容量
–64K 字節(jié)FLASH,數(shù)據(jù)保持25年@85℃
–8K 字節(jié)RAM,支持奇偶校驗(yàn)
–128字節(jié)OTP存儲器
? CRC 硬件計(jì)算單元
? 復(fù)位和電源管理
–低功耗模式(Sleep
2025-12-26 06:51:13
域主要用于存放應(yīng)用程序代碼和用戶數(shù)據(jù),用戶可編程。
2、啟動(dòng)程序存儲器,共 2.5KB,地址空間為 0x0010 0000 - 0x0010 09FF。該區(qū)域主要用于存儲 BootLoader 啟動(dòng)程序,在芯片出廠時(shí)已編程,用戶不可更改。
2025-12-23 08:28:04
CW32F030 的 FLASH 存儲器支持擦寫 PC 頁保護(hù)功能。
當(dāng)用戶程序運(yùn)行 FLASH 時(shí),如果當(dāng)前程序指針 PC 正好位于待擦寫的 FLASH 地址頁范圍內(nèi),則該擦寫操作失敗,同時(shí)
2025-12-11 07:38:50
CW32F030 內(nèi)核為 32 位的 ARM? Cortex?-M0+ 微處理器,最大尋址空間為 4GB。芯片內(nèi)置的程序存儲器、數(shù)據(jù)存儲器、各外設(shè)及端口寄存器被統(tǒng)一編址在同一個(gè) 4GB 的線性
2025-12-11 07:03:49
DAC0808 8位D/A轉(zhuǎn)換器:特性、應(yīng)用與設(shè)計(jì)要點(diǎn) 引言 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)扮演著至關(guān)重要的角色,它能夠?qū)?shù)字信號轉(zhuǎn)換為模擬信號,廣泛應(yīng)用于各種需要模擬輸出的系統(tǒng)中。今天,我們
2025-12-10 11:45:02
632 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲器)是一種在通電狀態(tài)下可保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失的存儲器件,無需刷新即可持續(xù)工作,因此具有高速讀寫、響應(yīng)及時(shí)的特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于對實(shí)時(shí)性要求高的場景。
2025-12-08 16:51:57
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——ADC08100。 文件下載: adc08100.pdf 產(chǎn)品概述 ADC08100是一款單芯片模擬 - 數(shù)字轉(zhuǎn)換器,內(nèi)置采樣保持電路。它具有8位分辨率,最高采樣頻率可達(dá)100Msps,每MHz時(shí)鐘頻率僅
2025-12-08 16:09:03
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在計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備中,存儲器扮演著數(shù)據(jù)臨時(shí)存放與快速交換的關(guān)鍵角色。其中,DDR SDRAM(雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器)已成為現(xiàn)代內(nèi)存的主流技術(shù)之一。它不僅在速度上顯著超越前代產(chǎn)品,更憑借其高效傳輸機(jī)制,廣泛應(yīng)用于電腦、服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備及各類嵌入式系統(tǒng)中。
2025-12-08 15:20:44
293 CJC1808是一款高性能、低成本、單芯片,立體聲模擬到數(shù)字轉(zhuǎn)換器與單端模擬電壓輸入的24位立體聲模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC芯片).
2025-12-05 09:41:58
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概述CW32L052內(nèi)部集成了64KB嵌入式FLASH供用戶使用,可用來存儲應(yīng)用程序和用戶數(shù)據(jù)。
芯片支持對 FLASH 存儲器的讀、擦除和寫操作,支持擦寫保護(hù)和讀保護(hù)。
芯片內(nèi)置 FLASH 編程
2025-12-05 08:22:19
CW32的22 字節(jié) OTP 存儲器一般都怎么使用?
2025-12-02 06:39:44
在各類存儲設(shè)備中,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲器)因其高速、低功耗和高可靠性,被廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中,雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲器憑借其獨(dú)特的雙端口設(shè)計(jì),在高帶寬和多任務(wù)場景中表現(xiàn)尤為出色,成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44
272 存儲器內(nèi)部結(jié)構(gòu)為4096字,每個(gè)字8位。CAT24C32B EEPROM存儲器具有32字節(jié)頁面寫入緩沖器,工作電壓范圍為1.7V至5.5V。該器件采用4焊點(diǎn)WLCSP封裝,無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑,并
2025-11-25 09:42:51
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型號:FZH120C廠商:深圳市方中禾科技有限公司(Premier Chip Limited)FZH120C是一種存儲器交換LED顯示控制的驅(qū)動(dòng)芯片,可以選擇多重的ROW/COM模式(32ROW
2025-11-21 09:18:03
用戶可執(zhí)行的RAM 存儲器操作包括:讀操作、寫操作。
對RAM 的讀寫操作支持8bit、16bit 和32bit 三種位寬,用戶程序可以通過直接訪問絕對地址的方式完成讀寫,
但要注意讀寫的數(shù)據(jù)位寬
2025-11-21 07:46:52
型號:FZH120
廠商:深圳市方中禾科技有限公司(Premier Chip Limited)FZH120是一種存儲器交換LED顯示控制的驅(qū)動(dòng)芯片,可以選擇多重的ROW/COM模式(32ROW
2025-11-20 11:40:44
01產(chǎn)業(yè)鏈全景圖02存儲芯片定義存儲芯片也叫半導(dǎo)體存儲器,是電子設(shè)備里負(fù)責(zé)存數(shù)據(jù)、讀數(shù)據(jù)的關(guān)鍵零件。半導(dǎo)體產(chǎn)品主要有四大類:分立器件、光電器件、傳感器、集成電路。像存儲芯片、邏輯芯片、微處理芯片這些
2025-11-17 16:35:40
2721 
32位MCU芯片,是指處理器內(nèi)核的數(shù)據(jù)總線寬度為32位的微控制器,相較于8位或16位MCU,具備更強(qiáng)的數(shù)據(jù)處理能力、更高的主頻以及更為豐富的外設(shè)接口。32系列單片機(jī)這類芯片通常集成Flash存儲器
2025-11-13 16:31:43
900 片上FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成:主FLASH 存儲器和啟動(dòng)程序存儲器。
●● 主 FLASH 存儲器,共 64KB,地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)
2025-11-12 07:34:35
在要求高性能與高可靠性的電子系統(tǒng)中,存儲器的選擇往往成為設(shè)計(jì)成敗的關(guān)鍵。Netsol推出的高速異步SRAM系列,憑借其出色的性能表現(xiàn)與獨(dú)有的錯(cuò)誤校正(ECC)能力,為工業(yè)控制、通信設(shè)備及高精度計(jì)算等應(yīng)用提供了值得信賴的存儲解決方案。
2025-11-05 16:21:39
284 在當(dāng)今對數(shù)據(jù)持久性與系統(tǒng)可靠性要求極高的企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施和數(shù)據(jù)中心中,Everspin推出的自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM(STT-MRAM)存儲器——EMD4E001G-1Gb,憑借其卓越的性能與獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢,成為眾多高性能存儲解決方案中的亮點(diǎn)。
2025-11-05 14:34:28
280 該ADS7028是一款易于使用的8通道、多路復(fù)用、12位、1MSPS、逐次逼近寄存器模數(shù)轉(zhuǎn)換器(SAR ADC)。八個(gè)通道可以獨(dú)立配置為模擬輸入、數(shù)字輸入或數(shù)字輸出。該器件具有用于ADC轉(zhuǎn)換過程的內(nèi)部振蕩器。
2025-11-03 10:46:56
426 
在需要高速數(shù)據(jù)寫入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中,Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲器,以高達(dá)35
2025-10-24 16:36:03
532 QSPI PSRAM是一種集成了QSPI接口與PSRAM存儲功能的高效芯片。QSPI(四線串行外設(shè)接口)是一種高速串行通信接口,用于連接外部設(shè)備;而PSRAM(偽靜態(tài)隨機(jī)存儲器)則結(jié)合了快速隨機(jī)訪問與動(dòng)態(tài)存儲的特性。
2025-10-23 15:40:17
379 PSRAM之所以被稱為"偽靜態(tài)"存儲器,主要是因?yàn)槠洳捎妙怱RAM的接口協(xié)議:只需要提供地址和讀寫命令就可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存取,無需像傳統(tǒng)DRAM一樣需要內(nèi)存控制器定期刷新數(shù)據(jù)單元。
2025-10-23 14:29:00
296 一次性可編程(OTP)非易失性存儲器問世已久。與其他非易失性存儲技術(shù)相比,OTP的占用面積更小,且無需額外的制造工序,因此成為存儲啟動(dòng)代碼、加密密鑰等內(nèi)容的熱門選擇。盡管聽起來簡單,但隨著人工智能(AI)的大規(guī)模部署和對更先進(jìn)技術(shù)的需求日益增長,平衡OTP的各項(xiàng)需求變得極具挑戰(zhàn)性。
2025-10-21 10:38:11
1440 
M24C64X-DRE的工作電源電壓范圍為1.7V至5.5V,時(shí)鐘頻率高達(dá)1MHz,環(huán)境工作溫度范圍為-40°C至+105°C。該電子擦除可編程只讀存儲器 (EEPROM) 提供一個(gè)額外的8位芯片使能寄存器
2025-10-15 09:37:46
521 
Microchip Technology PIC16F18015/25/44/45 MCU具有數(shù)字和模擬外設(shè),適用于對成本敏感的傳感器和實(shí)時(shí)控制應(yīng)用。該系列產(chǎn)品有8至20引腳封裝,存儲器范圍為7KB
2025-10-14 09:21:55
417 
Microchip Technology PIC16F18114/15/24/25/44/45 8位MCU包括模擬外設(shè),支持精密傳感器應(yīng)用。8引腳至44引腳封裝PIC16F18114/15/24
2025-10-13 16:05:56
648 
SN74LVC595A器件包含一個(gè)8位串行輸入、并聯(lián)輸出移位寄存器,該寄存器為8位D型存儲寄存器供電。存儲寄存器具有并行的 3 態(tài)輸出。為移位寄存器和存儲寄存器提供了單獨(dú)的時(shí)鐘。移位寄存器具有直接
2025-09-28 15:09:48
1194 
Texas Instruments SN74HCT595/SN74HCT595-Q1 8位移位寄存器包含8位串進(jìn)并出移位寄存器,向8位D類存儲寄存器饋送信號。存儲寄存器具有并行 3 狀態(tài)輸出。分別為
2025-09-19 14:31:22
704 
,工作頻率高達(dá) 32MHz。片內(nèi)集成64KByte Flash 和 8KByte SRAM存儲器。PY32F003有著豐富的外設(shè)接口:多路USART、SPI、I2C,5個(gè)16 位定時(shí)器,1個(gè)12位
2025-08-21 11:50:09
Texas Instruments SN74LV595B-EP低噪聲8位移位寄存器包含一個(gè)8位串行輸入、并行輸出移位寄存器,可為8位D類存儲寄存器饋送信號。存儲寄存器具有并行 3 狀態(tài)輸出。分別為
2025-08-15 09:28:43
941 
Keysight MSOS204A是德MSOS204A存儲器示波器2GHz keysight是德MSOS204A存儲器示波器, S 系列示波器配備 2 GHz 存儲器、15 英寸 XGA
2025-08-12 15:48:29
在芯片工藝不斷演進(jìn)的今天,材料的物理特性與器件層面的可靠性測試正變得前所未有的重要。近日,在泰克云上大講堂關(guān)于《芯片的物理表征和可靠性測試》的直播中,大家就新型存儲技術(shù)、先進(jìn)材料電學(xué)表征等話題展開了熱烈討論。相變存儲作為新一代非易失性存儲的代表,其器件性能的測試與優(yōu)化自然也成為了焦點(diǎn)之一。
2025-08-11 17:48:37
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概述:PC0340是占空比可調(diào)的LED顯示控制驅(qū)動(dòng)電路。由16根段輸出、8根位輸出、數(shù)字接口、數(shù)據(jù)鎖存器、顯示存儲器、鍵掃描電路及相關(guān)控制電路組成了一個(gè)高可靠性的單片機(jī)外圍LED驅(qū)動(dòng)電路。串行
2025-08-06 16:30:50
°C 的環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。系統(tǒng)特性l 存儲容量:配備 1.25KW OTP 程序存儲器和 80 Byte 數(shù)據(jù)存儲器,滿足程序存儲與數(shù)據(jù)暫存需求。l 定時(shí)計(jì)數(shù):設(shè)有一個(gè)硬件 16 位計(jì)數(shù)器和一個(gè) 8
2025-07-30 09:24:40
HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲器,是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器)。其核心設(shè)計(jì)是通過硅通孔(TSV)和微凸塊(Microbump
2025-07-18 14:30:12
2949 芯片燒錄(也稱為編程或燒寫)的本質(zhì)是將編譯后的 機(jī)器碼程序 和 配置信息 通過特定協(xié)議寫入芯片內(nèi)部的 非易失性存儲器 (通常是Flash或OTP存儲器)的過程。其核心原理涉及 硬件接口 、 通信協(xié)議
2025-06-24 11:16:51
7434 Flash、ROM (只讀存儲器)、新興存儲器 (如 MRAM, PCM, ReRAM/FeRAM)。
3. 主流存儲芯片技術(shù)詳解
3.1 DRAM - 電腦/手機(jī)的內(nèi)存條/運(yùn)行內(nèi)存
原理:利用
2025-06-24 09:09:39
:另外,PMS15A/PMS150C還提供一種16 位的硬件計(jì)數(shù)器、一個(gè)8位的硬件PWM生成器和一個(gè)通用型比較器。基本特性存儲器:- PMS150C 具有 1KW OTP 程序存儲器和 64 字節(jié)數(shù)
2025-06-23 09:00:55
單片機(jī)實(shí)例項(xiàng)目:AT24C02EEPROM存儲器,推薦下載!
2025-06-03 20:50:02
DS4550是9位,非易失(NV) I/O擴(kuò)展器,具有I2C兼容串行接口或IEEE? 1149.1 JTAG端口控制的64字節(jié)NV用戶存儲器。DS4550采用數(shù)字編程替代硬件跳線和機(jī)械開關(guān),實(shí)現(xiàn)對數(shù)
2025-05-26 09:50:50
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近期,芯片燒錄領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者昂科技術(shù)推出其燒錄軟件的重大版本更新。在新版本發(fā)布之際,公司同步宣布新增多款兼容芯片型號,其中包括旺宏電子開發(fā)的MX25U51245G串行NOR閃存存儲器。該芯片已成功完成
2025-05-20 16:27:37
619 
ADSP-21992進(jìn)一步擴(kuò)展了ADSP-2199x混合信號DSP產(chǎn)品系列的性能,可提供32K字程序存儲器RAM和16K字?jǐn)?shù)據(jù)存儲器RAM。此外,ADSP-21992還可提供片上CAN通信端口,支持
2025-05-12 16:08:28
889 
? ? ? ?MCU的存儲器層次結(jié)構(gòu)通過整合不同性能與功能的存儲單元,優(yōu)化系統(tǒng)效率并滿足多樣化場景需求。其核心架構(gòu)可分為以下層次: 一、寄存器層(最高速) 定位?:集成于CPU內(nèi)核中,直接參與運(yùn)算
2025-05-09 10:21:09
618 在半導(dǎo)體存儲器測試中,測試圖形(Test Pattern)是檢測故障、驗(yàn)證可靠性的核心工具。根據(jù)測試序列長度與存儲單元數(shù)N的關(guān)系,測試圖形可分為N型、N2型和N3/?型三大類。
2025-05-07 09:33:37
1222 
開發(fā)創(chuàng)新應(yīng)用,包括更多需要大容量內(nèi)存的人工智能應(yīng)用。 ◆?xMemory基于意法半導(dǎo)體專有相變存儲器(PCM)技術(shù),2025年底投產(chǎn)。 意法半導(dǎo)體(簡稱ST)推出內(nèi)置xMemory的Stellar車規(guī)級微控制器。xMemory是Stellar系列汽車微控制器內(nèi)置的新一代可改變存儲配置的存
2025-04-17 11:25:19
1744 UV-EPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法,閃速存儲器的結(jié)構(gòu)與使用方法,EEPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法, SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法, 特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法 ,DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法,
2025-04-16 16:04:56
3.3 存儲器映射 前文所述,寄存器與RAM、FLASH一樣都是芯片內(nèi)部的一種存儲設(shè)備。那么,當(dāng)我們需要訪問它們的時(shí)候,我們需要知道它們的存儲地址。 3.3.1 存儲器映射表 如下圖所示為RA6M5
2025-04-16 15:52:09
1375 
芯片燒錄領(lǐng)導(dǎo)者昂科技術(shù)近期宣布了其燒錄軟件的最新迭代,并公布了一系列新增兼容芯片型號。在此次更新中,中科芯(CETC)推出的32位微控制器CKS32F051K8U已被昂科加密燒錄設(shè)備AP8000所
2025-04-15 22:08:36
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今天,IBM(紐約證券交易所:IBM)宣布推出新一代大型主機(jī) IBM z17。作為 IBM Z 主機(jī)系列的最新旗艦產(chǎn)品,IBM z17 搭載了跨硬件、軟件和系統(tǒng)操作的全方位AI 能力。在全新 IBM Telum II 處理器的支持下,IBM z17 的能力將拓展至交易型處理之外的新的 AI 工作負(fù)載。
2025-04-10 14:45:58
936 非易失性存儲器(NVM)芯片廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備中,從智能手機(jī)、個(gè)人電腦到服務(wù)器和工業(yè)控制系統(tǒng),都是不可或缺的關(guān)鍵組件,它們不僅提高了數(shù)據(jù)的安全性和可靠性,還極大地增強(qiáng)了系統(tǒng)的整體性能。此外,為了滿足
2025-04-10 14:02:24
1333 單片機(jī)與存儲器的關(guān)系像什么?單片機(jī)里的存儲都是一樣的嗎?為什么有的單片機(jī)既有EEPROM又有Flash?
2025-04-10 10:06:01
1434 
人工智能與高性能計(jì)算(HPC)正以空前的速度發(fā)展,將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)和NAND閃存等傳統(tǒng)存儲技術(shù)發(fā)揮到極致。為了滿足人工智能時(shí)代日益增長的需求,業(yè)界正在探索超越傳統(tǒng)存儲技術(shù)的新興存儲技術(shù)。
2025-04-03 09:40:41
1709 ,512k 位(64KB)OTP 程序存儲器,32M 位(4MB)FLASH 語音存儲器,2k 位(256B)SRAM 。支持 5.8KHz 采樣時(shí) 1080 秒或 23KHz 采樣時(shí) 276 秒語音存儲。內(nèi)置 R/C Trim(1%)、1 組 PWM 和 1 組 DAC,4 個(gè) GPIO,低
2025-04-02 18:03:43
0 聚焦模擬和數(shù)?;旌暇劢垢咝阅?b class="flag-6" style="color: red">模擬與數(shù)?;旌袭a(chǎn)品的供應(yīng)商思瑞浦3PEAK(股票代碼:688536)推出三款4位或8位雙向電平轉(zhuǎn)換器。產(chǎn)品具有自動(dòng)方向檢測,寬電壓范圍,寬溫度范圍、高速傳輸?shù)忍攸c(diǎn),兼容開
2025-04-01 16:00:10
838 
EEPROM (Electrically Erasable Programmable read only memory)是指帶電可擦可編程只讀存儲器。是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲芯片。EEPROM
2025-03-29 17:26:51
1536 
對比如下圖所示。
閃存芯片
Flash主要分為NOR Flash和NAND Flash兩種。
NOR Flash具有可靠性高、可隨機(jī)讀取數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)讀取速度快、可以直接從存儲器中讀取和執(zhí)行程序代碼等優(yōu)點(diǎn)
2025-03-23 09:47:39
特性64 千比特鐵電隨機(jī)存取存儲器(F - RAM),邏輯上組織為 8K×8高達(dá) 100 萬億次(\(10^{14}\))讀 / 寫耐久性151 年的數(shù)據(jù)保存期限(詳見 “數(shù)據(jù)保存期限和耐久性表
2025-03-19 11:35:49
AD7581 是一款微處理器兼容的 8 位、8 通道、存儲器緩沖數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),采用單芯片 CMOS 芯片。它由一個(gè) 8 位逐次逼近型 A/D 轉(zhuǎn)換器、一個(gè) 8 通道多路復(fù)用器、8×8 雙端口 RAM
2025-03-17 10:39:29
AD7524 是一款低成本、8 位單芯片 CMOS DAC,專為與大多數(shù)微處理器的直接接口而設(shè)計(jì)?;旧鲜且粋€(gè)帶有 input latchs 的 8-bit DAC。AD7524的負(fù)載周期類似于
2025-03-10 11:05:42
芯片燒錄領(lǐng)導(dǎo)者昂科技術(shù)近期宣布了其燒錄軟件的最新迭代,并公布了一系列新增兼容芯片型號。在此次更新中,意法半導(dǎo)體(ST)推出的汽車級8位微控制器STM8AF52A8T已被昂科十大編程器品牌燒錄工具
2025-03-07 15:16:16
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本書主要介紹了UV-EPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法,閃速存儲器的結(jié)構(gòu)和使用方法,EEPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法, SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法,特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法,DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法,
2025-03-07 10:52:47
海力士稱此舉是為了鞏固其作為全球領(lǐng)先 AI 芯片企業(yè)的地位。 SK 海力士稱其? CIS 團(tuán)隊(duì)擁有僅靠存儲芯片業(yè)務(wù)無法獲得的邏輯制程技術(shù)和定制業(yè)務(wù)能力 。而在存儲和邏輯半導(dǎo)體高度融合的今天,唯有將 CIS 團(tuán)隊(duì)和存儲部門聚合為一個(gè)整體,才能進(jìn)一步提升該企業(yè)的 AI 存儲器競爭力。 相較于
2025-03-06 18:26:16
1078 AT24C64是一款串行電可擦除編程只讀存儲器 (EEPROM),存儲容量為8192字節(jié),分為256頁,每頁32字節(jié)。 具有低功耗CMOS技術(shù),自定時(shí)編程周期,支持SOP-8和DIP-8封裝。 適用于智能儀器儀表、筆記本電腦、計(jì)算機(jī)、家用電器、汽車電子、通信設(shè)備和工業(yè)控制
2025-02-28 15:48:09
3 DS2502為1K位只添加存儲器,用于識別并存儲產(chǎn)品的相關(guān)信息。產(chǎn)品批號或特殊的產(chǎn)品信息可以通過最少的接口訪問—例如,微控制器的一個(gè)端口引腳。DS2502具有一個(gè)工廠光刻注冊碼,其中包括:48位唯一
2025-02-28 10:15:15
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DS2505為16k位只添加存儲器,可以識別和存儲與產(chǎn)品相關(guān)的信息。這個(gè)標(biāo)簽或特殊產(chǎn)品的信息可以通過最少的接口訪問,例如微控制器的一個(gè)端口引腳。DS2505有一個(gè)工廠刻度的注冊碼,其中包括:48位
2025-02-27 16:31:15
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DS28E80是一款用戶可編程的非易失性存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比,DS28E80采用了抗伽馬輻射的存儲單元技術(shù)。DS28E80有248字節(jié)的用戶內(nèi)存,這些內(nèi)存以8字節(jié)為單位進(jìn)行組織。單個(gè)塊可以
2025-02-26 11:43:10
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命令將數(shù)據(jù)傳送到存儲器。該過程確保了修改存儲器時(shí)的數(shù)據(jù)完整性。每個(gè)DS1996都有一個(gè)48位的工廠激光序列號,以提供一個(gè)有保證的唯一標(biāo)識,從而實(shí)現(xiàn)絕對的可追溯性。耐用的MicroCan封裝具有很強(qiáng)的抗
2025-02-26 10:17:41
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/USART
外設(shè):DMA,I2S,POR,PWM,WDT
I/O 數(shù):88
程序存儲容量:256KB(256K x 8)
程序存儲器類型:閃存
EEPROM 容量:-
RAM 大小:32K x 8
電壓
2025-02-20 17:53:42
特點(diǎn)4Gb雙數(shù)據(jù)速率3(DDR3(L))DRAM是一種高速CMOS SDRAM,包含4294967296位。它內(nèi)部配置為八進(jìn)制存儲體DRAM。4Gb芯片由64Mbit x 8 I/O x 8存儲體
2025-02-20 11:44:07
旋轉(zhuǎn)編碼器選用國產(chǎn)鐵電存儲器(?SF24C512)的5個(gè)理由
2025-02-20 09:42:03
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《74AVC8T245-Q100具有可配置電壓轉(zhuǎn)換的8位雙電源轉(zhuǎn)換收發(fā)器規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-18 17:53:55
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《74AVC8T245具有可配置電壓轉(zhuǎn)換的8位雙電源轉(zhuǎn)換收發(fā)器規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-18 17:52:17
0 ? 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的核心組件,廣泛應(yīng)用于個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備及高性能計(jì)算領(lǐng)域。本文將探討DRAM的基本工作原理、存儲單元結(jié)構(gòu)及制造工藝演進(jìn),并分析
2025-02-14 10:24:40
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MTFC64GAZAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲器,由MICRON制造,專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲性能和能效,適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量為
2025-02-14 07:46:05
MTFC32GASAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲器,由MICRON制造,專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲性能和能效,適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量為
2025-02-14 07:45:22
MTFC128GBCAQTC-AAT是一款高性能的eMMC存儲器,由MICRON制造,專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲性能和能效,適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:44:29
MTFC128GAVATTC-AAT是一款高性能的eMMC存儲器,由MICRON制造,專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲性能和能效,適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:43:46
特點(diǎn)FM24C16D提供16384位串行電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM),組織為2048個(gè)8字每個(gè)位,具有128位UID和16字節(jié)安全性部門。該設(shè)備經(jīng)過優(yōu)化,可用于多種場合工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用低
2025-02-13 14:49:06
? 非易失性存儲器是一種應(yīng)用于計(jì)算機(jī)及智能手機(jī)等設(shè)備中的存儲裝置(存儲器),其特點(diǎn)是在沒有外部電源的情況下仍能保存數(shù)據(jù)信息。本文將介紹非易失性存儲器的類型、特點(diǎn)及用途。 什么是非易失性存儲器
2025-02-13 12:42:14
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特點(diǎn)FM24C256E提供262144位串行電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM),由32768個(gè)8字組成每個(gè)位,具有128位UID和64字節(jié)安全性部門,大大提高了可靠性內(nèi)部ECC邏輯。該設(shè)備
2025-02-11 14:34:13
數(shù)顯千分表的數(shù)據(jù)如何用存儲器進(jìn)行接收
2025-02-11 06:01:54
初學(xué)者要了解SDRAM需要先了解存儲器分類。按照存儲器的存儲功能劃分,可將其分為RAM 和 ROM 兩大類。
2025-02-08 11:24:51
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74HC595D是一顆高速寄存器 / 輸出鎖存器芯片,采用CMOS硅柵工藝,它包含一個(gè)8位串行輸入與并行輸出移位寄存器,并提供一個(gè)8位D型存儲寄存器,具有8位3態(tài)輸出,分別提供獨(dú)立的時(shí)鐘信號給移位寄存器和存儲寄存器,移位寄存器具有直接清零功能和串行輸入輸出功能以及級聯(lián)應(yīng)用(采用標(biāo)準(zhǔn)引腳)
2025-02-05 17:21:56
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在數(shù)字存儲技術(shù)的快速發(fā)展中,閃速存儲器(Flash Memory)以其獨(dú)特的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,成為了連接隨機(jī)存取存儲器(RAM)與只讀存儲器(ROM)之間的重要橋梁。本文將深入探討閃速存儲器的技術(shù)特性、分類及其在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2025-01-29 16:53:00
1683 本文旨在深入探討閃速存儲器的歸屬問題,即它是否屬于RAM或ROM,同時(shí)詳細(xì)闡述閃速存儲器的功能與作用。
2025-01-29 15:21:00
1590 存儲器則通過引入創(chuàng)新的擦除編程電路技術(shù)和高速靈敏度放大器,實(shí)現(xiàn)了對所有存儲單元的同時(shí)、快速擦除。這種高效的擦除速度,使得閃速存儲器在數(shù)據(jù)更新和維護(hù)方面具有顯著優(yōu)勢,因此被形象地稱為“閃速”。
2025-01-29 15:14:00
1378 在信息技術(shù)飛速發(fā)展的今天,閃速存儲器(Flash Memory)以其高速度、大容量和非易失性的特性,成為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域的重要成員。而U盤,作為閃速存儲器的一種常見應(yīng)用形式,更是憑借其便攜性和易用性,在
2025-01-29 15:12:00
1449 高速緩沖存儲器(Cache)是內(nèi)存的一種特殊形式,但它與通常所說的主存儲器(RAM)有所不同。在計(jì)算機(jī)存儲體系中,Cache位于CPU和主存儲器之間,用于存儲CPU近期訪問過的數(shù)據(jù)或指令,以加快數(shù)據(jù)的訪問速度。
2025-01-29 11:48:00
3394 近日,芯聚威科技推出了全新的高精度多通道模擬前端芯片——SW302X系列,包括SW3024PH、SW3026PH和SW3028PH三款型號。該系列芯片集成了4/6/8通道的24位模數(shù)轉(zhuǎn)換器,以及可變至24倍增益的低噪聲儀表放大器、低溫漂片上基準(zhǔn)和RC時(shí)鐘振蕩器等模塊,性能卓越。
2025-01-23 15:36:50
1334 近日,據(jù)韓媒最新報(bào)道,全球NAND Flash存儲器市場正面臨供過于求的嚴(yán)峻挑戰(zhàn),導(dǎo)致價(jià)格連續(xù)四個(gè)月呈現(xiàn)下滑趨勢。為應(yīng)對這一不利局面,各大存儲器廠商紛紛采取減產(chǎn)措施,旨在平衡市場供求關(guān)系,進(jìn)而穩(wěn)定
2025-01-20 14:43:55
1095 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN-881: 通過LIN—協(xié)議4進(jìn)行Flash/EE存儲器編程.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-14 16:12:44
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-271: 高速緩沖存儲器在Blackfin處理器中的應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-07 14:18:17
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-132:使用VisualDSP將C代碼和數(shù)據(jù)模塊放入SHARC存儲器中.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-07 13:55:19
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-286:SDRAM存儲器與SHARC處理器的接口.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-06 15:47:01
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-213:Blackfin處理器通過異步存儲器接口進(jìn)行主機(jī)通信.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-05 10:09:19
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-349:ADSP-2146xDDR2存儲器電路板設(shè)計(jì)指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-05 09:21:41
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