摘要 本文從晶體生長科學(xué)的角度回顧了單晶的濕化學(xué)蝕刻。起點是有光滑和粗糙的晶體表面。光滑面的動力學(xué)是由粗糙面上不存在的成核勢壘控制的。因此后者蝕刻速度更快數(shù)量級。對金剛石晶體結(jié)構(gòu)的分析表明，晶面是該
2022-01-25 13:51:11
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結(jié)構(gòu)。因此，<100>硅的各向異性蝕刻是普通基于MEMS的技術(shù)中實現(xiàn)三維結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵過程。這些結(jié)構(gòu)包括晶體管的v形凹槽、噴墨的小孔和MEMS壓力傳感器的隔膜。實際的反應(yīng)機理尚不清楚，該過程
2022-03-08 14:07:252479 
的使用量，同時在PR去除效果方面被評價為與現(xiàn)有SPM溶液（硫酸/過氧化氫混合液）工藝相當?shù)?b class="flag-6" style="color: red">技術(shù)。但是臭氧水工藝是臭氧氣體對水的溶解度低、水中擴散阻力大的根本制約因素，以目前國內(nèi)外技術(shù)水平的低PR去除性能
2022-03-16 11:53:151635 
的蝕刻溶液內(nèi)進行蝕刻。（圖3、圖4） 在連接到陽兢的半導(dǎo)體硅基板上，將連接到陰極的鉑線纏繞在夾子上的鉑電極對向，在夾子中放入氮氣泡泡，通過該泡泡注入地素的半導(dǎo)體硅基板的蝕刻方法，一種半導(dǎo)體硅基板的蝕刻方法，使氮氣泡沫器與
2022-03-24 16:47:484409 
在本研究中，我們設(shè)計了一個150mm晶片的濕蝕刻槽來防止硅片的背面蝕刻，并演示了優(yōu)化的工藝配方，使各向異性濕蝕刻的背面沒有任何損傷，我們還提出了300mm晶圓處理用濕浴槽的設(shè)計，作為一種很有前途的工藝發(fā)展。
2022-03-28 11:01:493096 
本文研究了硅的氧化物和氮化物的氣相氟化氫蝕刻作用，新的氧化物選擇性模式，概述了通過將無水高頻與控制量的水蒸汽混合而產(chǎn)生高頻蒸汽蝕刻劑的實現(xiàn)方法，描述了一種通過將氮氣通過高頻水溶液而引入高頻蒸汽的系統(tǒng)。
2022-04-11 16:41:191960 
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測量硅蝕刻速率的簡單方法，應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過無損摩擦化學(xué)去除部分天然氧化物，暴露底下新鮮硅。因此，可以實現(xiàn)在氫氧化鉀溶液中對硅的選擇性蝕刻，通過原子精密的AFM可以檢測到硅的蝕刻深度，從而獲得了氫氧化鉀溶液中精確的硅蝕刻速率。
2022-04-22 14:06:011908 
本文討論了一種使用容易獲得的晶片處理技術(shù)在硅中產(chǎn)生溝槽結(jié)構(gòu)的簡單技術(shù)，通過使用(110)Si的取向相關(guān)蝕刻，可能在硅中產(chǎn)生具有垂直側(cè)壁的溝槽，與該技術(shù)一起使用的某些溶液的蝕刻各向異性大于600∶1
2022-05-05 10:59:151463 
為了闡明蝕刻殘留物的形成機理，研究了氯/氦-氧、溴化氫/氦-氧和溴化氫/氯等不同氣體混合物的影響，我們發(fā)現(xiàn)在氧的存在下，蝕刻殘留物形成良好，這表明蝕刻殘留物是由氧和非揮發(fā)性乳化硅化合物的反應(yīng)
2022-05-06 15:49:501922 
在濕法各向異性蝕刻中，底切凸角的蝕刻輪廓取決于蝕刻劑的類型。已經(jīng)進行了大量的研究來解釋這種凸角底切并確定底切平面的方向。然而，還不清楚為什么不同蝕刻劑會出現(xiàn)不同形狀的底切前沿。
2022-05-24 14:27:263001 
本文描述了我們?nèi)A林科納用于III族氮化物半導(dǎo)體的選擇性側(cè)壁外延的具有平面?zhèn)缺诳堂娴?b class="flag-6" style="color: red">硅微米和納米鰭的形成。通過濕法蝕刻取向的硅晶片生產(chǎn)鰭片。使用等離子體增強化學(xué)氣相沉積來沉積二氧化硅，以產(chǎn)生硬掩模
2022-07-08 15:46:162154 
蝕刻機理 諸如KOH-、NaOH-或TMAH-溶液的強含水堿性介質(zhì)蝕刻晶體硅通孔 硅+ 2 OH- + 2 H O ?硅(OH) + H ?二氧化硅(OH) 2- + 2 H 因為不同晶面的Si原子
2022-07-11 16:07:222920 
引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說，它們在某些方向上的蝕刻速度比在其
2022-07-14 16:06:065995 
PCB，電路板，基板上面如何出現(xiàn)電路呢？這就要蝕刻來實現(xiàn)。所謂蝕刻，先在板子外層需保留的銅箔部分，也就是電路的圖形部分，在上面預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉。銅有兩層，一層
2017-02-21 17:44:26
為了在基板上形成功能性的MEMS結(jié)構(gòu)，必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常，蝕刻過程分為兩類：浸入化學(xué)溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻，其中使用反應(yīng)性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中，我們將簡要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術(shù)。
2021-01-09 10:17:20
具有高反應(yīng)能力的技術(shù)秘訣 ),可見一價銅離子的影響是不小的。將一價銅由5000ppm降至50ppm，蝕刻速率會提高一倍以上。 由于蝕刻反應(yīng)過程中生成大量的一價銅離子，又由于一價銅離子總是與氨的絡(luò)合
2018-11-26 16:58:50
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：硅納米柱與金屬輔助化學(xué)蝕刻的比較編號：JFSJ-21-015作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
的實驗結(jié)果。確定了幾個可能影響粘附的因素，并使用實驗設(shè)計 (DOE) 方法來研究所選因素的影響和相互作用。確定的最顯著的附著力改進是在光刻膠涂層之前立即加入天然氧化物蝕刻。除了提高附著力外，這種預(yù)涂層處理
2021-07-06 09:39:22
鏡面硅結(jié)構(gòu)時，表面的平滑度和蝕刻速率是關(guān)鍵參數(shù)。我們展示了一種從單晶硅創(chuàng)建 45° 和 90° 蝕刻平面的方法，用作微流體裝置中的逆反射側(cè)壁。該技術(shù)使用相同的光刻圖案方向，但使用兩種不同的蝕刻劑。用
2021-07-19 11:03:23
摘要：在印制電路制作過程中，蝕刻是決定電路板最終性能的最重要步驟之一。所以，研究印制電路的蝕刻過程具有很強的指導(dǎo)意義，特別是對于精細線路。本文將在一定假設(shè)的基礎(chǔ)上建立模型，并以流體力學(xué)為理論基礎(chǔ)
2018-09-10 15:56:56
印制電路板的蝕刻可采用以下方法: 1 )浸入蝕刻; 2) 滋泡蝕刻; 3) 潑濺蝕刻; 4) 噴灑蝕刻?！ ∮捎趪姙?b class="flag-6" style="color: red">蝕刻的產(chǎn)量和細紋分辨率高，因此它是應(yīng)用最為廣泛的一項技術(shù)?！ ? 浸入
2018-09-11 15:27:47
別研究開發(fā)成功并首先在該站應(yīng)用，還經(jīng)過多次技術(shù)改造日趨成熟完備，取得了非常良好的經(jīng)濟效益和環(huán)境、社會效益，為保障深圳經(jīng)濟與環(huán)境的協(xié)調(diào)持續(xù)發(fā)展做出貢獻。1998年，其中的硫酸銅、堿性蝕刻液生產(chǎn)技術(shù)
2018-11-26 16:49:52
產(chǎn)品都含有價銅離子的特殊配位基(一些復(fù)雜的溶劑)﹐其作用是降低一價銅離子(產(chǎn)品具有高反應(yīng)能力的技術(shù)秘訣)﹐可見一價銅離子的影響是不小的。 將一價銅由5000ppm降至50ppm,蝕刻速率即提高一倍以上
2017-06-23 16:01:38
本文將介紹和比較在硅光電子領(lǐng)域中使用的多種激光器技術(shù)，包括解理面、混合硅激光器和蝕刻面技術(shù)。我們還會深入探討用于各種技術(shù)的測試方法，研究測試如何在推動成本下降和促進硅光子技術(shù)廣泛普及的過程中發(fā)揮重要作用。
2021-05-08 08:14:10
晶片與工作臺面間的空間小，氣體噴出凹槽噴出的氣體對蝕刻液會形成阻力，造成蝕刻液回滲太少，去除晶片邊緣上的硅針效果不佳。 為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的是為了解決上述問題而提供一種晶片邊緣的蝕刻
2018-03-16 11:53:10
,臭氧質(zhì)量濃度的控制還沒有找到更好的方法,如果臭氧濃度過高,不僅會加大設(shè)備造價,同時又會對人體有危害,而臭氧濃度太小,又難以達到滿意效果.所以將現(xiàn)代檢測控制技術(shù)應(yīng)用于臭氧發(fā)生設(shè)備系統(tǒng)中,實現(xiàn)臭氧質(zhì)量濃度的有效控制是一個值得研究的課題.
2011-03-04 14:12:09
濕蝕刻是光刻之后的微細加工過程，該過程中使用化學(xué)物質(zhì)去除晶圓層。晶圓，也稱為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設(shè)備的基礎(chǔ)；最常見的晶圓是由硅或玻璃制成的。濕法刻蝕
2021-01-08 10:15:01
我司是做濕法蝕刻藥水的，所以在濕法這塊有很多年的研究。所以有遇到濕法蝕刻問題歡迎提問，很愿意為大家解答。謝謝！QQ：278116740
2017-05-08 09:58:09
, 實驗室研究, 干式制程的微細加工裝置, 特別適用于磁性材料, 金, 鉑及各種合金的銑削加工.離子蝕刻機 4 IBE 技術(shù)規(guī)格型號4 IBE樣品數(shù)量尺寸4”φ
2022-11-07 16:30:42
綜述了1986 年以來輔助電極型硅傳感器的開發(fā)研制與應(yīng)用情況,包括輔助電極材料的選擇及其優(yōu)缺點,提出了對輔助電極材料的改進意見,認為今后開展輔助電極與被測熔體中元素(如碳)
2009-07-02 08:48:12
15 基于頻率跟蹤型PWM控制的臭氧發(fā)生器電源的研究
1 概述
臭氧的強氧化能力和殺菌能力使其在水處理、化學(xué)氧化、食品加工和醫(yī)療衛(wèi)生
2009-07-04 11:43:252829 
印制線路板的蝕刻技術(shù)
2009-09-08 14:53:52618 
印制電路板的蝕刻設(shè)備和技術(shù)
印制電路板的蝕刻可采用以下方法:
1 )浸入蝕刻;
2) 滋泡蝕刻;
3)
2009-11-18 08:54:212815
汽車氧吧的臭氧濃度 臭氧濃度表示了汽車氧吧產(chǎn)生臭氧的能力，是指單位體積內(nèi)臭氧的重量之和
2010-01-04 14:00:461012 大功率臭氧發(fā)生器逆變電源的研究與設(shè)計，下來看看。
2016-03-28 15:01:4146 用于測試橡膠及其制品的耐臭氧老化性能。大氣中的臭氧含量很少，卻是橡膠龜裂的主要因素，臭氧老化試驗箱模擬和強化大氣中的臭氧條件，研究臭氧對橡膠的作用規(guī)律，快速鑒定和評價橡膠抗臭氧老化性能和抗臭氧劑防護效能，從而采取有效的防老化措施，以提高橡膠制品的使用壽命。
2019-06-12 16:38:30880 人們對臭氧的認識是從臭氧消毒殺菌中獲得的。臭氧消毒技術(shù)由德國化學(xué)家C．F ．舍爾邦于1840年發(fā)明，并于1856年用于水處理和消毒行業(yè)。目前，臭氧已經(jīng)廣泛應(yīng)用于水處理、空氣凈化、食品加工、醫(yī)療、醫(yī)藥、水產(chǎn)養(yǎng)殖等領(lǐng)域，極大地促
2020-10-26 10:28:363920 1、 PCB蝕刻介紹 蝕刻是使用化學(xué)反應(yīng)而移除多余材料的技術(shù)。PCB線路板生產(chǎn)加工對蝕刻質(zhì)量的基本要求就是能夠?qū)⒊刮g層下面以外的所有銅層完全去除干凈，僅此而已。在PCB制造過程中，如果要精確地
2021-04-12 13:48:0046455 
臭氧老化試驗箱 臭氧老化箱模擬和強化大氣中的臭氧條件，研究臭氧對織物色牢度的作用規(guī)律，快速鑒定和評價織物抗臭氧色牢度性能的方法。 臭氧試驗箱由臭氧控制系統(tǒng)、溫度控制系統(tǒng)、濕度控制系統(tǒng)組成:臭氧
2021-06-03 14:38:081435 單晶硅的各向異性蝕刻是硅器件和微結(jié)構(gòu)加工中經(jīng)常使用的技術(shù)。已經(jīng)制造的三角形和矩形凹槽、棱錐體、薄膜和微孔，它們在器件中有很大的應(yīng)用。
2021-12-17 15:26:071452 
低損耗硅波導(dǎo)和有效的光柵耦合器來將光耦合到其中。通過使用各向異性濕法蝕刻技術(shù)，我們將側(cè)壁粗糙度降低到1.2納米。波導(dǎo)沿[112]方向在絕緣體上硅襯底上形成圖案。
2021-12-22 10:17:211405 引言 了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu)，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項包括蝕刻率、長寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻 溶液有KOH
2021-12-23 09:55:351043 
引言 陶瓷很難蝕刻。它們的化學(xué)惰性使它們非常穩(wěn)定，并且通常需要熱蝕刻技術(shù)來獲得它們的微結(jié)構(gòu)。我們介紹一項旨在簡化陶瓷蝕刻過程的技術(shù)。 陶瓷有著廣泛的應(yīng)用，從簡單的絕緣材料到非常復(fù)雜的外科植入物，如
2021-12-23 16:38:271068 引言 通過在含有H2O2的HF溶液中蝕刻，在兩步工藝中對商用硅太陽能電池進行紋理化。銀納米粒子作為催化位點，有助于蝕刻過程。確定了在表面制備納米孔的蝕刻時間。利用光譜儀測量了硅太陽能電池表面納米結(jié)構(gòu)
2022-01-04 17:15:351141 
不可預(yù)測地改變了蝕刻劑的質(zhì)量。 為了解決成分變化的問題，研究開始了確定一種可靠的分析蝕刻劑的方法。當分析程序最終確定時，將建立一個控制程序，其中蝕刻劑成分將保持盡可能接近一個固定的值。經(jīng)過嘗試的各種分析技術(shù)，
2022-01-07 16:47:461281 
上降低了(100)和(h11)面的蝕刻速率。 為了在低氫氧化鉀濃度下獲得低粗糙度的(100)表面，蝕刻溶液必須含有飽和水平的異丙醇。在我們的研究中，我們研究了異丙醇濃度對具有不同晶體取向的硅襯底的蝕刻速率和表面形態(tài)的影響。還研究了氫氧化鉀濃度對(
2022-01-13 13:47:262752 
引言 我們?nèi)A林科納研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學(xué)蝕刻與蝕刻溫度和材料質(zhì)量的關(guān)系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加，從20~80°C不等。通過在1100°C下快速熱退火，提高了反應(yīng)
2022-01-17 16:21:48754 
介紹 在本文中，我們首次報道了實現(xiàn)硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過使用六氟硅酸(也稱為氟硅酸)和硝酸的混合物，獲得暴露出各種面外111平面的硅111的晶體蝕刻。本文描述了用于該研究
2022-01-20 16:46:481197 
介紹 本文通過詳細的動力學(xué)研究，闡明了在富含HF的高頻/HNO3混合物中對硅的濕式化學(xué)蝕刻的機理。蝕刻實驗后，我們進行進行了化學(xué)分析并研究了蝕刻速率與溫度、蝕刻劑的硅含量利用率和攪拌速度的函數(shù)關(guān)系
2022-01-24 15:41:132458 
等離子體輔助刻蝕的基礎(chǔ)簡單；使用氣體輝光放電來離解和離子化相對穩(wěn)定的分子，形成化學(xué)反應(yīng)性和離子性物質(zhì)，并選擇化學(xué)物質(zhì)，使得這些物質(zhì)與待蝕刻的固體反應(yīng)，形成揮發(fā)性產(chǎn)物。等離子體蝕刻可分為單晶片和分批
2022-02-14 15:22:072393 
我們?nèi)A林科納使用K2S2O8作為氧化劑來表征基于KOH的紫外(UV)光輔助濕法蝕刻技術(shù)。該解決方案提供了良好控制的蝕刻速率，并產(chǎn)生了光滑的高質(zhì)量蝕刻表面，同時通過原子力顯微鏡測量的表面粗糙度降低最小
2022-02-14 16:14:551186 
在 KOH 水溶液中進行濕法化學(xué)蝕刻期間，硅 (1 1 1) 的絕對蝕刻速率已通過光學(xué)干涉測量法使用掩膜樣品進行了研究。蝕刻速率恒定為0.62 ± 0.07 μm/h 且與 60 時 1–5 M
2022-03-04 15:07:091824 
摘要 微機電系統(tǒng)中任意三維硅結(jié)構(gòu)的微加工可以用灰度光刻技術(shù)實現(xiàn)以及干各向異性蝕刻。 在本研究中，我們研究了深反應(yīng)離子蝕刻（DRIE）的使用和蝕刻的裁剪精密制造的選擇性。 對硅負載、O2階躍的引入、晶
2022-03-08 14:42:571476 
在本文中，我們首次報道了實現(xiàn)硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過使用六氟硅酸(也稱為氟硅酸)和硝酸的混合物，獲得暴露出各種面外111平面的硅111的晶體蝕刻。本文描述了用于該研究的溶液的化學(xué)組成，隨后是使用電子和光學(xué)顯微鏡獲得的結(jié)果。蝕刻的機理，雖然沒有完全理解，將在下面的章節(jié)中討論。
2022-03-09 14:35:421074 
通過使用各向同性和各向異性工藝，可以高精度地創(chuàng)建由硅濕法蝕刻產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)。各向同性蝕刻速度更快，但可能會在掩模下蝕刻以形成圓形。可以更精確地控制各向異性蝕刻，并且可以產(chǎn)生具有精確尺寸的直邊。在每種
2022-03-09 16:48:343460 
緩沖氧化物蝕刻(BOE)或僅僅氫氟酸用于蝕刻二氧化硅在硅上晶片。 緩沖氧化蝕刻是氫氟酸和氟化銨的混合物。含氟化銨的蝕刻使硅表面具有原子平滑的表面高頻。 由于這一過程中所涉及的酸具有很高的健康風險，建議用戶使用在執(zhí)行工藝之前，請仔細閱讀材料安全數(shù)據(jù)表。
2022-03-10 16:43:352248 
了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu)，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項包括蝕刻率、長寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻。
2022-03-11 13:57:43852 
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測量硅蝕刻速率的簡單方法，應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過無損摩擦化學(xué)去除去除部分天然氧化物，暴露地下新鮮硅。因此，可以實現(xiàn)在氫氧化鉀溶液中對硅的選擇性蝕刻，通過原子精密的AFM可以檢測到硅的蝕刻深度，從而獲得了氫氧化鉀溶液中精確的硅的蝕刻速率。
2022-03-18 15:39:18954 
使用酸性或氟化物溶液對硅表面進行濕蝕刻具有重大意義，這將用于生產(chǎn)微電子包裝所需厚度的可靠硅芯片。本文研究了濕蝕刻對浸入48%高頻/水溶液中的硅片厚度耗散、減重、蝕刻速率、表面形貌和結(jié)晶性
2022-03-18 16:43:111211 
本研究為了將硅晶片中設(shè)備激活區(qū)的金屬雜質(zhì)分析為ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸對硅晶片進行不同厚度的重復(fù)蝕刻，在晶片內(nèi)表面附近，研究了定量分析特定區(qū)域中金屬雜質(zhì)的方法。
2022-03-21 16:15:07739 
在本文章中，研究了球形試樣的尺寸參數(shù)，以確定哪種尺寸允許可靠地測量各向異性蝕刻中的方向依賴性，然后進行了一系列的實驗，測量了所有方向的蝕刻速率。這導(dǎo)致建立了一個涵蓋廣泛的氫氧化鉀蝕刻條件范圍的蝕刻
2022-03-22 16:15:00966 
為了形成膜結(jié)構(gòu)，單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進行了各向異性蝕刻，觀察到蝕刻速率強烈依賴于蝕刻劑溫度和濃度，用于蝕刻實驗的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻劑濃度
2022-03-25 13:26:344201 
本文章將對表面組織工藝優(yōu)化進行研究，多晶硅晶片表面組織化工藝主要分為干法和濕法，其中利用酸或堿性溶液的濕法蝕刻工藝在時間和成本上都比較優(yōu)秀，主要適用于太陽能電池量產(chǎn)工藝。本研究在多晶晶片表面組織化
2022-03-25 16:33:491013 
本文介紹了我們?nèi)A林科納采用氮化硅膜作為掩膜，采用濕蝕刻技術(shù)制備黑硅，樣品在250~1000nm波長下的吸收率接近90%。實驗結(jié)果表明，氮化硅膜作為掩模濕蝕刻技術(shù)制備黑硅是可行的，比飛秒激光、RIE
2022-03-29 16:02:591360 
本研究根據(jù)蝕刻條件的變化，對蝕刻特性——蝕刻率和蝕刻系數(shù)進行了球面分析，并使用速度、液滴大小、沖擊力(PDA)系統(tǒng)分析了噴嘴、噴射壓力、線短距離、工質(zhì)物性值變化時的噴霧特性，并考察了與蝕刻特性的相互關(guān)系。
2022-04-07 16:16:39907 
引言 硅晶圓作為硅半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料，是極其重要的，將作為鑄錠成長的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中，晶圓表面會產(chǎn)生加工變質(zhì)層。為了去除該加工變質(zhì)層，進行化學(xué)蝕刻，在硅晶片的制造工序中，使
2022-04-08 17:02:102777 
用氟化氫-氯化氫-氯氣混合物進行各向異性酸性蝕刻是一種有效的方法 單晶硅晶片紋理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔結(jié)構(gòu)[1，2]形貌取決于以下成分 蝕刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2
2022-04-12 14:10:22717 
硅晶圓作為硅半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料，是極其重要的，將作為鑄錠成長的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中，晶圓表面會產(chǎn)生加工變質(zhì)層。為了去除該加工變質(zhì)層，進行化學(xué)蝕刻，在硅晶片的制造工序中，使共有
2022-04-12 15:28:161531 
硅晶片的蝕刻預(yù)處理方法包括:對角度聚合的硅晶片進行最終聚合處理，對上述最終聚合的硅晶片進行超聲波清洗后用去離子水沖洗，對上述清洗和沖洗的硅晶片進行SC-1清洗后用去離子水沖洗，對上述清洗和沖洗的硅晶片進行佛山清洗后用去離子水沖洗的步驟，對所有種類的硅晶片進行蝕刻預(yù)處理，特別是P(111)。
2022-04-13 13:35:461415 
本文研究了用金剛石線鋸切和標準漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時間的關(guān)系，目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因，無論是與表面結(jié)構(gòu)相關(guān)，缺陷相關(guān)，由于表面存在的氧化層，還是由于有機殘差。
2022-04-18 16:36:05913 
本文研究了通過光敏抗蝕劑的濕蝕刻劑滲透。后者能夠非?？焖俚仨憫?yīng)選擇濕蝕刻劑/聚合物的兼容性，以保護下面的膜不被降解。如今，大多數(shù)材料圖案化是用等離子蝕刻而不是濕法蝕刻來進行的。事實上，與通常
2022-04-22 14:04:191138 
為了將硅晶片中設(shè)備激活區(qū)的金屬雜質(zhì)分析為ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸對硅晶片進行不同厚度的重復(fù)蝕刻，在晶片內(nèi)表面附近，研究了定量分析特定區(qū)域中消除金屬雜質(zhì)的方法。
2022-04-24 14:59:231124 
拋光的硅片是通過各種機械和化學(xué)工藝制備的。首先，通過切片將單晶硅錠切成圓盤(晶片)，然后進行稱為研磨的平整過程，該過程包括使用研磨漿擦洗晶片。 在先前的成形過程中引起的機械損傷通過蝕刻是本文的重點。在準備用于器件制造之前，蝕刻之后是各種單元操作，例如拋光和清潔。
2022-04-28 16:32:371285 
金屬涂層，如銅膜，可以很容易地沉積在半導(dǎo)體材料上，如硅晶片，而無需使無電鍍工藝進行預(yù)先的表面預(yù)處理。然而，銅膜的粘附性可能非常弱，并且容易剝離。在本研究中，研究了在氫氟酸溶液中蝕刻作為硅晶片化學(xué)鍍前
2022-04-29 15:09:061103 
為了形成膜結(jié)構(gòu)，單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進行了各向異性蝕刻，觀察到蝕刻速率強烈依賴于蝕刻劑的溫度和濃度，用于蝕刻實驗的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻劑
2022-05-05 16:37:364132 
本文章提出了一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法，在通過臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后重復(fù)測量，確定了成分和表面電位的深度分布，因此這種分析技術(shù)提供了優(yōu)于0.5納米的深度分辨率，通過
2022-05-06 15:50:39939 
在使用低溫卡盤的低壓高密度等離子體反應(yīng)器中研究了硅結(jié)構(gòu)的深且窄的各向異性蝕刻。我們?nèi)A林科納以前已經(jīng)證明了這種技術(shù)在這種結(jié)構(gòu)上的可行性。已經(jīng)研究了蝕刻速率和輪廓的改進，并且新的結(jié)果顯示，在5 μm
2022-05-11 15:46:191455 
我們介紹了在氫氧化鉀溶液中蝕刻的車輪圖案和寬分離的V形槽的硅蝕刻速率測量。數(shù)據(jù)表明，當使用貨車輪圖案時，存在反應(yīng)物耗盡效應(yīng)，這掩蓋了真實的表面反應(yīng)速率限制的蝕刻速率。與以前的報道相反，從受反應(yīng)物傳輸
2022-05-11 16:30:56659 
我們?nèi)A林科納研究了TMAH溶液中摩擦誘導(dǎo)選擇性蝕刻的性能受蝕刻溫度、刻蝕時間和刮刻載荷的影響，通過對比試驗，評價了硅摩擦誘導(dǎo)的選擇性蝕刻的機理，各種表面圖案的制造被證明與控制尖端痕跡劃傷。 蝕刻時間
2022-05-20 16:37:453558 
本文講述了我們?nèi)A林科納研究了M111N蝕刻速率最小值的高度，以及決定它的蝕刻機制，在涉及掩模的情況下，M111N最小值的高度可以受到硅/掩模結(jié)處的成核的影響，以這種方式影響蝕刻或生長速率的結(jié)可以被
2022-05-20 17:12:591881 
引用 本文介紹了我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體研究了取向硅在氫氧化鉀水溶液中的各向異性腐蝕特性和凸角底切機理。首先，確定控制底切的蝕刻前沿的晶面，并測量它們的蝕刻速率。然后，基于測量數(shù)據(jù)，檢驗了凸角補償技術(shù)
2022-06-10 17:03:482252 
高效交錯背接觸(IBC)太陽能電池有助于減少太陽能電池板的面積，以提供足夠的家庭消費能源。我們認為，即使在20μm的厚度下，借助光捕獲方案，適當鈍化的IBC電池也能保持20%的效率。在這項工作中，光刻和蝕刻技術(shù)被用于對厚度小于20μm的晶硅(cSi)晶片的深度蝕刻。
2022-06-28 11:20:261 在本研究中，我們?nèi)A林科納研究了在液晶顯示(LCD)技術(shù)中常用的蝕刻劑中相同的ITO薄膜的蝕刻速率，保持浴液溫度恒定，并比較了含有相同濃度的酸的溶液，對ITO在最有趣的解決方案中的行為進行了更詳細的研究，試圖闡明這些浴液中的溶解機制。
2022-07-04 15:59:582966 
臭氧是目前空氣污染源中最常見的一種。臭氧雖然來去無蹤，但對健康的危害不容忽視。臭氧濃度達到50%ppb(十億分率，1ppb也就是十億分之一)，人就會開始出現(xiàn)鼻粘膜和咽喉粘膜的影響，隨著濃度的增加
2022-11-21 15:20:594646 硅光(SiliconPhotonics)技術(shù)是指用成熟的硅基工藝，在硅基底上直接蝕刻或集成電芯片、調(diào)制器、探測器、光柵耦合器、光波導(dǎo)、合分波器、環(huán)形器等器件。
2022-12-13 11:20:261884 金屬蝕刻是一種通過化學(xué)反應(yīng)或物理沖擊去除金屬材料的技術(shù)。金屬蝕刻技術(shù)可分為濕蝕刻和干蝕刻。金屬蝕刻由一系列化學(xué)過程組成。不同的蝕刻劑對不同的金屬材料具有不同的腐蝕特性和強度。
2023-03-20 12:23:438844 拋光硅晶片是通過各種機械和化學(xué)工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經(jīng)準備好為設(shè)備制造。
2023-05-16 10:03:001595 
蝕刻是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進一步細分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應(yīng)用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:122602 
過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測量了沿多個矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預(yù)測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:403202 
納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學(xué)。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:112991 
等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會實質(zhì)上改變蝕刻特性。在小型單個芯片上制造氮化鎵（GaN）設(shè)備，通常會導(dǎo)致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過鋁基和硅基載流子來研究蝕刻過程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:541476 
關(guān)鍵詞：氫能源技術(shù)材料，耐高溫耐酸堿耐濕膠帶，高分子材料，高端膠粘劑引言：蝕刻(etching)是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻技術(shù)可以分為濕蝕刻(wetetching)和干蝕刻
2023-03-16 10:30:169529 
是最常用的一種原理，它利用臭氧在紫外波段具有特定吸收特性的原理，通過光譜技術(shù)來測量臭氧濃度。 二、臭氧檢測儀的應(yīng)用領(lǐng)域 1. 環(huán)境監(jiān)測 環(huán)境監(jiān)測部門使用臭氧檢測儀對大氣中的臭氧濃度進行實時監(jiān)測，以評估空氣質(zhì)量。通過長
2023-06-26 16:48:242225 蝕刻是一種從材料上去除的過程?；砻嫔系囊环N薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區(qū)域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03922 
臭氧老化試驗箱是一種專門用于模擬和測試材料在臭氧環(huán)境下的老化性能的設(shè)備。這種設(shè)備廣泛應(yīng)用于橡膠、塑料、涂料等高分子材料的研究、生產(chǎn)和質(zhì)量控制等領(lǐng)域。本文將介紹臭氧老化試驗箱的基本原理、技術(shù)
2023-08-22 10:16:311830 
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法，大部分GaN刻蝕是通過等離子體刻蝕來完成
2023-12-01 17:02:391593 
過程中起著重要的作用。這種制造過程通常需要與埋著的SiGe薄膜接觸。與這些埋地區(qū)域接觸需要蝕刻硅并在薄薄的SiGe層中停止。 因此，為了實現(xiàn)精確的圖案轉(zhuǎn)移，我們需要一種可控蝕刻的方法。不幸的是，針對SiGe選擇性的RIE技術(shù)尚未被發(fā)現(xiàn)。幸運的是
2023-12-28 10:39:511694 
蝕刻時間和過氧化氫濃度對ZnO玻璃基板的影響 本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術(shù)。使用射頻濺射設(shè)備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的過氧化氫（H2O2
2024-02-02 17:56:451302 
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