的一步，而旋涂速度是勻膠中至關重要的參數(shù)，那么我們在勻膠時，是如何確定勻膠速度呢？它影響光刻膠的哪些性質(zhì)？
      2023-12-15 09:35:563928

      全球光刻膠市場預計收入下滑，2024年有望反彈

      所謂的“光刻膠”，即是在紫外線、電子束等輻射下，其溶解度會產(chǎn)生變化的耐腐蝕薄膜材料。作為光刻工藝中的關鍵要素，廣泛應用于晶圓和分立器件的精細圖案制作中。其品種繁多，此次漲價涉及的KrF 光刻膠則屬高級別光刻膠，將成為各廠商關注的焦點。
      2023-12-28 11:14:341635

      光刻膠分類與市場結(jié)構(gòu)

      光刻膠主要下游應用包括：顯示屏制造、印刷電路板生產(chǎn)、半導體制造等，其中顯示屏是光刻膠最大的下游應用，占比30%。光刻膠在半導體制造應用占比24%，是第三達應用場景。
      2024-01-03 18:12:212813

      2023年中國光刻膠行業(yè)市場前景及投資研究報告

      光刻膠產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)移。01光刻膠定義光刻膠，也被稱為“光致抗蝕劑”，是一種用于光刻的載體介質(zhì)，它可以利用光化學反應將光信息在光刻系統(tǒng)中經(jīng)過衍射和過濾后轉(zhuǎn)化為化學能，從而
      2024-01-19 08:31:241602

      瑞紅集成電路高端光刻膠總部落戶吳中

      據(jù)吳中發(fā)布的最新消息，簽約項目涵蓋了瑞紅集成電路高端光刻膠總部項目，該項投資高達15億元，旨在新建半導體光刻膠及其配套試劑的生產(chǎn)基地。
      2024-01-26 09:18:431197

      如何在芯片中減少光刻膠的使用量

      光刻膠不能太厚或太薄，需要按制程需求來定。比如對于需要長時間蝕刻以形成深孔的應用場景，較厚的光刻膠層能提供更長的耐蝕刻時間。
      2024-03-04 10:49:162061

      光刻膠和光刻機的區(qū)別

      光刻膠是一種涂覆在半導體器件表面的特殊液體材料，可以通過光刻機上的模板或掩模來進行曝光。
      2024-03-04 17:19:189618

      關于光刻膠的關鍵參數(shù)介紹

      與正光刻膠相比，電子束負光刻膠會形成相反的圖案。基于聚合物的負型光刻膠會在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解，而曝光的光刻膠則保留下來，從而形成負像。
      2024-03-20 11:36:505058

      SU-8光刻膠起源、曝光、特性

      在紫外光照射下，三芳基碘鹽光敏劑被激活，釋放活性碘離子。這些活性碘離子與SU-8光刻膠中的丙烯酸酯單體反應，引發(fā)單體之間的交聯(lián)反應，導致SU-8光刻膠在曝光區(qū)域形成凝膠化的圖案。
      2024-03-31 16:25:209092

      一文讀懂半導體工藝制程的光刻膠

      光刻膠按照種類可以分為正性的、負性的。正膠受到紫外光照射的部分在顯影時被去除，負膠受到紫外光曝光的地方在顯影后被留下。
      2024-04-24 11:37:056635

      一份PPT帶你看懂光刻膠分類、工藝、成分以及光刻膠市場和痛點

      共讀好書 前烘對正膠顯影的影響 前烘對負膠膠顯影的影響 需要這個原報告的朋友可轉(zhuǎn)發(fā)這篇文章獲取百份資料，內(nèi)含光刻膠多份精品報告【贈2024電子資料百份】6 月 28-30 日北京“電子化學品行業(yè)分析檢測與安全管理培訓班”。 審核編輯 黃宇
      2024-06-23 08:38:021725

      光刻膠的保存和老化失效

      我們在使用光刻膠的時候往往關注的重點是光刻膠的性能，但是有時候我們會忽略光刻膠的保存和壽命問題，其實這個問題應該在我們購買光刻膠前就應該提出并規(guī)劃好。并且，在光刻過程中如果發(fā)現(xiàn)有異常情況發(fā)生，我們
      2024-07-08 14:57:083146

      光刻膠的圖形反轉(zhuǎn)工藝

      形態(tài)。這種方法的主要應用領域是剝離過程，在剝離過程中，底切的形態(tài)可以防止沉積的材料在光刻膠邊緣和側(cè)壁上形成連續(xù)薄膜，有助于獲得干凈的剝離光刻膠結(jié)構(gòu)。 在圖像反轉(zhuǎn)烘烤步驟中，光刻膠的熱穩(wěn)定性和化學穩(wěn)定性可以得到
      2024-07-09 16:06:001988

      光刻膠后烘技術(shù)

      一般光刻過程文章中簡單介紹過后烘工藝但是比較簡單，本文就以下一些應用場景下介紹后烘的過程和作用。 化學放大正膠 機理 當使用“正?！闭?b class="flag-6" style="color: red">膠時，曝光完成后光反應也就完成了，但是化學放大的光刻膠需要隨后的烘烤步驟。光反應在曝光期間開始并在后烘環(huán)節(jié)中完
      2024-07-09 16:08:433446

      光刻膠的一般特性介紹

      評價一款光刻膠是否適合某種應用需要綜合看這款光刻膠的特定性能，這里給出光刻膠一般特性的介紹。 1. 靈敏度 靈敏度（sensitivity）是衡量曝光速度的指標。光刻膠的靈敏度越高，所需的曝光劑量
      2024-07-10 13:43:492388

      光刻膠的硬烘烤技術(shù)

      根據(jù)光刻膠的應用工藝，我們可以采用適當?shù)姆椒▽σ扬@影的光刻膠結(jié)構(gòu)進行處理以提高其化學或物理穩(wěn)定性。通常我們可以采用烘烤步驟來實現(xiàn)整個光刻膠結(jié)構(gòu)的熱交聯(lián)，稱為硬烘烤或者堅膜?；蛲ㄟ^低劑量紫外線輻照
      2024-07-10 13:46:592702

      光刻膠涂覆工藝—旋涂

      為了確保光刻工藝的可重復性、可靠性和可接受性，必須在基板表面上均勻涂覆光刻膠。光刻膠通常分散在溶劑或水溶液中，是一種高粘度材料。根據(jù)工藝要求，有許多工藝可用于涂覆光刻膠。 旋涂是用光刻膠涂覆基材
      2024-07-11 15:46:362757

      導致光刻膠變色的原因有哪些？

      存儲時間 正膠和圖形反轉(zhuǎn)膠在存儲數(shù)月后會變暗，而且隨著儲存溫度升高而加速。因為該類型光刻膠含有的光活性化合物形成偶氮染料，在 可見光譜的部分具有很強的吸收能力，對紫外靈敏度沒有任何影響。這種變色過程
      2024-07-11 16:07:491791

      如何成功的旋涂微流控SU-8光刻膠？

      在微流控PDMS芯片或SU-8模具制作的過程中，需要把PDMS膠或SU-8光刻膠根據(jù)所需要的厚度來選擇合適的旋涂轉(zhuǎn)速并且使PDMS膠或SU-8膠涂布均勻化。 如何成功的旋涂微流控SU-8光刻膠
      2024-08-26 14:16:011298

      如何成功的烘烤微流控SU-8光刻膠？

      控SU-8光刻膠烘烤：軟烘、后曝光烘烤和硬烘 在整個SU-8模具制備的過程中，微流控SU-8光刻膠需要烘烤2或3次，每一次烘烤都有不同的作用。 第一次光刻膠烘烤叫做軟烘，是SU-8光刻膠旋涂之后需要完成的操作。目標是蒸發(fā)溶劑，使SU-8光刻膠更加堅固。溶劑蒸發(fā)會稍微的改變光
      2024-08-27 15:54:011241

      掩膜版與光刻膠的功能和作用

      掩膜版與光刻膠在芯片制造過程中扮演著不可或缺的角色，它們的功能和作用各有側(cè)重，但共同促進了芯片的精確制造。? 掩膜版?，也稱為光罩、光掩膜或光刻掩膜版，是微電子制造過程中的圖形轉(zhuǎn)移母版。它的主要功能
      2024-09-06 14:09:472516

      一文看懂光刻膠的堅膜工藝及物理特性和常見光刻膠

      共讀好書關于常用光刻膠型號也可以查看這篇文章：收藏！常用光刻膠型號資料大全，幾乎包含所有芯片用光刻膠歡迎掃碼添加小編微信掃碼加入知識星球，領取公眾號資料
      2024-11-01 11:08:073091

      光刻膠的使用過程與原理

      本文介紹了光刻膠的使用過程與原理。
      2024-10-31 15:59:452789

      一文解讀光刻膠的原理、應用及市場前景展望

      光刻技術(shù)是現(xiàn)代微電子和納米技術(shù)的研發(fā)中的關鍵一環(huán)，而光刻膠，又是光刻技術(shù)中的關鍵組成部分。隨著技術(shù)的發(fā)展，對微小、精密的結(jié)構(gòu)的需求日益增強，光刻膠的需求也水漲船高，在微電子制造和納米技術(shù)等高精尖領域占據(jù)著至關重要的位置。
      2024-11-11 10:08:214404

      光刻膠清洗去除方法

      光刻膠作為掩模進行干法刻蝕或是濕法腐蝕后，一般都是需要及時的去除清洗，而一些高溫或者其他操作往往會導致光刻膠碳化難以去除。
      2024-11-11 17:06:222391

      光刻膠的主要技術(shù)參數(shù)

      分辨率（resolution）。區(qū)別硅片表面相鄰圖形特征的能力。一般用關鍵尺寸（CD，Critical Dimension）來衡量分辨率。形成的關鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好。
      2024-11-15 10:10:414832

      光刻膠成為半導體產(chǎn)業(yè)的關鍵材料

      對光的敏感度。在半導體制造過程中，光刻膠通過光化學反應，將掩膜版上的圖案精確地轉(zhuǎn)移到硅片表面。 光刻工藝是半導體制造的核心步驟之一。在硅片表面涂上光刻膠(負膠)后，使用特定波長的光線通過掩膜版照射到光刻膠上，被
      2024-12-19 13:57:362091

      光刻膠剝離液及其制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

      。 光刻膠剝離液及其制備方法 常見光刻膠剝離液類型 有機溶劑型剝離液 有機溶劑型剝離液以丙酮、N - 甲基吡咯烷酮（NMP）等有機溶劑為主體成分。丙酮對普通光刻膠的溶解能力強，能夠快速滲透光刻膠內(nèi)部，破壞其分子間作用力，
      2025-05-29 09:38:531108

      減少光刻膠剝離工藝對器件性能影響的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

      ? ? 引言 ? 在半導體制造領域，光刻膠剝離工藝是關鍵環(huán)節(jié)，但其可能對器件性能產(chǎn)生負面影響。同時，光刻圖形的精確測量對于保證芯片制造質(zhì)量至關重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方法，并介紹白光
      2025-06-14 09:42:56736

      金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應用及白光干涉儀在光刻圖形的測量

      介紹白光干涉儀在光刻圖形測量中的作用。 金屬低刻蝕的光刻膠剝離液 配方設計 金屬低刻蝕光刻膠剝離液需平衡光刻膠溶解能力與金屬保護性能。其核心成分包括有機溶劑、堿性物質(zhì)和緩蝕劑。有機溶劑（如 N - 甲基吡咯烷酮）負責溶
      2025-06-16 09:31:51586

      用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液及白光干涉儀在光刻圖形的測量

      引言 在顯示面板制造的 ARRAY 制程工藝中，光刻膠剝離是關鍵環(huán)節(jié)。銅布線在制程中廣泛應用，但傳統(tǒng)光刻膠剝離液易對銅產(chǎn)生腐蝕，影響器件性能。同時，光刻圖形的精準測量對確保 ARRAY 制程工藝精度
      2025-06-18 09:56:08694

      金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合物應用及白光干涉儀在光刻圖形的測量

      物的應用，并探討白光干涉儀在光刻圖形測量中的作用。 金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合物 配方組成 金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合物主要由有機溶劑、堿性助劑、緩蝕體系和添加劑構(gòu)成。有機溶劑如 N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮（NMP），
      2025-06-24 10:58:22565

      針對晶圓上芯片工藝的光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

      干涉儀在光刻圖形測量中的應用。 針對晶圓上芯片工藝的光刻膠剝離方法 濕法剝離 濕法剝離是晶圓芯片工藝中常用的光刻膠去除方式。通過將涂覆光刻膠的晶圓浸入含有特定化學成分的剝離液中，利用剝離液與光刻膠發(fā)生化學反應，
      2025-06-25 10:19:48816

      光刻膠旋涂的重要性及厚度監(jiān)測方法

      在芯片制造領域的光刻工藝中，光刻膠旋涂是不可或缺的基石環(huán)節(jié)，而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優(yōu)可測薄膜厚度測量儀AF系列憑借高精度、高速度的特點，為光刻膠厚度監(jiān)測提供了可靠解決方案。
      2025-08-22 17:52:461542

      光刻膠剝離工藝

      光刻膠剝離工藝是半導體制造和微納加工中的關鍵步驟，其核心目標是高效、精準地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結(jié)構(gòu)。以下是該工藝的主要類型及實施要點：濕法剝離技術(shù)有機溶劑溶解法原理：使用丙酮、NMP
      2025-09-17 11:01:271282

      中國打造自己的EUV光刻膠標準！

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）芯片，一直被譽為 人類智慧、工程協(xié)作與精密制造的集大成者 ，而制造芯片的重要設備光刻機就是 雕刻這個結(jié)晶的 “ 神之手 ”。但僅有光刻機還不夠，還需要光刻膠、掩膜版以及
      2025-10-28 08:53:356236

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