CVD 技術(shù)是一種在真空環(huán)境中通過襯底表面化學(xué)反應(yīng)來進行薄膜生長的過程，較短的工藝時間以及所制備薄膜的高致密性，使 CVD 技術(shù)被越來越多地應(yīng)用于薄膜封裝工藝中無機阻擋層的制備。
2025-05-14 10:18:57
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引言 化學(xué)蝕刻是通過與強化學(xué)溶液接觸來控制工件材料的溶解。該過程可以應(yīng)用于任何材料。銅是利用化學(xué)腐蝕工藝制造微電子元件、微工程結(jié)構(gòu)和精密零件中廣泛使用的工程材料之一。在這項研究中，銅在50℃用兩種
2021-12-29 13:21:463441 
摘要 在印刷和蝕刻生產(chǎn)厚金屬膜中的精密圖案時，需要對化學(xué)蝕刻劑有基本的了解，以實現(xiàn)工藝優(yōu)化和工藝控制。 為了蝕刻純鋁電路，研究了正磷酸、多磷酸和氯化鐵的配方。 研究的目的是確定蝕刻速率和圖案定義對正
2022-01-07 15:07:481640 
、鐵(III)氯離子濃度、溶解鋁濃度對蝕刻電路質(zhì)量和蝕刻速率的影響。蝕刻系統(tǒng)允許在制備和電路處理中發(fā)生合理的變化，而不嚴(yán)重影響蝕刻電路的質(zhì)量。對蝕刻劑的控制可以在廣泛的溫度和成分范圍內(nèi)保持。 介紹 在印刷電路工業(yè)中，化學(xué)蝕刻
2022-01-07 15:40:121922 
一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法。該方法包括提供碳化硅基底；通過在基底上施加一層材料來形成非金屬掩模層；形成掩模層以暴露基底的底層區(qū)域；并以第一速率用等離子體蝕刻基底的底層區(qū)域，同時以低于第一速率蝕刻掩模層。
2022-03-29 14:55:272151 
本文采用飛秒激光蝕刻法、深反應(yīng)離子蝕刻法和金屬催化化學(xué)蝕刻法制備了黑硅，研究發(fā)現(xiàn)，在400~2200nm的波長內(nèi)，光的吸收顯著增強，其中飛秒激光用六氟化硫蝕刻的黑硅在近紅外波段的吸收值最高。但這大
2022-04-06 14:31:353609 
本文章提出了一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法，在通過臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后，重復(fù)測量，然后確定了成分和表面電位的深度分布，因此這種分析技術(shù)提供了優(yōu)于0.5納米的深度分辨率
2022-04-07 13:18:161509 
超聲增強化學(xué)腐蝕被用來制作多孔硅層，通過使用HF溶液和HNO3在p型(111)取向硅中制備多孔硅層，發(fā)現(xiàn)超聲波改善了p型硅上多孔硅層的結(jié)構(gòu)，用這種方法可以制作品質(zhì)因數(shù)高得多的多孔硅微腔，由超聲波蝕刻
2022-05-06 17:06:511776 
制備方法對Ba2FeMoO6雙鈣鈦礦磁性能的影響采用濕化學(xué)法和固相反應(yīng)制備了Ba2FeMoO6雙鈣鈦礦化合物，對比研究了制備方法對其磁性能尤其是磁卡效應(yīng)的影響。實驗結(jié)果表明，濕化學(xué)法準(zhǔn)備的樣品具有
2009-05-26 00:22:45
需要全部蝕刻，而留下的另一層就是電路。蝕刻的方法，我們主要討論化學(xué)方法，主要分為浸漬蝕刻、攪拌蝕刻以及噴射蝕刻。浸漬蝕刻就是把線路板進入容器中，容器中盛有蝕刻藥液。這種蝕刻方法比較慢，而且會存在凹陷
2017-02-21 17:44:26
為了在基板上形成功能性的MEMS結(jié)構(gòu)，必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常，蝕刻過程分為兩類：浸入化學(xué)溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻，其中使用反應(yīng)性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中，我們將簡要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術(shù)。
2021-01-09 10:17:20
，通過光化學(xué)法，網(wǎng)印圖形轉(zhuǎn)移或電鍍圖形抗蝕層，然后蝕刻掉非圖形部分的銅箔或采用機械方式去除不需要部分而制成印制電路板PCB。而減成法中主要有雕刻法和蝕刻法兩種。雕刻法是用機械加工方法除去不需要的銅箔，在單
2018-09-21 16:45:08
導(dǎo)線線寬十分精細時將會產(chǎn)生一系列的問題。同時,側(cè)腐蝕（見圖4）會嚴(yán)重影響線條的均勻性。 在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻
2018-11-26 16:58:50
還提出了另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻?！ ∧壳?，錫或鉛錫是最常用的抗蝕層，用在氨性蝕刻劑的蝕刻工藝中。氨性蝕刻劑是普遍
2018-09-13 15:46:18
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN、ZnO和SiC的濕法化學(xué)蝕刻編號：JFKJ-21-830作者：炬豐科技摘要寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性，使其對高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種
2021-10-14 11:48:31
中使用的溫度。通過這樣做，我們開發(fā)了一種將晶體表面蝕刻成 III 族氮化物的兩步工藝。通過在 H 中蝕刻形成具有對應(yīng)于各種 GaN 晶面的刻蝕 ，采用160°C 以上、180°C 以上的熔融 KOH
2021-07-07 10:24:07
半導(dǎo)體激光器非常適合與 Si 光子學(xué)的單片集成。制造具有法布里-珀羅腔的半導(dǎo)體激光器通常包括小面解理，但是，這與片上光子集成不兼容。蝕刻作為一種替代方法在制備腔鏡方面具有很大優(yōu)勢，無需將晶片破碎成條形。然而
2021-07-09 10:21:36
：MacEtch 是一種濕法蝕刻工藝，可提供對取向、長度、形態(tài)等結(jié)構(gòu)參數(shù)的可控性，此外，它是一種制造極高縱橫比半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的簡單且低成本的方法。 3 該工藝?yán)昧嗽谘趸瘎ɡ邕^氧化氫 (H2O2)）和酸（例如
2021-07-06 09:33:58
十分精細時將會產(chǎn)生一系列的問題。同時,側(cè)腐蝕會嚴(yán)重影響線條的均勻性。在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作
2018-04-05 19:27:39
蝕刻 浸入蝕刻是一種半槳技術(shù)，它只需一個裝滿蝕刻洛液的槽，把板子整個浸入到溶液中，如圖1所示。板子需要保持浸入直至蝕刻完成，這就需要很長的蝕刻時間，且蝕刻速度非常緩慢?？梢酝ㄟ^加熱蝕刻溶液的方法
2018-09-11 15:27:47
強化學(xué)習(xí)的另一種策略（二）
2019-04-03 12:10:44
什么是超聲波？超聲波測距的原理是什么？超聲波測距的測量方法有哪幾種？怎樣去設(shè)計一種AT89C51單片機的超聲波測距系統(tǒng)？
2021-07-19 06:04:14
機臺及其蝕刻方法，晶片邊緣的蝕刻機臺，適用于對具有正面及背面的晶片的邊緣進行蝕刻?！ ?b class="flag-6" style="color: red">一種晶片邊緣的蝕刻機臺，適用于對具有正面及背面的晶片的邊緣進行蝕刻，而上述蝕刻機臺包括：一旋轉(zhuǎn)夾盤，具有一工作臺
2018-03-16 11:53:10
一：深度學(xué)習(xí)DeepLearning實戰(zhàn)時間地點：1 月 15日— 1 月18 日二：深度強化學(xué)習(xí)核心技術(shù)實戰(zhàn)時間地點： 1 月 27 日— 1 月30 日(第一天報到 授課三天；提前環(huán)境部署 電腦
2021-01-10 13:42:26
濕蝕刻是光刻之后的微細加工過程，該過程中使用化學(xué)物質(zhì)去除晶圓層。晶圓，也稱為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設(shè)備的基礎(chǔ)；最常見的晶圓是由硅或玻璃制成的。濕法刻蝕
2021-01-08 10:15:01
哪一種類型的電化學(xué)分析法，都必須在一個化學(xué)電池中進行，因此化學(xué)電池的基本原理是各種電化學(xué)方法的基礎(chǔ)。電位法是通過測量電極電動勢以求得待測物質(zhì)含量的分析方法。若根據(jù)電極電位測量值，直接求算待測物的含量，稱為
2017-10-16 10:06:07
化學(xué)開封Acid Decap，又叫化學(xué)開封，是用化學(xué)的方法，即濃硫酸及發(fā)煙硝酸將塑封料去除的設(shè)備。通過用酸腐蝕芯片表面覆蓋的塑料能夠暴露出任何一種塑料IC封裝內(nèi)的芯片。去除塑料的過程又快又安全，并且
2021-12-08 17:06:31
一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面?！ ×硗?b class="flag-6" style="color: red">一種工藝方法是整個板子上都鍍銅，感光膜以外的部分僅僅是錫或鉛錫抗蝕層。這種
2018-09-19 15:39:21
對其化學(xué)性能的影響，指出了制備工藝對貯氫合金的成分均勻性和微觀結(jié)構(gòu)影響很大，而提高貯氫合金電化學(xué)性能最有效的方法是通過合金成分優(yōu)化和采用較優(yōu)的制備工藝，來獲得高容量、長壽命、低價格的貯氫合金。
2011-03-11 11:57:08
一種新的結(jié)合模糊變換和retinex 理論靜脈圖像增強方法，可以解決近紅外靜脈圖像所存在的低對比度，動態(tài)范圍狹窄和強度分布不均勻等問題。最優(yōu)模糊變換用于加強全局對比度，引
2010-01-22 15:59:59
8 一種新的結(jié)合模糊變換和retinex 理論靜脈圖像增強方法，可以解決近紅外靜脈圖像所存在的低對比度，動態(tài)范圍狹窄和強度分布不均勻等問題。最優(yōu)模糊變換用于加強全局對比度，引
2010-01-22 16:03:4720 提出一種基于奇異值分解的子空間分解語音增強方法，該方法是利用最小值統(tǒng)計噪聲估計法代替?zhèn)鹘y(tǒng)的VAD方法對噪聲進行估計，并利用所得噪聲和帶噪語音構(gòu)造的協(xié)方差矩陣得
2010-07-10 16:10:3524 LMS算法在自適應(yīng)濾波器中得到廣泛應(yīng)用，但這種方法具有收斂速度慢，步長需要謹(jǐn)慎選擇才能達到收斂和失調(diào)的折中等缺點。文章把一種變步長的LMS算法應(yīng)用到語音增強中，此算法
2010-08-03 16:56:170 •納米微粒的制備方法分類：
•1 根據(jù)是否發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，納米微粒的制備方法通常分為兩大類：
•物理方法和化學(xué)方法。
•2 根
2010-08-12 17:25:3719 低壓化學(xué)氣相沉積、固相晶化、準(zhǔn)分子激光晶化、快速熱退火、金屬誘導(dǎo)晶化、等離子體增強化學(xué)反應(yīng)氣相沉積等是目前用于制備多晶硅薄膜的幾種主要方法。它們具有各自不同的制備
2011-10-18 12:04:043493 解決現(xiàn)有的超聲波液位計測量量程小，在遠距離測量時誤差較大的問題，提出一種大量程超聲波液位計的實現(xiàn)方法。在不改變超聲波發(fā)射功率和接收增益的基礎(chǔ)上，通過聲阻抗變換的方
2011-12-05 14:49:12106 一種超聲測距的魯棒自適應(yīng)建模方法，很好的學(xué)習(xí)資料，快來下載吧。
2016-03-23 17:52:3611 一種基于投影的MIMO物理層安全傳輸方法_張艷語
2017-01-07 16:06:321 DSA是一種重要的醫(yī)學(xué)診斷和介入治療的技術(shù)，DSA圖像質(zhì)量對于醫(yī)生確定病情具有重要意義?，F(xiàn)提出了一種新的DSA圖像增強算法來提高DSA圖像的質(zhì)量，即對圖像進行前期去噪，后期增強的方法。在前期采用小波
2017-11-15 15:50:0922 深度強化學(xué)習(xí)DRL自提出以來， 已在理論和應(yīng)用方面均取得了顯著的成果。尤其是谷歌DeepMind團隊基于深度強化學(xué)習(xí)DRL研發(fā)的AlphaGo，將深度強化學(xué)習(xí)DRL成推上新的熱點和高度，成為人工智能歷史上一個新的里程碑。因此，深度強化學(xué)習(xí)DRL非常值得研究。
2018-06-29 18:36:0028671 一組科學(xué)家認(rèn)為，數(shù)十億兆字節(jié)的數(shù)據(jù)可以存儲在一小瓶化學(xué)液體中。來自布朗大學(xué)的研究小組表示，其開展的研究能夠通過將化學(xué)物質(zhì)裝載到分子上，然后將分子溶解到液體中，從而找到一種化學(xué)方法來儲存和操作大量的數(shù)據(jù)。
2018-02-01 16:23:444973 SAC-X是一種通用的強化學(xué)習(xí)方法，未來可以應(yīng)用于機器人以外的更廣泛領(lǐng)域
2018-03-19 14:45:482248 近日，上海交通大學(xué)的姜雪松教授課題組，報道了一種制備近紅外光響應(yīng)的動態(tài)褶皺的方法。該方法利用含有碳納米管的聚二甲基硅氧烷彈性體作為雙層體系的基質(zhì)，多種功能聚合物作為頂層材料制備了對近紅外光響應(yīng)的動態(tài)褶皺。
2018-04-27 15:14:507417 
強化學(xué)習(xí)是智能系統(tǒng)從環(huán)境到行為映射的學(xué)習(xí)，以使獎勵信號（強化信號）函數(shù)值最大，強化學(xué)習(xí)不同于連接主義學(xué)習(xí)中的監(jiān)督學(xué)習(xí)，主要表現(xiàn)在教師信號上，強化學(xué)習(xí)中由環(huán)境提供的強化信號是對產(chǎn)生動作的好壞作一種評價
2018-05-30 06:53:001741 為了達到人類學(xué)習(xí)的速率，斯坦福的研究人員們提出了一種基于目標(biāo)的策略強化學(xué)習(xí)方法——SOORL，把重點放在對策略的探索和模型選擇上。
2018-06-06 11:18:235924 
具體來說，我們提出一種用于設(shè)計移動端的CNN模型的自動神經(jīng)結(jié)構(gòu)搜索方法，稱之為Platform-Aware神經(jīng)結(jié)構(gòu)搜索。圖1是Platform-Aware神經(jīng)結(jié)構(gòu)搜索方法的總體視圖，它與以前的方法
2018-08-07 14:10:034786 針對深度強化學(xué)習(xí)中卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（CNN）層數(shù)過深導(dǎo)致的梯度消失問題，提出一種將密集連接卷積網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用于強化學(xué)習(xí)的方法。首先，利用密集連接卷積網(wǎng)絡(luò)中的跨層連接結(jié)構(gòu)進行圖像特征的有效提??；然后，在密集連接
2019-01-23 10:41:513 在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。目前，錫或鉛錫是最常用的抗蝕層,用在氨性蝕刻劑的蝕刻
2019-07-10 15:11:353996 
全部蝕刻，而留下的另一層就是電路。 蝕刻的方法，我們主要討論化學(xué)方法，主要分為浸漬蝕刻、攪拌蝕刻以及噴射蝕刻。浸漬蝕刻就是把線路板進入容器中，容器中盛有蝕刻藥液。這種蝕刻方法比較慢，而且會存在凹陷。攪拌蝕刻是使
2020-03-08 14:45:215449 深度學(xué)習(xí)DL是機器學(xué)習(xí)中一種基于對數(shù)據(jù)進行表征學(xué)習(xí)的方法。深度學(xué)習(xí)DL有監(jiān)督和非監(jiān)督之分，都已經(jīng)得到廣泛的研究和應(yīng)用。強化學(xué)習(xí)RL是通過對未知環(huán)境一邊探索一邊建立環(huán)境模型以及學(xué)習(xí)得到一個最優(yōu)策略。強化學(xué)習(xí)是機器學(xué)習(xí)中一種快速、高效且不可替代的學(xué)習(xí)算法。
2020-05-16 09:20:403977 深度學(xué)習(xí)DL是機器學(xué)習(xí)中一種基于對數(shù)據(jù)進行表征學(xué)習(xí)的方法。深度學(xué)習(xí)DL有監(jiān)督和非監(jiān)督之分，都已經(jīng)得到廣泛的研究和應(yīng)用。強化學(xué)習(xí)RL是通過對未知環(huán)境一邊探索一邊建立環(huán)境模型以及學(xué)習(xí)得到一個最優(yōu)策略。強化學(xué)習(xí)是機器學(xué)習(xí)中一種快速、高效且不可替代的學(xué)習(xí)算法。
2020-06-13 11:39:407088 1、 PCB蝕刻介紹 蝕刻是使用化學(xué)反應(yīng)而移除多余材料的技術(shù)。PCB線路板生產(chǎn)加工對蝕刻質(zhì)量的基本要求就是能夠?qū)⒊刮g層下面以外的所有銅層完全去除干凈，僅此而已。在PCB制造過程中，如果要精確地
2021-04-12 13:48:0046455 
? 本文首先介紹傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)增強在NER任務(wù)中的表現(xiàn)，然后介紹一種單獨適配于NER的數(shù)據(jù)增強方法，這種方法生成的數(shù)據(jù)更具豐富性、數(shù)據(jù)質(zhì)量更高。 0 前言 在NLP中有哪些數(shù)據(jù)增強技術(shù)？這一定是當(dāng)今
2021-01-18 16:28:203699 1月20日消息，企查查APP顯示，寧德時代公開“一種固態(tài)電解質(zhì)的制備方法”“一種硫化物固態(tài)電解質(zhì)片及其制備方法”兩種固態(tài)電池相關(guān)專利。其中第一條公開號為CN112242556A。 專利摘要顯示，本
2021-01-20 17:23:553950 
針對現(xiàn)有多目標(biāo)追蹤方法通常存在學(xué)習(xí)速度慢、追蹤效率低及協(xié)同追蹤策略設(shè)計困難等問題，提岀一種改進的多目標(biāo)追蹤方法?；谧粉欀悄荏w和目標(biāo)智能體數(shù)量及其環(huán)境信息建立任務(wù)分配模型，運用匈牙利算法根據(jù)距離效益
2021-03-17 11:08:1520 3月23日，京東方科技集團股份有限公司公開“超聲波指紋識別器件及其制備方法、顯示裝置”專利。 該專利摘要顯示，本公開實施例提供一種超聲波指紋識別器件及其制備方法、顯示裝置，該超聲波指紋識別器件，包括
2021-03-31 10:21:062924 
強化學(xué)習(xí)。無模型強仳?qū)W習(xí)方法的訓(xùn)練過程需要大量樣本，當(dāng)采樣預(yù)算不足，無法收集大量樣本時，很難達到預(yù)期效果。然而，模型化強化學(xué)習(xí)可以充分利用環(huán)境模型，降低真實樣本需求量，在一定程度上提高樣本效率。將以模型化強化學(xué)習(xí)為核心，介紹
2021-04-12 11:01:529 目前壯語智能信息處理研究處于起步階段，缺乏自動詞性標(biāo)注方法。針對壯語標(biāo)注語料匱乏、人工標(biāo)注費時費力而機器標(biāo)注性能較差的現(xiàn)狀，提出一種基于強化學(xué)習(xí)的壯語詞性標(biāo)注方法。依據(jù)壯語的文法特點和中文賓州樹庫
2021-05-14 11:29:3514 壓邊為改善板料拉深制造的成品質(zhì)量，釆用深度強化學(xué)習(xí)的方法進行拉深過程旳壓邊力優(yōu)化控制。提岀一種基于深度強化學(xué)習(xí)與有限元仿真集成的壓邊力控制模型，結(jié)合深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的感知能力與強化學(xué)習(xí)的決策能力，進行
2021-05-27 10:32:390 一種新型的多智能體深度強化學(xué)習(xí)算法
2021-06-23 10:42:4736 基于深度強化學(xué)習(xí)的無人機控制律設(shè)計方法
2021-06-23 14:59:1046 索引術(shù)語:氮化鎵，蝕刻 摘要 本文介紹了我們?nèi)A林科納的一種利用氫氧化鉀溶液和大面積汞燈照明對氮化鎵進行光增強濕法化學(xué)刻蝕的工藝。討論了n+氮化鎵、非有意摻雜氮化鎵和p-氮化鎵樣品的結(jié)果。 介紹 光電化學(xué)
2022-02-07 14:35:422181 
微透鏡陣列是重要的光學(xué)器件，因為它們在光學(xué)系統(tǒng)、微制造和生物化學(xué)系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用。本文介紹了一種利用飛秒激光增強化學(xué)濕法刻蝕在石英玻璃上大面積制作凹面微透鏡陣列的簡單有效的方法。通過飛秒激光原位
2022-02-18 15:28:232534 
、成本效益和多功能性，濕化學(xué)蝕刻方法在半導(dǎo)體器件技術(shù)中得到廣泛應(yīng)用。雖然一些半導(dǎo)體可以通過還原分解，但實際蝕刻通常涉及固體的氧化[1]. 價電子從與溶液中的蝕刻物質(zhì)（開路蝕刻）或通過外部電路（電化學(xué)蝕刻）對電極的表面鍵合中
2022-03-03 14:16:372047 
控制。執(zhí)行蝕刻機制的成功之處在于，多層結(jié)構(gòu)的頂層應(yīng)該被完全去除，而在下層或掩模層中沒有任何種類的損傷。這完全取決于兩種材料的蝕刻速率之比，稱為選擇性。在一些蝕刻情況下，蝕刻會削弱掩模層，并產(chǎn)生形成空腔的傾斜側(cè)壁。底切的距離稱為偏差。
2022-03-16 16:31:581827 
利用作為掩模的陽極多孔氧化鋁的模式轉(zhuǎn)移，制備了具有100nm周期性自有序結(jié)構(gòu)的孔和柱陣列納米結(jié)構(gòu)，納米圖案的轉(zhuǎn)移是通過一個涉及硅的局部陽極化和隨后的化學(xué)蝕刻的組合過程來實現(xiàn)的。利用這一方法，可以通過改變蝕刻條件來制造負(fù)圖案和正圖案。
2022-03-23 11:05:54840 
和水熱蝕刻制備黑硅具有更大的優(yōu)勢。它為制備黑硅可見光和近紅外光電子器件提供了一種合適而經(jīng)濟的方法。本文采用濕式蝕刻法制備了微結(jié)構(gòu)硅，并對其微觀結(jié)構(gòu)進行了表征，并對其光學(xué)性能進行了測試。
2022-03-29 16:02:591360 
本文采用超聲增強化學(xué)蝕刻技術(shù)制備了多孔硅層，利用高頻溶液和硝酸技術(shù)在p型取向硅中制備了多孔硅層。超聲檢測發(fā)現(xiàn)p型硅多孔硅層的結(jié)構(gòu)，用該方法可以制備質(zhì)量因子的多孔硅微腔，超聲波蝕刻所導(dǎo)致的質(zhì)量的提高可
2022-04-06 13:32:13880 
引言 硅晶圓作為硅半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料，是極其重要的，將作為鑄錠成長的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中，晶圓表面會產(chǎn)生加工變質(zhì)層。為了去除該加工變質(zhì)層，進行化學(xué)蝕刻，在硅晶片的制造工序中，使
2022-04-08 17:02:102777 
用氟化氫-氯化氫-氯氣混合物進行各向異性酸性蝕刻是一種有效的方法 單晶硅晶片紋理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔結(jié)構(gòu)[1，2]形貌取決于以下成分 蝕刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2
2022-04-12 14:10:22717 
本發(fā)明涉及一種感光膜去除方法，通過使半導(dǎo)體制造工藝中澆口蝕刻后生成的聚合物去除順暢，可以簡化后處理序列，從而縮短前工藝處理時間，上述感光膜去除方法是:在工藝室內(nèi)晶片被抬起的情況下，用CF4+O2等離子體去除聚合物的步驟； 將晶片安放在板上，然后用O2等離子體去除感光膜的步驟； 和RCA清洗步驟。
2022-04-12 16:30:26856 
本文提供了用于蝕刻膜的方法和設(shè)備。一個方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點燃等離子體以a形成含氟蝕刻溶液；(b)從硅源向等離子體提供硅；以及(c
2022-04-24 14:58:511655 
拋光的硅片是通過各種機械和化學(xué)工藝制備的。首先，通過切片將單晶硅錠切成圓盤(晶片)，然后進行稱為研磨的平整過程，該過程包括使用研磨漿擦洗晶片。 在先前的成形過程中引起的機械損傷通過蝕刻是本文的重點。在準(zhǔn)備用于器件制造之前，蝕刻之后是各種單元操作，例如拋光和清潔。
2022-04-28 16:32:371285 
本文章提出了一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法，在通過臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后重復(fù)測量，確定了成分和表面電位的深度分布，因此這種分析技術(shù)提供了優(yōu)于0.5納米的深度分辨率，通過
2022-05-06 15:50:39939 
引言 在這項工作中，超聲增強化學(xué)腐蝕被用來制作多孔硅層。通過使用HF溶液和HNO3在p型(111)取向硅中制備多孔硅層。發(fā)現(xiàn)超聲波改善了p型硅上多孔硅層的結(jié)構(gòu)。用這種方法可以制作品質(zhì)因數(shù)高得多的多孔
2022-05-10 15:43:251702 
在本研究中，通過對目標(biāo)區(qū)域的低破壞性掃描和在KOH溶液中的后蝕刻，發(fā)展了一種在石英表面產(chǎn)生三維納米結(jié)構(gòu)的新型納米加工方法。這種納米制造方法的能力通過各種納米結(jié)構(gòu)來展示，包括斜坡、分級階段和棋盤狀圖案。在不同溫度下測試掃描區(qū)域的蝕刻速率。為了制造更深層次的結(jié)構(gòu)，人們嘗試在現(xiàn)有的納米結(jié)構(gòu)上重新制作。
2022-05-13 13:51:35849 
的逐層秘密。隨著制造工藝的變化和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的變化，這些技術(shù)需要在時間和程序上不斷調(diào)整。雖然有許多工具有助于這些分析，如RIE(反應(yīng)離子蝕刻-一種干法蝕刻技術(shù))、離子銑削和微切割，但鎢的濕法化學(xué)蝕刻有時比RIE技術(shù)更具重現(xiàn)性。
2022-06-20 16:38:207526 
通過使用多級等離子體蝕刻實驗設(shè)計、用于蝕刻后光致抗蝕劑去除的替代方法，以及開發(fā)自動蝕刻后遮蓋物去除順序；一種可再現(xiàn)的基板通孔處理方法被集成到大批量GaAs制造中。對于等離子體蝕刻部分，使用光學(xué)顯微鏡
2022-06-23 14:26:57985 
本專題將介紹一種量子化學(xué)與分子力學(xué)結(jié)合的方法（QM/MM方法），該方法既包括量子化學(xué)的精確性，又利用分子力學(xué)的高效性，其基本思想是用量子力學(xué)處理感興趣的區(qū)域，其余部分用經(jīng)典分子力學(xué)來處理。
2022-07-26 09:55:164421 定標(biāo)記訓(xùn)練數(shù)據(jù)的情況下獲得正確的輸出 無監(jiān)督學(xué)習(xí)(UL)：關(guān)注在沒有預(yù)先存在的標(biāo)簽的情況下發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)中的模式 強化學(xué)習(xí)(RL) ： 關(guān)注智能體在環(huán)境中如何采取行動以最大化累積獎勵 通俗地說，強化學(xué)習(xí)類似于嬰兒學(xué)習(xí)和發(fā)現(xiàn)世界，如果有獎勵(正強化)，嬰兒可能會執(zhí)行一個行
2022-12-20 14:00:021678 一套泛化能力強的決策規(guī)劃機制是智能駕駛目前面臨的難點之一。強化學(xué)習(xí)是一種從經(jīng)驗中總結(jié)的學(xué)習(xí)方式，并從長遠的角度出發(fā)，尋找解決問題的最優(yōu)方案。近些年來，強化學(xué)習(xí)在人工智能領(lǐng)域取得了重大突破，因而成為了解決智能駕駛決策規(guī)劃問題的一種新的思路。
2023-02-08 14:05:162888 金屬蝕刻是一種通過化學(xué)反應(yīng)或物理沖擊去除金屬材料的技術(shù)。金屬蝕刻技術(shù)可分為濕蝕刻和干蝕刻。金屬蝕刻由一系列化學(xué)過程組成。不同的蝕刻劑對不同的金屬材料具有不同的腐蝕特性和強度。
2023-03-20 12:23:438844 蝕刻可能是濕制程階段最復(fù)雜的工藝，因為有很多因素會影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會變化，因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動化方法來維護蝕刻化學(xué)，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:311832 
微孔利用光和物質(zhì)的相互作用來獲得獨特的性質(zhì)，特別是，當(dāng)用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時，金屬微孔結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出強烈的共振。然而，用于制造微孔的技術(shù)是耗時的，并且需要昂貴的設(shè)備和專業(yè)人員。因此，英思特開發(fā)了一種通過濕化學(xué)蝕刻硅襯底來制造微孔的方法。
2023-05-25 13:47:512210 
C2H2和H2作為一種十分重要的化學(xué)和能源原料，能夠被部分氧化法有效且環(huán)保的生產(chǎn)制備。
2023-06-09 14:07:292754 
器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開發(fā)先進的工藝技術(shù)。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)，它基于連續(xù)的、自限性的表面反應(yīng)。ALE是一種蝕刻技術(shù)，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應(yīng)。
2023-06-15 11:05:051666 
來源：DeepHubIMBA強化學(xué)習(xí)的基礎(chǔ)知識和概念簡介（無模型、在線學(xué)習(xí)、離線強化學(xué)習(xí)等）機器學(xué)習(xí)(ML)分為三個分支:監(jiān)督學(xué)習(xí)、無監(jiān)督學(xué)習(xí)和強化學(xué)習(xí)。監(jiān)督學(xué)習(xí)(SL)：關(guān)注在給定標(biāo)記訓(xùn)練數(shù)據(jù)
2023-01-05 14:54:051714 
在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。
2023-09-06 09:36:572642 
報道，近日，波蘭華沙理工大學(xué)（Warsaw University of Technology）的研究人員開發(fā)了一種增強型光譜電化學(xué)裝置，其中，基于雙域（光學(xué)和電化學(xué)）光纖的傳感器直接用作工作電極，同時像光譜電化學(xué)一樣單獨測量分析物的光學(xué)特性。該傳感器采
2023-09-26 09:11:381863 
強化學(xué)習(xí)是機器學(xué)習(xí)的方式之一，它與監(jiān)督學(xué)習(xí)、無監(jiān)督學(xué)習(xí)并列，是三種機器學(xué)習(xí)訓(xùn)練方法之一。 在圍棋上擊敗世界第一李世石的 AlphaGo、在《星際爭霸2》中以 10：1 擊敗了人類頂級職業(yè)玩家
2023-10-30 11:36:405373 
石墨烯，一種由單層碳原子組成的二維材料，因其出色的物理性質(zhì)、化學(xué)穩(wěn)定性和潛在的應(yīng)用價值，受到了廣泛的關(guān)注。自2004年首次通過機械剝離法成功制備以來，石墨烯的制備方法已成為研究熱點。本文將詳細介紹石墨烯粉體的幾種主要制備方法，包括機械剝離法、氧化還原法、化學(xué)氣相沉積法以及液相剝離法。
2024-03-20 10:44:512781 
一種LDMOS場效應(yīng)管及其制備方法本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件設(shè)計領(lǐng)域，具體涉及一種LDMOS場效應(yīng)管及其制備方法。在當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)競爭日趨激烈的背景下，LDMOS場效應(yīng)管因其在高壓應(yīng)用中的優(yōu)越性能而受到
2024-04-13 08:38:061004 
了廣泛的研究。有幾種方法可以在玻璃基板上形成孔。這些方法包括超聲波鉆孔、粉末噴砂、磨料噴射微加工（AJM）、磨料漿體噴射加工（ASJM）、磨料水射流加工（AWJM）、激光加工、濕法蝕刻、深反應(yīng)離子蝕刻（DRIE）、等離子蝕刻、火花輔助化學(xué)
2024-04-28 16:16:403903 
強化學(xué)習(xí)（Reinforcement Learning, RL）是一種機器學(xué)習(xí)方法，它通過與環(huán)境的交互來學(xué)習(xí)如何做出決策，以最大化累積獎勵。PyTorch 是一個流行的開源機器學(xué)習(xí)庫，它提供了靈活
2024-11-05 17:34:281515 一、氮化硅薄膜制備方法及用途 氮化硅（Si3N4）薄膜是一種應(yīng)用廣泛的介質(zhì)材料。作為非晶態(tài)絕緣體，氮化硅薄膜的介電特性優(yōu)于二氧化硅，具有對可移動離子較強的阻擋能力、結(jié)構(gòu)致密、針孔密度小、化學(xué)穩(wěn)定性好
2024-11-24 09:33:392761 
小、化學(xué)穩(wěn)定性好以及介電常數(shù)高等一系列優(yōu)點。本文將主要介紹了氮化硅薄膜的制備方法、特性及其在半導(dǎo)體器件制造中的具體應(yīng)用，重點對比低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）和等離子體增強化學(xué)氣相沉積（PECVD）兩種制備工藝，并詳細解析低應(yīng)
2024-11-29 10:44:513427 
芯片濕法蝕刻工藝是一種在半導(dǎo)體制造中使用的關(guān)鍵技術(shù)，主要用于通過化學(xué)溶液去除硅片上不需要的材料。 基本概念 濕法蝕刻是一種將硅片浸入特定的化學(xué)溶液中以去除不需要材料的工藝，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件如芯片
2024-12-27 11:12:401538 作者：Jake Hertz 在眾多可用的 PCB 制造方法中，化學(xué)蝕刻仍然是行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。蝕刻以其精度和可擴展性而聞名，它提供了一種創(chuàng)建詳細電路圖案的可靠方法。在本博客中，我們將詳細探討化學(xué)蝕刻工藝及其
2025-01-25 15:09:001517 
優(yōu)勢，為光刻圖形測量提供了可靠手段。 ? Micro OLED 陽極像素定義層制備方法 ? 傳統(tǒng)光刻工藝 ? 傳統(tǒng) Micro OLED 陽極像素定義層制備常采用光刻剝離工藝。首先在基板上沉積金屬層作為陽極材料，接著旋涂光刻膠，通過掩模版曝光使光刻膠發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，隨后
2025-05-23 09:39:17628 
漢思新材料取得一種PCB板封裝膠及其制備方法的專利漢思新材料（深圳市漢思新材料科技有限公司）于2023年取得了一項關(guān)于PCB板封裝膠及其制備方法的發(fā)明專利（專利號：CN202310155289.3
2025-06-27 14:30:41546 
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