摘要 溶液中晶片表面的顆粒沉積。然而，粒子沉積和清除機(jī)制液體。在高離子中觀察到最大的粒子沉積:本文將討論粒子沉積的機(jī)理酸性溶液的濃度，并隨著溶液pH值的增加而降低，在使用折痕。還研究了各種溶液中
2022-06-01 14:57:57
7869 
本發(fā)明一般涉及清洗和蝕刻硅表面的方法，以及更具體地涉及使用NF在低溫下預(yù)清洗晶片，在使用硅晶片制造半導(dǎo)體器件的過(guò)程中，在硅晶片的硅表面上可能會(huì)形成污染物和雜質(zhì)，如外延硅沉積或氧化物層生長(zhǎng)，去除污染物
2022-06-29 17:06:564290 
過(guò)程可以節(jié)省鎢硅化物沉積之前，去除多晶硅層上的表面氧化層過(guò)程和表面清洗步驟，這些步驟都是傳統(tǒng)的高溫爐多晶硅沉積和CVD鎢硅化物工藝所必需的。使用多晶硅-鎢硅化物整合系統(tǒng)可以使產(chǎn)量明顯增加。如下圖所示
2022-09-30 11:53:002260 外延工藝是指在襯底上生長(zhǎng)完全排列有序的單晶體層的工藝。一般來(lái)講，外延工藝是在單晶襯底上生長(zhǎng)一層與原襯底相同晶格取向的晶體層。外延工藝廣泛用于半導(dǎo)體制造，如集成電路工業(yè)的外延硅片。MOS 晶體管
2023-02-13 14:35:4717657 聽(tīng)上去很高大上的“薄膜沉積”到底是什么？ 簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)：薄膜沉積就是幫芯片“貼膜”的。 薄膜沉積（Thin Film Deposition）是在半導(dǎo)體的主要襯底材料上鍍一層膜，再配合蝕刻和拋光等工藝
2025-04-16 14:25:091064 
一、典型的PCBA清洗工藝 溶劑清晰：ODS類、碳?xì)漕?、醇類、酮類、含氟溶劑、共沸共溶等混合劑?！ ∪軇┨匦в幸兹肌⒁妆?、破環(huán)環(huán)境、對(duì)人體有危害。 半水基清洗：郵寄溶劑+水漂洗 多數(shù)
2021-02-05 15:37:50
內(nèi)，清洗液必須與元器件、PCB表面、金屬鍍層、鋁鍍層、標(biāo)簽、字跡等材料兼容，特殊部件需考慮能否經(jīng)受清洗?！ ?b class="flag-6" style="color: red">清洗工藝流程為：入板→化學(xué)預(yù)洗→化學(xué)清洗→化學(xué)隔離→預(yù)漂洗→漂洗→噴淋→風(fēng)切干燥→烘干 2
2021-02-05 15:27:50
大家好！ 我從事SMT清洗工藝已有多年，自己整理了一些好
2010-02-01 15:56:39
焊錫（RMA），可免洗?！ ?） 水溶型焊劑：焊后用水清洗?！ ?） 低固態(tài)含量助焊劑：免清洗。免清洗技術(shù)具有簡(jiǎn)化工藝流程、節(jié)省制造本錢和污染少的長(zhǎng)處。近十年來(lái)，免清洗焊接技術(shù)、免清洗焊劑和免清洗焊膏
2012-07-23 20:41:56
第二章對(duì)芯片制造過(guò)程有詳細(xì)介紹，通過(guò)這張能對(duì)芯片制造過(guò)程有個(gè)全面的了解
首先分為前道工序和后道工序
前道工序也稱擴(kuò)散工藝，占80%工作量，進(jìn)一步分為基板工藝和布線工藝。包括:沉積工藝
2024-12-16 23:35:46
：LED芯片的制造工藝流程 LED芯片的制造工藝流程圖外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形
2015-03-11 17:08:06
銅前準(zhǔn)備、電鍍銅。而電鍍銅的好壞，又在很大程度上取決于電鍍銅前準(zhǔn)備。因此，業(yè)內(nèi)人士往往會(huì)把關(guān)于 PCB 可靠性的問(wèn)題，聚焦到電鍍銅前準(zhǔn)備的部分。目前行業(yè)主流的電鍍銅前準(zhǔn)備工藝，主要有三種：沉銅、黑孔
2022-06-10 15:57:31
銅前準(zhǔn)備、電鍍銅。而電鍍銅的好壞，又在很大程度上取決于電鍍銅前準(zhǔn)備。因此，業(yè)內(nèi)人士往往會(huì)把關(guān)于 PCB 可靠性的問(wèn)題，聚焦到電鍍銅前準(zhǔn)備的部分。目前行業(yè)主流的電鍍銅前準(zhǔn)備工藝，主要有三種：沉銅、黑孔
2022-06-10 15:55:39
大家好！ 附件是半導(dǎo)體引線鍵合清洗工藝方案，請(qǐng)參考，謝謝！有問(wèn)題聯(lián)系我：*** szldqxy@163.com
2010-04-22 12:27:32
的有氧化爐、沉積設(shè)備、光刻機(jī)、刻蝕設(shè)備、離子注入機(jī)、清洗機(jī)、化學(xué)研磨設(shè)備等。以上是今日Enroo關(guān)于晶圓制造工藝及半導(dǎo)體設(shè)備的相關(guān)分享。
2018-10-15 15:11:22
銅前準(zhǔn)備、電鍍銅。而電鍍銅的好壞，又在很大程度上取決于電鍍銅前準(zhǔn)備。因此，業(yè)內(nèi)人士往往會(huì)把關(guān)于 PCB 可靠性的問(wèn)題，聚焦到電鍍銅前準(zhǔn)備的部分。目前行業(yè)主流的電鍍銅前準(zhǔn)備工藝，主要有三種：沉銅、黑孔
2022-06-10 15:53:05
半導(dǎo)體設(shè)備用治具的清洗爐（Vacuum Bake Cleaner）●該設(shè)備用于去除附著在 MOCVD 托盤和零部件上的沉積物（GaN、AlN 等）。采用潔凈氣體的干式清洗法，因此不需要濕法后道處
2022-01-14 14:21:00
集成電路工藝專題實(shí)驗(yàn) Topic Experiments of Integrate Circuit Techniques
實(shí)驗(yàn)一 硅單晶(或多晶)薄膜的沉積………………………………………………………3實(shí)驗(yàn)二 硅單晶外延層的質(zhì)
2009-03-06 14:06:56
5 預(yù)清洗機(jī)（Pre-Cleaning System）是半導(dǎo)體制造前道工藝中的關(guān)鍵設(shè)備，用于在光刻、蝕刻、薄膜沉積等核心制程前，對(duì)晶圓、掩膜板、玻璃基板等精密部件進(jìn)行表面污染物（顆粒、有機(jī)物、金屬殘留等
2025-06-17 13:27:16
啟用PowerFill外延硅工藝的電源設(shè)備
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無(wú)縫隙填充。 PoweRFill是一個(gè)精
2010-01-23 08:35:54807 PCB電路板清洗效果檢測(cè)方法及評(píng)估標(biāo)準(zhǔn)
PCB電路板清洗效果檢測(cè)是PCB生產(chǎn)加工及電路板改板設(shè)計(jì)等各制板環(huán)節(jié)中都有涉及，關(guān)于PCB電路板清洗效果檢測(cè)的方法及評(píng)
2010-01-23 11:24:473488 采用PowerFill外延硅工藝的電源器件
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無(wú)縫隙填充。 PoweRFill是一個(gè)精
2010-01-25 09:17:05708 ASM啟用新的PowerFill外延技術(shù)的電源設(shè)備
ASM International近日推出了其PowerFillTM的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無(wú)縫隙填充。owerFill是
2010-01-27 08:39:292222 半導(dǎo)體清洗工藝全集 晶圓清洗是半導(dǎo)體制造典型工序中最常應(yīng)用的加工步驟。就硅來(lái)說(shuō)，清洗操作的化學(xué)制品和工具已非常成熟，有多年廣泛深入的研究以及重要的工業(yè)設(shè)備的支持。所
2011-12-15 16:11:44191 LED 芯片的制造工藝流程：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2 腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。
2016-08-05 17:45:2122134 
，材料性能優(yōu)良，因而引起材料界的高度重視。 一、 噴射沉積原位反應(yīng)法。 此法是將原位反應(yīng)和噴射沉積工藝結(jié)合在一起制備顆粒增強(qiáng)鐵基耐磨材料的方法。該工藝在制備鐵基耐磨復(fù)合材料時(shí)，將金屬粉（如鈦粉）加熱熔化后注入等離
2017-10-27 17:24:0910 LED的波長(zhǎng)、亮度、正向電壓等主要光電參數(shù)基本上取決于外延片材料，因此，外延片材料作為L(zhǎng)ED工作原理中的核心部分，了解LED外延片技術(shù)的發(fā)展及工藝非常重要。
2018-11-01 16:41:125593 外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。
2019-03-27 16:58:1525754 在PCBA貼片加工廠里，要使印制電路組件的清洗順利進(jìn)行并且達(dá)到良好的效果，除了要了解清洗機(jī)理、清洗劑和清洗方法之外，還應(yīng)該了解影響清洗效果的主要因素，如元器件的類型和排列、PCB的設(shè)計(jì)、助焊劑的類型、焊接的工藝參數(shù)、焊后的停留時(shí)間及溶劑噴淋的參數(shù)等。
2019-09-29 11:11:503552 CMOS器件是在硅材料上逐層制作而成的。雖然蝕刻和沉積是標(biāo)準(zhǔn)工藝，但它們主要使用光刻和等離子蝕刻在裸片上創(chuàng)建圖案。另一方面，MEMS是采用體硅加工工藝嵌入到硅中，或通過(guò)表面微加工技術(shù)在硅的頂部形成。
2020-09-01 11:21:324665 不久前，MEMS 蝕刻和表面涂層方面的領(lǐng)先企業(yè) memsstar 向《電子產(chǎn)品世界》介紹了 MEMS 與傳統(tǒng) CMOS 刻蝕與沉積工藝的關(guān)系，對(duì)中國(guó)本土 MEMS 制造工廠和實(shí)驗(yàn)室的建議等。 1
2022-12-13 11:42:003165 不久前，MEMS 蝕刻和表面涂層方面的領(lǐng)先企業(yè) memsstar 向《電子產(chǎn)品世界》介紹了 MEMS 與傳統(tǒng) CMOS 刻蝕與沉積工藝的關(guān)系，對(duì)中國(guó)本土 MEMS 制造工廠和實(shí)驗(yàn)室的建議等。
2020-12-08 23:36:0027 三元催化器清洗效果好的方法是拆解清洗：拆解清洗是一件十分費(fèi)事費(fèi)力的方法，需要將三元催化器從車輛上完全拆卸下來(lái)，之后用清洗劑（草酸、潔廁靈）浸泡上一段時(shí)間后，再用清水沖洗，這樣清洗三元催化器的方法是比較有效的。
2020-12-14 16:37:2928959 雖然在商用化學(xué)氣相沉積設(shè)備中可以在一次運(yùn)行中實(shí)現(xiàn)多片4H－SiC襯底的同質(zhì)外延生長(zhǎng)，但是必須將晶片裝載到可旋轉(zhuǎn)的大型基座上，這導(dǎo)致基座的直徑隨著數(shù)量或者外延晶片總面積的增加而增加。
2020-12-26 03:52:291175 摘 要：光罩清洗的流程以及優(yōu)化，需要在實(shí)際生產(chǎn)運(yùn)用中來(lái)完善，要保證在不影響清洗能力的情況下來(lái)優(yōu)化各個(gè)工藝參數(shù)，在各種工藝清洗時(shí)的時(shí)間和MASKStage的轉(zhuǎn)速來(lái)縮短清洗光罩的時(shí)間，而這個(gè)參數(shù)需要
2020-12-29 11:38:315353 
摘要：采用DOE（實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)）方法，通過(guò)比較鋁線拉力的數(shù)值、標(biāo)準(zhǔn)方差及PpK，得到最適合鋁 線鍵合工藝的等離子清洗功率、時(shí)間和氣流速度參數(shù)的組合。同時(shí)分析了引線框架在料盒中的擺放 位置對(duì)等離子清洗效果
2020-12-30 10:26:391956 原位清洗站全自動(dòng)和手動(dòng)原理圖下載
2021-04-06 15:41:170 超聲波清洗機(jī)對(duì)汽車飛機(jī)機(jī)車有什么清洗效果？ 超聲波清洗機(jī)有專用于汽車、機(jī)車、飛機(jī)維修保養(yǎng)的清洗設(shè)備定制。 1、清洗效果： 專用超聲波清洗機(jī)替代了汽車軸承保養(yǎng)清洗時(shí)使用汽油等易燃物品，大大減少人工
2021-04-16 14:53:423465 在化學(xué)機(jī)械拋光原位清洗模塊中，而不是在后原位濕法清洗過(guò)程中。因此，化學(xué)機(jī)械拋光后的原位清洗優(yōu)化和清洗效率的提高在化學(xué)機(jī)械拋光后的缺陷控制中起著舉足輕重的作用。化學(xué)機(jī)械拋光原位清潔模塊通常由兆頻超聲波和刷式洗滌器工
2022-01-11 16:31:391147 
本文討論了稀氫氟酸清洗過(guò)程中顆粒沉積在硅片表面的機(jī)理。使用原子力顯微鏡的直接表面力測(cè)量表明，硅表面上的顆粒再沉積是由于顆粒和晶片表面之間的主要相互作用。表面活性劑的加入可以通過(guò)改變顆粒和晶片之間
2022-02-11 14:44:272968 
嵌入式硅鍺在最近的技術(shù)節(jié)點(diǎn)中被應(yīng)用于互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體中，以提高器件性能并實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展。本文發(fā)現(xiàn)硅鍺表面相對(duì)于溝道的位置對(duì)功率因數(shù)校正閾值電壓和器件可變性有顯著影響。因此，嵌入式硅鍺的凹槽蝕刻和沉積必須得到很好的控制。我們展示了器件對(duì)填充工藝的敏感性，并描述了用于優(yōu)化外延控制的前饋和反饋技術(shù)。
2022-02-23 10:08:144349 
摘要 本文介紹了半導(dǎo)體晶片加工中為顆粒去除(清洗)工藝評(píng)估而制備的受污染測(cè)試晶片老化的實(shí)驗(yàn)研究。比較了兩種晶片制備技術(shù):一種是傳統(tǒng)的濕法技術(shù)，其中裸露的硅晶片浸泡在充滿顆粒的溶液中，然后干燥；另一種
2022-03-04 15:03:503354 
在半導(dǎo)體制造過(guò)程中的每個(gè)過(guò)程之前和之后執(zhí)行的清潔過(guò)程是最重要的過(guò)程之一，約占總過(guò)程的30%，基于RCA清洗的濕式清洗工藝對(duì)于有效地沖洗清洗化學(xué)物質(zhì)以使它們不會(huì)在學(xué)位處理后殘留在晶片表面上，以及諸如
2022-03-22 13:30:211770 近年來(lái)隨著成本原因以及環(huán)境保護(hù)和清潔生產(chǎn)的要求，越來(lái)越多的電子廠商在PCBA生產(chǎn)制程中采用免清洗或簡(jiǎn)單清洗工藝，也就是在焊接過(guò)程中采用免清洗助焊劑。對(duì)于非高可靠性的電子產(chǎn)品，采用免清洗工藝可以達(dá)到
2022-04-06 13:34:575915 指導(dǎo)操作員掌握正確的清洗要求及工藝流程，使焊接區(qū)域獲得良好的清洗效果，達(dá)到品質(zhì)之要求
2022-06-08 14:45:580 評(píng)估各種清洗技術(shù)的典型方法是在晶片表面沉積氮化硅(Si，N4)顆粒，然后通過(guò)所需的清洗工藝處理晶片。國(guó)家半導(dǎo)體技術(shù)路線圖規(guī)定了從硅片上去除顆粒百分比的標(biāo)準(zhǔn)挑戰(zhàn)，該挑戰(zhàn)基于添加到硅片上的“>
2022-05-25 17:11:382023 
已經(jīng)被提議作為集成在硅基光子平臺(tái)中的紅外發(fā)光器件的活性材料。 用于后續(xù)外延生長(zhǎng)的鍺表面的清潔(外延清潔)通常基于通過(guò)原位退火步驟完成的非原位化學(xué)預(yù)清潔。使用非原位化學(xué)處理來(lái)去除天然氧化物和金屬污染物，并生長(zhǎng)保護(hù)外延表面免受污染的化
2022-06-17 16:26:562441 
摘要 在先進(jìn)的p型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，SiGe溝道可用于提高空穴遷移率和定制閾值電壓偏移。在這種器件的源極/漏極區(qū)中SiGe:B的低溫選擇性外延生長(zhǎng)(SEG)之前，SiGe氧化物的有效
2022-06-20 15:27:242509 
在鋰負(fù)極原位形成過(guò)程中，動(dòng)態(tài)的機(jī)械應(yīng)力會(huì)影響初始鋰金屬沉積形貌，導(dǎo)致電池可逆性較差。
2022-09-08 09:12:343513 物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition， PVD)工藝是指采用物理方法，如真空蒸發(fā)、濺射 （Sputtering）鍍膜、離子體鍍膜和分子束外延等，在圓片表面形成薄膜。
2022-11-03 15:32:2011933 化學(xué)氣相沉積 (Chemical Vapor Deposition, CVD）是指不同分壓的多種氣相狀態(tài)反應(yīng)物在一定溫度和氣壓下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成的固態(tài)物質(zhì)沉積在襯底材料表面，從而獲得所需薄膜的工藝技術(shù)。
2022-11-04 10:56:0614459 固相外延，是指固體源在襯底上生長(zhǎng)一層單晶層，如離子注入后的熱退火實(shí)際上就是一種固相外延過(guò)程。離于注入加工時(shí)，硅片的硅原子受到高能注入離子的轟擊
2022-11-09 09:33:5215305 電鍍是工業(yè)生產(chǎn)不可或缺的一部分，電鍍前的清洗采用超聲波清洗技術(shù)已經(jīng)成為一個(gè)全新的典型工藝。過(guò)去電鍍處理前的傳統(tǒng)工藝是采用酸液對(duì)工件進(jìn)行清洗處理，對(duì)環(huán)境污染問(wèn)題偏重，工作場(chǎng)地也比較差；與此同時(shí)，最大
2022-11-09 18:02:453704 氮化鎵外延片生長(zhǎng)工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長(zhǎng)法，需經(jīng)過(guò)高溫烘烤、緩沖層生長(zhǎng)、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長(zhǎng)法通過(guò)控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應(yīng)力而產(chǎn)生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:007537 以晶圓為基本材料，其生產(chǎn)工藝過(guò)程包括硅片清洗、硅片擴(kuò)散、化學(xué)氣相沉積、物理氣相層積，晶圓表面處理、原子層沉積、光刻等
2023-02-11 11:31:4213768 
碳化硅(SiC)是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料,近20 年來(lái)隨著外延設(shè)備和工藝技術(shù)水平不斷 提升,外延膜生長(zhǎng)速率和品質(zhì)逐步提高,碳化硅在新能源汽車、光伏產(chǎn)業(yè)、高壓輸配線和智能電站等
2023-02-16 10:50:0912987 氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝，主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測(cè)處理等步驟。
2023-02-20 15:50:3215328 印刷電路板的清洗作為一項(xiàng)增值的工藝流程,印制板清洗后可以去除產(chǎn)品在各道加工過(guò)程中表面污染物的沉積,而且能夠降低產(chǎn)品可靠性在表面上污染物質(zhì)等方面的安全風(fēng)險(xiǎn)。因此,現(xiàn)如今電路板生產(chǎn)中大部分都運(yùn)用了清洗
2023-05-25 09:35:012441 
。 PVD 沉積工藝在半導(dǎo)體制造中用于為各種邏輯器件和存儲(chǔ)器件制作超薄、超純金屬和過(guò)渡金屬氮化物薄膜。最常見(jiàn)的 PVD 應(yīng)用是鋁板和焊盤金屬化、鈦和氮化鈦襯墊層、阻擋層沉積和用于互連金屬化的銅阻擋層種子沉積。 PVD 薄膜沉積工藝需要一個(gè)高真空的平臺(tái)，在
2023-05-26 16:36:516032 外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進(jìn)一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:098486 
在了解芯片沉積工藝之前，先要闡述下薄膜（thin film）的概念。薄膜材料是厚度介于單原子到幾毫米間的薄金屬或有機(jī)物層。
2023-06-08 11:00:125207 
等離子體對(duì)汽車車燈進(jìn)行精確的局部預(yù)處理，以激活所有關(guān)鍵區(qū)域中的非極性材料，從而確保前照燈的可靠粘接和長(zhǎng)期密封，有效改善汽車前照燈、尾燈的密封效果，降低粘接成本。等離子清洗機(jī)目前，許多汽車采用高質(zhì)量
2022-09-30 11:15:401565 
在半導(dǎo)體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實(shí)也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨(dú)要強(qiáng)調(diào)“沉積”工藝呢？
2023-06-29 16:58:371955 
在前幾篇文章（點(diǎn)擊查看），我們一直在借用餅干烘焙過(guò)程來(lái)形象地說(shuō)明半導(dǎo)體制程 。在上一篇我們說(shuō)到，為制作巧克力夾心，需通過(guò)“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分，然后倒入巧克力糖漿，再蓋上一層餅干層。“倒入巧克力糖漿”和“蓋上餅干層”的過(guò)程在半導(dǎo)體制程中就相當(dāng)于“沉積工藝”。
2023-06-29 16:56:172558 
和在刻蝕工藝中一樣，半導(dǎo)體制造商在沉積過(guò)程中也會(huì)通過(guò)控制溫度、壓力等不同條件來(lái)把控膜層沉積的質(zhì)量。例如，降低壓強(qiáng)，沉積速率就會(huì)放慢，但可以提高垂直方向的沉積質(zhì)量。因?yàn)?，壓?qiáng)低表明設(shè)備內(nèi)反應(yīng)氣體粒子
2023-07-02 11:36:404229 
在半導(dǎo)體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實(shí)也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨(dú)要強(qiáng)調(diào)“沉積”工藝呢？
2023-08-17 15:33:272484 
上海伯東代理美國(guó) KRi 考夫曼離子源適用于安裝在 MBE 分子束外延, 濺射和蒸發(fā)系統(tǒng), PLD 脈沖激光系統(tǒng)等, 在沉積前用離子轟擊表面, 進(jìn)行預(yù)清潔 Pre-clean 的工藝, 對(duì)基材表面有機(jī)物清洗, 金屬氧化物的去除等, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應(yīng)力, 工藝效率等！
2023-05-25 10:10:311490 
摘 要:文章主要論述了手工清洗劑的分類；手工清洗劑的選擇應(yīng)考慮哪些特性；手工清洗工藝方法；幾種手工清洗劑的特性、材料兼容性及清洗后的效果。并給出了批量手工清洗方案和返工返修類手工清洗方案。批量手工清洗方案重點(diǎn)在必需進(jìn)行二次漂洗，返工返修類用噴霧罐噴淋并用無(wú)紡布擦拭干凈。
2023-10-19 10:06:452632 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LED外延芯片工藝流程及晶片分類.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-03 09:42:540 通過(guò)有效控制AlN薄膜與Si襯底之間的界面反應(yīng)，利用脈沖激光沉積（PLD）在Si襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量的AlN外延薄膜。英思特對(duì)PLD生長(zhǎng)的AlN/Si異質(zhì)界面的表面形貌、晶體質(zhì)量和界面性能進(jìn)行了系統(tǒng)研究。
2023-11-23 15:14:401429 
外延工藝的介紹，單晶和多晶以及外延生長(zhǎng)的方法介紹。
2023-11-30 18:18:166531 
在太陽(yáng)能電池的薄膜沉積工藝中，具有化學(xué)氣相沉積（CVD）與物理氣相沉積（PVD）兩種薄膜沉積方法，電池廠商在沉積工藝中也需要根據(jù)太陽(yáng)能電池的具體問(wèn)題進(jìn)行針對(duì)性選擇，并在完成薄膜沉積工藝后通過(guò)
2023-12-26 08:33:012701 
Si上 AIN 和 GaN 的濺射外延(111) 濺射外延是一種低成本工藝，適用于沉積III族氮化物半導(dǎo)體，并允許在比金屬-有機(jī)氣相外延（MOVPE）更低的生長(zhǎng)溫度下在大襯底區(qū)域上沉積。介紹了用反應(yīng)
2024-01-12 17:27:131093 
根據(jù)清洗介質(zhì)的不同，目前半導(dǎo)體清洗技術(shù)主要分為濕法清洗和干法清洗兩種工藝路線
2024-01-12 23:14:234840 
分子束外延(Molecular beam epitaxy，MBE)是一種在超高真空狀態(tài)下，進(jìn)行材料外延技術(shù)，下圖為分子束外延的核心組成，包括受熱的襯底和釋放到襯底上的多種元素的分子束。
2024-01-15 18:12:1011188 
優(yōu)化硅的形態(tài)與沉積方式是半導(dǎo)體和MEMS工藝的關(guān)鍵，LPCVD和APCVD為常見(jiàn)的硅沉積技術(shù)。
2024-01-22 09:32:155750 
SMT錫膏鋼網(wǎng)的主要作用是幫助錫膏準(zhǔn)確的印刷到PCB焊盤上，在此過(guò)程中難免的會(huì)殘留一些錫膏，而一般使用完畢后需要對(duì)SMT鋼網(wǎng)進(jìn)行清洗，以避免錫膏殘留在鋼網(wǎng)上影響二次使用。為了達(dá)到良好的清洗效果并控制
2024-08-26 16:22:362252 
本文介紹SiGe外延工藝及其在外延生長(zhǎng)、應(yīng)變硅應(yīng)用以及GAA結(jié)構(gòu)中的作用。 ? 在現(xiàn)代半導(dǎo)體技術(shù)中，隨著器件尺寸的不斷縮小，傳統(tǒng)的硅基材料逐漸難以滿足高性能和低功耗的需求。SiGe（硅鍺）作為一種
2024-12-20 14:17:496643 
可能來(lái)源于前道工序或環(huán)境。通常采用超聲波清洗、機(jī)械刷洗等物理方法，結(jié)合化學(xué)溶液（如酸性過(guò)氧化氫溶液）進(jìn)行清洗。 刻蝕后清洗 目的與方法：在晶圓經(jīng)過(guò)刻蝕工藝后，表面會(huì)殘留刻蝕劑和其他雜質(zhì)，需要通過(guò)清洗去除。此步驟通常
2025-01-07 16:12:00813 本文簡(jiǎn)單介紹了芯片制造的7個(gè)前道工藝。 ? 在探索現(xiàn)代科技的微觀奇跡中，芯片制造無(wú)疑扮演著核心角色，它不僅是信息技術(shù)飛速發(fā)展的基石，也是連接數(shù)字世界與現(xiàn)實(shí)生活的橋梁。本文將帶您深入芯片制造的前道工藝
2025-01-08 11:48:344048 
，貼膜后的清洗過(guò)程同樣至關(guān)重要，它直接影響到外延晶片的最終質(zhì)量和性能。本文將詳細(xì)介紹碳化硅外延晶片硅面貼膜后的清洗方法，包括其重要性、常用清洗步驟、所用化學(xué)試劑及
2025-02-07 09:55:37317 
外延片的質(zhì)量和性能。因此，采用高效的化學(xué)機(jī)械清洗方法，以徹底去除SiC外延片表面的污染物，成為保證外延片質(zhì)量的關(guān)鍵步驟。本文將詳細(xì)介紹SiC外延片的化學(xué)機(jī)械清洗方法
2025-02-11 14:39:46414 芯片制造難，真的很難。畢竟這個(gè)問(wèn)題不是一朝一夕，每次都是涉及不少技術(shù)。那么，我們說(shuō)到這里也得提及的就是芯片清洗機(jī)工藝。你知道在芯片清洗機(jī)中涉及了哪些工藝嗎？ 芯片清洗機(jī)的工藝主要包括以下幾種，每種
2025-03-10 15:08:43857 晶圓濕法清洗工作臺(tái)是一個(gè)復(fù)雜的工藝，那我們下面就來(lái)看看具體的工藝流程。不得不說(shuō)的是，既然是復(fù)雜的工藝每個(gè)流程都很重要，為此我們需要仔細(xì)謹(jǐn)慎，這樣才能獲得最高品質(zhì)的產(chǎn)品或者達(dá)到最佳效果。 晶圓濕法清洗
2025-04-01 11:16:271009 在多個(gè)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，包括工業(yè)、醫(yī)療、實(shí)驗(yàn)室和家用清潔等。超聲波清洗設(shè)備的清洗效果通常是非常出色的，具體效果取決于以下因素：1.清洗物品的類型：超聲波清洗適用于
2025-06-06 16:04:22715 
（如半導(dǎo)體晶圓、光伏硅片、金屬零件等），通常以“槽”為單位裝載。適用場(chǎng)景：適合大批量生產(chǎn)，尤其是對(duì)清潔度要求一致且工藝相同的產(chǎn)品（如集成電路封裝前的引腳清洗、汽車零
2025-06-30 16:47:491175 
的日益重視。在使用大型超聲波清洗機(jī)時(shí)，如何最大化清洗效果，成為了眾多用戶關(guān)注的重點(diǎn)。本文將為您介紹5個(gè)實(shí)用技巧，幫助您提升超聲波清洗機(jī)的清洗效果。1.選擇合適的清洗
2025-07-17 16:22:18701 
晶圓清洗后表面外延顆粒的要求是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵質(zhì)量控制指標(biāo)，直接影響后續(xù)工藝（如外延生長(zhǎng)、光刻、金屬化等）的良率和器件性能。以下是不同維度的具體要求和技術(shù)要點(diǎn)：一、顆粒污染的核心要求顆粒尺寸與數(shù)量
2025-07-22 16:54:431540 
晶圓清洗工藝是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，用于去除晶圓表面的污染物（如顆粒、有機(jī)物、金屬離子和氧化物），確保后續(xù)工藝（如光刻、沉積、刻蝕）的良率和器件性能。根據(jù)清洗介質(zhì)、工藝原理和設(shè)備類型的不同，晶圓
2025-07-23 14:32:161368 
在濕法清洗過(guò)程中，防止污染物再沉積是確保清洗效果和產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵。以下是系統(tǒng)化的防控策略及具體實(shí)施方法：一、流體動(dòng)力學(xué)優(yōu)化設(shè)計(jì)1.層流場(chǎng)構(gòu)建技術(shù)采用低湍流度的層流噴淋系統(tǒng)（雷諾數(shù)Re9），同時(shí)向溶液
2025-08-05 11:47:20694 
半導(dǎo)體外延工藝主要在集成電路制造的前端工藝（FEOL）階段進(jìn)行。以下是具體說(shuō)明：所屬環(huán)節(jié)定位：作為核心步驟之一，外延屬于前端制造流程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其目的是在單晶襯底上有序沉積單晶材料以形成外延層
2025-08-11 14:36:351273 
半導(dǎo)體外延和薄膜沉積是兩種密切相關(guān)但又有顯著區(qū)別的技術(shù)。以下是它們的主要差異：定義與目標(biāo)半導(dǎo)體外延核心特征：在單晶襯底上生長(zhǎng)一層具有相同或相似晶格結(jié)構(gòu)的單晶薄膜（外延層），強(qiáng)調(diào)晶體結(jié)構(gòu)的連續(xù)性和匹配
2025-08-11 14:40:061536 
半導(dǎo)體封裝過(guò)程中的清洗工藝是確保器件可靠性和性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，主要涉及去除污染物、改善表面狀態(tài)及為后續(xù)工藝做準(zhǔn)備。以下是主流的清洗技術(shù)及其應(yīng)用場(chǎng)景：一、按清洗介質(zhì)分類濕法清洗
2025-08-13 10:51:341916 
一、引言
碳化硅外延片作為功率半導(dǎo)體器件的核心材料，其總厚度偏差（TTV）是衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，直接影響器件的性能與可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多種因素影響，其中生長(zhǎng)工藝參數(shù)起著決定性
2025-09-18 14:44:40645 
硅片濕法清洗工藝雖然在半導(dǎo)體制造中廣泛應(yīng)用，但其存在一些固有缺陷和局限性，具體如下：顆粒殘留與再沉積風(fēng)險(xiǎn)來(lái)源復(fù)雜多樣：清洗液本身可能含有雜質(zhì)或微生物污染；過(guò)濾系統(tǒng)的濾芯失效導(dǎo)致大顆粒物質(zhì)未被有效攔截
2025-09-22 11:09:21508 
污染物類型 不同工序產(chǎn)生的殘留物差異顯著（如光刻膠殘余、金屬離子沉積、顆粒物或氧化層缺陷）。例如： 前端硅片預(yù)處理需去除表面有機(jī)物和自然氧化層； CMP拋光后需清理研磨液中的磨料顆粒； 金屬互連前的清洗則側(cè)重于消除電
2025-10-22 14:47:39257 外延片氧化清洗流程是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，旨在去除表面污染物并為后續(xù)工藝（如氧化層生長(zhǎng)）提供潔凈基底。以下是基于行業(yè)實(shí)踐和技術(shù)資料的流程解析：一、預(yù)處理階段初步清洗目的：去除外延片表面的大顆粒塵埃
2025-12-08 11:24:01236 
襯底清洗是半導(dǎo)體制造、LED外延生長(zhǎng)等工藝中的關(guān)鍵步驟，其目的是去除襯底表面的污染物（如顆粒、有機(jī)物、金屬離子、氧化層等），確保后續(xù)薄膜沉積或器件加工的質(zhì)量。以下是常見(jiàn)的襯底清洗方法及適用場(chǎng)景：一
2025-12-10 13:45:30323 
在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，晶圓去膠工藝之后確實(shí)需要進(jìn)行清洗和干燥步驟。以下是具體介紹：一、清洗的必要性去除殘留物光刻膠碎片：盡管去膠工藝旨在完全去除光刻膠，但在實(shí)際操作中，可能會(huì)有一些微小的光刻膠顆粒殘留
2025-12-16 11:22:10110 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論