看到了其前景并提前布局。AI推理也使得存儲(chǔ)HBM不再是唯一熱門，更多存儲(chǔ)芯片與AI推理芯片結(jié)合，擁有了市場(chǎng)機(jī)會(huì)。 ? 已經(jīng)有不少AI推理芯片、存算一體芯片將SRAM替代DRAM，從而獲得更快的訪問(wèn)速度、更低的刷新延遲等。 ? 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Static
2025-03-03 08:51:57
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英尚代理的恒爍半導(dǎo)體NOR FLASH存儲(chǔ)器，具備通用SPI接口，覆蓋廣泛的工作電壓與容量選項(xiàng)，為各類嵌入式系統(tǒng)提供可靠的非易失性存儲(chǔ)支持。該系列包括適用于1.8V低電壓環(huán)境的ZB25LD
2026-01-05 16:11:0149 藝的 1 - Mbit 非易失性存儲(chǔ)器，邏輯上組織為 128K × 8。它結(jié)合了鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（F - RAM）的優(yōu)勢(shì)，既具備非易失性，又能像 RAM 一樣快
2026-01-04 17:25:09367 ——FM24V05，它是一款512 - Kbit（64 K × 8）的串行（I2C）F - RAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），具備諸多優(yōu)秀特性，非常適合需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)用場(chǎng)景。 文件下載
2025-12-31 16:40:23730 ——FM25L04B 4-Kbit串行F-RAM。 文件下載： FM25L04B-GTR.pdf 產(chǎn)品概述 FM25L04B是一款由Cypress（現(xiàn)屬英飛凌）開發(fā)的4-Kbit非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
2025-12-31 16:05:1888 ： ds90c387r.pdf 一、產(chǎn)品概述 DS90C387R是德州儀器（TI）推出的一款85MHz雙12位雙泵輸入LDI發(fā)射器，主要用于支持從主機(jī)到平板顯示器的像素?cái)?shù)據(jù)傳輸，最高可達(dá)UXGA分辨率
2025-12-31 11:10:09144
– 4us超低功耗喚醒時(shí)間
? 存儲(chǔ)容量
–最大 256K 字節(jié) FLASH，數(shù)據(jù)保持 25 年 @85℃
–最大 24K 字節(jié) RAM，支持奇偶校驗(yàn)
–128 字節(jié) OTP 存儲(chǔ)器
2025-12-29 06:15:18
- Riedon?低歐姆功率電阻，這款電阻在電流傳感和分流應(yīng)用中表現(xiàn)出色，下面我們將詳細(xì)解析它的各項(xiàng)特性、規(guī)格以及使用時(shí)的注意事項(xiàng)。 文件下載： Bourns MT Riedon?低歐姆功率電阻器.pdf 產(chǎn)品背景與特性亮點(diǎn) MT系列低歐姆功率電阻原是Riedon?的產(chǎn)品，現(xiàn)由Bourns接手。它
2025-12-22 17:55:05331 全球企業(yè)和政府正積極尋求解決方案，應(yīng)對(duì)數(shù)據(jù)中心能耗迅速增長(zhǎng)問(wèn)題，開發(fā)下一代“綠色”數(shù)據(jù)中心——既具備高性能，又兼具高能效的設(shè)施。全球科技巨頭富士通在先進(jìn)處理器開發(fā)領(lǐng)域已領(lǐng)先 60 年，致力于開發(fā)更節(jié)能、更可持續(xù)的數(shù)據(jù)中心。
2025-12-17 10:26:53424 JCK6024S12隔離型通孔式DC-DC轉(zhuǎn)換器JCK6024S12是XP Power推出的一款60W隔離型通孔式DC-DC轉(zhuǎn)換器，其支持 18V 至 36V 寬范圍輸入，可穩(wěn)定輸出 12V 隔離
2025-12-16 09:17:38
在存儲(chǔ)技術(shù)快速迭代的今天，MRAM芯片（磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）以其獨(dú)特的性能，逐漸成為業(yè)界關(guān)注焦點(diǎn)。它不同于傳統(tǒng)的閃存或DRAM，利用磁性而非電荷來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，兼具高速、耐用與非易失性特點(diǎn)。
2025-12-15 14:39:04243 鐵電工藝的4 - Kbit非易失性存儲(chǔ)器。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（F - RAM）具有非易失性，讀寫操作類似于RAM，能提供長(zhǎng)達(dá)151年的數(shù)據(jù)保留時(shí)
2025-12-10 17:15:021630 
在計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備中，存儲(chǔ)器扮演著數(shù)據(jù)臨時(shí)存放與快速交換的關(guān)鍵角色。其中，DDR SDRAM（雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）已成為現(xiàn)代內(nèi)存的主流技術(shù)之一。它不僅在速度上顯著超越前代產(chǎn)品，更憑借其高效傳輸機(jī)制，廣泛應(yīng)用于電腦、服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備及各類嵌入式系統(tǒng)中。
2025-12-08 15:20:44295 在內(nèi)存技術(shù)持續(xù)革新的今天，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）依然是計(jì)算系統(tǒng)中最核心的存儲(chǔ)組件。盡管出現(xiàn)了MRAM、ReRAM等新興存儲(chǔ)方案，但二者憑借成熟的設(shè)計(jì)與明確
2025-12-02 13:50:46869 Engineering) 》。其中，富士通在該指南的《Gartner 生成式AI工程新興市場(chǎng)象限報(bào)告 (Gartner Emerging Market Quadrant for Generative AI
2025-12-02 11:50:51637 
√ ARM Cortex-M0+32位內(nèi)核；
√ 64K 字節(jié) FLASH，8K 字節(jié) RAM；
√ 12位ADC，1M SPS 轉(zhuǎn)換速度；
√ 三路低功耗 UART，兩路 SPI 接口 12Mbit/s，兩路 I2C 接口 1Mbit/s；
2025-12-02 06:30:47
在當(dāng)今高速發(fā)展的3C領(lǐng)域（計(jì)算機(jī)外設(shè)、通信及消費(fèi)電子），對(duì)存儲(chǔ)器的性能與功耗提出了更高要求。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器作為核心存儲(chǔ)部件，其性能表現(xiàn)直接影響設(shè)備整體效能。Etron憑借其活緩沖DRAM
2025-12-01 13:42:00254 在各類存儲(chǔ)設(shè)備中，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）因其高速、低功耗和高可靠性，被廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中，雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其獨(dú)特的雙端口設(shè)計(jì)，在高帶寬和多任務(wù)場(chǎng)景中表現(xiàn)尤為出色，成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44275 在存儲(chǔ)技術(shù)快速演進(jìn)的今天，一種名為STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的新型非易失存儲(chǔ)器，正逐步走入產(chǎn)業(yè)視野。它不僅繼承了MRAM的高速讀寫能力與非易失特性，更通過(guò)“自旋電流”技術(shù)實(shí)現(xiàn)了信息寫入方式的突破，被視為第二代MRAM技術(shù)的代表。
2025-11-20 14:04:35248 及高可靠性為核心優(yōu)勢(shì)，適用于通信基站、服務(wù)器、FPGA 供電等高負(fù)載場(chǎng)景。電氣規(guī)格輸入電壓：4.5 V – 16 V輸出電壓：0.6 V – 5.5 V（外接分壓電阻可調(diào)）額定輸出電流：12 A（無(wú)降
2025-11-19 10:33:33
Molex Brad M12電源L碼連接器系統(tǒng)在63V交流或直流電壓下，每個(gè)引腳可提供高達(dá)16A的電流，并設(shè)有防護(hù)等級(jí)為IP67的密封接口。這些M12連接器系統(tǒng)具有-25°C至+85°C工作溫度范圍
2025-11-18 15:14:21285 富士通16Kbit FRAM憑借微秒級(jí)寫入速度與10萬(wàn)億次擦寫壽命，為圖傳模塊提供高可靠性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。其SPI接口與工業(yè)級(jí)溫度范圍（-40℃~85℃）完美適配無(wú)人機(jī)、安防監(jiān)控等場(chǎng)景的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄需求。
2025-11-18 09:48:00317 
MPN12AD12-TS作為Cyntec乾坤推出的非隔離微型電源模塊，可替代部分ADI、TI、TOREX等品牌的電源芯片，尤其在需要高功率密度、寬輸入輸出范圍及高可靠性的場(chǎng)景中優(yōu)勢(shì)顯著。一
2025-11-13 10:20:00
在處理器性能持續(xù)攀升的今天，存儲(chǔ)系統(tǒng)的速度已成為制約整體算力的關(guān)鍵瓶頸之一。作為最接近CPU核心的存儲(chǔ)單元，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）承擔(dān)著高速緩存的重要角色，其性能直接影響數(shù)據(jù)處理效率。當(dāng)前
2025-11-12 13:58:08457 片上FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成：主FLASH 存儲(chǔ)器和啟動(dòng)程序存儲(chǔ)器。
●● 主 FLASH 存儲(chǔ)器，共 64KB，地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)
2025-11-12 07:34:35
PSRAM（偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）是一種兼具SRAM接口協(xié)議與DRAM內(nèi)核架構(gòu)的特殊存儲(chǔ)器。它既保留了SRAM無(wú)需復(fù)雜刷新控制的易用特性，又繼承了DRAM的高密度低成本優(yōu)勢(shì)。這種獨(dú)特的設(shè)計(jì)使PSRAM在嵌入式系統(tǒng)和移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。
2025-11-11 11:39:04499 在要求高性能與高可靠性的電子系統(tǒng)中，存儲(chǔ)器的選擇往往成為設(shè)計(jì)成敗的關(guān)鍵。Netsol推出的高速異步SRAM系列，憑借其出色的性能表現(xiàn)與獨(dú)有的錯(cuò)誤校正（ECC）能力，為工業(yè)控制、通信設(shè)備及高精度計(jì)算等應(yīng)用提供了值得信賴的存儲(chǔ)解決方案。
2025-11-05 16:21:39284 富士通本周四發(fā)布了2025財(cái)年上半年財(cái)報(bào)。根據(jù)財(cái)報(bào)顯示，2025財(cái)年上半年整體營(yíng)收為1.5665兆日元 ，調(diào)整后營(yíng)業(yè)利潤(rùn)達(dá)到1,213億日元，較去年同期大幅增長(zhǎng)83.6%，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為7.7%，較去年同期增長(zhǎng)3.4個(gè)百分點(diǎn)。
2025-11-04 16:30:44921 在需要高速數(shù)據(jù)寫入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲(chǔ)器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲(chǔ)器，以高達(dá)35
2025-10-24 16:36:03532 富士通近日宣布，將與英偉達(dá)(NVIDIA)擴(kuò)大戰(zhàn)略合作，共同打造集成AI Agent的全棧式AI基礎(chǔ)設(shè)施。此舉旨在利用AI能力增強(qiáng)企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，同時(shí)確保企業(yè)在AI應(yīng)用上的自主性與靈活性。
2025-10-23 17:49:37748 QSPI PSRAM是一種集成了QSPI接口與PSRAM存儲(chǔ)功能的高效芯片。QSPI（四線串行外設(shè)接口）是一種高速串行通信接口，用于連接外部設(shè)備；而PSRAM（偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）則結(jié)合了快速隨機(jī)訪問(wèn)與動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)的特性。
2025-10-23 15:40:17379 PSRAM之所以被稱為"偽靜態(tài)"存儲(chǔ)器，主要是因?yàn)槠洳捎妙怱RAM的接口協(xié)議：只需要提供地址和讀寫命令就可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存取，無(wú)需像傳統(tǒng)DRAM一樣需要內(nèi)存控制器定期刷新數(shù)據(jù)單元。
2025-10-23 14:29:00296 1、簡(jiǎn)介
ram 的英文全稱是 Random Access Memory，即隨機(jī)存取存儲(chǔ)器， 它可以隨時(shí)把數(shù)據(jù)寫入任一指定地址的存儲(chǔ)單元，也可以隨時(shí)從任一指定地址中讀出數(shù)據(jù)， 其讀寫速度是由時(shí)鐘頻率
2025-10-23 07:33:21
富士通MB85RC04VPNF-G-JNERE1 4Kbit工業(yè)級(jí)FRAM，150ns極速寫入、1萬(wàn)億次擦寫、-40℃~+85℃寬溫，I2C接口低功耗，SOP-8小封裝，為PLC、電表、編碼器等邊緣節(jié)點(diǎn)提供高可靠非易失存儲(chǔ)。
2025-10-10 09:45:00307 
Microchip Technology 23AA04M和23LCV04M 4Mb SPI/SDI/SQI SRAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器器件，可通過(guò)兼容串行外設(shè)接口 (SPI) 的串行總線訪問(wèn)。SRAM
2025-10-09 11:16:59540 Microchip Technology 23AA02M和23LCV02M 2Mb SPI/SDI/SQI SRAM是可以通過(guò)串行外設(shè)接口 (SPI) 兼容總線訪問(wèn)的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器器件。該SRAM
2025-10-09 11:12:55561 nRF54LM20A 以高存儲(chǔ)版本拓展了 nRF54L 系列產(chǎn)品線，其搭載 2MB 非易失性存儲(chǔ)器（NVM）與 512KB 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）；同時(shí)，該芯片保留了系列一致的微控制器（MCU）核心
2025-09-29 01:20:31
、多達(dá) 66 個(gè) GPIO 和高速 USB 概述 nRF54LM20A 以高存儲(chǔ)版本拓展了 nRF54L 系列產(chǎn)品線，其搭載 2MB 非易失性存儲(chǔ)器（NVM）與 512KB 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM
2025-09-29 00:54:30605 
HBM通過(guò)使用3D堆疊技術(shù)，將多個(gè)DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）芯片堆疊在一起，并通過(guò)硅通孔（TSV，Through-Silicon Via）進(jìn)行連接，從而實(shí)現(xiàn)高帶寬和低功耗的特點(diǎn)。HBM的應(yīng)用中，CowoS（Chip on Wafer on Substrate）封裝技術(shù)是其中一個(gè)關(guān)鍵的實(shí)現(xiàn)手段。
2025-09-22 10:47:471617 ，還請(qǐng)大家海涵，如有需要可看文尾聯(lián)系方式，當(dāng)前在網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以“ 愛在七夕時(shí) ”的昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 一提到“存儲(chǔ)器”，相信很多朋友都會(huì)想到計(jì)算機(jī)。是的，在計(jì)算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中，有一個(gè)很重要的部分，就是
2025-09-19 11:04:071443 
富士通256Kbit FRAM MB85RS256BPNF-G-JNERE1為L(zhǎng)ED顯示系統(tǒng)提供高速、高耐久性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方案，支持納秒級(jí)寫入與10^12次擦寫，解決傳統(tǒng)存儲(chǔ)器延遲高、壽命短問(wèn)題，適用于智能交通、戶外廣告等嚴(yán)苛環(huán)境，顯著提升系統(tǒng)響應(yīng)與可靠性。
2025-09-11 09:45:00481 
HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲(chǔ)器，是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。其核心設(shè)計(jì)是通過(guò)硅通孔（TSV）和微凸塊（Microbump
2025-07-18 14:30:122952 近日，紫光國(guó)芯自主研發(fā)的PSRAM（低功耗偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）芯片系列產(chǎn)品正式發(fā)布，并同步上線天貓官方旗艦店。此次上新的PSRAM產(chǎn)品兼容業(yè)界主流接口協(xié)議Xccela，容量覆蓋32Mb，64Mb
2025-07-01 16:42:501443 富士通株式會(huì)社發(fā)布了《Technology and Service Vision 2025(富士通技術(shù)與服務(wù)愿景2025)》，對(duì)商業(yè)與社會(huì)的未來(lái)愿景進(jìn)行了總結(jié)與展望。借助人機(jī)智能協(xié)作驅(qū)動(dòng)的跨行業(yè)
2025-06-28 10:15:081236 ，是信息時(shí)代的基石。
2. 核心分類：斷電后數(shù)據(jù)還在嗎？
這是最根本的分類依據(jù)：
易失性存儲(chǔ)器：斷電后數(shù)據(jù)立刻消失。
特點(diǎn)：速度快，通常用作系統(tǒng)運(yùn)行的“工作臺(tái)”。
代表：DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
2025-06-24 09:09:39
Devices的super Harvard架構(gòu)。ADSP-21594/ADSP-SC594針對(duì)高性能音頻/浮點(diǎn)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，具有大型片上靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）、創(chuàng)新的數(shù)字音頻接口（DAI）以及消除輸入/輸出（I/O）瓶頸的多條內(nèi)部總線。這些器件是32位、40位或64位浮點(diǎn)處理器。
2025-06-11 15:41:48855 
Super Harvard架構(gòu)（SHA）。ADSP-SC592雙核DSP優(yōu)化用于高性能音頻/浮點(diǎn)應(yīng)用，具有大容量片上靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SRAM)。主要特性包括一個(gè)強(qiáng)大的DMA系統(tǒng)（具有8個(gè)MEMDMA)、片上內(nèi)存保護(hù)和集成安全特性。
2025-06-07 11:37:00907 
選擇，滿足不同應(yīng)用需求。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）：最高支持 8KB（基礎(chǔ)）+1KB（額外，支持奇偶校驗(yàn)），確保數(shù)據(jù)穩(wěn)定性和安全性。系統(tǒng)存儲(chǔ)器（4KB）：既可作為啟動(dòng)加載程序（Bootloader
2025-06-05 08:58:44
CSS6404LS-LI通過(guò) >500MB/s帶寬、105℃高溫運(yùn)行及μA級(jí)休眠功耗三重突破，成為高清語(yǔ)音設(shè)備的理想存儲(chǔ)器
2025-06-04 15:45:23566 
CSS1604S 是凱芯（Cascadeteq Inc）推出的16Mb Quad-SPI偽靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（PSRAM），專為高性能、低功耗和小型化設(shè)備設(shè)計(jì)。
核心特性包括：
接口與性能：支持
2025-05-22 15:00:09
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)和嵌入式閃存、一個(gè)提供時(shí)鐘、復(fù)位和電源管理功能的模擬子系統(tǒng)以及模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)子系統(tǒng)組成。
2025-05-08 14:56:39840 
處理器和微控制器單元 (MCU) 子系統(tǒng)。ADuCM300 具有 128 kB 程序閃存/EE、4 kB 數(shù)據(jù)閃存/EE 和 6 kB 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SRAM)。
2025-05-08 14:26:44811 
多軸控制器可使用國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20（MB85RS2MT）
2025-05-06 09:47:26585 
，與CPU直接交互，支持實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)存取，承擔(dān)變量、堆棧、中斷向量表等動(dòng)態(tài)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)功能。 主要類型? SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）?：無(wú)需刷新電路，速度快、功耗低，但密度較低，廣泛用于MCU主內(nèi)存。 eDRAM（嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）?：部分高端MCU采用
2025-04-30 14:47:081125 的國(guó)產(chǎn)磁編碼器芯片，憑借12位分辨率與-40℃~150℃超寬工作溫域兩大技術(shù)突破，正在重新定義行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。本文從技術(shù)參數(shù)、應(yīng)用場(chǎng)景與市場(chǎng)價(jià)值三個(gè)維度，解析MT6701如何顛覆傳統(tǒng)方案。 艾畢勝電子mt6701 ? 一、技術(shù)參數(shù)解析：為何12位分辨率與
2025-04-29 16:56:201412 
在對(duì)時(shí)鐘精準(zhǔn)度要求日益提高的無(wú)線通信、智能儀表、便攜式終端等應(yīng)用中，如何在小封裝條件下獲得優(yōu)異的頻率穩(wěn)定性和抖動(dòng)控制，成為工程設(shè)計(jì)的重要課題。FCom富士晶振推出的 FCO-2C-HP
2025-04-23 11:20:33
一、前言DDRSDRAM，即雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)中至關(guān)重要的一種核心組件，其應(yīng)用范圍極其廣泛。無(wú)論是在消費(fèi)電子產(chǎn)品中，還是在商業(yè)和工業(yè)設(shè)備里，亦或是從終端產(chǎn)品到數(shù)據(jù)中心
2025-04-21 11:24:412282 
在工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人、能源等領(lǐng)域，M12連接器的接觸電阻穩(wěn)定性直接關(guān)系到設(shè)備運(yùn)行的可靠性與安全性。接觸電阻超標(biāo)可能導(dǎo)致電壓驟降、信號(hào)失真、局部過(guò)熱甚至電力中斷等風(fēng)險(xiǎn)。那么，如何選擇一款真正具備穩(wěn)定低接觸電阻的M12連接器？
2025-04-19 10:25:56526 M12連接器對(duì)于M12連接器，接觸電阻超標(biāo)會(huì)導(dǎo)致電壓驟降引發(fā)設(shè)備異常，局部過(guò)熱加速氧化，信號(hào)失真，電力中斷風(fēng)險(xiǎn)驟增，電弧放電的安全隱患概率激增等。那么M12連接器如何才能實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的低接觸電阻呢
2025-04-18 18:36:43633 
替換MB85RS128和FM25V01，舜銘存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器SF25C128電壓檢測(cè)儀應(yīng)用方案
2025-04-14 09:46:36719 
總體描述DA14531 是一款超低功耗片上系統(tǒng)（SoC），集成了 2.4GHz 收發(fā)器以及帶有 48KB 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）的 Arm? Cortex-M0 + 微控制器，還有 32KB
2025-04-03 14:57:10
人工智能與高性能計(jì)算（HPC）正以空前的速度發(fā)展，將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）和NAND閃存等傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)揮到極致。為了滿足人工智能時(shí)代日益增長(zhǎng)的需求，業(yè)界正在探索超越傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)的新興存儲(chǔ)技術(shù)。
2025-04-03 09:40:411711 ，數(shù)據(jù)保持 25 年 @85℃? 最大 8K 字節(jié) RAM，支持奇偶校驗(yàn)? 128 字節(jié) OTP 存儲(chǔ)器
● CRC 硬件計(jì)算單元
● 復(fù)位和電源管理? 低功耗模式（Sleep，DeepSleep
2025-04-03 09:27:24
PIMCHIP-S300 芯片是蘋芯科技基于存算一體技術(shù)打造的多模態(tài)智慧感知決策 AI 芯片。其搭載基于靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）的存算一體計(jì)算加速單元，讓計(jì)算在存儲(chǔ)器內(nèi)部發(fā)生，有效減少
2025-03-28 17:06:352256 
兼容FM25V20A/MB85RS2MT，國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20助聽器應(yīng)用方案
2025-03-20 09:55:16676 
特性64 千比特鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（F - RAM），邏輯上組織為 8K×8高達(dá) 100 萬(wàn)億次（\(10^{14}\)）讀 / 寫耐久性151 年的數(shù)據(jù)保存期限（詳見 “數(shù)據(jù)保存期限和耐久性表
2025-03-19 11:35:49
富士通采用 AMD Zynq RFSoC 數(shù)字前端（ DFE ）器件來(lái)提供具有成本效益、高容量和高能效的無(wú)線電，以滿足不同市場(chǎng)需求。
2025-03-12 17:12:141256 RZ/A1M 系列微處理器單元（MPU）功能齊全，配備運(yùn)行頻率為 400MHz 的 Arm? Cortex?-A9 內(nèi)核以及 5MB的片上靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）。憑借 5MB 的片上
2025-03-11 15:04:111131 
RZ/A1LU 系列微處理器單元（MPU）性價(jià)比高，具備運(yùn)行頻率達(dá) 400MHz 的 Arm? Cortex? - A9 內(nèi)核以及 3MB的片上靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）。憑借 3MB 的片上
2025-03-11 14:22:18993 
RZ/A1LC 微處理器單元（MPU）是 RZ/A1 系列中最具成本效益的產(chǎn)品，其特點(diǎn)是配備運(yùn)行頻率為 400MHz 的 Arm?Cortex?-A9 內(nèi)核以及 2MB 的片上靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
2025-03-11 14:07:401036 
RZ/A1L 系列微處理器（MPU）采用了運(yùn)行頻率達(dá) 400MHz 的 Arm? Cortex? - A9 內(nèi)核，并配備 3MB的片上靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）。憑借這 3MB 的片上 SRAM
2025-03-10 16:14:20981 
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的“寫入”周期。AD7524 采用先進(jìn)的基于 CMOS 的薄膜制造工藝，可提供 1/8LSB 的精度，典型功耗小于 10 毫瓦。新改進(jìn)的設(shè)計(jì)消除了肖特基
2025-03-10 11:05:42
性鐵電存儲(chǔ)器SF24C64/FM24C64/MB85RC64性能及應(yīng)用介紹
2025-03-06 10:06:581473 
注塑式M12連接器（也稱預(yù)鑄式或預(yù)成型M12連接器）是一種通過(guò)注塑工藝將連接器與線纜一體成型的標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品，其特點(diǎn)是工廠預(yù)制、高一致性和高可靠性，適用于需要穩(wěn)定連接和快速部署的場(chǎng)景。這種穩(wěn)定性使其在
2025-03-06 07:34:231039 
富士通與SNP合作，采用BLUEFIELD?方法，五個(gè)月內(nèi)成功合并兩家德國(guó)子公司SAP系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)快速遷移、高效合作、極短停機(jī)時(shí)間和業(yè)務(wù)連續(xù)性，增強(qiáng)了數(shù)字化轉(zhuǎn)型競(jìng)爭(zhēng)力。
2025-03-05 17:00:57754 鐵電存儲(chǔ)器SF24C64對(duì)標(biāo)MB85RC64性能、應(yīng)用深度分析
2025-02-25 09:40:591103 
和32Mbit x16 I/O x 8個(gè)存儲(chǔ)體組成。這些同步器件實(shí)現(xiàn)了高達(dá)2133Mb/sec/pin的高速雙倍數(shù)據(jù)速率傳輸速率，適用于一般應(yīng)用。該芯片的設(shè)計(jì)符合D
2025-02-20 11:44:07
直接存儲(chǔ)器存取(DMA)用來(lái)提供在外設(shè)和存儲(chǔ)器之間或者存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器之間的高速數(shù)據(jù)傳輸。無(wú)須CPU干預(yù)，數(shù)據(jù)可以通過(guò)DMA快速地移動(dòng)，這就節(jié)省了CPU的資源來(lái)做其他操作。兩個(gè)DMA控制器有12個(gè)通道
2025-02-18 17:24:461353 
特點(diǎn)ISSI IS62/65WVS5128FALL/FBLL是4M位串行靜態(tài)RAM組織為512K字節(jié)乘8位。這是一個(gè)兩個(gè)2Mb串行SRAM的雙芯片堆疊。通過(guò)簡(jiǎn)單的串行外設(shè)訪問(wèn)該設(shè)備接口（SPI）兼容
2025-02-17 15:50:03
? 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的核心組件，廣泛應(yīng)用于個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備及高性能計(jì)算領(lǐng)域。本文將探討DRAM的基本工作原理、存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)及制造工藝演進(jìn)，并分析
2025-02-14 10:24:401449 
MT53E1G32D2FW-046 WT:B是一款高性能的DDR3 SDRAM存儲(chǔ)器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高速存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲(chǔ)性能和能效，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)
2025-02-14 07:46:46
MT25QL512ABB8E12-0SIT是一款高性能的串行閃存存儲(chǔ)器，由MICRON制造，專為滿足各種電子設(shè)備的存儲(chǔ)需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲(chǔ)密度和快速的讀寫速度，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。目前
2025-02-14 07:31:33
MT48LC4M32B2P-6A:L是一款高性能的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM），由MICRON制造，專為滿足各種電子設(shè)備的內(nèi)存需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲(chǔ)性能和穩(wěn)定性，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。目前
2025-02-14 07:28:17
? 非易失性存儲(chǔ)器是一種應(yīng)用于計(jì)算機(jī)及智能手機(jī)等設(shè)備中的存儲(chǔ)裝置（存儲(chǔ)器），其特點(diǎn)是在沒(méi)有外部電源的情況下仍能保存數(shù)據(jù)信息。本文將介紹非易失性存儲(chǔ)器的類型、特點(diǎn)及用途。 什么是非易失性存儲(chǔ)器
2025-02-13 12:42:142470 
舜銘存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20：替換FM25V20A/MB85RS2MT
2025-02-13 10:29:091169 產(chǎn)品概述 Korchip DCS5R5334H 是一款高性能的低功耗 SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），專為高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理而設(shè)計(jì)。該器件具有快速的訪問(wèn)時(shí)間和較高的數(shù)據(jù)傳輸速率，廣泛應(yīng)用
2025-02-09 22:38:10
產(chǎn)品概述Adesto AT45DB321E 是一款高性能的串行閃存存儲(chǔ)器，具有 32Mb 的存儲(chǔ)容量，采用 SPI 接口進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。該產(chǎn)品專為嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)，提供快速的數(shù)據(jù)讀寫能力
2025-02-09 22:26:30
NAND Flash 存儲(chǔ)器，專為移動(dòng)設(shè)備和嵌入式應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有高存儲(chǔ)密度和優(yōu)越的讀寫性能，目前市場(chǎng)上有 4,000 個(gè) MT29F8G08ABBCAH4
2025-02-09 09:59:55
初學(xué)者要了解SDRAM需要先了解存儲(chǔ)器分類。按照存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)功能劃分，可將其分為RAM 和 ROM 兩大類。
2025-02-08 11:24:513961 
鐵電存儲(chǔ)器SF24C512替換MB85RS512/FM25V512優(yōu)勢(shì)顯著
2025-02-07 09:29:33908 
在數(shù)字存儲(chǔ)技術(shù)的快速發(fā)展中，閃速存儲(chǔ)器（Flash Memory）以其獨(dú)特的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，成為了連接隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）與只讀存儲(chǔ)器（ROM）之間的重要橋梁。本文將深入探討閃速存儲(chǔ)器的技術(shù)特性、分類及其在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2025-01-29 16:53:001683 本文旨在深入探討閃速存儲(chǔ)器的歸屬問(wèn)題，即它是否屬于RAM或ROM，同時(shí)詳細(xì)闡述閃速存儲(chǔ)器的功能與作用。
2025-01-29 15:21:001590 閃速存儲(chǔ)器之所以得名“閃速”，主要源于其擦除操作的高效性。傳統(tǒng)的EPROM（可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器）和EEPROM（電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器）在擦除數(shù)據(jù)時(shí)，往往需要較長(zhǎng)的時(shí)間，且操作相對(duì)繁瑣。而閃速
2025-01-29 15:14:001378 在信息技術(shù)飛速發(fā)展的今天，閃速存儲(chǔ)器（Flash Memory）以其高速度、大容量和非易失性的特性，成為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域的重要成員。而U盤，作為閃速存儲(chǔ)器的一種常見應(yīng)用形式，更是憑借其便攜性和易用性，在
2025-01-29 15:12:001452 高速緩沖存儲(chǔ)器（Cache）是內(nèi)存的一種特殊形式，但它與通常所說(shuō)的主存儲(chǔ)器（RAM）有所不同。在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)體系中，Cache位于CPU和主存儲(chǔ)器之間，用于存儲(chǔ)CPU近期訪問(wèn)過(guò)的數(shù)據(jù)或指令，以加快數(shù)據(jù)的訪問(wèn)速度。
2025-01-29 11:48:003399 以及多達(dá)24個(gè)GPIO口，CPU主頻高達(dá)800Mhz，數(shù)據(jù)緩存 12Mbit，MAC地址表16K。核心板采用沉金工藝，接口采用短排針?lè)绞竭B接。
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交換機(jī)核心模塊,三層交換機(jī)模塊,嵌入式交換機(jī),網(wǎng)管型交換機(jī),SW-24G4F-301EM
2025-01-20 14:39:47
特點(diǎn)16-Kbit 鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM)為 2 K × 8 ? 高耐久性 100 萬(wàn)億次（1014）讀/寫 ? 151 年數(shù)據(jù)保留期（請(qǐng)參閱數(shù)據(jù)保留期
2025-01-16 14:14:37
舜銘存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20替換MB85RS2MT性能及應(yīng)用優(yōu)勢(shì)有哪些？
2025-01-10 09:12:15902 
。 MPU控制器的組成 MPU控制器通常包括以下幾個(gè)主要部分： 中央處理單元（CPU） ：執(zhí)行程序指令和處理數(shù)據(jù)。 存儲(chǔ)器 ：包括隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）和只讀存儲(chǔ)器（ROM），用于存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)。 輸入/輸出（I/O）接口 ：允許MPU控制器與其他硬
2025-01-08 09:23:041480 國(guó)產(chǎn)舜銘存儲(chǔ)SF25C20對(duì)標(biāo)MB85RS2MT性能、優(yōu)勢(shì)全面解析
2025-01-06 10:20:57918
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