蝕刻工藝蝕刻過程分類的課堂素材4（上）

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蝕刻工藝(12060) 蝕刻工藝(12060)

沐渥科技：光罩盒氮?dú)夤竦奶攸c(diǎn)和注意事項(xiàng)

光罩是半導(dǎo)體制造中光刻工藝所使用的圖形轉(zhuǎn)移工具或母版，它承載著設(shè)計(jì)圖形，通過光刻過程將圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上，再經(jīng)過刻蝕等步驟轉(zhuǎn)移到襯底上，是集成電路、微電子制造的關(guān)鍵組件，其存放條件直接影響到生產(chǎn)的良

2026-01-05 10:29:00

集成電路制造中Bosch工藝的關(guān)鍵作用和流程步驟

Bosch工藝，又稱交替?zhèn)缺阝g化深層硅蝕刻工藝，是一種在半導(dǎo)體制造中用于刻蝕硅片上特定材料層的先進(jìn)技術(shù)，由Robert Bosch于1993年提出，屬于等離子體增強(qiáng)化學(xué)刻蝕（反應(yīng)離子刻蝕）的一種。該

2025-12-26 14:59:47

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KOH 槽式濕法清洗 / 蝕刻技術(shù)全解析：工藝、問題與優(yōu)化方案

一、核心化學(xué)品與工藝參數(shù) 二、常見問題點(diǎn)與專業(yè)處理措施 ? ? ? ? ? 三、華林科納設(shè)備選型建議槽式設(shè)備：適合批量處理（25-50片/批次），成本低但需關(guān)注交叉污染風(fēng)險(xiǎn)，建議搭配高精度過濾系統(tǒng)

2025-12-23 16:21:59

晶圓去膠后清洗干燥一般用什么工藝

晶圓去膠后的清洗與干燥工藝是半導(dǎo)體制造中保障良率和可靠性的核心環(huán)節(jié)，需結(jié)合化學(xué)、物理及先進(jìn)材料技術(shù)實(shí)現(xiàn)納米級潔凈度。以下是當(dāng)前主流的工藝流程：一、清洗工藝多階段化學(xué)清洗SC-1溶液（NH?OH+H

2025-12-23 10:22:11

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前道工序品質(zhì)：后道工序成敗的關(guān)鍵紐帶

前道工序與后道工序的品質(zhì)關(guān)聯(lián)緊密，相互影響深遠(yuǎn)，主要體現(xiàn)在以下幾個方面：尺寸精度方面在前道工序中，如晶圓制造的前道工序包括光刻、蝕刻等。光刻工序決定了電路圖案的精確位置和形狀，如果光刻精度不佳，例如

2025-12-22 15:18:33

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車載激光雷達(dá)接收端車規(guī)電容：快速充放電 + 抗強(qiáng)光干擾設(shè)計(jì)

車載激光雷達(dá)接收端車規(guī)電容需通過快速充放電設(shè)計(jì) （如低ESR、高紋波電流耐受、優(yōu)化陽極箔蝕刻工藝）滿足高頻脈沖需求，同時采用抗強(qiáng)光干擾設(shè)計(jì) （如光學(xué)濾波、信號處理算法優(yōu)化、電磁屏蔽、智能監(jiān)測

2025-12-17 15:54:32

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自動駕駛高精地圖定位模塊車規(guī)電容：低 ESR + 抗振動 10G 等級設(shè)計(jì)

設(shè)計(jì)：降低能量損耗與溫升材料創(chuàng)新電極箔蝕刻技術(shù) ：采用納米級多孔化處理，使陽極箔表面積增加200-300倍。例如，尼吉康“HS系列”通過立體蝕刻工藝，將ESR降低40%，同時提升容量密度。電解液配方優(yōu)化：添加有機(jī)酸復(fù)合物提升離子電導(dǎo)率。村田“XW系列

2025-12-17 15:10:54

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智能座艙車載娛樂系統(tǒng)車規(guī)電容：小型化 + 低噪音應(yīng)用方案

蝕刻工藝增加鋁箔表面積，提升單位體積容量。例如，松下采用三維多孔陽極結(jié)構(gòu)，使有效表面積提升3倍，配合新型電解質(zhì)體系，ESR值降低至15mΩ以下。應(yīng)用效果：在8×10mm封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)100μF~1000μF容量，體積縮小60%，同時保持125℃下2000小時壽

2025-12-16 14:24:19

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鋁電解電容的容量大小由什么決定？

。一、鋁箔面積：容量設(shè)計(jì)的物理基礎(chǔ) 鋁電解電容的容量與鋁箔的有效面積呈正相關(guān)。鋁箔作為電極材料，其表面積越大，單位時間內(nèi)可儲存的電荷量越多。例如，在高壓電容中，鋁箔需通過蝕刻工藝形成微孔結(jié)構(gòu)，增加表面積以提升

2025-12-11 17:08:05

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開源鴻蒙領(lǐng)學(xué)課堂——山東·泰安站圓滿舉辦

2025年12月3日下午，開源鴻蒙領(lǐng)學(xué)課堂（以下簡稱"領(lǐng)學(xué)課堂"）——山東泰安站于山東科技大學(xué)泰安校區(qū)圓滿舉辦。本次領(lǐng)學(xué)課堂以聚焦操作系統(tǒng)及軟件領(lǐng)域前沿，通過技術(shù)理論與實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)分享，推動開源鴻蒙技術(shù)

2025-12-05 19:13:12

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開源鴻蒙領(lǐng)學(xué)課堂——新疆·烏魯木齊站圓滿舉辦

2025年11月25日下午，開源鴻蒙領(lǐng)學(xué)課堂（以下簡稱“領(lǐng)學(xué)課堂”）——新疆烏魯木齊站于新疆大學(xué)博達(dá)校區(qū)圓滿舉辦。本次領(lǐng)學(xué)課堂以聚焦操作系統(tǒng)及軟件領(lǐng)域前沿，通過技術(shù)理論與實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)分享，推動開源鴻蒙

2025-11-29 11:43:12

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高精度恒溫晶振制造工藝深度解析

諧振單元精密加工基材篩選與預(yù)處理選用天然或人造石英晶體作為基礎(chǔ)材料，通過X射線衍射技術(shù)進(jìn)行晶向標(biāo)定，確保晶體軸向精度優(yōu)于0.01度。采用超聲波清洗和化學(xué)蝕刻工藝去除表面雜質(zhì)，為后續(xù)加

2025-11-28 14:04:52

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濕法蝕刻的最佳刻蝕條件是什么

濕法蝕刻的最佳刻蝕條件需綜合溶液體系、溫度控制、時間管理及材料特性等因素，具體如下：溶液體系與濃度氫氟酸緩沖體系（BOE）：采用HF:NH?F:H?O=6:1:1的體積比配置，pH值控制在3-5

2025-11-11 10:28:48

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車載激光雷達(dá)供電濾波鋁電解電容車規(guī)應(yīng)用

原理、應(yīng)用場景、選型要點(diǎn)、行業(yè)趨勢四個方面進(jìn)行詳細(xì)分析：一、技術(shù)原理：四大特性保障供電穩(wěn)定耐高壓能力：激光雷達(dá)驅(qū)動電路需承受瞬時高壓脈沖（如儲能電容釋放時電壓可達(dá)數(shù)十伏），車規(guī)級鋁電解電容通過優(yōu)化陽極箔蝕刻工藝和

2025-11-10 16:49:21

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多功能炭素材料電阻率測試儀中的低噪聲布線技術(shù)

在多功能炭素材料電阻率測試儀中，低噪聲布線技術(shù)是保障測試數(shù)據(jù)精準(zhǔn)的“隱形防線”。該技術(shù)通過優(yōu)化儀器內(nèi)部與外部連接線路的布局、材質(zhì)選擇及防護(hù)設(shè)計(jì)，最大程度減少外界干擾與內(nèi)部信號損耗，避免噪聲信號疊加

2025-10-31 09:20:23

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從晶圓到芯片：全自動腐蝕清洗機(jī)的精密制造賦能

全自動硅片腐蝕清洗機(jī)的核心功能與工藝特點(diǎn)圍繞高效、精準(zhǔn)和穩(wěn)定的半導(dǎo)體制造需求展開，具體如下：核心功能均勻可控的化學(xué)腐蝕動態(tài)浸泡與旋轉(zhuǎn)同步機(jī)制：通過晶圓槽式浸泡結(jié)合特制轉(zhuǎn)籠自動旋轉(zhuǎn)設(shè)計(jì)，使硅片在蝕刻液

2025-10-30 10:45:56

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硅片酸洗過程的化學(xué)原理是什么

硅片酸洗過程的化學(xué)原理主要基于酸與硅片表面雜質(zhì)之間的化學(xué)反應(yīng)，通過特定的酸性溶液溶解或絡(luò)合去除污染物。以下是其核心機(jī)制及典型反應(yīng)：氫氟酸（HF）對氧化層的腐蝕作用反應(yīng)機(jī)理：HF是唯一能高效蝕刻

2025-10-21 14:39:28

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低 ESR 設(shè)計(jì)降損耗：車規(guī)鋁電解電容提升電機(jī)驅(qū)動 EMC 性能

景及實(shí)測數(shù)據(jù)四個維度展開分析： ?一、技術(shù)原理：低ESR設(shè)計(jì)的核心突破 1. 材料創(chuàng)新 ? 電極箔蝕刻技術(shù)：采用納米級多孔化處理，使陽極箔表面積增加200-300倍。例如，尼吉康“HS系列”通過立體蝕刻工藝，將ESR降低40%，同時提升電容容量密度。 ? 電

2025-10-20 16:54:20

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蝕刻機(jī)遠(yuǎn)程監(jiān)控物聯(lián)網(wǎng)解決方案

。這一過程對設(shè)備運(yùn)行的穩(wěn)定性提出了極高的要求，任何微小的波動都可能影響到產(chǎn)品的質(zhì)量和生產(chǎn)效率。但設(shè)備管理仍存在薄弱之處。行業(yè)痛點(diǎn) 數(shù)據(jù)采集困難：蝕刻機(jī)自動化程度高，但PLC品牌協(xié)議多樣，導(dǎo)致數(shù)據(jù)采集與設(shè)備聯(lián)網(wǎng)復(fù)

2025-10-15 10:13:18

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高純度鋁箔車規(guī)電解電容：容量密度提升 40% 的核心秘密

高純度鋁箔車規(guī)電解電容實(shí)現(xiàn)容量密度提升40%的核心秘密，在于材料科學(xué)、蝕刻工藝與電解液配方的協(xié)同創(chuàng)新，具體體現(xiàn)在以下方面：一、材料創(chuàng)新：高純度鋁箔的納米級蝕刻超高純度鋁箔：采用純度

2025-10-14 15:27:00

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晶圓蝕刻用得到硝酸鈉溶液

晶圓蝕刻過程中確實(shí)可能用到硝酸鈉溶液，但其應(yīng)用場景較為特定且需嚴(yán)格控制條件。以下是具體分析：潛在作用機(jī)制氧化性輔助清潔：在酸性環(huán)境中（如與氫氟酸或硫酸混合），硝酸鈉釋放的NO??離子可作為強(qiáng)氧化劑

2025-10-14 13:08:41

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【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度在光刻工藝中的反饋控制優(yōu)化研究

一、引言玻璃晶圓在半導(dǎo)體制造、微流控芯片等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，光刻工藝作為決定器件圖案精度與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對玻璃晶圓的質(zhì)量要求極為嚴(yán)苛 ?？偤穸绕睿═TV）是衡量玻璃晶圓質(zhì)量的重要指標(biāo)，其厚度

2025-10-09 16:29:24

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半導(dǎo)體器件清洗工藝要求

半導(dǎo)體器件清洗工藝是確保芯片制造良率和可靠性的關(guān)鍵基礎(chǔ)，其核心在于通過精確控制的物理化學(xué)過程去除各類污染物，同時避免對材料造成損傷。以下是該工藝的主要技術(shù)要點(diǎn)及實(shí)現(xiàn)路徑的詳細(xì)闡述：污染物分類與對應(yīng)

2025-10-09 13:40:46

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半導(dǎo)體金屬腐蝕工藝

半導(dǎo)體金屬腐蝕工藝是集成電路制造中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，涉及精密的材料去除與表面改性技術(shù)。以下是該工藝的核心要點(diǎn)及其實(shí)現(xiàn)方式：一、基礎(chǔ)原理與化學(xué)反應(yīng)體系金屬腐蝕本質(zhì)上是一種受控的氧化還原反應(yīng)過程。常用酸性溶液

2025-09-25 13:59:25

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什么是頂級的硅晶圓蝕刻工藝？# 硅晶圓# 蝕刻

芯片

華林科納半導(dǎo)體設(shè)備制造發(fā)布于 2025-09-23 11:35:34

PCB“蝕刻因子”是啥，聽說它很影響走線加工的阻抗？

蝕刻因子是啥玩意咱們先不說，要不先簡單問大家一個問題：傳輸線在PCB設(shè)計(jì)時側(cè)面看是矩形的，你們猜猜PCB板廠加工完之后會變成什么形狀呢？

2025-09-19 11:52:07

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PCB設(shè)計(jì)避坑指南：死銅殘留的危害與實(shí)戰(zhàn)處理技巧

電路回路，就像電路板上的"僵尸區(qū)域"。其產(chǎn)生根源可追溯到多個環(huán)節(jié)：一、電路板上的"僵尸區(qū)域"——死銅的本質(zhì)解析 1. 蝕刻工藝偏差：化學(xué)蝕刻過程中，過度蝕刻會導(dǎo)致本應(yīng)保留的銅箔被意外清除 ? 2. 焊盤定位偏移：焊料掩膜對位誤差超過±0.

2025-09-18 08:56:06

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臺階儀在大面積硬質(zhì)涂層的應(yīng)用：精準(zhǔn)表征形貌與蝕刻 / 沉積結(jié)構(gòu)參數(shù)

PVD硬質(zhì)涂層的表面形貌直接影響其摩擦學(xué)、潤濕性等功能性能，而精準(zhǔn)表征形貌特征是優(yōu)化涂層工藝的關(guān)鍵。臺階儀因可實(shí)現(xiàn)大掃描面積的三維形貌成像與粗糙度量化，成為研究PVD涂層形貌的核心工具。費(fèi)曼儀器

2025-09-10 18:04:11

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PCB焊盤工藝有哪幾種？

PCB焊盤工藝對元器件焊接可靠性等很關(guān)鍵，不同工藝適用于不同場景，常見分類及說明如下：

2025-09-10 16:45:14

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PCB工藝路線詳解：加成法 vs 減成法，一文讀懂核心差異與未來趨勢

原理、成本結(jié)構(gòu)到應(yīng)用選型，為您提供系統(tǒng)性、深度的比較分析。 ” ? 1、技術(shù)原理的根本差異 1.1 減成法工藝 (Subtractive Process) 加成法工藝以覆銅板為基材，通過化學(xué)蝕刻（如酸性或堿性溶液）去除不需要的銅層，從而保留設(shè)計(jì)好的電路圖形。

2025-09-10 11:14:06

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如何優(yōu)化碳化硅清洗工藝

優(yōu)化碳化硅（SiC）清洗工藝需要綜合考慮材料特性、污染物類型及設(shè)備兼容性，以下是系統(tǒng)性的技術(shù)路徑和實(shí)施策略：1.精準(zhǔn)匹配化學(xué)配方與反應(yīng)動力學(xué)選擇性蝕刻控制：針對SiC表面常見的氧化層（SiO

2025-09-08 13:14:28

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鈣鈦礦電池組件P1-P2-P3激光劃刻工藝實(shí)現(xiàn)高效互聯(lián)與死區(qū)最小化

在鈣鈦礦太陽能電池串聯(lián)結(jié)構(gòu)的制備過程中，需對不同功能膜層進(jìn)行精確定位劃線。目前，劃刻工藝主要包括掩模板法、化學(xué)蝕刻、機(jī)械劃片與激光劃片等方式，其中激光劃片因能夠?qū)崿F(xiàn)更高精度的劃區(qū)逐漸成為主流技術(shù)

2025-09-05 09:04:36

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白光干涉儀在晶圓光刻圖形 3D 輪廓測量中的應(yīng)用解析

引言晶圓光刻圖形是半導(dǎo)體制造中通過光刻工藝形成的微米至納米級三維結(jié)構(gòu)（如光刻膠線條、接觸孔、柵極圖形等），其線寬、高度、邊緣粗糙度等參數(shù)直接決定后續(xù)蝕刻、沉積工藝的精度，進(jìn)而影響器件性能。傳統(tǒng)

2025-09-03 09:25:20

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氧化鋁蝕刻表面工藝流程#電路知識 #

電路

efans_64070792發(fā)布于 2025-08-28 18:21:55

皮秒激光蝕刻機(jī)在消費(fèi)電子領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用

隨著消費(fèi)電子產(chǎn)品向著更輕薄、更智能、一體化和高性能化的方向發(fā)展，傳統(tǒng)加工技術(shù)已難以滿足其日益精密的制造需求。激光蝕刻技術(shù)，特別是先進(jìn)的皮秒激光蝕刻，以其非接觸、高精度、高靈活性和“冷加工”等優(yōu)勢

2025-08-27 15:21:50

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滾珠導(dǎo)軌如何定義半導(dǎo)體制造精度？

在半導(dǎo)體制造向“納米級工藝、微米級控制”加速演進(jìn)的背景下，滾珠導(dǎo)軌憑借其高剛性、低摩擦、高潔凈度等特性，成為晶圓傳輸、光刻對準(zhǔn)、蝕刻沉積等核心工藝設(shè)備中不可或缺的精密運(yùn)動載體。

2025-08-26 17:54:03

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從原材料選擇到制造工藝，車規(guī)鋁電容的品質(zhì)是如何鑄就的？

之路。 **一、原材料：品質(zhì)的根基** 1. 高純鋁箔的嚴(yán)選車規(guī)電容采用純度達(dá)99.99%以上的電子級鋁箔，雜質(zhì)含量需控制在ppm級別。日本JCC公司采用特殊蝕刻工藝使鋁箔表面積擴(kuò)大50-100倍，這種"隧道蝕刻"技術(shù)能顯著提升單位體積的電容

2025-08-13 15:32:03

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半導(dǎo)體封裝清洗工藝有哪些

半導(dǎo)體封裝過程中的清洗工藝是確保器件可靠性和性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，主要涉及去除污染物、改善表面狀態(tài)及為后續(xù)工藝做準(zhǔn)備。以下是主流的清洗技術(shù)及其應(yīng)用場景：一、按清洗介質(zhì)分類濕法清洗

2025-08-13 10:51:34

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半導(dǎo)體濕法工藝用高精度溫控器嗎

在半導(dǎo)體濕法工藝中，高精度溫控器是必需的關(guān)鍵設(shè)備，其應(yīng)用貫穿多個核心環(huán)節(jié)以確保工藝穩(wěn)定性和產(chǎn)品良率。以下是具體分析：一、為何需要高精度溫控？化學(xué)反應(yīng)速率控制濕法蝕刻、清洗等過程依賴化學(xué)液與材料

2025-08-12 11:23:14

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濕法蝕刻工藝與顯示檢測技術(shù)的協(xié)同創(chuàng)新

制造工藝的深刻理解，將濕法蝕刻這一關(guān)鍵技術(shù)與我們自主研發(fā)的高精度檢測系統(tǒng)相結(jié)合，為行業(yè)提供從工藝開發(fā)到量產(chǎn)管控的完整解決方案。濕法蝕刻工藝：高精度制造的核心技術(shù)M

2025-08-11 14:27:12

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微型導(dǎo)軌在半導(dǎo)體制造中有哪些高精密應(yīng)用場景？

微型導(dǎo)軌在半導(dǎo)體制造中用于晶圓對準(zhǔn)和定位系統(tǒng)，確保晶圓在光刻、蝕刻等工藝中精確移動。

2025-08-08 17:50:08

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DEXMET PFA延展過濾網(wǎng)：0.11mm精度重塑芯片制造過濾工藝

大連義邦的DEXMET PFA全氟過濾支撐網(wǎng)憑借高精度（0.11mm）、耐強(qiáng)腐蝕、低摩擦、自潤滑等特性，成為半導(dǎo)體制造（如光刻、蝕刻、CMP工藝）中提升過濾效率、保障芯片良率的關(guān)鍵材料之一，其獨(dú)家延展工藝和工業(yè)化量產(chǎn)能力在國際市場具有技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢。

2025-08-08 14:17:34

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3D 共聚焦顯微鏡 | 芯片制造光刻工藝的表征應(yīng)用

光刻工藝是芯片制造的關(guān)鍵步驟，其精度直接決定集成電路的性能與良率。隨著制程邁向3nm及以下，光刻膠圖案三維結(jié)構(gòu)和層間對準(zhǔn)精度的控制要求達(dá)納米級，傳統(tǒng)檢測手段難滿足需求。光子灣3D共聚焦顯微鏡憑借非

2025-08-05 17:46:43

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靠專利復(fù)合陽極箔蝕刻技術(shù)，冠坤臺系電容在車規(guī)領(lǐng)域擴(kuò)充容值密度的 “魔術(shù)師”

一背景下，冠坤電子憑借其專利復(fù)合陽極箔蝕刻技術(shù)，成功在車規(guī)電容領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了技術(shù)突破，成為提升容值密度的"魔術(shù)師"。冠坤電子的核心技術(shù)突破源于對陽極箔蝕刻工藝的深度創(chuàng)新。傳統(tǒng)鋁電解電容的陽極箔采用單一蝕刻技術(shù)，形

2025-08-05 17:05:20

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光阻去除屬于什么制程

光阻去除（即去膠工藝）屬于半導(dǎo)體制造中的光刻制程環(huán)節(jié)，是光刻技術(shù)流程中不可或缺的關(guān)鍵步驟。以下是其在整個制程中的定位和作用：1.在光刻工藝鏈中的位置典型光刻流程為：涂膠→軟烘→曝光→硬烘→顯影→后烘

2025-07-30 13:33:02

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半導(dǎo)體超聲波清洗機(jī) 芯矽科技

于：光刻工藝后清洗：去除光刻膠殘留及顯影液副產(chǎn)物?？涛g后清潔：清除蝕刻副產(chǎn)物及側(cè)壁顆粒。先進(jìn)封裝：TSV（硅通孔）、Bumping（凸點(diǎn)）等3D結(jié)構(gòu)的窄縫污染物清除。

2025-07-23 15:06:54

晶圓蝕刻擴(kuò)散工藝流程

晶圓蝕刻與擴(kuò)散是半導(dǎo)體制造中兩個關(guān)鍵工藝步驟，分別用于圖形化蝕刻和雜質(zhì)摻雜。以下是兩者的工藝流程、原理及技術(shù)要點(diǎn)的詳細(xì)介紹：一、晶圓蝕刻工藝流程1.蝕刻的目的圖形化轉(zhuǎn)移：將光刻膠圖案轉(zhuǎn)移到晶圓表面

2025-07-15 15:00:22

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晶圓蝕刻后的清洗方法有哪些

晶圓蝕刻后的清洗是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，旨在去除蝕刻殘留物（如光刻膠、蝕刻產(chǎn)物、污染物等），同時避免對晶圓表面或結(jié)構(gòu)造成損傷。以下是常見的清洗方法及其原理：一、濕法清洗1.溶劑清洗目的：去除光刻膠

2025-07-15 14:59:01

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晶圓清洗臺通風(fēng)櫥穩(wěn)定可靠

后續(xù)的光刻、蝕刻等關(guān)鍵步驟提供完美基底。而通風(fēng)櫥則是這一過程的“守護(hù)者”。從結(jié)構(gòu)上看，它具備合理的設(shè)計(jì)。外殼通常采用堅(jiān)固且耐腐蝕的材料，以應(yīng)對長期接觸各類化學(xué)試劑的

2025-06-30 13:58:12

半導(dǎo)體直冷機(jī)Chiller應(yīng)用場景與選購指南

、蝕刻、薄膜沉積等工序，每個環(huán)節(jié)均需準(zhǔn)確溫控。以下以典型場景為例，闡述半導(dǎo)體直冷機(jī)Chiller的技術(shù)需求與解決方案：1、光刻工藝中的溫度穩(wěn)定性保障光刻膠涂布與曝

2025-06-26 15:39:09

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FFC vs FPC 這對“排線兄弟”究竟有何不同？電子工程師必讀的深度解析！

。它使用光刻、蝕刻等PCB制造工藝，在柔性絕緣基材（通常是聚酰亞胺PI或PET）上蝕刻出銅導(dǎo)電線路圖形，并可以覆蓋保護(hù)層（覆蓋膜Coverlay也叫阻焊層Solder Mask）形成具有特定電路功能

2025-06-26 13:55:56

索尼FCB - ER8530助力，遠(yuǎn)程課堂開啟科技教學(xué)新篇

”。遠(yuǎn)程課堂教育常面臨復(fù)雜場景的挑戰(zhàn)：教室光線不均、板書細(xì)節(jié)模糊、學(xué)生互動難以捕捉……這些問題直接影響學(xué)習(xí)體驗(yàn)。索尼FCB-ER8530搭載的1/2.5英寸Exmor R CMOS傳感器，支持4K超高清分辨率，能夠清晰呈現(xiàn)黑板上的每一道公式、實(shí)驗(yàn)器材的細(xì)微結(jié)構(gòu)

2025-06-24 11:59:36

387

金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合物應(yīng)用及白光干涉儀在光刻圖形的測量

引言在半導(dǎo)體及微納制造領(lǐng)域，光刻膠剝離工藝對金屬結(jié)構(gòu)的保護(hù)至關(guān)重要。傳統(tǒng)剝離液易造成金屬過度蝕刻，影響器件性能。同時，光刻圖形的精確測量是保障工藝質(zhì)量的關(guān)鍵。本文將介紹金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合

2025-06-24 10:58:22

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硅熔融鍵合工藝概述

硅片鍵合作為微機(jī)械加工領(lǐng)域的核心技術(shù)，其工藝分類與應(yīng)用場景的精準(zhǔn)解析對行業(yè)實(shí)踐具有重要指導(dǎo)意義。

2025-06-20 16:09:02

1098

微加工激光蝕刻技術(shù)的基本原理及特點(diǎn)

特殊工藝(如高溫鍵合、濺射、電鍍等)形成金屬導(dǎo)電層(通常為銅箔)，并經(jīng)激光蝕刻、鉆孔等微加工技術(shù)制成精密電路的電子封裝核心材料。它兼具陶瓷的優(yōu)異物理特性和金屬的導(dǎo)電能力，是高端功率電子器件的關(guān)鍵載體。下面我們將通過基本原理及特性、工藝對比、工藝價值等方向進(jìn)行拓展。

2025-06-20 09:09:45

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MEMS制造領(lǐng)域中光刻Overlay的概念

在 MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）制造領(lǐng)域，光刻工藝是決定版圖中的圖案能否精確 “印刷” 到硅片上的核心環(huán)節(jié)。光刻 Overlay（套刻精度），則是衡量光刻機(jī)將不同層設(shè)計(jì)圖案對準(zhǔn)精度的關(guān)鍵指標(biāo)。光刻 Overlay 指的是芯片制造過程中，前后兩次光刻工藝形成的電路圖案之間的對準(zhǔn)精度。

2025-06-18 11:30:49

1557

預(yù)清洗機(jī) 多種工藝兼容

預(yù)清洗機(jī)（Pre-Cleaning System）是半導(dǎo)體制造前道工藝中的關(guān)鍵設(shè)備，用于在光刻、蝕刻、薄膜沉積等核心制程前，對晶圓、掩膜板、玻璃基板等精密部件進(jìn)行表面污染物（顆粒、有機(jī)物、金屬殘留等

2025-06-17 13:27:16

半導(dǎo)體藥液單元

半導(dǎo)體藥液單元（Chemical Delivery Unit, CDU）是半導(dǎo)體前道工藝（FEOL）中的關(guān)鍵設(shè)備，用于精準(zhǔn)分配、混合和回收高純化學(xué)試劑（如蝕刻液、清洗液、顯影液等），覆蓋光刻、蝕刻

2025-06-17 11:38:08

全自動mask掩膜板清洗機(jī)

一、產(chǎn)品概述全自動Mask掩膜板清洗機(jī)是半導(dǎo)體光刻工藝中用于清潔光罩（Reticle/Mask）表面的核心設(shè)備，主要去除光刻膠殘留、顆粒污染、金屬有機(jī)物沉積及蝕刻副產(chǎn)物。其技術(shù)覆蓋濕法化學(xué)清洗、兆

2025-06-17 11:06:03

一文詳解銅互連工藝

銅互連工藝是一種在集成電路制造中用于連接不同層電路的金屬互連技術(shù)，其核心在于通過“大馬士革”（Damascene）工藝實(shí)現(xiàn)銅的嵌入式填充。該工藝的基本原理是：在絕緣層上先蝕刻出溝槽或通孔，然后在溝槽或通孔中沉積銅，并通過化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）去除多余的銅，從而形成嵌入式的金屬線。

2025-06-16 16:02:02

3559

深視課堂丨三維激光輪廓測量儀的選型指南

2025-06-16 08:19:24

1121

光刻工藝中的顯影技術(shù)

一、光刻工藝概述光刻工藝是半導(dǎo)體制造的核心技術(shù)，通過光刻膠在特殊波長光線或者電子束下發(fā)生化學(xué)變化，再經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等工藝過程，將設(shè)計(jì)在掩膜上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，是現(xiàn)代半導(dǎo)體、微電子、信息產(chǎn)業(yè)

2025-06-09 15:51:16

2127

激光劃刻工藝革新：20.24%高效鈣鈦礦組件的長期穩(wěn)定性突破

，傳統(tǒng)組件制備中的激光劃刻工藝（尤其是P3頂電極隔離步驟）會引發(fā)鈣鈦礦材料熱降解，但機(jī)制不明。本文通過調(diào)控激光脈沖重疊度，結(jié)合美能鈣鈦礦在線PL測試機(jī)評估激光刻劃過程引起的材料缺陷和界面狀態(tài)

2025-06-06 09:02:54

926

光刻膠產(chǎn)業(yè)國內(nèi)發(fā)展現(xiàn)狀

，是指通過紫外光、深紫外光、電子束、離子束、X射線等光照或輻射，溶解度會發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料，是光刻工藝中的關(guān)鍵材料。從芯片生產(chǎn)的工藝流程上來說，光刻膠的應(yīng)用處于芯片設(shè)計(jì)、制造、封測當(dāng)中的制造環(huán)節(jié)，是芯片制造過程里光刻工

2025-06-04 13:22:51

992

MICRO OLED 金屬陽極像素制作工藝對晶圓 TTV 厚度的影響機(jī)制及測量優(yōu)化

與良品率，因此深入探究二者關(guān)系并優(yōu)化測量方法意義重大。影響機(jī)制工藝應(yīng)力引發(fā)變形在金屬陽極像素制作時，諸如光刻、蝕刻、金屬沉積等步驟會引入工藝應(yīng)力。光刻中，光刻膠的涂覆與曝光過程會因光刻膠固化收縮產(chǎn)生應(yīng)力。蝕刻階段，蝕刻氣體或液體對晶圓表面的作用若不均

2025-05-29 09:43:43

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風(fēng)華貼片電感的標(biāo)準(zhǔn)分類體系

的立體化分類框架。一、結(jié)構(gòu)形態(tài)分類：工藝差異驅(qū)動產(chǎn)品迭代風(fēng)華貼片電感的核心分類維度之一是結(jié)構(gòu)形態(tài)，該維度直接決定了產(chǎn)品的電氣性能與制造工藝。根據(jù)線圈繞制方式與磁芯材質(zhì)的不同，產(chǎn)品可分為三大類：片式疊層電感采用

2025-05-19 14:04:44

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雷曼光電助力高校打造智慧課堂新體驗(yàn)

在萬物智聯(lián)的當(dāng)代，全球教育系統(tǒng)正經(jīng)歷顛覆性沖擊。從傳統(tǒng)課堂的“黑板+粉筆”到智能設(shè)備的“大屏+算法”，教育場景的底層邏輯被徹底改寫。

2025-05-14 12:07:15

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智慧教室的技術(shù)對課堂教學(xué)效率的影響與改變

在現(xiàn)代教育改革的背景下，智慧教室的建設(shè)越來越受到重視。廣凌科技（廣凌股份）的智慧教室解決方案，通過先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)備，為課堂教學(xué)帶來了顯著的效率提升和全新改變。以下將探討這些技術(shù)如何有效提升課堂教學(xué)效率，并增強(qiáng)學(xué)習(xí)體驗(yàn)。

2025-05-08 10:13:24

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課堂智能打卡系統(tǒng)芯片選擇

2025-05-07 17:30:49

PanDao：光學(xué)設(shè)計(jì)中的制造風(fēng)險(xiǎn)管理

（“-”）特性基于上述分析，可依據(jù)磨損機(jī)制類型及其所涉及的磨損過程組合，對現(xiàn)有的11種拋光技術(shù)進(jìn)行分類（詳見表3）。表3.光學(xué)拋光技術(shù)的分類 4.光學(xué)元件與制造技術(shù)的匹配通過綜合考慮光學(xué)元件的四大關(guān)鍵特性

2025-05-07 09:01:47

PanDao：光學(xué)制造過程建模

種分類機(jī)制中，我們可以建立所有現(xiàn)有的平滑過程，從而更好地理解現(xiàn)有的約400種OFT，例如：進(jìn)給拋光（=a+c）、延展磨削（=B）、化學(xué)蝕刻（=c）、浮動拋光（= B + c）、MRF（=B+ c

2025-05-07 08:54:01

質(zhì)量流量控制器在薄膜沉積工藝中的應(yīng)用

聽上去很高大上的“薄膜沉積”到底是什么？簡單來說：薄膜沉積就是幫芯片“貼膜”的。薄膜沉積（Thin Film Deposition）是在半導(dǎo)體的主要襯底材料上鍍一層膜，再配合蝕刻和拋光等工藝

2025-04-16 14:25:09

1064

晶圓高溫清洗蝕刻工藝介紹

晶圓高溫清洗蝕刻工藝是半導(dǎo)體制造過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對于確保芯片的性能和質(zhì)量至關(guān)重要。為此，在目前市場需求的增長情況下，我們來給大家介紹一下詳情。一、工藝原理清洗原理高溫清洗利用物理和化學(xué)的作用

2025-04-15 10:01:33

1097

我國成功研制出全球首臺193納米緊湊型固態(tài)激光器

的功耗，為系統(tǒng)小型化發(fā)展提供了可能。據(jù)《Advanced Photonics Nexus》報(bào)道，中國科學(xué)院研究團(tuán)隊(duì)取得重要突破，成功研制出可產(chǎn)生193納米相干光的緊湊型全固態(tài)激光系統(tǒng)。該波長對于光刻工藝至關(guān)重要，該工藝通過在硅晶圓上蝕刻復(fù)雜電路圖案，

2025-04-11 06:26:07

651

一文搞懂波峰焊工藝及缺陷預(yù)防

口的“腔體”，窄長的腔體能吹出熱氣流，猶如刀狀，因此被稱為“熱風(fēng)刀”。 4、焊料純度在波峰焊接過程中，焊料的雜質(zhì)主要來源于PCB上焊盤的銅浸析。過量的銅會導(dǎo)致焊接缺陷增加。 5、助焊劑助焊劑是在焊接過程

2025-04-09 14:44:46

【「芯片通識課：一本書讀懂芯片技術(shù)」閱讀體驗(yàn)】芯片怎樣制造

。光刻工藝、刻蝕工藝在芯片制造過程中，光刻工藝和刻蝕工藝用于在某個半導(dǎo)體材料或介質(zhì)材料層上，按照光掩膜版上的圖形，“刻制”出材料層的圖形。首先準(zhǔn)備好硅片和光掩膜版，然后再硅片表面上通過薄膜工藝生成一

2025-04-02 15:59:44

【「芯片通識課：一本書讀懂芯片技術(shù)」閱讀體驗(yàn)】了解芯片怎樣制造

，三合一工藝平臺，CMOS圖像傳感器工藝平臺，微電機(jī)系統(tǒng)工藝平臺。光掩模版:基板，不透光材料光刻膠:感光樹脂，增感劑，溶劑。正性和負(fù)性。光刻工藝: 涂光刻膠。掩模版向下曝光。定影和后烘固化蝕刻工藝

2025-03-27 16:38:20

光刻工藝的主要流程和關(guān)鍵指標(biāo)

光刻工藝貫穿整個芯片制造流程的多次重復(fù)轉(zhuǎn)印環(huán)節(jié)，對于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導(dǎo)體制造工藝演進(jìn)，對光刻分辨率、套準(zhǔn)精度和可靠性的要求持續(xù)攀升，光刻技術(shù)也將不斷演化，支持更為先進(jìn)的制程與更復(fù)雜的器件設(shè)計(jì)。

2025-03-27 09:21:33

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從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)，一塊高質(zhì)量PCB的誕生之旅

采用LDI（激光直接成像）技術(shù)，實(shí)現(xiàn)3mil線寬線距的精密線路，確保高密度HDI板的信號完整性。經(jīng)過蝕刻工藝去除多余銅箔，確保線路清晰、無毛刺。 2. 層壓工藝（壓合）采用高TG FR4

2025-03-20 15:41:22

531

N型單晶硅制備過程中拉晶工藝對氧含量的影響

本文介紹了N型單晶硅制備過程中拉晶工藝對氧含量的影響。

2025-03-18 16:46:21

1309

半導(dǎo)體材料介紹 | 光刻膠及生產(chǎn)工藝重點(diǎn)企業(yè)

體。在光刻工藝過程中，用作抗腐蝕涂層材料。半導(dǎo)體材料在表面加工時，若采用適當(dāng)?shù)挠羞x擇性的光刻膠，可在表面上得到所需的圖像。光刻膠按其形成的圖像分類有正性、負(fù)性兩大類

2025-03-18 13:59:53

3008

什么是高選擇性蝕刻

華林科納半導(dǎo)體高選擇性蝕刻是指在半導(dǎo)體制造等精密加工中，通過化學(xué)或物理手段實(shí)現(xiàn)目標(biāo)材料與非目標(biāo)材料刻蝕速率的顯著差異，從而精準(zhǔn)去除指定材料并保護(hù)其他結(jié)構(gòu)的工藝技術(shù)?。其核心在于通過工藝優(yōu)化控制

2025-03-12 17:02:49

809

紫外激光器在各種PCB材料中的應(yīng)用

應(yīng)用的理想選擇，從生產(chǎn)基本的電路板，電路布線，到生產(chǎn)袖珍型嵌入式芯片等高級工藝都通用。應(yīng)用1.表面蝕刻/電路生產(chǎn) 紫外激光器在生產(chǎn)電路時工作迅速，數(shù)分鐘就能將表面圖樣蝕刻在電路板上。這使得紫外激光器成為生產(chǎn)PCB樣品的快方法。

2025-03-07 06:18:46

677

微流控勻膠過程簡述

勻膠機(jī)的基本原理和工作方式勻膠機(jī)是一種利用離心力原理，將膠液均勻涂覆在基片上的設(shè)備。其基本工作原理是通過程序調(diào)控旋轉(zhuǎn)速度來改變離心力大小，并利用滴膠裝置控制膠液流量，從而確保制備出的薄膜具有

2025-03-06 13:34:21

678

等離子體蝕刻工藝對集成電路可靠性的影響

隨著集成電路特征尺寸的縮小，工藝窗口變小，可靠性成為更難兼顧的因素，設(shè)計(jì)上的改善對于優(yōu)化可靠性至關(guān)重要。本文介紹了等離子刻蝕對高能量電子和空穴注入柵氧化層、負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性、等離子體誘發(fā)損傷、應(yīng)力遷移等問題的影響，從而影響集成電路可靠性。

2025-03-01 15:58:15

1548

想做好 PCB 板蝕刻？先搞懂這些影響因素

影響 PCB 板蝕刻的因素電路板從發(fā)光板轉(zhuǎn)變?yōu)轱@示電路圖的過程頗為復(fù)雜。當(dāng)前，電路板加工典型采用 “圖形電鍍法”，即在電路板外層需保留的銅箔部分（即電路圖形部分），預(yù)先涂覆一層鉛錫耐腐蝕層，隨后

2025-02-27 16:35:58

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鉻板掩膜和光刻掩膜的區(qū)別

，光掩膜版的市場需求也在快速增長。掩膜版，也稱為光掩膜基版或光罩，是微電子制造過程中的圖形轉(zhuǎn)移工具或母版，是承載圖形設(shè)計(jì)和工藝技術(shù)等知識產(chǎn)權(quán)信息的載體。在光刻過程中，掩膜版起到設(shè)計(jì)圖形的載體作用。通過光刻工

2025-02-19 16:33:12

1047

科普小課堂：噪聲是什么，你“噪”嗎？

噪聲是什么？納祥科技科普小課堂Hey，各位音頻發(fā)燒友們當(dāng)我們沉醉于視聽世界里震撼的音效時又是否深入了解過噪聲是什么今天，讓我們一起揭開噪聲的神秘面紗探尋音頻世界的無窮魅力！在音頻世界里，噪聲的簡單

2025-02-05 17:29:51

2335

芯片制造:光刻工藝原理與流程

光刻是芯片制造過程中至關(guān)重要的一步，它定義了芯片上的各種微細(xì)圖案，并且要求極高的精度。以下是光刻過程的詳細(xì)介紹，包括原理和具體步驟。?? 光刻原理?????? 光刻的核心工具包括光掩膜、光刻機(jī)

2025-01-28 16:36:00

3591

深入探討 PCB 制造技術(shù)：化學(xué)蝕刻

作者：Jake Hertz 在眾多可用的 PCB 制造方法中，化學(xué)蝕刻仍然是行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。蝕刻以其精度和可擴(kuò)展性而聞名，它提供了一種創(chuàng)建詳細(xì)電路圖案的可靠方法。在本博客中，我們將詳細(xì)探討化學(xué)蝕刻工藝及其

2025-01-25 15:09:00

1517

制作金屬電極的過程

在完成選擇性氧化制程后，通常會將蝕刻后殘留在磊晶片表面繼續(xù)作為氧化制程保護(hù)層的?SiO2或?SiNx以RIE?蝕刻去除，然后再將樣品放入?PECVD?重新成長??SiO2或?SiNx表面披覆

2025-01-24 10:59:29

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選擇性激光蝕刻中蝕刻劑對玻璃通孔錐角和選擇性有什么影響

近來，為提高IC芯片性能，倒裝芯片鍵合被廣泛采用。要實(shí)現(xiàn)倒裝芯片鍵合，需要大量的通孔。因此，硅通孔（TSV）被應(yīng)用。然而，硅有幾個缺點(diǎn)，例如其價格相對較高以及在高射頻下會產(chǎn)生電噪聲。另一方面，玻璃具有適合用作中介層材料的獨(dú)特性質(zhì)，即低介電常數(shù)、高透明度和可調(diào)節(jié)的熱膨脹系數(shù)。由于其介電常數(shù)低，可避免信號噪聲；由于其透明度，可輕松實(shí)現(xiàn)三維對準(zhǔn)；由于其熱膨脹可與Si晶片匹配，可防止翹曲。因此，玻璃通孔（TGV ）正成為

2025-01-23 11:11:15

1240

蝕刻基礎(chǔ)知識

制作氧化局限面射型雷射與蝕刻空氣柱狀結(jié)構(gòu)一樣都需要先將磊晶片進(jìn)行蝕刻，以便暴露出側(cè)向蝕刻表面（etched sidewall）提供增益波導(dǎo)或折射率波導(dǎo)效果，同時靠近活性層的高鋁含量砷化鋁鎵層也才

2025-01-22 14:23:49

1621

干法刻蝕的概念、碳硅反應(yīng)離子刻蝕以及ICP的應(yīng)用

碳化硅（SiC）作為一種高性能材料，在大功率器件、高溫器件和發(fā)光二極管等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。其中，基于等離子體的干法蝕刻在SiC的圖案化及電子器件制造中起到了關(guān)鍵作用，本文將介紹干法刻蝕的概念、碳硅

2025-01-22 10:59:23

2668

調(diào)制方式的分類與比較

調(diào)制是通信系統(tǒng)中的一個關(guān)鍵過程，它涉及將信息信號（如音頻、視頻或數(shù)據(jù)）轉(zhuǎn)換為適合在通信信道中傳輸?shù)男问?。調(diào)制方式可以根據(jù)不同的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行分類，例如調(diào)制信號的類型（模擬或數(shù)字）、調(diào)制信號的參數(shù)（幅度

2025-01-21 09:16:03

3226

荷蘭政府加強(qiáng)半導(dǎo)體設(shè)備出口管制，確保技術(shù)安全！

口管制措施主要針對數(shù)量“非常有限”的先進(jìn)技術(shù)。具體而言，這些技術(shù)涉及測量和檢測設(shè)備，特別是用于檢測晶圓微小缺陷的技術(shù)，以及改進(jìn)沉積和蝕刻工藝的設(shè)備。荷蘭貿(mào)易部發(fā)言人在

2025-01-17 11:38:12

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三星電機(jī)與 Soulbrain 合作開發(fā)用于 AI 半導(dǎo)體的玻璃基板

2027 年大規(guī)模生產(chǎn)這些基板，從而擴(kuò)大三星電機(jī)的供應(yīng)鏈生態(tài)系統(tǒng)。兩家公司已開始研究用于制造玻璃基板的蝕刻溶液。這些解決方案對于在玻璃上鉆細(xì)孔和去除加工過程中產(chǎn)生的雜質(zhì)至關(guān)重要。Soulbrain是韓國最大的IT設(shè)備化學(xué)材料公司，擁有為三星顯示器提供OLED工藝蝕刻解決方

2025-01-16 11:29:51

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CJT長江連接器小課堂開課啦！

在長江連接器小課堂，工程課長尹志鵬第開課內(nèi)容小結(jié)。主要講解長江連接器分類及產(chǎn)品相關(guān)材料內(nèi)容解析。?一、連接器分類?高速連接器?：適用于高速信號傳輸，具有優(yōu)異的電氣性能和信號完整性。?航空連接器

2025-01-10 16:40:40

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芯片制造的7個前道工藝

。這一精密而復(fù)雜的流程主要包括以下幾個工藝過程：晶圓制造工藝、熱工藝、光刻工藝、刻蝕工藝、離子注入工藝、薄膜淀積工藝、化學(xué)機(jī)械拋光工藝。 ? ? ? 晶圓制造工藝晶圓制造工藝包括單晶生長、晶片切割和晶圓清洗。 ? 半導(dǎo)

2025-01-08 11:48:34

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焊接工藝過程監(jiān)測器的應(yīng)用與優(yōu)化

焊接工藝在現(xiàn)代制造業(yè)中扮演著至關(guān)重要的角色，其質(zhì)量直接影響到最終產(chǎn)品的性能和壽命。為了確保焊接過程的穩(wěn)定性和可靠性，焊接工藝過程監(jiān)測技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，并逐漸成為提高焊接質(zhì)量和生產(chǎn)效率的關(guān)鍵手段之一。本文

2025-01-07 11:40:58

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