無(wú)源器件既可以單獨(dú)使用，也可以串聯(lián)或并聯(lián)，是模擬信號(hào)處理（RLC用于放大、衰減、耦合、調(diào)諧和濾波）、數(shù)字信號(hào)處理（上拉電阻、下拉電阻和阻抗匹配電阻）、EMI抑制（LC噪聲抑制）和電源管理（R用于電流檢測(cè)和限制，LC用于能量累積）的重要組成部分。

分立元件的局限性

過(guò)去，無(wú)源元件是分立的，這意味著它們是分別制造的，并且在電路中通過(guò)印刷電路板（PCB）上的導(dǎo)線或電源軌相連。隨著時(shí)間的推移，它們沿著三條路徑發(fā)展演變：更小的尺寸、更低的成本和更高的性能。這些發(fā)展現(xiàn)在已經(jīng)很成熟并經(jīng)過(guò)了優(yōu)化，但是占位尺寸和高度尺寸意味著分立無(wú)源元件總是限制了縮小整體解決方案的面積和體積的努力成效。無(wú)源器件通常在一個(gè)應(yīng)用中占物料清單的80％以上，占線路板面積約60％，占整個(gè)元件支出約20％。這些因素綜合在一起帶來(lái)了非常復(fù)雜的庫(kù)存控制和存儲(chǔ)挑戰(zhàn)。

就其本質(zhì)而言，分立器件是單獨(dú)處理的元件。盡管可能有一些方法可以確保從某些工藝批次中選擇元件，但每個(gè)元件仍然具有高度的獨(dú)特性。然而，當(dāng)需要非常匹配的元件時(shí)，這是一個(gè)顯著的缺點(diǎn)。對(duì)于需要匹配的設(shè)備來(lái)說(shuō)，元件之間的獨(dú)特性和差異性會(huì)導(dǎo)致誤差，從而降低時(shí)間零點(diǎn)的電路性能。此外，在電路的工作溫度范圍內(nèi)及使用壽命期間，這種性能下降總是越來(lái)越糟糕。

分立無(wú)源器件的另一個(gè)缺點(diǎn)是各個(gè)元件的組裝和布線非常耗時(shí)，并且還占用很大的空間。這些元件使用焊接工藝連接，一般是通過(guò)通孔或表貼封裝技術(shù)（SMT）組裝。通孔是一種比較老的組裝技術(shù)，它將帶引線的器件插入PCB的孔中，任何多余的引線長(zhǎng)度都將被折彎并切除，并通過(guò)波峰焊將器件的引線連接至PCB互連電源軌。表貼封裝幫助實(shí)現(xiàn)了更小的無(wú)源元件。在這種情況下，在PCB上蝕刻貼裝連接圖案，將焊錫膏覆蓋在圖案上，接著使用貼片機(jī)來(lái)定位放置SMT元件。然后，PCB經(jīng)過(guò)回流焊工藝（其間焊錫膏液化并建立電氣連接），并在冷卻時(shí)，焊錫膏凝固并將SMT元件機(jī)械連接到PCB上。這兩種組裝技術(shù)的主要問(wèn)題是，焊接過(guò)程可能非常不可靠，在缺陷目標(biāo)是每百萬(wàn)分之幾的行業(yè)中，這一點(diǎn)越來(lái)越令人擔(dān)憂。在確保焊點(diǎn)可靠性方面有幾個(gè)因素非常重要：焊錫膏的實(shí)際成分（現(xiàn)在基本上都是無(wú)鉛的，因此可靠性降低）、回流焊工藝中的機(jī)械穩(wěn)定性（機(jī)械振動(dòng)可使焊點(diǎn)干燥）、焊錫膏的純度（任何污染物都會(huì)對(duì)焊點(diǎn)的可靠性產(chǎn)生負(fù)面影響），以及回流焊工藝中的時(shí)間與溫度。焊錫膏加熱的速度如何、實(shí)際溫度和溫度的均勻性怎樣以及焊錫膏加熱的時(shí)間都非常關(guān)鍵。其中的任何變化都可能導(dǎo)致連接焊盤或通孔的損壞，或者也可能引起器件上的機(jī)械應(yīng)力，隨著時(shí)間的推移而導(dǎo)致故障。

在PCB上采用無(wú)源元件的另一個(gè)局限是，由于它們板上分布在各處，走線需要很長(zhǎng)。這可能會(huì)引入未計(jì)入的寄生參數(shù)，從而使性能和結(jié)果的可重復(fù)性受限。通常，PCB走線具有大約1 nH／mm自感的長(zhǎng)度和電容，取決于線寬和與附近走線的距離。PCB走線的容差導(dǎo)致了寄生參數(shù)的變異，所以不僅帶來(lái)寄生效應(yīng)的破壞性，而且它們還是不可預(yù)測(cè)的。在PCB板上縮小容差會(huì)增加成本。

無(wú)源器件還提供了許多與外界的潛在接觸點(diǎn)，這些接觸點(diǎn)經(jīng)手動(dòng)處理或機(jī)器處理可能會(huì)引起ESD事件。同樣，這對(duì)整體可靠性和魯棒性會(huì)造成不利影響和風(fēng)險(xiǎn)。

集成無(wú)源器件的優(yōu)勢(shì)

在深入探討集成無(wú)源器件相比分立無(wú)源器件的優(yōu)勢(shì)之前，我們首先概述一下集成無(wú)源器件的起源。集成電路現(xiàn)在包含了許多晶體管（實(shí)際上是數(shù)百萬(wàn)個(gè)），它們由精細(xì)的金屬互相連接在一起。針對(duì)模擬類的應(yīng)用，業(yè)界還開發(fā)了特殊的工藝，如DAC和ADC中除了晶體管，還包含電阻和電容等無(wú)源元件。為了實(shí)現(xiàn)這些精密的模擬應(yīng)用所需的性能，已經(jīng)開發(fā)出質(zhì)量非常高的無(wú)源元件。用來(lái)構(gòu)建集成無(wú)源器件的正是這些高質(zhì)量的無(wú)源元件。正如集成電路中包含許多晶體管一樣，集成無(wú)源器件可以在一個(gè)非常小的封裝內(nèi)包含許多高質(zhì)量的無(wú)源元件。與集成電路一樣，集成無(wú)源器件在大面積襯底（晶圓）上制造，同時(shí)生成多個(gè)無(wú)源網(wǎng)絡(luò)。

與分立無(wú)源元件相比，集成無(wú)源器件最引人注目的優(yōu)勢(shì)之一是可以實(shí)現(xiàn)精確匹配。在制造集成無(wú)源網(wǎng)絡(luò)時(shí)，網(wǎng)絡(luò)內(nèi)的所有元件都是在相同條件下同時(shí)制造的，具有相同的材料，而且由于網(wǎng)絡(luò)緊湊，基本上是在同一位置。采用這種方式制造的無(wú)源元件比分立無(wú)源元件更可能具有出色的匹配。為了說(shuō)明這一點(diǎn)，我們假設(shè)有一個(gè)應(yīng)用需要兩個(gè)匹配的電阻。這些電阻在圓形襯底（如硅晶圓）上制造，如圖1所示。由于細(xì)微的工藝差異，如電阻薄膜的厚度、薄膜的化學(xué)性質(zhì)、接觸電阻等，因此在同一個(gè)批次內(nèi)將存在一定的阻值差異，而在多個(gè)批次里差異值更大。在圖1所示的例子中，深綠色表示電阻在容差范圍的高位值端，黃色表示電阻在容差范圍的低位值端。對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)的分立器件來(lái)說(shuō)，兩個(gè)電阻中的任意一個(gè)都可能來(lái)自不同的制造批次，如圖中用紅色表示的兩個(gè)單獨(dú)的電阻。這兩個(gè)分立電阻之間可觀察到的容差范圍可能是整個(gè)工藝的容差范圍，因此匹配較差。對(duì)于有特殊的訂購(gòu)限制而言，有可能從同一個(gè)批次中選擇這兩個(gè)分立電阻，如圖中用藍(lán)色標(biāo)出的兩個(gè)單獨(dú)的電阻。這兩個(gè)電阻之間可觀察到的容差只會(huì)是在同一個(gè)批次內(nèi)的容差范圍。雖然這兩個(gè)電阻之間的匹配將優(yōu)于隨機(jī)分立器件的情況，但仍有可能出現(xiàn)某種程度的不匹配。最后，對(duì)于集成無(wú)源器件，兩個(gè)電阻來(lái)自同一個(gè)芯片，如圖1黑色所示。這兩個(gè)電阻之間唯一可觀察到的容差是在同一個(gè)管芯內(nèi)的容差范圍。因此，這兩個(gè)電阻之間的匹配將非常出色。此外，使用交叉四邊形布局的其他技術(shù)和其他方法可以進(jìn)一步嚴(yán)格限制兩個(gè)電阻之間的擴(kuò)散，使元件的匹配達(dá)到最佳值。集成無(wú)源元件之間的匹配不僅在時(shí)間零點(diǎn)比分立無(wú)源元件要好得多，而且由于其制造已經(jīng)很好地耦合，因此在整個(gè)溫度、機(jī)械應(yīng)力和使用壽命范圍內(nèi)都可保持更好的匹配記錄。

使用微型模塊SIP中的集成無(wú)源器件

集成無(wú)源器件中的各個(gè)元件緊密地放置在一起（實(shí)際上在微米范圍內(nèi)），因此，互連寄生參數(shù)（如布線電阻和電感）可以保持在極低的水平。在PCB上，由于走線容差和元件放置容差，互連寄生參數(shù)可能會(huì)發(fā)生變化。由于制造工藝中采用微影工藝，因此使用集成無(wú)源器件的互連容差和元件放置容差都很小。在集成無(wú)源器件中，不僅寄生參數(shù)非常小，而且這些為數(shù)不多的參數(shù)還是可預(yù)測(cè)的，因此可靠性很高。

通過(guò)集成無(wú)源器件實(shí)現(xiàn)無(wú)源網(wǎng)絡(luò)的小型化，為電路板直接帶來(lái)小尺寸的優(yōu)勢(shì)。這直接使電路板成本降低，并允許在更小的占位空間上實(shí)現(xiàn)更多功能和更高性能。使用集成無(wú)源器件時(shí)，構(gòu)建多通道系統(tǒng)變得更加實(shí)際可行。

集成無(wú)源器件的另一個(gè)顯著優(yōu)勢(shì)是其整個(gè)布線網(wǎng)絡(luò)周圍的魯棒性。集成無(wú)源器件本質(zhì)上是在一個(gè)完整的單元里一起鍛造，用玻璃密封，然后進(jìn)一步由牢固的塑料封裝進(jìn)行保護(hù)，而不需要大量的焊接連接。在集成無(wú)源網(wǎng)絡(luò)中，不存在焊點(diǎn)干燥、腐蝕或元件錯(cuò)位的問(wèn)題。

集成無(wú)源網(wǎng)絡(luò)密封性能出色帶來(lái)的另一個(gè)優(yōu)勢(shì)是，系統(tǒng)中暴露節(jié)點(diǎn)的數(shù)量大大減少。因此，系統(tǒng)因意外短路或靜電放電（ESD）事件損壞的可能性顯著降低。

維護(hù)和控制任何電路板組裝的元件庫(kù)存都是一項(xiàng)非常復(fù)雜的任務(wù)。集成無(wú)源器件在一個(gè)器件內(nèi)包含多個(gè)無(wú)源元件，大大減輕了客戶的物料清單負(fù)擔(dān)，從而降低擁有成本。客戶可以獲得經(jīng)過(guò)完全測(cè)試和充分驗(yàn)證的集成無(wú)源網(wǎng)絡(luò)。這意味著，最終線路板構(gòu)建的產(chǎn)量得到提高，這不僅可以進(jìn)一步節(jié)省成本，還可以提高供應(yīng)鏈的可預(yù)測(cè)性。

使用ADI的集成無(wú)源器件（iPassives）

如前所述，高質(zhì)量的無(wú)源器件一直是ADI多年來(lái)眾多產(chǎn)品所實(shí)現(xiàn)的電路性能的核心。在此期間，無(wú)源器件的范圍不斷擴(kuò)大并且質(zhì)量不斷提高，集成無(wú)源器件產(chǎn)品組合現(xiàn)在包含大量元件。集成無(wú)源器件采用模塊化工藝，這意味著只有在需要特定元件時(shí)才需要執(zhí)行生產(chǎn)某種類型無(wú)源器件所需的工藝步驟。iPassives網(wǎng)絡(luò)的構(gòu)建基本上只需要必需的工藝復(fù)雜性，不多也不少。如圖2所示，有許多無(wú)源構(gòu)建塊可供選擇，構(gòu)建一個(gè)集成無(wú)源網(wǎng)絡(luò)就像將所需元件拼裝在一起一樣簡(jiǎn)單。

使用微型模塊SIP中的集成無(wú)源器件

如本文前面所述，集成無(wú)源器件與分立無(wú)源器件相比具有許多優(yōu)勢(shì)。ADI將它們用于μModule器件中，進(jìn)一步加強(qiáng)了這些優(yōu)勢(shì)。這些模塊利用了各種集成電路的功能。這些電路通過(guò)量身定制的工藝進(jìn)行制造，所提供的增強(qiáng)性能是無(wú)法通過(guò)其他任何單一工藝實(shí)現(xiàn)的。ADI正在使用iPassives將這些集成電路連接在一起，由此在單個(gè)器件內(nèi)構(gòu)建完整的精密信號(hào)鏈。圖3中的兩個(gè)μModule器件示例包括數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、放大器和其他元件，通過(guò)采用集成無(wú)源器件構(gòu)建的無(wú)源增益和濾波網(wǎng)絡(luò)將它們結(jié)合在一起。

使用微型模塊SIP中的集成無(wú)源器件。

ADI生產(chǎn)高度可定制的精密信號(hào)調(diào)理系統(tǒng)。采用來(lái)自大量經(jīng)現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證的IC產(chǎn)品組合的可重復(fù)使用的方法，并將其與iPassives的多功能性相結(jié)合，從而使開發(fā)周期時(shí)間和成本都顯著下降。這一決定為客戶提供了巨大的優(yōu)勢(shì)，使客戶可以自行利用最先進(jìn)的性能更快、更高效地進(jìn)入市場(chǎng)。

結(jié)論

乍一看，使用集成無(wú)源器件可能只會(huì)比其他更成熟的方法顯得略微有利。然而，實(shí)際優(yōu)勢(shì)更為顯著，ADI采用iPassives不僅重新定義了可以實(shí)現(xiàn)的功能，還重新定義了速度、成本和設(shè)計(jì)尺寸，使之對(duì)客戶更為有利。

Mark Murphy ［ mark．murphy＠analog．com］是愛(ài)爾蘭利默里克精密轉(zhuǎn)換器部的產(chǎn)品營(yíng)銷工程師。他擁有梅里馬克學(xué)院電子工程學(xué)士學(xué)位和利默里克大學(xué)工商管理碩士學(xué)位。

使用微型模塊SIP中的集成無(wú)源器件

Mark Murphy

Pat McGuinness ［ pat．mcguinness＠analog．com］是ADI公司的產(chǎn)品工程師，負(fù)責(zé)在封裝應(yīng)用系統(tǒng)中使用集成無(wú)源器件。自1994年加入ADI以來(lái)，Pat一直致力于產(chǎn)品產(chǎn)量改進(jìn)活動(dòng)、電路設(shè)計(jì)、器件建模和新工藝開發(fā)。在ADI期間，他設(shè)計(jì)了精密轉(zhuǎn)換器、開關(guān)、傳感器和無(wú)源網(wǎng)絡(luò)。Pat畢業(yè)于科克大學(xué)，獲得電氣與微電子工程學(xué)士學(xué)位。