采用的是超級(jí)結(jié)工藝。超級(jí)結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開發(fā)的,用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級(jí)結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻,并提高M(jìn)OS管開關(guān)速度,基于該技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。
2026-01-05 06:12:51
三環(huán)陶瓷電容的生產(chǎn)工藝對(duì)性能穩(wěn)定性影響顯著 ,其通過材料優(yōu)化、工藝控制及設(shè)計(jì)改進(jìn),有效提升了電容在溫度、電壓、機(jī)械應(yīng)力及長(zhǎng)期使用中的穩(wěn)定性,具體體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面: 一、材料優(yōu)化奠定穩(wěn)定性基礎(chǔ) 三環(huán)
2025-12-23 16:39:31
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晶圓去膠后的清洗與干燥工藝是半導(dǎo)體制造中保障良率和可靠性的核心環(huán)節(jié),需結(jié)合化學(xué)、物理及先進(jìn)材料技術(shù)實(shí)現(xiàn)納米級(jí)潔凈度。以下是當(dāng)前主流的工藝流程:一、清洗工藝多階段化學(xué)清洗SC-1溶液(NH?OH+H
2025-12-23 10:22:11
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合金電阻在電子設(shè)備中扮演著關(guān)鍵角色,其性能優(yōu)劣直接關(guān)乎電子設(shè)備的整體運(yùn)行效果。而生產(chǎn)工藝作為決定合金電阻性能的核心要素,從多個(gè)方面塑造著電阻的特性。
2025-12-15 15:16:38
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SPM(硫酸-過氧化氫混合液)清洗是半導(dǎo)體制造中關(guān)鍵的濕法清洗工藝,主要用于去除晶圓表面的有機(jī)物、光刻膠殘留及金屬污染。以下是SPM清洗的標(biāo)準(zhǔn)化步驟及技術(shù)要點(diǎn):一、溶液配制配比與成分典型體積比
2025-12-15 13:23:26
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SPM(SulfuricPeroxideMixture,硫酸-過氧化氫混合液)作為一種高效強(qiáng)氧化性清洗劑,在工業(yè)清洗中應(yīng)用廣泛,以下是其主要應(yīng)用場(chǎng)景及技術(shù)特點(diǎn)的綜合分析:1.半導(dǎo)體制造中的核心應(yīng)用光
2025-12-15 13:20:31
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。 一、沉金工藝的“金”從何而來? 答案:是黃金,但比你想象的更?。?沉金工藝全稱 “化學(xué)鍍鎳浸金”(ENIG),其核心是在 PCB 表面沉積一層極薄的金屬層,具體分 為兩步: 化學(xué)鍍鎳:在銅焊盤上覆蓋一層 5-8 微米的鎳層,防止銅氧化; 浸
2025-12-04 16:18:24
858 要素的解析: 一、核心化學(xué)溶液體系 SPM(硫酸/雙氧水混合液) 作用 :通過強(qiáng)氧化性分解有機(jī)物(如光刻膠殘留),并去除金屬雜質(zhì)。 典型配比 :濃硫酸與雙氧水按7:3體積比混合,高溫(100~150℃)下反應(yīng)生成過氧酸,增強(qiáng)氧化能力
2025-11-24 15:07:29
283 棕化工藝對(duì)PCB成本的影響主要體現(xiàn)在材料、廢液處理及生產(chǎn)效率三個(gè)方面,其成本占比雖不直接構(gòu)成PCB總成本的主要部分,但通過優(yōu)化工藝可顯著降低隱性支出?。 材料與藥水成本 棕化工藝需使用化學(xué)藥液(如
2025-11-18 10:56:02
235 大家好!疊層固態(tài)電容工藝相比傳統(tǒng)的電容工藝,在響應(yīng)速度上具體快在哪里?
2025-11-15 10:03:31
半導(dǎo)體清洗中SPM(硫酸-過氧化氫混合液)的最佳使用溫度需根據(jù)具體工藝目標(biāo)、污染物類型及設(shè)備條件綜合確定,以下是關(guān)鍵分析: 高溫場(chǎng)景(120–150℃) 適用場(chǎng)景:主要用于光刻膠剝離、重度有機(jī)污染
2025-11-11 10:32:03
253 配方:適用于大多數(shù)金屬(如鋁、銅、鎳)。例如,用濃度5%~10%的HCl溶液可有效溶解鋁層,反應(yīng)生成可溶性氯化鋁絡(luò)合物。若添加雙氧水(H?O?)作為氧化劑,能加速金
2025-10-28 11:52:04
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濃度升高,不僅降低對(duì)新硅片的清洗效果,還可能因飽和而析出沉淀,造成二次污染。例如,溶解的銅離子若達(dá)到一定濃度后,反而可能重新附著在晶圓表面形成缺陷。過氧化氫分解產(chǎn)物
2025-10-20 11:21:54
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選擇合適的SC1溶液清洗硅片需要綜合考慮多個(gè)因素,以下是具體的方法和要點(diǎn):明確污染物類型與污染程度有機(jī)物污染為主時(shí):如果硅片表面主要是光刻膠、油脂等有機(jī)污染物,應(yīng)適當(dāng)增加過氧化氫(H?O?)的比例
2025-10-20 11:18:44
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)、高壓噴淋(360°表面沖洗)及化學(xué)試劑反應(yīng)(如RCA標(biāo)準(zhǔn)溶液、稀氫氟酸或硫酸雙氧水),實(shí)現(xiàn)對(duì)不同類型污染物的針對(duì)性去除。例如,兆聲波清洗可處理亞微米級(jí)顆粒,而化學(xué)液則分解金屬離子或氧化層; 雙流體旋轉(zhuǎn)噴射:采用氣體
2025-10-14 11:50:19
230 陶瓷管殼制造工藝中的缺陷主要源于材料特性和工藝控制的復(fù)雜性。在原材料階段,氧化鋁或氮化鋁粉體的粒徑分布不均會(huì)導(dǎo)致燒結(jié)體密度差異,形成顯微裂紋或孔隙;而金屬化層與陶瓷基體的熱膨脹系數(shù)失配,則會(huì)在高溫循環(huán)中引發(fā)界面剝離。
2025-10-13 15:29:54
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SC-1和SC-2可以一起使用,但需遵循特定的順序和工藝條件。以下是其協(xié)同應(yīng)用的具體說明:分步實(shí)施的邏輯基礎(chǔ)SC-1的核心作用:由氨水(NH?OH)、過氧化氫(H?O?)和水組成,主要去除硅片表面
2025-10-13 10:57:04
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半導(dǎo)體金屬腐蝕工藝是集成電路制造中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),涉及精密的材料去除與表面改性技術(shù)。以下是該工藝的核心要點(diǎn)及其實(shí)現(xiàn)方式:一、基礎(chǔ)原理與化學(xué)反應(yīng)體系金屬腐蝕本質(zhì)上是一種受控的氧化還原反應(yīng)過程。常用酸性溶液
2025-09-25 13:59:25
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溶液處理負(fù)性膠時(shí)溶解效率低),可能導(dǎo)致分解反應(yīng)停滯,留下未反應(yīng)的聚合物碎片。例如,某些強(qiáng)氧化體系(如硫酸-雙氧水混合液)在碳化嚴(yán)重的區(qū)域難以徹底氧化有機(jī)物,形成難溶
2025-09-23 11:10:12
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燒結(jié)銅在工藝上的優(yōu)勢(shì)集中于三方面:一是兼容現(xiàn)有銀燒結(jié)產(chǎn)線,僅需升級(jí)氣氛控制系統(tǒng),大幅降低設(shè)備改造成本與技術(shù)轉(zhuǎn)換風(fēng)險(xiǎn);二是工藝條件持續(xù)優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)低溫?zé)o壓燒結(jié)與簡(jiǎn)化防氧化流程,提升批量生產(chǎn)穩(wěn)定性;三是
2025-09-22 10:22:26
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冷凝管作為制冷系統(tǒng)的核心組件,其焊接質(zhì)量直接影響設(shè)備的換熱效率和使用壽命。激光焊接技術(shù)憑借其高精度、低熱輸入和自動(dòng)化程度高等特點(diǎn),已成為冷凝管生產(chǎn)工藝中的重要技術(shù)手段。下面來看看激光焊接技術(shù)在焊接
2025-09-11 16:06:44
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半導(dǎo)體RCA清洗工藝中使用的主要藥液包括以下幾種,每種均針對(duì)特定類型的污染物設(shè)計(jì),并通過化學(xué)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)高效清潔:SC-1(堿性清洗液)成分組成:由氫氧化銨(NH?OH)、過氧化氫(H?O?)和去離子水
2025-09-11 11:19:13
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,對(duì)頑固性交聯(lián)結(jié)構(gòu)可采用混合酸(如硫酸+雙氧水)增強(qiáng)氧化分解能力,而敏感金屬層則優(yōu)先選用中性緩沖氧化物蝕刻液(BOE)。通過在線pH計(jì)監(jiān)測(cè)反應(yīng)活性,自動(dòng)補(bǔ)液維持有
2025-09-09 11:29:06
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集成電路采用LOCOS(Local Oxidation of Silicon)工藝時(shí)會(huì)出現(xiàn)“鳥喙效應(yīng)”(bird beak),這是一種在氧化硅生長(zhǎng)過程中,由于氧化物側(cè)向擴(kuò)展引起的現(xiàn)象。
2025-09-08 09:42:27
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溶液體系。隨后用去離子水(DIW)噴淋沖洗,配合氮?dú)鈽尨祾弑砻嬉匀コ軇┖圹E,完成基礎(chǔ)脫脂操作。標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗協(xié)議實(shí)施第一步:堿性過氧化氫混合液處理(SC-1)配
2025-09-03 10:05:38
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過氧化氫(H2O2)是重要大宗化學(xué)品,在化工、醫(yī)療、能源、半導(dǎo)體和環(huán)保等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,但其工業(yè)主要生產(chǎn)方法為蒽醌法,安全風(fēng)險(xiǎn)和環(huán)保壓力大,開發(fā)綠色安全的H2O2綠色生產(chǎn)工藝是工業(yè)亟需,針對(duì)以上困局,作者前期提出了無催化劑光合成H2O2新方案,即室溫條件下光子激發(fā)有機(jī)物,有機(jī)物
2025-09-02 09:30:14
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逐漸被消耗或污染(如反應(yīng)產(chǎn)物積累、雜質(zhì)融入),導(dǎo)致尾片所處的液體環(huán)境成分發(fā)生變化。例如,在RCA清洗中,SC-1溶液中的雙氧水因持續(xù)反應(yīng)而濃度降低,減弱了對(duì)顆粒物的
2025-09-01 11:30:07
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通過電化學(xué)作用使顆粒與基底脫離;同時(shí)增強(qiáng)對(duì)有機(jī)物的溶解能力124。過氧化氫(H?O?):一種強(qiáng)氧化劑,可將碳化硅表面的顆粒和有機(jī)物氧化為水溶性化合物,便于后續(xù)沖洗
2025-08-26 13:34:36
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AI 在汽車制造工藝優(yōu)化和設(shè)備管理系統(tǒng)中的應(yīng)用已成效顯著,從提升產(chǎn)品質(zhì)量、提高生產(chǎn)效率,到降低成本、增強(qiáng)企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力,AI 正深刻改變行業(yè)格局。隨著技術(shù)不斷成熟,AI 將在汽車制造領(lǐng)域發(fā)揮更大作用,推動(dòng)行業(yè)向智能化、綠色化、高效化持續(xù)邁進(jìn)。
2025-08-25 10:55:28
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對(duì)晶閘管開關(guān)的生產(chǎn)工藝的不斷的優(yōu)化、對(duì)電機(jī)的智能安康系統(tǒng)的高效的應(yīng)用以及對(duì)線纜的在線的故障的預(yù)警和精準(zhǔn)的定位系統(tǒng)的應(yīng)用等三個(gè)核心的領(lǐng)域都做了比較深入的探討和了的研究。 采用對(duì)產(chǎn)品的精心的制造和對(duì)核心產(chǎn)品的嚴(yán)格的手
2025-08-21 15:07:11
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主要內(nèi)容
1.柔性板材料組成介紹
2.柔性板制程能力
4.柔性板補(bǔ)強(qiáng)設(shè)計(jì)
5.柔性板生產(chǎn)工藝流程
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2025-08-20 17:50:13
的相互作用,而反應(yīng)速度直接受溫度影響。例如:高溫加速反應(yīng)(如硫酸+雙氧水混合液在80℃下快速剝離光刻膠);低溫導(dǎo)致反應(yīng)滯后或不徹底,造成殘留物污染后續(xù)工序。溫度波動(dòng)±1
2025-08-12 11:23:14
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半加成法雙面 PCB 工藝具有很強(qiáng)的代表性,其他類型的 PCB 工藝可參考該工藝,并通過對(duì)部分工藝步驟和方法進(jìn)行調(diào)整而得到。下面以半加成法雙面 PCB 工藝為基礎(chǔ)展開詳細(xì)說明。其具體制作工藝,尤其是孔金屬化環(huán)節(jié),存在多種方法。
2025-08-12 10:55:33
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鋰離子電池作為新能源領(lǐng)域的核心技術(shù),其生產(chǎn)工藝的精細(xì)化與創(chuàng)新能力直接決定了電池的性能、成本與安全性。本文系統(tǒng)梳理了從電極制備到電芯終檢的全流程技術(shù)。鋰離子電池電芯生產(chǎn)分為三大環(huán)節(jié):電極制造、電芯裝配
2025-08-11 14:54:04
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在新能源產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的背景下,鋰電池能量密度與循環(huán)壽命的提升成為行業(yè)核心訴求,而化成工序作為電芯性能定型的關(guān)鍵環(huán)節(jié),其工藝精度直接決定電池最終品質(zhì)。在鋰電池生產(chǎn)工藝中,化成是后段工序的核心環(huán)節(jié),處于
2025-08-11 14:53:07
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在鋰電池生產(chǎn)的電芯精加工環(huán)節(jié)中,老化是一項(xiàng)關(guān)鍵工藝,其核心目標(biāo)是通過特定環(huán)境下的靜置或處理,進(jìn)一步穩(wěn)定電芯性能、暴露潛在缺陷,并為后續(xù)的分容、檢測(cè)等步驟奠定基礎(chǔ)。通過調(diào)控電化學(xué)界面演化與內(nèi)部缺陷顯現(xiàn)
2025-08-11 14:52:50
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工藝等多種類型。部分工藝需根據(jù)2.5D/3D封裝的特定要求進(jìn)一步發(fā)展,例如3D封裝中的引線鍵合技術(shù),對(duì)線弧高度、焊點(diǎn)尺寸等有了更高標(biāo)準(zhǔn),需要工藝上的改良與創(chuàng)新。除TSV工藝外,本書已對(duì)多數(shù)相關(guān)技術(shù)進(jìn)行過介紹,受篇幅限制,本章僅重點(diǎn)講解TSV工藝技術(shù)。
2025-08-05 15:03:08
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在新能源行業(yè)飛速發(fā)展的今天,產(chǎn)品更新迭代的的速度越來越快,制作工藝的要求也越來越高。市場(chǎng)要求我們“快速上線、高效生產(chǎn)”,那我們?nèi)绾尾拍茏屩圃炝鞒讨械?b class="flag-6" style="color: red">工藝環(huán)節(jié)變得更智能,更高效?
2025-07-30 10:18:38
891 易剝離UV膠以其3秒固化、1秒剝離的獨(dú)特性能,革新了電子制造、光學(xué)器件、半導(dǎo)體封裝等多個(gè)行業(yè)的生產(chǎn)工藝,提升了效率、降低了成本,并促進(jìn)了綠色制造的發(fā)展。
2025-07-25 17:17:32
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在現(xiàn)代工業(yè)制造領(lǐng)域,風(fēng)機(jī)閥門的密封性、耐久性及精度直接關(guān)系到設(shè)備運(yùn)行效率與安全性。激光焊接技術(shù)憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),正逐步重塑這一關(guān)鍵部件的生產(chǎn)工藝,成為高端閥門制造的創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)力。下面來看看激光焊接技術(shù)
2025-07-24 16:46:14
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晶圓清洗工藝是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟,用于去除晶圓表面的污染物(如顆粒、有機(jī)物、金屬離子和氧化物),確保后續(xù)工藝(如光刻、沉積、刻蝕)的良率和器件性能。根據(jù)清洗介質(zhì)、工藝原理和設(shè)備類型的不同,晶圓
2025-07-23 14:32:16
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摘 要:針對(duì)小型電機(jī)定、轉(zhuǎn)子沖壓零件批量大,尺寸、形位公差要求高,分析了零件的材料、結(jié)構(gòu)、精度和其他方面的工藝性,設(shè)計(jì)了合理的沖壓工藝及7個(gè)工步的模具結(jié)構(gòu)。分析了沖壓生產(chǎn)中轉(zhuǎn)子零件可能產(chǎn)生的平面度
2025-07-16 18:54:50
石英晶體:晶振的核心基石 晶振的核心是石英晶體,其主要成分是二氧化硅(SiO?),這種在自然界廣泛存在于巖漿巖、變質(zhì)巖、沉積巖和熱液脈體中的氧化物礦物,是重要造巖礦物和巖石圈的重要組成部分。石英晶體
2025-07-16 09:45:54
550 ?MOSFET的參數(shù)性能是選型的關(guān)鍵,而決定其性能的是關(guān)鍵工藝參數(shù)調(diào)控。作為國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè),合科泰深入平面與溝槽等工藝的協(xié)同,致力于在氧化層厚度、溝道長(zhǎng)度和摻雜濃度等核心參數(shù)上突破。如今,合科泰的MOS管被廣泛地應(yīng)用在汽車電子、消費(fèi)電子當(dāng)中。
2025-07-10 17:34:34
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在PCB(印刷電路板)制造過程中,銅箔因長(zhǎng)期暴露在空氣中極易氧化,這會(huì)嚴(yán)重影響PCB的可焊性與電性能。因此,表面處理工藝在PCB生產(chǎn)中扮演著至關(guān)重要的角色。下面將詳細(xì)介紹幾種常見的PCB表面處理工藝
2025-07-09 15:09:49
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金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)、雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(DMOS)三種器件集成在同一芯片上。結(jié)合雙極晶體管的高驅(qū)動(dòng)能力、CMOS的高集成度與低功耗,以及DMOS的高壓大電流特性,能夠降低芯片面積,提高性能。 ? BCD工藝由意法半導(dǎo)體于1985年首次推出,當(dāng)時(shí)的工藝節(jié)點(diǎn)為4微米,電壓能力
2025-07-05 00:06:00
9032 經(jīng)過一年多的籌備工作,深圳特檢院專家多次蒞臨生產(chǎn)制作基地對(duì)生產(chǎn)工藝的進(jìn)行嚴(yán)苛檢測(cè)與長(zhǎng)達(dá)三天的現(xiàn)場(chǎng)資料資質(zhì)評(píng)審。
2025-06-28 16:08:15
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2025-06-24 14:10:50
氧化硅薄膜和氮化硅薄膜是兩種在CMOS工藝中廣泛使用的介電層薄膜。
2025-06-24 09:15:23
1750 
兼容、元件布局不合理等,并及時(shí)與客戶溝通解決。
如下圖資料異常
生產(chǎn)資料的評(píng)估
制造指示文件編制:
根據(jù)產(chǎn)品設(shè)計(jì)要求、生產(chǎn)工藝條件以及與客戶溝通確認(rèn)后的結(jié)果,編寫詳細(xì)且準(zhǔn)確的制造指示(MI)文件
2025-06-23 15:53:51
的工藝應(yīng)用。 激光焊接技術(shù)在焊接空調(diào)閥的工藝應(yīng)用優(yōu)勢(shì): 1.精準(zhǔn)熱控制與低變形, 激光焊接通過微米級(jí)光斑實(shí)現(xiàn)局部能量聚焦,顯著降低熱影響區(qū)范圍,尤其適用于銅鋁異種材料的連接,避免傳統(tǒng)焊接中因高溫導(dǎo)致的材料氧化或
2025-06-23 14:32:49
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預(yù)清洗機(jī)(Pre-Cleaning System)是半導(dǎo)體制造前道工藝中的關(guān)鍵設(shè)備,用于在光刻、蝕刻、薄膜沉積等核心制程前,對(duì)晶圓、掩膜板、玻璃基板等精密部件進(jìn)行表面污染物(顆粒、有機(jī)物、金屬殘留等
2025-06-17 13:27:16
銅互連工藝是一種在集成電路制造中用于連接不同層電路的金屬互連技術(shù),其核心在于通過“大馬士革”(Damascene)工藝實(shí)現(xiàn)銅的嵌入式填充。該工藝的基本原理是:在絕緣層上先蝕刻出溝槽或通孔,然后在溝槽或通孔中沉積銅,并通過化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)去除多余的銅,從而形成嵌入式的金屬線。
2025-06-16 16:02:02
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在集成電路制造工藝中,氧化工藝也是很關(guān)鍵的一環(huán)。通過在硅晶圓表面形成二氧化硅(SiO?)薄膜,不僅可以實(shí)現(xiàn)對(duì)硅表面的保護(hù)和鈍化,還能為后續(xù)的摻雜、絕緣、隔離等工藝提供基礎(chǔ)支撐。本文將對(duì)氧化工藝進(jìn)行簡(jiǎn)單的闡述。
2025-06-12 10:23:22
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aQFN作為一種新型封裝以其低成本、高密度I/O、優(yōu)良的電氣和散熱性能,開始被應(yīng)用于電子產(chǎn)品中。本文從aQFN封裝芯片的結(jié)構(gòu)特征,PCB焊盤設(shè)計(jì),鋼網(wǎng)設(shè)計(jì)制作,SMT生產(chǎn)工藝及Rework流程等幾個(gè)方面進(jìn)行了重點(diǎn)的論述。
2025-06-11 14:21:50
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一、光刻工藝概述 光刻工藝是半導(dǎo)體制造的核心技術(shù),通過光刻膠在特殊波長(zhǎng)光線或者電子束下發(fā)生化學(xué)變化,再經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等工藝過程,將設(shè)計(jì)在掩膜上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上,是現(xiàn)代半導(dǎo)體、微電子、信息產(chǎn)業(yè)
2025-06-09 15:51:16
2127 ISSG(In-Situ Steam Generation,原位水蒸汽生成)是半導(dǎo)體制造中的一種高溫氧化工藝,核心原理是利用氫氣(H?)與氧氣(O?)在反應(yīng)腔內(nèi)直接合成高活性水蒸氣,并解離生成原子氧(O*),實(shí)現(xiàn)對(duì)硅表面的精準(zhǔn)氧化。
2025-06-07 09:23:29
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SPM清洗設(shè)備(硫酸-過氧化氫混合液清洗系統(tǒng))是半導(dǎo)體制造中關(guān)鍵的濕法清洗設(shè)備,專為去除晶圓表面的有機(jī)物、金屬污染及殘留物而設(shè)計(jì)。其核心優(yōu)勢(shì)在于強(qiáng)氧化性、高效清潔與工藝兼容性,廣泛應(yīng)用于先進(jìn)制程(如
2025-06-06 15:04:41
),避免引入二次污染。 適用場(chǎng)景:用于RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗(SC1/SC2配方)、去除硅片表面金屬離子和顆粒。 典型應(yīng)用: SC1溶液(H?SO?/H?O?):去除有機(jī)物和金屬污染; SC2溶液(HCl/H?O?):去除重金屬殘留。 技術(shù)限制: 傳統(tǒng)SPM(硫酸+過氧化氫)清洗中,過氧
2025-06-04 15:15:41
1056 純分享帖,需要者可點(diǎn)擊附件免費(fèi)獲取完整資料~~~*附件:國(guó)內(nèi)外電機(jī)結(jié)構(gòu) 工藝對(duì)比分析.pdf【免責(zé)聲明】本文系網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題,請(qǐng)第一時(shí)間告知,刪除內(nèi)容!
2025-05-29 14:06:28
源漏區(qū)的單晶硅和柵極上的多晶硅即使在摻雜后仍然具有較高的電阻率,自對(duì)準(zhǔn)硅化物(salicide)工藝能夠同時(shí)減小源/漏電極和柵電極的薄膜電阻,降低接觸電阻,并縮短與柵相關(guān)的RC延遲。另外,它避免了
2025-05-28 17:30:04
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為大家推薦一款極具實(shí)用價(jià)值的 輔助生產(chǎn)工藝軟件——華秋DFM 。它專為解決PCB生產(chǎn)難題而設(shè)計(jì),能依據(jù)單板實(shí)際狀況精準(zhǔn)設(shè)定物理參數(shù),科學(xué)合理地?cái)U(kuò)大PCB生產(chǎn)的工藝窗口。
該軟件擁有 嚴(yán)謹(jǐn)而豐富的規(guī)則庫
2025-05-28 10:57:42
互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)是現(xiàn)代集成電路設(shè)計(jì)的核心,它利用了N型和P型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的互補(bǔ)特性來實(shí)現(xiàn)低功耗的電子設(shè)備。CMOS工藝的發(fā)展不僅推動(dòng)了電子設(shè)備的微型化,還極大提高了計(jì)算能力和效率。
2025-05-23 16:30:42
2389 三相隔離調(diào)壓器的生產(chǎn)工藝涉及多個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié),其核心在于確保產(chǎn)品的電氣性能和穩(wěn)定性。
2025-05-22 15:47:22
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影響區(qū)范圍小于50mm,保證了引線螺栓焊接質(zhì)量符合設(shè)計(jì)產(chǎn)品的要求。
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2025-05-14 16:34:07
SMT錫膏工藝與紅膠工藝是電子制造中兩種關(guān)鍵工藝,主要區(qū)別在于材料特性、工藝目的及適用場(chǎng)景。以下是詳細(xì)解析:
2025-05-09 09:15:37
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隨著半導(dǎo)體工藝復(fù)雜度提升,可靠性要求與測(cè)試成本及時(shí)間之間的矛盾日益凸顯。晶圓級(jí)可靠性(Wafer Level Reliability, WLR)技術(shù)通過直接在未封裝晶圓上施加加速應(yīng)力,實(shí)現(xiàn)快速
2025-05-07 20:34:21
半導(dǎo)體清洗SC1是一種基于氨水(NH?OH)、過氧化氫(H?O?)和去離子水(H?O)的化學(xué)清洗工藝,主要用于去除硅片表面的有機(jī)物、顆粒污染物及部分金屬雜質(zhì)。以下是其技術(shù)原理、配方配比、工藝特點(diǎn)
2025-04-28 17:22:33
4239 貼片電容的生產(chǎn)工藝流程是一個(gè)復(fù)雜且精細(xì)的過程,涵蓋了多個(gè)關(guān)鍵步驟。以下是貼片電容生產(chǎn)工藝流程的詳細(xì)解析: 一、原料準(zhǔn)備 材料選取:選用優(yōu)質(zhì)的陶瓷粉末作為核心材料,這是確保貼片電容性能的基礎(chǔ)。同時(shí)
2025-04-28 09:32:21
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的現(xiàn)象。保證了定子鐵心內(nèi)外圓同輔度接術(shù)要求,提高了電機(jī)的裝配質(zhì)量。
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2025-04-28 00:20:52
下的潛在影響。 SPM清洗的化學(xué)特性 SPM成分:硫酸(H?SO?)與過氧化氫(H?O?)的混合液,通常比例為2:1至4:1(體積比),溫度控制在80-120℃35。 主要作用: 強(qiáng)氧化性:分解有機(jī)物(如光刻膠殘留)、氧化金屬污染物; 表面氧化:在硅表面生成親水
2025-04-27 11:31:40
866 PCBA打樣廠家今天為大家講講什么是PCBA設(shè)計(jì)工藝邊?PCBA設(shè)計(jì)工藝邊其重要性與優(yōu)勢(shì)。在PCBA設(shè)計(jì)中,工藝邊(也稱為邊緣工藝或邊緣設(shè)計(jì))是指PCB板邊緣區(qū)域的設(shè)計(jì)特性。它包括了對(duì)于PCB板邊
2025-04-23 09:24:33
560 法) RCA清洗是晶圓清洗的經(jīng)典工藝,分為兩個(gè)核心步驟(SC-1和SC-2),通過化學(xué)溶液去除有機(jī)物、金屬污染物和顆粒124: SC-1(APM溶液) 化學(xué)配比:氫氧化銨(NH?OH,28%)、過氧化氫(H?O?,30%)與去離子水(H?O)的比例為1:1:5。 溫度與時(shí)
2025-04-22 09:01:40
1289 資料介紹
此文檔是最詳盡最完整介紹半導(dǎo)體前端工藝和后端制程的書籍,作者是美國(guó)人Michael Quirk??赐晗嘈拍銓?duì)整個(gè)芯片制造流程會(huì)非常清晰地了解。從硅片制造,到晶圓廠芯片工藝的四大基本類
2025-04-15 13:52:11
過程中用于幫助去除氧化物、增加焊料潤(rùn)濕性和流動(dòng)性的化學(xué)物質(zhì)。在波峰焊接中,使用適當(dāng)?shù)闹竸┛梢愿纳坪附淤|(zhì)量。
6、工藝參數(shù)
波峰焊機(jī)的工藝參數(shù)包括帶速、預(yù)熱時(shí)間、焊接時(shí)間和傾角等,這些參數(shù)需要相互協(xié)調(diào)和調(diào)整
2025-04-09 14:44:46
印刷工藝,通過在陶瓷基底上貼一層鈀化銀電極,再于電極之間印刷一層二氧化釕作為電阻體,其電阻膜厚度通常在100微米左右。而薄膜電阻則運(yùn)用真空蒸發(fā)、磁控濺射等工藝方法,在氧化鋁陶瓷基底上通過真空沉積形成鎳化鉻薄膜,
2025-04-07 15:08:00
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在半導(dǎo)體制造過程中,SPM(Sulfuric Peroxide Mixture,硫酸過氧化氫混合液)清洗和HF(Hydrofluoric Acid,氫氟酸)清洗都是重要的濕法清洗步驟。但是很多人有點(diǎn)
2025-04-07 09:47:10
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2025-04-02 15:01:44
在 TNC 插座生產(chǎn)車間,每一個(gè)工藝環(huán)節(jié)都凝聚著工程師們的智慧與心血,每一道質(zhì)量檢測(cè)工序都為產(chǎn)品的高品質(zhì)筑牢根基。正是憑借對(duì)工藝的執(zhí)著追求與對(duì)質(zhì)量的嚴(yán)格把控,TNC 插座方能在市場(chǎng)中嶄露頭角,贏得用戶信賴,為人們的生活與工作提供安全、可靠的電氣連接保障。
2025-03-28 08:55:21
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工藝流程: 芯片設(shè)計(jì),光掩模版制作,晶圓上電路制造,(薄膜氧化,平坦化,光刻膠涂布,光刻,刻蝕,離子注入擴(kuò)散,裸片檢測(cè))
2025-03-27 16:38:20
本文介紹了集成電路制造工藝中的柵極的工作原理、材料、工藝,以及先進(jìn)柵極工藝技術(shù)。
2025-03-27 16:07:41
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在我用photodiode工具選型I/V放大電路的時(shí)候,系統(tǒng)給我推薦了AD8655用于I/V,此芯片為CMOS工藝
但是查閱資料很多都是用FET工藝的芯片,所以請(qǐng)教下用于光電信號(hào)放大轉(zhuǎn)換(主要考慮信噪比和帶寬)一般我們用哪種工藝的芯片,
CMOS,Bipolar,F(xiàn)ET這三種工藝的優(yōu)缺點(diǎn)是什么?
2025-03-25 06:23:13
在新能源行業(yè)高速發(fā)展的背景下,鋰電池生產(chǎn)工藝對(duì)自動(dòng)化控制的精準(zhǔn)性和可靠性提出了更高要求。作為鋰電池生產(chǎn)中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),覆膜工藝直接關(guān)系到電池的絕緣性能、安全性及使用壽命。面對(duì)復(fù)雜的工藝控制需求,明達(dá)
2025-02-28 13:13:59
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(Back End of Line,BEOL)。前段工藝主要用于制作晶體管,而后段工藝則專注于實(shí)現(xiàn)晶體管之間的金屬布線互連。其中,接觸孔工藝作為前后段工藝銜接的關(guān)鍵環(huán)節(jié),其作用是連接晶體管有源區(qū)與第一金屬層。在大規(guī)模生產(chǎn)的成套工藝流程里,接觸孔工藝一旦出現(xiàn)缺陷,常常會(huì)成為影響
2025-02-17 09:43:28
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執(zhí)行系統(tǒng)的幾個(gè)典型使用場(chǎng)景:一、工藝規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)管理MES系統(tǒng)能夠編制生產(chǎn)工藝,掛接圖紙、圖片、工藝卡、裝配圖等,實(shí)現(xiàn)從外部ERP、PLM等系統(tǒng)中自動(dòng)下載工藝文件。編制
2025-02-14 16:12:23
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本文介紹了背金工藝的工藝流程。 本文將解析一下背金工藝的具體的工藝流程及每步的工藝原理。 背金工藝的工藝流程 ? 如上圖,步驟為: ? tape→grinding →Si etch?→ Detape
2025-02-12 09:33:18
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背金工藝是什么? 背金,又叫做背面金屬化。晶圓經(jīng)過減薄后,用PVD的方法(濺射和蒸鍍)在晶圓的背面鍍上金屬。 背金的金屬組成? 一般有三層金屬。一層是黏附層,一層是阻擋層,一層是防氧化層。 黏附層
2025-02-10 12:31:41
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國(guó)巨電容之所以能夠?qū)崿F(xiàn)高性價(jià)比,主要得益于其在生產(chǎn)工藝、產(chǎn)品設(shè)計(jì)到實(shí)際應(yīng)用的全面優(yōu)化與創(chuàng)新。以下是對(duì)國(guó)巨電容高性價(jià)比實(shí)現(xiàn)途徑的全面解析: 一、生產(chǎn)工藝的革新 薄層化技術(shù) : 國(guó)巨電容采用先進(jìn)的薄層化
2025-02-08 16:03:51
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在現(xiàn)代汽車制造業(yè)中,焊接技術(shù)作為連接車身各部件的核心工藝,其重要性不言而喻。焊接質(zhì)量直接影響到汽車的整體性能和安全性,因此,對(duì)焊接過程的數(shù)據(jù)進(jìn)行深度分析,不僅能夠幫助制造商優(yōu)化生產(chǎn)工藝,提高生產(chǎn)效率
2025-01-21 15:53:03
824 在現(xiàn)代電子制造中,PCB回流焊工藝是實(shí)現(xiàn)高效率、低成本生產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù)之一。這種工藝通過精確控制溫度曲線,使焊膏在特定溫度下熔化并固化,從而實(shí)現(xiàn)電子元件與PCB的永久連接。 優(yōu)點(diǎn) 1. 高效率 PCB
2025-01-20 09:28:50
1610 在現(xiàn)代能源存儲(chǔ)技術(shù)中,法拉電容以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)脫穎而出。與傳統(tǒng)電容器相比,法拉電容具有更高的能量密度和更長(zhǎng)的使用壽命。 一、材料選擇 法拉電容的性能在很大程度上取決于其材料的選擇。主要材料包括: 電極材料: 常用的電極材料有活性炭、碳納米管、石墨烯等。這些材料具有高比表面積,有助于提高電容值。 電解液: 電解液的選擇對(duì)法拉電容的性能至關(guān)重要。常用的電解液包括有機(jī)電解液和水性電解液,它們影響離子的遷移速度和電容
2025-01-19 09:37:00
1258 AOC(有源光纜)跳線的生產(chǎn)工藝涉及多個(gè)復(fù)雜步驟,這些步驟確保了最終產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。以下是對(duì)AOC跳線生產(chǎn)工藝的詳細(xì)概述: 一、準(zhǔn)備階段 材料準(zhǔn)備:根據(jù)生產(chǎn)需求,準(zhǔn)備相應(yīng)的光纜、光收發(fā)器(光模塊
2025-01-16 10:32:05
1233 本文簡(jiǎn)單介紹了芯片制造的7個(gè)前道工藝。 ? 在探索現(xiàn)代科技的微觀奇跡中,芯片制造無疑扮演著核心角色,它不僅是信息技術(shù)飛速發(fā)展的基石,也是連接數(shù)字世界與現(xiàn)實(shí)生活的橋梁。本文將帶您深入芯片制造的前道工藝
2025-01-08 11:48:34
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反應(yīng)離子刻蝕工藝(DRIE工藝),也被稱為“博世工藝”,成為MEMS制造領(lǐng)域的里程碑。這一工藝進(jìn)一步夯實(shí)了博世作為MEMS市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。
2025-01-08 10:33:42
2262 可能來源于前道工序或環(huán)境。通常采用超聲波清洗、機(jī)械刷洗等物理方法,結(jié)合化學(xué)溶液(如酸性過氧化氫溶液)進(jìn)行清洗。 刻蝕后清洗 目的與方法:在晶圓經(jīng)過刻蝕工藝后,表面會(huì)殘留刻蝕劑和其他雜質(zhì),需要通過清洗去除。此步驟通常
2025-01-07 16:12:00
813 焊接工藝在現(xiàn)代制造業(yè)中扮演著至關(guān)重要的角色,其質(zhì)量直接影響到最終產(chǎn)品的性能和壽命。為了確保焊接過程的穩(wěn)定性和可靠性,焊接工藝過程監(jiān)測(cè)技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生,并逐漸成為提高焊接質(zhì)量和生產(chǎn)效率的關(guān)鍵手段之一。本文
2025-01-07 11:40:58
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評(píng)論