TDK PiezoBrush PZ3 - c評(píng)估套件：探索冷等離子體解決方案的利器 在電子工程領(lǐng)域，不斷探索和創(chuàng)新新的技術(shù)與產(chǎn)品是推動(dòng)行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。今天，我們就來(lái)詳細(xì)了解一下TDK
2025-12-25 16:35:11
110 SPS-5T-2000是一款溫度可達(dá)2000℃、壓力最高5T的智能放電等離子體熱壓燒結(jié)系統(tǒng)（Spark Plasma Sintering），其原理是利用通-斷直流脈沖電流直接通電燒結(jié)的加壓燒結(jié)
2025-12-20 15:25:12459 
在核聚變能源成為全球能源轉(zhuǎn)型重要方向的今天，托卡馬克等核聚變研究裝置的穩(wěn)定運(yùn)行與技術(shù)突破，離不開(kāi)對(duì)等離子體狀態(tài)的精準(zhǔn)把控。等離子體診斷作為解析等離子體物理特性的核心手段，通過(guò)探針?lè)ā⑽⒉ǚ?、激光法、光譜法等多種技術(shù)，獲取電子密度、電子溫度、碰撞頻率等關(guān)鍵參數(shù)，為核聚變反應(yīng)的控制與優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支撐。
2025-12-15 09:29:07522 
華為與廣汽、東風(fēng)集團(tuán)達(dá)成全新合作，這一戰(zhàn)略聯(lián)盟對(duì)制造工藝提出了新的要求。在保持各自體系特色的同時(shí)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品質(zhì)量提升，成為各方需要面對(duì)的課題。在這一背景下，等離子表面處理設(shè)備或許能夠提供一種新的工藝思路
2025-12-11 10:09:30384 基于衍射的光學(xué)計(jì)量方法（如散射測(cè)量術(shù)）因精度高、速度快，已成為周期性納米結(jié)構(gòu)表征的關(guān)鍵技術(shù)。在微電子與生物傳感等前沿領(lǐng)域，對(duì)高性能等離子體納米結(jié)構(gòu)（如金屬光柵）的精確測(cè)量提出了迫切需求，然而現(xiàn)有傳統(tǒng)
2025-12-03 18:05:28274 
氬離子拋光技術(shù)通過(guò)電場(chǎng)加速產(chǎn)生的高能氬離子束，在真空環(huán)境下對(duì)樣品表面進(jìn)行可控的物理濺射剝離。與傳統(tǒng)機(jī)械制樣方法相比，其核心優(yōu)勢(shì)在于：完全避免機(jī)械應(yīng)力導(dǎo)致的樣品損傷，能夠保持材料的原始微觀結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)
2025-11-25 17:14:14456 
摘要：電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀廣泛應(yīng)用于實(shí)驗(yàn)室元素分析。本文采用電感耦合等離子發(fā)射光譜法（ICP-OES）同時(shí)測(cè)定堿性電池生產(chǎn)廢水中鐵、鋅、錳、鎳、銅、鉛、鋁、鉻金屬元素的含量。
2025-11-25 13:52:45345 
等離子透鏡實(shí)驗(yàn)方案 柏林馬克斯·伯恩研究所(MBI)與漢堡DESY研究中心組成的聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)成功研制出可聚焦阿秒級(jí)光脈沖的等離子體透鏡。這一突破性進(jìn)展使得實(shí)驗(yàn)可用阿秒脈沖功率實(shí)現(xiàn)量級(jí)提升，為研究超快
2025-11-25 07:35:1798 
在TEM（透射電子顯微鏡）高精度的表征和FIB（聚焦離子束）切片加工技術(shù)之前，使用等離子體進(jìn)行樣品預(yù)處理是一個(gè)關(guān)鍵的步驟，主要用于清潔和表面改性，其直接目的是提升成像質(zhì)量或加工效率。
2025-11-24 17:17:031234 當(dāng)科技巨頭META宣布9月發(fā)布搭載 微型屏幕 的 智能眼鏡 時(shí)，輕巧機(jī)身內(nèi)的高精度光學(xué)系統(tǒng)引發(fā)關(guān)注。這款設(shè)備要在鏡片上實(shí)現(xiàn)虛實(shí)融合，依賴一項(xiàng) 納米級(jí)表面處理技術(shù) —— 等離子表面處理 。它通過(guò)
2025-11-19 09:37:28351 10月14日，京東聯(lián)合寧德時(shí)代旗下電伏與廣汽集團(tuán)宣布，將于雙十一期間推出定價(jià)10-12萬(wàn)元的廣汽埃安換電車型?！俺潆姟迸c“換電”兩條技術(shù)路線的市場(chǎng)博弈因此再度成為焦點(diǎn)。盡管補(bǔ)能方式不同，但二者
2025-11-07 09:12:16165 氬離子拋光技術(shù)作為一項(xiàng)前沿的材料表面處理手段，憑借其高效能與精細(xì)加工的結(jié)合，為多個(gè)科研與工業(yè)領(lǐng)域帶來(lái)突破性解決方案。該技術(shù)通過(guò)低能量離子束對(duì)材料表面進(jìn)行精準(zhǔn)處理，不僅能快速實(shí)現(xiàn)拋光還能在微觀尺度
2025-11-03 11:56:32205 
氬離子拋光和切割技術(shù)是現(xiàn)代微觀分析領(lǐng)域中不可或缺的樣品制備手段。該技術(shù)通過(guò)利用寬離子束（約1毫米寬）對(duì)樣品進(jìn)行切割或拋光，能夠精確地去除樣品表面的損傷層，并暴露出高質(zhì)量的分析區(qū)域，為后續(xù)的微觀結(jié)構(gòu)
2025-10-29 14:41:57192 
你是否想象過(guò)，有一種特殊的“火焰”，它并不灼熱，卻能瞬間讓材料表面煥然一新；它不產(chǎn)生煙霧，卻能精密地雕刻納米級(jí)的芯片電路？這種神奇的“火焰”，就是今天我們要介紹的主角——射頻等離子體（RF Plasma）。
2025-10-24 18:03:141303 PECVD（ Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積）是一種通過(guò)射頻（ RF ）電源激發(fā)等離子體，在低溫條件下實(shí)現(xiàn)薄膜沉積的半導(dǎo)體制造技術(shù)。其核心在于利用等離子體中的高能粒子（電子、離子、自由基）增強(qiáng)化學(xué)反應(yīng)活性。
2025-10-23 18:00:412699 
銀膠與銀漿是差異顯著的材料：銀膠是“銀粉+樹(shù)脂”的粘結(jié)型材料，靠低溫固化實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電與固定，適合LED封裝、柔性電子等熱敏低功率場(chǎng)景，設(shè)備簡(jiǎn)單（點(diǎn)膠機(jī)+烘箱），成本中等；導(dǎo)電銀漿是“銀粉+樹(shù)脂+溶劑
2025-10-17 16:35:141581 
堅(jiān)實(shí)有力的技術(shù)支撐。SEM分析在這之前，樣品的制備是至關(guān)重要的一步。傳統(tǒng)的研磨和拋光方法雖然在一定程度上能夠滿足樣品表面處理的需求，但往往會(huì)對(duì)樣品表面造成不可逆的損
2025-10-11 14:14:38217 
) Plasmatreat GmbH為此開(kāi)發(fā)了定制化應(yīng)用方案。Openair-Plasma?等離子工藝能溫和環(huán)保地預(yù)處理表面，使塑料、金屬和玻璃等材料獲得精密清潔，為后續(xù)加工做好準(zhǔn)備。等離子處理技術(shù)能顯
2025-09-30 09:42:14380 在“雙碳”目標(biāo)推動(dòng)下，新能源產(chǎn)業(yè)迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)，鋰離子電池作為核心儲(chǔ)能部件，性能直接決定終端產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力。作為鋰離子電池的核心單元，電芯設(shè)計(jì)需覆蓋需求定義、材料選型、結(jié)構(gòu)優(yōu)化至測(cè)試驗(yàn)證的全鏈條，既要
2025-08-28 18:03:501386 
*附件：ATA-7100單頁(yè)手冊(cè)V2.0.pdf
帶寬：（-3dB）DC~1.2kHz
電壓：20kVp-p（±10kVp）
電流：2mAp
功率：20Wp
壓擺率：≥53V/μs
應(yīng)用：介電彈性體測(cè)試、電流體打印、鐵電測(cè)試、等離子體測(cè)試、3D打印、材料極化、靜電紡絲、微流控
2025-08-21 19:23:59
*附件：ATA-7050單頁(yè)手冊(cè)V3.0.pdf
帶寬：（-3dB）DC~5kHz
電壓：10kVp-p（±5kVp）
電流：20mAp
功率：100Wp
壓擺率：≥111V/μs
應(yīng)用：介電彈性體測(cè)試、電流體打印、鐵電測(cè)試、等離子體測(cè)試、3D打印、材料極化、靜電紡絲、微流控
2025-08-21 19:22:53
*附件：ATA-7050B單頁(yè)手冊(cè)V1.1.pdf
帶寬：（-3dB）DC~5kHz
電壓：10kVp-p（±5kVp）
電流：20mAp
功率：100Wp
壓擺率：≥111V/μs
應(yīng)用：介電彈性體測(cè)試、電流體打印、鐵電測(cè)試、等離子體測(cè)試、3D打印、材料極化、靜電紡絲、微流控
2025-08-21 19:22:35
*附件：ATA-7030單頁(yè)手冊(cè)V3.0.pdf
帶寬：（-3dB）DC~5kHz
電壓：6kVp-p（±3kVp）
電流：30mAp
功率：90Wp
壓擺率：≥67V/μs
應(yīng)用：介電彈性體測(cè)試、電流體打印、鐵電測(cè)試、等離子體測(cè)試、3D打印、材料極化、靜電紡絲、微流控
2025-08-21 19:21:35
*附件：ATA-7025單頁(yè)手冊(cè)V3.0.pdf
帶寬：（-3dB）DC~10kHz
電壓：5kVp-p（±2.5kVp）
電流：30mAp
功率：75Wp
壓擺率：≥112V/μs
應(yīng)用：介電彈性體測(cè)試、電流體打印、鐵電測(cè)試、等離子體測(cè)試、3D打印、材料極化、靜電紡絲、微流控
2025-08-21 19:21:07
*附件：ATA-7020單頁(yè)手冊(cè)V3.0.pdf
帶寬：（-3dB）DC~30kHz
電壓：4kVp-p（±2kVp）
電流：30mAp
功率：60Wp
壓擺率：≥267V/μs
應(yīng)用：介電彈性體測(cè)試、電流體打印、鐵電測(cè)試、等離子體測(cè)試、3D打印、材料極化、靜電紡絲、微流控
2025-08-21 19:19:50
*附件：ATA-7015單頁(yè)手冊(cè)V3.0.pdf
帶寬：（-3dB）DC~80kHz
電壓：3kVp-p（±1.5kVp）
電流：40mAp
功率：60Wp
壓擺率：≥534V/μs
應(yīng)用：介電彈性體測(cè)試、電流體打印、鐵電測(cè)試、等離子體測(cè)試、3D打印、材料極化、靜電紡絲、微流控
2025-08-21 19:19:31
*附件：ATA-7015B單頁(yè)手冊(cè)V2.0.pdf
帶寬：（-3dB）DC~40kHz
電壓：3kVp-p（±1.5kVp）
電流：40mAp
功率：60Wp
壓擺率：≥266V/μs
應(yīng)用：介電彈性體測(cè)試、電流體打印、鐵電測(cè)試、等離子體測(cè)試、3D打印、材料極化、靜電紡絲、微流控
2025-08-21 19:17:54
*附件：ATA-7010單頁(yè)手冊(cè)V3.0.pdf
帶寬：（-3dB）DC~100kHz
電壓：2kVp-p（±1kVp）
電流：40mAp
功率：40Wp
壓擺率：≥445V/μs
應(yīng)用：介電彈性體測(cè)試、電流體打印、鐵電測(cè)試、等離子體測(cè)試、3D打印、材料極化、靜電紡絲、微流控
2025-08-21 19:17:28
拋光（PEP）工藝具有拋光效率高、適用于復(fù)雜零件等優(yōu)勢(shì)，可有效改善表面質(zhì)量。本文借助光子灣科技共聚焦顯微鏡等表征手段，研究電解質(zhì)等離子拋光工藝對(duì)激光選區(qū)熔化成形T
2025-08-21 18:04:38600 
上海伯東 IBE 離子束刻蝕機(jī), 離子束具有方向性強(qiáng)的特點(diǎn), 刻蝕過(guò)程中對(duì)材料的側(cè)向侵蝕 (鉆蝕)少, 能形成陡峭的光柵槽壁, 適合加工高精度, 高分辨率的光柵 (如中高溝槽密度的光柵).
2025-08-21 15:18:181021 
行業(yè)背景 等離子清洗機(jī)是半導(dǎo)體、電子、醫(yī)療器械等精密制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備，通過(guò)等離子體去除材料表面微污染物（如油污、氧化層），其處理效果（如清潔度、表面張力）直接影響后續(xù)焊接、鍍膜等工藝的良率，在傳統(tǒng)
2025-08-13 11:47:24458 
鋰離子電池作為新能源領(lǐng)域的核心技術(shù)，其生產(chǎn)工藝的精細(xì)化與創(chuàng)新能力直接決定了電池的性能、成本與安全性。本文系統(tǒng)梳理了從電極制備到電芯終檢的全流程技術(shù)。鋰離子電池電芯生產(chǎn)分為三大環(huán)節(jié)：電極制造、電芯裝配
2025-08-11 14:54:043640 在鋰離子電池的規(guī)?；圃熘?，電芯后段處理是將電極組件轉(zhuǎn)化為合格成品的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，直接決定電池的能量密度、循環(huán)壽命與安全性能。其中，除氣工藝作為后段處理的核心工序，專門針對(duì)電芯在化成過(guò)程中產(chǎn)生的反應(yīng)氣體
2025-08-11 14:52:591081 鈣鈦礦/硅疊層電池可突破單結(jié)電池效率極限，但半透明頂電池（ST-PSC）的ITO濺射會(huì)引發(fā)等離子體損傷。傳統(tǒng)ALD-SnO?緩沖層因沉積速率慢、成本高制約產(chǎn)業(yè)化。本研究提出溶液法金屬氧化物納米顆粒
2025-08-04 09:03:361040 
相較于傳統(tǒng)CMOS工藝，TSV需應(yīng)對(duì)高深寬比結(jié)構(gòu)帶來(lái)的技術(shù)挑戰(zhàn)，從激光或深層離子反應(yīng)刻蝕形成盲孔開(kāi)始，經(jīng)等離子體化學(xué)氣相沉積絕緣層、金屬黏附/阻擋/種子層的多層沉積，到銅電鍍填充及改進(jìn)型化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）處理厚銅層，每一步均需對(duì)既有設(shè)備與材料進(jìn)行適應(yīng)性革新，最終構(gòu)成三維集成的主要工藝成本來(lái)源。
2025-08-01 09:13:511974 圖1.射頻放電診斷系統(tǒng)與相似射頻放電參數(shù)設(shè)計(jì) 核心摘要： 清華大學(xué)與密歇根州立大學(xué)聯(lián)合團(tuán)隊(duì)在頂級(jí)期刊《物理評(píng)論快報(bào)》發(fā)表重大成果，首次通過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了射頻等離子體的相似性定律，并成功構(gòu)建全球首個(gè)
2025-07-29 15:58:47582 
一、核心功能多槽式清洗機(jī)是一種通過(guò)化學(xué)槽體浸泡、噴淋或超聲波結(jié)合的方式，對(duì)晶圓進(jìn)行批量濕法清洗的設(shè)備，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、光伏、LED等領(lǐng)域。其核心作用包括：去除污染物：顆粒、有機(jī)物、金屬離子
2025-07-23 15:01:01
鋰離子電容與超級(jí)電容在能量密度、功率、充電速度、循環(huán)壽命等方面各有優(yōu)勢(shì)，適用于不同場(chǎng)景。
2025-07-21 09:22:00982 
激光增強(qiáng)接觸優(yōu)化（LECO）是提升TOPCon電池效率的有效技術(shù)。然而，亟需改進(jìn)LECO兼容銀漿以確保TOPCon電池的可靠性與穩(wěn)定性。本研究通過(guò)在導(dǎo)電銀漿的無(wú)機(jī)玻璃粉中引入Al/Ga/Fe元素優(yōu)化
2025-07-18 09:04:04849 一、CMP工藝與拋光材料的核心價(jià)值化學(xué)機(jī)械拋光（ChemicalMechanicalPlanarization，CMP）是半導(dǎo)體制造中實(shí)現(xiàn)晶圓表面全局平坦化的關(guān)鍵工藝，通過(guò)“化學(xué)腐蝕+機(jī)械研磨
2025-07-05 06:22:087009 
化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Polishing, 簡(jiǎn)稱 CMP）技術(shù)是一種依靠化學(xué)和機(jī)械的協(xié)同作用實(shí)現(xiàn)工件表面材料去除的超精密加工技術(shù)。下圖是一個(gè)典型的 CMP 系統(tǒng)示意圖：
2025-07-03 15:12:552208 
(CMP)DSTlslurry斷供：物管通知受臺(tái)灣出口管制限制，F(xiàn)ab1DSTSlury(料號(hào):M2701505,AGC-TW)暫停供貨，存貨僅剩5個(gè)月用量(267桶)。DSTlslurry?是一種用于半導(dǎo)體制造過(guò)程中的拋光液，主要用于化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝。這種拋光液在制造過(guò)程中起著
2025-07-02 06:38:104459 遠(yuǎn)程等離子體刻蝕技術(shù)通過(guò)非接觸式能量傳遞實(shí)現(xiàn)材料加工，其中熱輔助離子束刻蝕（TAIBE）作為前沿技術(shù)，尤其適用于碳氟化合物（FC）材料（如聚四氟乙烯PTFE）的精密處理。
2025-06-30 14:34:451129 
等離子體發(fā)生裝置通過(guò)外部能量輸入使氣體電離生成等離子體，在工業(yè)制造、材料科學(xué)、生物醫(yī)療等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。高壓放大器作為能量供給的核心器件，直接影響等離子體的生成效率、穩(wěn)定性和可控性。 圖
2025-06-24 17:59:15486 
聲波振蕩、等離子體處理和超臨界干燥，確保掩膜板圖案的完整性與光刻精度。該設(shè)備適用于EUV（極紫外光刻）、ArF（氟化氬光刻）及傳統(tǒng)光刻工藝，支持6寸至30寸掩膜板的
2025-06-17 11:06:03
離子研磨技術(shù)的重要性在掃描電子顯微鏡（SEM）觀察中，樣品的前處理方法至關(guān)重要。傳統(tǒng)機(jī)械研磨方法存在諸多弊端，如破壞樣品表面邊緣、產(chǎn)生殘余應(yīng)力等，這使得無(wú)法準(zhǔn)確獲取樣品表層納米梯度強(qiáng)化層的真實(shí)、精準(zhǔn)
2025-06-13 10:43:20600 
圖1. 等離子體多通道Betatron振蕩產(chǎn)生的示意圖 近期，中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所超強(qiáng)激光科學(xué)與技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研究團(tuán)隊(duì)提出了一種基于雙激光脈沖干涉的新型高亮度X射線源產(chǎn)生方案。該團(tuán)
2025-06-12 07:45:08393 
等離子清洗機(jī)，也叫等離子表面處理儀，能夠去除肉眼看不見(jiàn)的有機(jī)污染物和表面吸附層，以及工件表面的薄膜層，從而實(shí)現(xiàn)清潔、涂覆等目的。隨著工業(yè)4.0的推進(jìn)，企業(yè)對(duì)設(shè)備管理的智能化、遠(yuǎn)程化需求日益迫切。當(dāng)前
2025-06-07 15:17:39625 
使用擴(kuò)展指令調(diào)用NICE協(xié)處理器完成預(yù)定操作，給出的優(yōu)勢(shì)通常為代替CPU處理數(shù)據(jù)，但其實(shí)使用片上總線掛一個(gè)外設(shè)，然后驅(qū)動(dòng)外設(shè)完成操作也可以實(shí)現(xiàn)相同的功能，所以想問(wèn)一下協(xié)處理器相比于外設(shè)實(shí)現(xiàn)還有沒(méi)有其它方面的優(yōu)勢(shì)
2025-05-29 08:21:02
干法刻蝕技術(shù)作為半導(dǎo)體制造的核心工藝模塊，通過(guò)等離子體與材料表面的相互作用實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)刻蝕，其技術(shù)特性與工藝優(yōu)勢(shì)深刻影響著先進(jìn)制程的演進(jìn)方向。
2025-05-28 17:01:183195 
使用擴(kuò)展指令調(diào)用NICE協(xié)處理器完成預(yù)定操作，給出的優(yōu)勢(shì)通常為代替CPU處理數(shù)據(jù)，但其實(shí)使用片上總線掛一個(gè)外設(shè)，然后驅(qū)動(dòng)外設(shè)完成操作也可以實(shí)現(xiàn)相同的功能，所以想問(wèn)一下協(xié)處理器相比于外設(shè)實(shí)現(xiàn)還有沒(méi)有其它方面的優(yōu)勢(shì)
2025-05-28 08:31:12
樣品切割和拋光配溫控液氮冷卻臺(tái)，去除熱效應(yīng)對(duì)樣品的損傷，有助于避免拋光過(guò)程中產(chǎn)生的熱量而導(dǎo)致的樣品融化或者結(jié)構(gòu)變化，氬離子切割制樣原理氬離子切割制樣是利用氬離子束（?1mm）來(lái)切割樣品，以獲得相比
2025-05-26 15:15:22478 
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓拋光作為關(guān)鍵工序，對(duì)設(shè)備穩(wěn)定性要求近乎苛刻。哪怕極其細(xì)微的振動(dòng)，都可能對(duì)晶圓表面質(zhì)量產(chǎn)生嚴(yán)重影響，進(jìn)而左右芯片制造的成敗。以下為您呈現(xiàn)一個(gè)防震基座在半導(dǎo)體晶圓制造設(shè)備拋光機(jī)上的經(jīng)典應(yīng)用案例。
2025-05-22 14:58:29551 
的納米級(jí)特性，展現(xiàn)出了卓越的性能優(yōu)勢(shì)，成為了指紋模組材料領(lǐng)域的一顆新星，有望引領(lǐng)指紋模組進(jìn)入一個(gè)全新的發(fā)展階段 。
探秘低溫納米燒結(jié)銀漿
微觀世界里的神奇銀漿
低溫納米燒結(jié)銀漿，從微觀視角來(lái)看，宛如一個(gè)
2025-05-22 10:26:27
化學(xué)機(jī)械拋光液是化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝中關(guān)鍵的功能性耗材，其本質(zhì)是一個(gè)多組分的液體復(fù)合體系，在拋光過(guò)程中同時(shí)起到化學(xué)反應(yīng)與機(jī)械研磨的雙重作用，目的是實(shí)現(xiàn)晶圓表面多材料的平整化處理。
2025-05-14 17:05:541222 
01背景介紹隨著聚變研究的深入發(fā)展，對(duì)等離子體參數(shù)測(cè)量的精度、時(shí)間分辨率和數(shù)據(jù)處理能力提出了更高的要求。湯姆遜散射診斷讀出電子學(xué)系統(tǒng)作為該技術(shù)的核心硬件載體，其性能直接決定了等離子體參數(shù)診斷的可靠性
2025-05-14 10:29:37247 
德國(guó)施泰因哈根 2025年5月9日 /美通社/ -- 普思瑪?shù)腛penair-Plasma ? 等離子技術(shù)專用于電池電芯及外殼表面的精細(xì)清洗、活化和鍍膜處理。該技術(shù)無(wú)需使用有害環(huán)境的溶劑，即可
2025-05-11 17:37:23633 
摘要 ： 一種用于小直徑非球面 CCP 拋光的新概念，稱為Pea Puffer非球面，能夠生成那些對(duì)于大多數(shù) CCP 拋光方法來(lái)說(shuō)孔徑太小的非球面。Pea Puffer方法能夠在工業(yè)中以高質(zhì)量
2025-05-09 08:48:08
）、彈性發(fā)射加工（EEM）、磁流變拋光（MRF）、激光火焰拋光（LP）、離子束修形（IBF）、磨料漿射流加工（ASJ）、等離子體輔助化學(xué)蝕刻（PACE）、激光誘導(dǎo)背面濕法刻蝕（LIBWE）。
若分析
2025-05-07 09:01:47
拋光的原理、特點(diǎn)、技術(shù)優(yōu)勢(shì)、限制以及應(yīng)用實(shí)例，以展現(xiàn)其在材料科學(xué)中的重要性。氬離子拋光的原理氬離子拋光技術(shù)的核心在于利用氬離子束對(duì)樣品表面進(jìn)行精確的物理蝕刻。在這個(gè)
2025-04-27 15:43:51640 
在現(xiàn)代制造業(yè)中，等離子焊設(shè)備憑借其高效、優(yōu)質(zhì)的焊接性能，廣泛應(yīng)用于航空航天、汽車制造、船舶工業(yè)等領(lǐng)域。然而，等離子焊設(shè)備運(yùn)行過(guò)程中能耗較高，且傳統(tǒng)模式下缺乏對(duì)能耗數(shù)據(jù)的精準(zhǔn)采集與分析，導(dǎo)致企業(yè)難以
2025-04-25 17:22:20689 TSMC，中芯國(guó)際SMIC 組成:核心:生產(chǎn)線，服務(wù):技術(shù)部門，生產(chǎn)管理部門，動(dòng)力站（雙路保障），廢水處理站(環(huán)保，循環(huán)利用)等。生產(chǎn)線主要設(shè)備: 外延爐，薄膜設(shè)備，光刻機(jī)，蝕刻機(jī)，離子注入機(jī)，擴(kuò)散爐
2025-03-27 16:38:20
通快霍廷格電子等離子體射頻及直流電源為晶圓制造的沉積、刻蝕和離子注入等關(guān)鍵工藝提供精度、質(zhì)量和效率的有力保障。 立足百年電源研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，通快霍廷格電子將持續(xù)通過(guò)創(chuàng)新等離子體電源解決方案，助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
2025-03-24 09:12:28561 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LGK一40型空氣等離子弧切割機(jī)電氣原理圖.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-21 16:30:23
9 氬離子拋光技術(shù)的核心氬離子拋光技術(shù)的核心在于利用高能氬離子束對(duì)樣品表面進(jìn)行精確的物理蝕刻。在拋光過(guò)程中，氬離子束與樣品表面的原子發(fā)生彈性碰撞，使表面原子或分子被濺射出來(lái)。這種濺射作用能夠在不引
2025-03-19 11:47:26626 
氬離子拋光技術(shù)又稱CP截面拋光技術(shù)，是利用氬離子束對(duì)樣品進(jìn)行拋光，可以獲得表面平滑的樣品，而不會(huì)對(duì)樣品造成機(jī)械損害。去除損傷層，從而得到高質(zhì)量樣品，用于在SEM，光鏡或者掃描探針顯微鏡上進(jìn)行成像
2025-03-17 16:27:36799 
高精度直線運(yùn)動(dòng)的關(guān)鍵產(chǎn)品。一、派克Parker電缸ETH系列有哪些優(yōu)勢(shì)？1.高功率密度，在較小的框架尺寸下可產(chǎn)生大推力，最大推力可達(dá)114,000N（約11.4噸）
2025-03-13 09:15:26930 
等離子體光譜儀（ICP-OES）憑借其高靈敏度、高分辨率以及能夠同時(shí)測(cè)定多種元素的顯著特點(diǎn)，在眾多領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用。它以電感耦合等離子體（ICP）作為激發(fā)源，將樣品原子化、電離并激發(fā)至高能級(jí)，隨后
2025-03-12 13:43:573379 
光學(xué)材料在許多現(xiàn)代應(yīng)用中都是必不可少的，但控制材料表面反射光的方式既昂貴又困難?，F(xiàn)在，在最近的一項(xiàng)研究中，來(lái)自日本的研究人員發(fā)現(xiàn)了一種利用等離子體調(diào)整鉛筆芯樣品反射光譜的簡(jiǎn)單而低成本的方法。他們
2025-03-11 06:19:55636 
2024年6月成功實(shí)現(xiàn)等離子體放電。洪荒70 建成運(yùn)行，在全球范圍內(nèi)率先完成了高溫超導(dǎo)托卡馬克的工程可行性驗(yàn)證，標(biāo)志著我國(guó)在高溫超導(dǎo)磁約束聚變這一關(guān)鍵領(lǐng)域取得先發(fā)優(yōu)勢(shì)。
5 、玄龍-50U
技術(shù)地位
2025-03-10 18:56:12
氬離子拋光技術(shù)作為一種先進(jìn)的材料表面處理方法，該技術(shù)的核心原理是利用氬離子束對(duì)樣品表面進(jìn)行精細(xì)拋光，通過(guò)精確控制離子束的能量、角度和作用時(shí)間，實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品表面的無(wú)損傷處理，從而獲得高質(zhì)量的表面效果
2025-03-10 10:17:50937 
氬離子切割與拋光技術(shù)是現(xiàn)代材料科學(xué)研究中不可或缺的樣品表面制備手段。其核心原理是利用寬離子束（約1毫米）對(duì)樣品進(jìn)行精確加工，通過(guò)離子束的物理作用去除樣品表面的損傷層或多余部分，從而為后續(xù)的微觀結(jié)構(gòu)
2025-03-06 17:21:19762 
。例如在癲癇診斷中，脈搏偽跡可能被誤判為癲癇樣活動(dòng)影響診斷準(zhǔn)確性。所以，有效處理腦電偽跡是獲取可靠腦電數(shù)據(jù)的關(guān)鍵。HUIYING不同類型腦電偽跡去除腦電偽跡的過(guò)程也稱
2025-03-04 20:24:092130 
EBSD樣品制備EBSD樣品的制備過(guò)程對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性有著極為重要的影響。目前，常用的EBSD樣品制備方法包括機(jī)械拋光、電解拋光和聚焦離子束（FIB）等，但這些方法各有其局限性。1.
2025-03-03 15:48:01692 
隨著集成電路特征尺寸的縮小，工藝窗口變小，可靠性成為更難兼顧的因素，設(shè)計(jì)上的改善對(duì)于優(yōu)化可靠性至關(guān)重要。本文介紹了等離子刻蝕對(duì)高能量電子和空穴注入柵氧化層、負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性、等離子體誘發(fā)損傷、應(yīng)力遷移等問(wèn)題的影響，從而影響集成電路可靠性。
2025-03-01 15:58:151548 
FIB技術(shù)原理聚焦離子束（FocusedIonBeam，簡(jiǎn)稱FIB）技術(shù)作為一種前沿的納米級(jí)加工與分析手段。它巧妙地融合了離子束技術(shù)與掃描電子顯微鏡（SEM）技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，憑借其獨(dú)特的原理、廣泛
2025-02-26 15:24:311860 
微觀結(jié)構(gòu)的分析氬離子束拋光技術(shù)作為一種先進(jìn)的材料表面處理方法，憑借其精確的工藝參數(shù)控制，能夠有效去除樣品表面的損傷層，為高質(zhì)量的成像和分析提供理想的樣品表面。這一技術(shù)廣泛應(yīng)用于掃描電子顯微鏡（SEM
2025-02-26 15:22:11618 
氬離子拋光技術(shù)作為一種前沿的材料表面處理手段，憑借其高效能與精細(xì)效果的結(jié)合，為眾多領(lǐng)域帶來(lái)了突破性的解決方案。它通過(guò)低能量離子束對(duì)材料表面進(jìn)行精準(zhǔn)加工，不僅能夠快速實(shí)現(xiàn)拋光效果，還能在微觀尺度上保留
2025-02-24 22:57:14774 
氬離子拋光技術(shù)憑借其獨(dú)特的原理和顯著的優(yōu)勢(shì)，在精密樣品制備領(lǐng)域占據(jù)著重要地位。該技術(shù)以氬氣為介質(zhì)，在真空環(huán)境下，通過(guò)電離氬氣產(chǎn)生氬離子束，對(duì)樣品表面進(jìn)行精準(zhǔn)轟擊，實(shí)現(xiàn)物理蝕刻，從而去除表面損傷層
2025-02-21 14:51:49762 
上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設(shè)備, 實(shí)現(xiàn)離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環(huán)境下, 通過(guò)
2025-02-20 14:24:151043 了堅(jiān)實(shí)有力的技術(shù)支撐。SEM分析在這之前，樣品的制備是至關(guān)重要的一步。傳統(tǒng)的研磨和拋光方法雖然在一定程度上能夠滿足樣品表面處理的需求，但往往會(huì)對(duì)樣品表面造成不可逆
2025-02-20 12:05:02584 
和公共健康研究至關(guān)重要。綜述了現(xiàn)有的氟分析方法，重點(diǎn)探討了近年來(lái)發(fā)展的基于電感耦合等離子體質(zhì)譜(ICP-MS)技術(shù)的氟分析方法及應(yīng)用，深入討論了這類方法如何通過(guò)質(zhì)量轉(zhuǎn)移策略，
2025-02-19 13:57:431704 
，憑借其獨(dú)特的原理、廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景以及顯著的優(yōu)勢(shì)，成為現(xiàn)代科學(xué)研究與工業(yè)生產(chǎn)中不可或缺的重要工具?；驹砭劢?b class="flag-6" style="color: red">離子束顯微鏡系統(tǒng)的核心在于其精妙的離子束產(chǎn)生與調(diào)控機(jī)
2025-02-13 17:09:031179 
本案例展示了EDFA中的兩種離子-離子相互作用效應(yīng)：
1.均勻上轉(zhuǎn)換（HUC）
2.非均勻離子對(duì)濃度淬滅（PIQ）
離子-離子相互作用效應(yīng)涉及稀土離子之間的能量轉(zhuǎn)移問(wèn)題。當(dāng)稀有離子的局部濃度變得足夠
2025-02-13 08:53:27
等離子清洗機(jī)的基本結(jié)構(gòu)大致相同,一般由真空室、真空泵、高頻電源、電極、氣體導(dǎo)入系統(tǒng)、工件傳送系統(tǒng)和控制系統(tǒng)等部分組成?？梢酝ㄟ^(guò)選用不同種類的氣體和調(diào)整裝置的特征參數(shù)等方法滿足不同的清洗用途和要求,使
2025-02-11 16:37:51726 氬離子束拋光技術(shù)（ArgonIonBeamPolishing,AIBP），一種先進(jìn)的材料表面處理工藝，它通過(guò)精確控制的氬離子束對(duì)樣品表面進(jìn)行加工，以實(shí)現(xiàn)平滑無(wú)損傷的拋光效果。技術(shù)概述氬離子束拋光技術(shù)
2025-02-10 11:45:38923 
實(shí)現(xiàn)表面的精細(xì)拋光。氬離子拋光的優(yōu)勢(shì)在于氬氣的惰性特性。氬氣不會(huì)與樣品發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，因此在拋光過(guò)程中，樣品的化學(xué)性質(zhì)得以保持，為研究者提供了一種理想的表面處理方法。
2025-02-07 14:03:34867 
隨著科技的飛速發(fā)展，電子設(shè)備的種類和數(shù)量不斷增加，人們對(duì)設(shè)備的能效要求也越來(lái)越高。低功耗處理器因其在節(jié)能、環(huán)保和成本效益方面的優(yōu)勢(shì)而受到廣泛關(guān)注。 低功耗處理器的定義 低功耗處理器是指在設(shè)計(jì)時(shí)
2025-02-07 09:14:481932 聚焦離子束（FIB）技術(shù)概述聚焦離子束（FIB）技術(shù)是一種通過(guò)離子源產(chǎn)生的離子束，經(jīng)過(guò)過(guò)濾和靜電磁場(chǎng)聚焦，形成直徑為納米級(jí)的高能離子束。這種技術(shù)用于對(duì)樣品表面進(jìn)行精密加工，包括切割、拋光和刻蝕
2025-01-24 16:17:291224 
氬離子拋光技術(shù)氬離子束拋光技術(shù)，亦稱為CP（ChemicalPolishing）截面拋光技術(shù)，是一種先進(jìn)的樣品表面處理手段。該技術(shù)通過(guò)氬離子束對(duì)樣品進(jìn)行精密拋光，利用氬離子束的物理轟擊作用，精確控制
2025-01-22 22:53:04759 
的能量損耗和更高的信號(hào)傳輸效率。AS9120P銀漿中的高純度銀顆粒，經(jīng)過(guò)精密的分散工藝處理，確保了其在固化后能形成均勻、致密的導(dǎo)電層，從而實(shí)現(xiàn)了極低的電阻值。這不僅提升了顯示屏的信號(hào)傳輸速度和質(zhì)量，還有
2025-01-22 15:24:35
等離子體（Plasma）是一種電離氣體，通過(guò)向氣體提供足夠的能量，使電子從原子或分子中掙脫束縛、釋放出來(lái)，成為自由電子而獲得，通常含有自由和隨機(jī)移動(dòng)的帶電粒子（如電子、離子）和未電離的中性粒子。由于
2025-01-20 10:07:169181 
氬離子拋光技術(shù)氬離子拋光技術(shù)憑借其獨(dú)特的原理和顯著的優(yōu)勢(shì)，在精密樣品制備領(lǐng)域占據(jù)著重要地位。該技術(shù)以氬氣為介質(zhì)，在真空環(huán)境下，通過(guò)電離氬氣產(chǎn)生氬離子束，對(duì)樣品表面進(jìn)行精準(zhǔn)轟擊，實(shí)現(xiàn)物理蝕刻，從而
2025-01-16 23:03:28585 
在電視技術(shù)的發(fā)展史上，等離子電視曾是家庭娛樂(lè)的中心。然而，隨著科技的進(jìn)步，新的顯示技術(shù)不斷涌現(xiàn)，等離子電視逐漸退出了主流市場(chǎng)。本文將探討等離子電視與當(dāng)前主流顯示技術(shù)——液晶顯示（LCD）、有機(jī)
2025-01-13 09:56:301904 等離子電視以其出色的畫(huà)質(zhì)和大屏幕體驗(yàn)，曾經(jīng)是家庭娛樂(lè)中心的首選。盡管隨著技術(shù)的發(fā)展，液晶電視和OLED電視逐漸取代了等離子電視的市場(chǎng)地位，但等離子電視依然以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)在某些領(lǐng)域保持著一席之地。 一
2025-01-13 09:54:282044 在現(xiàn)代家庭娛樂(lè)設(shè)備中，電視是不可或缺的一部分。隨著科技的發(fā)展，電視技術(shù)也在不斷進(jìn)步，從早期的顯像管電視發(fā)展到了現(xiàn)在的等離子電視和液晶電視。這兩種電視技術(shù)各有特點(diǎn)，消費(fèi)者在選擇時(shí)往往會(huì)感到困惑。 一
2025-01-13 09:51:394001 作為離子源的優(yōu)勢(shì)在FIB技術(shù)中，金屬鎵被廣泛用作離子源，這與其獨(dú)特的物理特性密切相關(guān)。鎵的熔點(diǎn)僅為29.76°C，這意味著在室溫稍高的情況下，鎵就能保持液態(tài)，便于
2025-01-10 11:01:381043 
簡(jiǎn)介 ：
?表面等離子體激元（SPPs）是由于金屬中的自由電子和電介質(zhì)中的電磁場(chǎng)相互作用而在金屬表面捕獲的電磁波，并且它在垂直于界面的方向上呈指數(shù)衰減。[1]
?與絕緣體-金屬-絕緣體(IMI
2025-01-09 08:52:57
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