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IBM推出具有相變存儲器的8位模擬芯片

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存儲器IC的應(yīng)用技巧 【日 桑野雅彥】

UV-EPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法,閃速存儲器的結(jié)構(gòu)與使用方法,EEPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法, SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法, 特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法 ,DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法,
2025-04-16 16:04:56

瑞薩RA系列MCU FSP庫開發(fā)實(shí)戰(zhàn)指南(09)存儲器映射

3.3 存儲器映射 前文所述,寄存與RAM、FLASH一樣都是芯片內(nèi)部的一種存儲設(shè)備。那么,當(dāng)我們需要訪問它們的時(shí)候,我們需要知道它們的存儲地址。 3.3.1 存儲器映射表 如下圖所示為RA6M5
2025-04-16 15:52:091375

昂科燒錄支持CETC中科芯的32微控制CKS32F051K8U

芯片燒錄領(lǐng)導(dǎo)者昂科技術(shù)近期宣布了其燒錄軟件的最新迭代,并公布了一系列新增兼容芯片型號。在此次更新中,中科芯(CETC)推出的32微控制CKS32F051K8U已被昂科加密燒錄設(shè)備AP8000所
2025-04-15 22:08:36726

IBM推出新一代大型主機(jī)IBM z17

今天,IBM(紐約證券交易所:IBM)宣布推出新一代大型主機(jī) IBM z17。作為 IBM Z 主機(jī)系列的最新旗艦產(chǎn)品,IBM z17 搭載了跨硬件、軟件和系統(tǒng)操作的全方位AI 能力。在全新 IBM Telum II 處理的支持下,IBM z17 的能力將拓展至交易型處理之外的新的 AI 工作負(fù)載。
2025-04-10 14:45:58936

非易失性存儲器芯片的可靠性測試要求

非易失性存儲器(NVM)芯片廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備中,從智能手機(jī)、個(gè)人電腦到服務(wù)和工業(yè)控制系統(tǒng),都是不可或缺的關(guān)鍵組件,它們不僅提高了數(shù)據(jù)的安全性和可靠性,還極大地增強(qiáng)了系統(tǒng)的整體性能。此外,為了滿足
2025-04-10 14:02:241333

扒一扒單片機(jī)與存儲器的那些事

單片機(jī)與存儲器的關(guān)系像什么?單片機(jī)里的存儲都是一樣的嗎?為什么有的單片機(jī)既有EEPROM又有Flash?
2025-04-10 10:06:011434

SK海力士僅選擇存儲器(SOM)的研發(fā)歷程

人工智能與高性能計(jì)算(HPC)正以空前的速度發(fā)展,將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)和NAND閃存等傳統(tǒng)存儲技術(shù)發(fā)揮到極致。為了滿足人工智能時(shí)代日益增長的需求,業(yè)界正在探索超越傳統(tǒng)存儲技術(shù)的新興存儲技術(shù)。
2025-04-03 09:40:411709

aP58Q6語音芯片數(shù)據(jù)手冊

,512k (64KB)OTP 程序存儲器,32M (4MB)FLASH 語音存儲器,2k (256B)SRAM 。支持 5.8KHz 采樣時(shí) 1080 秒或 23KHz 采樣時(shí) 276 秒語音存儲。內(nèi)置 R/C Trim(1%)、1 組 PWM 和 1 組 DAC,4 個(gè) GPIO,低
2025-04-02 18:03:430

支持雙向自動(dòng)檢測!思瑞浦發(fā)布48雙向電平轉(zhuǎn)換

聚焦模擬和數(shù)?;旌暇劢垢咝阅?b class="flag-6" style="color: red">模擬與數(shù)?;旌袭a(chǎn)品的供應(yīng)商思瑞浦3PEAK(股票代碼:688536)推出三款48雙向電平轉(zhuǎn)換。產(chǎn)品具有自動(dòng)方向檢測,寬電壓范圍,寬溫度范圍、高速傳輸?shù)忍攸c(diǎn),兼容開
2025-04-01 16:00:10838

【CW32模塊使用】AT24C02-EEPROM存儲器

EEPROM (Electrically Erasable Programmable read only memory)是指帶電可擦可編程只讀存儲器。是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲芯片。EEPROM
2025-03-29 17:26:511536

【「芯片通識課:一本書讀懂芯片技術(shù)」閱讀體驗(yàn)】初識芯片樣貌

對比如下圖所示。 閃存芯片 Flash主要分為NOR Flash和NAND Flash兩種。 NOR Flash具有可靠性高、可隨機(jī)讀取數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)讀取速度快、可以直接從存儲器中讀取和執(zhí)行程序代碼等優(yōu)點(diǎn)
2025-03-23 09:47:39

FM25CL64B-GTR 絲印FM25CL64BG SOP8 64Kbit鐵電存儲器

特性64 千比特鐵電隨機(jī)存取存儲器(F - RAM),邏輯上組織為 88高達(dá) 100 萬億次(\(10^{14}\))讀 / 寫耐久性151 年的數(shù)據(jù)保存期限(詳見 “數(shù)據(jù)保存期限和耐久性表
2025-03-19 11:35:49

AD7581BQ 一款8 8 通道、存儲器緩沖數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)DAS

AD7581 是一款微處理兼容的 8 、8 通道、存儲器緩沖數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),采用單芯片 CMOS 芯片。它由一個(gè) 8 逐次逼近型 A/D 轉(zhuǎn)換、一個(gè) 8 通道多路復(fù)用器、8×8 雙端口 RAM
2025-03-17 10:39:29

AD7524JRZ 一款低成本、8芯片CMOS數(shù)模轉(zhuǎn)換DAC

AD7524 是一款低成本、8 芯片 CMOS DAC,專為與大多數(shù)微處理的直接接口而設(shè)計(jì)?;旧鲜且粋€(gè)帶有 input latchs 的 8-bit DAC。AD7524的負(fù)載周期類似于
2025-03-10 11:05:42

昂科燒錄支持ST意法半導(dǎo)體的汽車級8微控制STM8AF52A8T

芯片燒錄領(lǐng)導(dǎo)者昂科技術(shù)近期宣布了其燒錄軟件的最新迭代,并公布了一系列新增兼容芯片型號。在此次更新中,意法半導(dǎo)體(ST)推出的汽車級8微控制STM8AF52A8T已被昂科十大編程品牌燒錄工具
2025-03-07 15:16:16946

存儲器IC的應(yīng)用技巧 [日 桑野雅彥]

本書主要介紹了UV-EPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法,閃速存儲器的結(jié)構(gòu)和使用方法,EEPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法, SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法,特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法,DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法,
2025-03-07 10:52:47

SK海力士將關(guān)閉CIS圖像傳感部門 轉(zhuǎn)向AI存儲器領(lǐng)域

海力士稱此舉是為了鞏固其作為全球領(lǐng)先 AI 芯片企業(yè)的地位。 SK 海力士稱其? CIS 團(tuán)隊(duì)擁有僅靠存儲芯片業(yè)務(wù)無法獲得的邏輯制程技術(shù)和定制業(yè)務(wù)能力 。而在存儲和邏輯半導(dǎo)體高度融合的今天,唯有將 CIS 團(tuán)隊(duì)和存儲部門聚合為一個(gè)整體,才能進(jìn)一步提升該企業(yè)的 AI 存儲器競爭力。 相較于
2025-03-06 18:26:161078

FM24C64 64KB的串行存儲器中文手冊

AT24C64是一款串行電可擦除編程只讀存儲器 (EEPROM),存儲容量為8192字節(jié),分為256頁,每頁32字節(jié)。 具有低功耗CMOS技術(shù),自定時(shí)編程周期,支持SOP-8和DIP-8封裝。 適用于智能儀器儀表、筆記本電腦、計(jì)算機(jī)、家用電器、汽車電子、通信設(shè)備和工業(yè)控制
2025-02-28 15:48:093

DS2502 1K只添加存儲器技術(shù)手冊

DS2502為1K只添加存儲器,用于識別并存儲產(chǎn)品的相關(guān)信息。產(chǎn)品批號或特殊的產(chǎn)品信息可以通過最少的接口訪問—例如,微控制的一個(gè)端口引腳。DS2502具有一個(gè)工廠光刻注冊碼,其中包括:48唯一
2025-02-28 10:15:151111

DS2505 16K只添加存儲器技術(shù)手冊

DS2505為16k只添加存儲器,可以識別和存儲與產(chǎn)品相關(guān)的信息。這個(gè)標(biāo)簽或特殊產(chǎn)品的信息可以通過最少的接口訪問,例如微控制的一個(gè)端口引腳。DS2505有一個(gè)工廠刻度的注冊碼,其中包括:48
2025-02-27 16:31:151064

DS28E80 1-Wire存儲器技術(shù)手冊

DS28E80是一款用戶可編程的非易失性存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比,DS28E80采用了抗伽馬輻射的存儲單元技術(shù)。DS28E80有248字節(jié)的用戶內(nèi)存,這些內(nèi)存以8字節(jié)為單位進(jìn)行組織。單個(gè)塊可以
2025-02-26 11:43:101138

DS1996 iButton 64K存儲器技術(shù)手冊

命令將數(shù)據(jù)傳送到存儲器。該過程確保了修改存儲器時(shí)的數(shù)據(jù)完整性。每個(gè)DS1996都有一個(gè)48的工廠激光序列號,以提供一個(gè)有保證的唯一標(biāo)識,從而實(shí)現(xiàn)絕對的可追溯性。耐用的MicroCan封裝具有很強(qiáng)的抗
2025-02-26 10:17:41871

STM8S103F3P3TR STM32F091VCH6微控制 IC MCU 8K/256K Flash

/USART 外設(shè):DMA,I2S,POR,PWM,WDT I/O 數(shù):88 程序存儲容量:256KB(256K x 8) 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 容量:- RAM 大小:32K x 8 電壓
2025-02-20 17:53:42

NANYA/南亞 NT5CC256M16EP-EK BGA96存儲器芯片

特點(diǎn)4Gb雙數(shù)據(jù)速率3(DDR3(L))DRAM是一種高速CMOS SDRAM,包含4294967296。它內(nèi)部配置為八進(jìn)制存儲體DRAM。4Gb芯片由64Mbit x 8 I/O x 8存儲
2025-02-20 11:44:07

旋轉(zhuǎn)編碼選用國產(chǎn)鐵電存儲器(?SF24C512)的5個(gè)理由

旋轉(zhuǎn)編碼選用國產(chǎn)鐵電存儲器(?SF24C512)的5個(gè)理由
2025-02-20 09:42:03906

74AVC8T245-Q100具有可配置電壓轉(zhuǎn)換的8雙電源轉(zhuǎn)換收發(fā)規(guī)格書

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2025-02-18 17:53:550

74AVC8T245具有可配置電壓轉(zhuǎn)換的8雙電源轉(zhuǎn)換收發(fā)規(guī)格書

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2025-02-18 17:52:170

存儲器工藝概覽:常見類型介紹

? 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的核心組件,廣泛應(yīng)用于個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)、移動(dòng)設(shè)備及高性能計(jì)算領(lǐng)域。本文將探討DRAM的基本工作原理、存儲單元結(jié)構(gòu)及制造工藝演進(jìn),并分析
2025-02-14 10:24:401443

MTFC64GAZAQHD-AAT存儲器

MTFC64GAZAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲器,由MICRON制造,專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲性能和能效,適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量為
2025-02-14 07:46:05

MTFC32GASAQHD-AAT存儲器

MTFC32GASAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲器,由MICRON制造,專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲性能和能效,適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量為
2025-02-14 07:45:22

MTFC128GBCAQTC-AAT存儲器

MTFC128GBCAQTC-AAT是一款高性能的eMMC存儲器,由MICRON制造,專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲性能和能效,適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:44:29

MTFC128GAVATTC-AAT存儲器

MTFC128GAVATTC-AAT是一款高性能的eMMC存儲器,由MICRON制造,專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲性能和能效,適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:43:46

FM/復(fù)旦微 FM24C16D-SO-T-G SOP8存儲器芯片

特點(diǎn)FM24C16D提供16384串行電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM),組織為2048個(gè)8字每個(gè)位,具有128UID和16字節(jié)安全性部門。該設(shè)備經(jīng)過優(yōu)化,可用于多種場合工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用低
2025-02-13 14:49:06

揭秘非易失性存儲器:從原理到應(yīng)用的深入探索

? 非易失性存儲器是一種應(yīng)用于計(jì)算機(jī)及智能手機(jī)等設(shè)備中的存儲裝置(存儲器),其特點(diǎn)是在沒有外部電源的情況下仍能保存數(shù)據(jù)信息。本文將介紹非易失性存儲器的類型、特點(diǎn)及用途。 什么是非易失性存儲器
2025-02-13 12:42:142470

FM/復(fù)旦微 FM24C256E-SO-T-G SOP8存儲器芯片

特點(diǎn)FM24C256E提供262144串行電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM),由32768個(gè)8字組成每個(gè)位,具有128UID和64字節(jié)安全性部門,大大提高了可靠性內(nèi)部ECC邏輯。該設(shè)備
2025-02-11 14:34:13

數(shù)顯千分表的數(shù)據(jù)如何用存儲器進(jìn)行接收?

數(shù)顯千分表的數(shù)據(jù)如何用存儲器進(jìn)行接收
2025-02-11 06:01:54

存儲器的分類及其區(qū)別

初學(xué)者要了解SDRAM需要先了解存儲器分類。按照存儲器存儲功能劃分,可將其分為RAM 和 ROM 兩大類。
2025-02-08 11:24:513961

納祥科技74HC595D,一款應(yīng)用于LED廣告顯示屏的低功耗3態(tài)8位移位寄存器

74HC595D是一顆高速寄存 / 輸出鎖存芯片,采用CMOS硅柵工藝,它包含一個(gè)8串行輸入與并行輸出移位寄存,并提供一個(gè)8D型存儲寄存,具有83態(tài)輸出,分別提供獨(dú)立的時(shí)鐘信號給移位寄存存儲寄存,移位寄存器具有直接清零功能和串行輸入輸出功能以及級聯(lián)應(yīng)用(采用標(biāo)準(zhǔn)引腳)
2025-02-05 17:21:56969

閃速存儲器屬于RAM還是ROM,閃速存儲器一般用來做什么的

在數(shù)字存儲技術(shù)的快速發(fā)展中,閃速存儲器(Flash Memory)以其獨(dú)特的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,成為了連接隨機(jī)存取存儲器(RAM)與只讀存儲器(ROM)之間的重要橋梁。本文將深入探討閃速存儲器的技術(shù)特性、分類及其在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2025-01-29 16:53:001683

閃速存儲器屬于RAM還是ROM,閃速存儲器有哪些功能和作用

本文旨在深入探討閃速存儲器的歸屬問題,即它是否屬于RAM或ROM,同時(shí)詳細(xì)闡述閃速存儲器的功能與作用。
2025-01-29 15:21:001590

閃速存儲器的閃速是指什么,閃速存儲器的速度比內(nèi)存快嗎

存儲器則通過引入創(chuàng)新的擦除編程電路技術(shù)和高速靈敏度放大器,實(shí)現(xiàn)了對所有存儲單元的同時(shí)、快速擦除。這種高效的擦除速度,使得閃速存儲器在數(shù)據(jù)更新和維護(hù)方面具有顯著優(yōu)勢,因此被形象地稱為“閃速”。
2025-01-29 15:14:001378

閃速存儲器是u盤嗎,閃速存儲器一般用來做什么的

在信息技術(shù)飛速發(fā)展的今天,閃速存儲器(Flash Memory)以其高速度、大容量和非易失性的特性,成為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域的重要成員。而U盤,作為閃速存儲器的一種常見應(yīng)用形式,更是憑借其便攜性和易用性,在
2025-01-29 15:12:001449

高速緩沖存儲器是內(nèi)存還是外存,高速緩沖存儲器是為了解決什么

高速緩沖存儲器(Cache)是內(nèi)存的一種特殊形式,但它與通常所說的主存儲器(RAM)有所不同。在計(jì)算機(jī)存儲體系中,Cache位于CPU和主存儲器之間,用于存儲CPU近期訪問過的數(shù)據(jù)或指令,以加快數(shù)據(jù)的訪問速度。
2025-01-29 11:48:003394

芯聚威科技推出模擬前端芯片SW302X系列

近日,芯聚威科技推出了全新的高精度多通道模擬前端芯片——SW302X系列,包括SW3024PH、SW3026PH和SW3028PH三款型號。該系列芯片集成了4/6/8通道的24模數(shù)轉(zhuǎn)換,以及可變至24倍增益的低噪聲儀表放大器、低溫漂片上基準(zhǔn)和RC時(shí)鐘振蕩等模塊,性能卓越。
2025-01-23 15:36:501334

SK海力士計(jì)劃減產(chǎn)NAND Flash存儲器以應(yīng)對市場下滑

近日,據(jù)韓媒最新報(bào)道,全球NAND Flash存儲器市場正面臨供過于求的嚴(yán)峻挑戰(zhàn),導(dǎo)致價(jià)格連續(xù)四個(gè)月呈現(xiàn)下滑趨勢。為應(yīng)對這一不利局面,各大存儲器廠商紛紛采取減產(chǎn)措施,旨在平衡市場供求關(guān)系,進(jìn)而穩(wěn)定
2025-01-20 14:43:551095

AN-881: 通過LIN—協(xié)議4進(jìn)行Flash/EE存儲器編程

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2025-01-14 16:12:440

EE-271: 高速緩沖存儲器在Blackfin處理中的應(yīng)用

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2025-01-07 14:18:170

EE-132:使用VisualDSP將C代碼和數(shù)據(jù)模塊放入SHARC存儲器

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2025-01-07 13:55:190

EE-286:SDRAM存儲器與SHARC處理的接口

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2025-01-06 15:47:010

EE-213:Blackfin處理通過異步存儲器接口進(jìn)行主機(jī)通信

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2025-01-05 10:09:190

EE-349:ADSP-2146xDDR2存儲器電路板設(shè)計(jì)指南

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2025-01-05 09:21:410

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