三星電子近日迎來重要戰(zhàn)略部署，其半導體業(yè)務CEO慶桂顯正式宣布，公司將在美國和韓國設立全新的半導體AGI計算實驗室，并已啟動相關招聘工作。此次實驗室的成立，標志著三星在人工智能領域邁出了堅實的一步。

在2024年CFMS閃存市場峰會上，三星半導體展示了其面向PC、移動端和服務器的多樣化創(chuàng)新存儲解決方案。

三星電子在人工智能時代的半導體探索之路，盡管在HBM芯片領域暫時落后，但并未阻止其在通用人工智能（AGI）領域邁出堅定的步伐。近期，三星電子宣布成立新的研究實驗室，專門致力于設計滿足AGI需求的全新半導體，這一決策不僅展示了三星對AI未來發(fā)展的深刻洞察，也彰顯了其在半導體技術領域的持續(xù)創(chuàng)新決心。

三星電子半導體業(yè)務近日取得重大進展，其CEO慶桂顯在社交媒體平臺上宣布，公司在美國和韓國正式成立半導體AGI（通用人工智能）計算實驗室，并已經(jīng)開始進行人才招聘工作。這一實驗室的成立，標志著三星在人工智能芯片設計領域邁出了堅實的步伐，也彰顯了其在全球半導體行業(yè)的領導地位。

交給代工廠來開發(fā)和交付。臺積電是這一階段的關鍵先驅。 半導體的第四個時代——開放式創(chuàng)新平臺 仔細觀察，我們即將回到原點。隨著半導體行業(yè)的不斷成熟，工藝復雜性和設計復雜性開始呈爆炸式增長。工藝技術

想問一下，半導體設備需要用到溫度傳感器的有那些設備，比如探針臺有沒有用到，具體要求是那些，

近期，科技巨頭三星半導體做出了一個引人注目的決策：將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。

大話芯片2月29日消息，據(jù)透露，首爾半導體正在對法國公司FINELITE和三星半導體提起有機發(fā)光二極管（LED）專利侵權訴訟。

由于2023年三星半導體業(yè)務部門的業(yè)績疲軟，該部門宣布將不會發(fā)放年度獎金給員工。去年，該部門的員工獲得了相當于年薪50%的分紅。

來源：國芯網(wǎng)，謝謝 編輯：感知芯視界 Link 1月30日消息，據(jù)韓媒報道，三星電子決定不對半導體部門員工發(fā)放年度分紅！ 據(jù)《韓國經(jīng)濟日報》30日引述業(yè)界消息報導，三星29日釋出各大事業(yè)單位的整體

半導體業(yè)務的萎靡是三星業(yè)績下滑的重要因素之一。據(jù)悉，三星去年該項業(yè)務損失高達14.88萬億韓元，其中第四季度因行業(yè)不景氣芯片運營虧損達2.18萬億韓元（折合人民幣約合117.28億元），超過市場普遍預期的1.7萬億韓元；芯片銷售額雖達到了21.69萬億韓元

在CES 2024上，三星半導體再次展現(xiàn)了其卓越的創(chuàng)新能力和廣泛的產(chǎn)品布局。突破了圖形處理和網(wǎng)絡連接等領域的界限，三星展出了一系列適用于汽車、AI、元宇宙等應用的解決方案。

來源：EETOP，謝謝 編輯：感知芯視界 Link 根據(jù)韓國朝鮮日報報道，2023 年遭遇創(chuàng)業(yè)以來最大虧損的三星電子半導體業(yè)務部門高層決定，在2024 年將凍結薪資調整。 報道指出，日前負責半導體

數(shù)據(jù)顯示，截至2023年前三季度，三星電子DS部門虧損總額突破12萬億韓元。分析師預測，盡管第四季度損失或有所減輕，但2023年全年仍然有望累計達到近13萬億韓元的營業(yè)虧損。下滑源頭在于全球經(jīng)濟低谷導致信息技術需求下降以及旗艦產(chǎn)品存儲半導體價格下跌。

如何把示波器和探頭對測量的干擾影響降到最低？ 在使用示波器和探頭時，我們應當注意如何將其影響降到最低。以下是一些方法和技巧，可以幫助我們減少示波器和探頭對測量的干擾。 1.選擇合適的示波器和探頭

來源：Austin American-Statesman 據(jù)媒體報道，三星位于美國泰勒市的大型制造工廠可能要到2025年才能開始大規(guī)模生產(chǎn)半導體芯片，與其預計的投產(chǎn)日期相比，推遲了至少半年

Siyoung Choi，三星電子代工業(yè)務部門主管，在2023年國際電子器件會議中透露，三星已將泰勒工廠的量產(chǎn)時間推遲到2025年。盡管如此，他表示泰勒廠將于明年下半年開始生產(chǎn)晶圓，此舉相對于原先設定的2024年下半年量產(chǎn)目標有所變動。

12月26日消息，據(jù)韓媒 ETNews 報道，三星電子正在開發(fā)自己的“智能傳感器系統(tǒng)”，用于對半導體工藝的控制和管理。這項新技術有望提高半導體良率、提高生產(chǎn)率。

請問一下電機的星三角啟動是不是降低電機的啟動電流的啊，還是其他的原因

根據(jù)不同的誘因，常見的對半導體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機器設備和半導體器件這三種。 當靜電與設備導線的主體接觸時，設備由于放電而發(fā)生充電，設備接地，放電電流將立即流過電路，導致靜電擊穿。外部物體

三星正在加速進軍擴展現(xiàn)實（XR）市場。三星電子與三星顯示已開始合作開發(fā)OLEDoS（OLED on Silicon）。

據(jù)JoongAng Daily報道，三星計劃將位于泰勒市的一家半導體芯片工廠擴建為總建筑面積270萬平方英尺（約2.5億坪）。建設工作已經(jīng)開始了。三星雇用當?shù)氐墓こ唐髽I(yè)，正在檢查工程進行情況。據(jù)泰勒市網(wǎng)站介紹，這座新樓目前的名稱是“三星制造工廠2”。

當年蘋果推出第一代iphone后，iphone芯片一直由三星生產(chǎn)，但從2016年iphone7開始被三星電子取代，由臺積電擔任獨家生產(chǎn)工廠。近年來，在三星晶圓代工產(chǎn)業(yè)中，4奈米制程在半導體效率和數(shù)量上大大落后于臺積電，使許多顧客進入臺積電的懷抱。

西門子電機繞組重繞后，星三角啟動角型切換時跳空開，電機保養(yǎng)廠商說可能線圈繞組順序換了，只要把線圈首尾端換后就能啟動，西門子電機有這種現(xiàn)象，有誰遇到過這種情況嗎？原因是什么？

2023年11月5日，第六屆中國國際進口博覽會（以下簡稱“進博會”）在上海國家會展中心盛大開幕。今年是三星電子連續(xù)參展的第六年，在本次進博會上，三星半導體全面展示了面向智能汽車、消費電子、人工智能

在三星和sk hynix的最大存儲器市場——智能手機和電腦市場上，因終端機需求的減少，存儲器半導體價格暴跌之后，大部分半導體制造企業(yè)撤回了對新存儲器設備的投資。投資者們熱切地期待著復蘇的跡象。

10月27日消息，據(jù)韓國近日傳出一起涉及三星電子公司的敏感案件，一名前高管被指控向中國泄露核心半導體技術和人力資源，引發(fā)了廣泛關注。這名前高管還被控非法使用工廠藍圖，并將機密信息泄露給其他公司。

采取相應措施。據(jù) Business Korea 報道，三星電子高層已決定將其西安 NAND 閃存工廠升級到 236 層 NAND 工藝，并已開始大規(guī)模擴張。 消息人士稱，三星已開始采購最新的半導體設備，新設備預計將在 2023 年底交付，并于 2024 年在西安工廠陸續(xù)引進可生產(chǎn)第

　三星決定升級西安工廠的原因大致有兩個。第一，在nand閃存市場尚未出現(xiàn)恢復跡象的情況下，在nand閃存市場保持世界領先地位。受從去年年底開始的it景氣低迷和半導體景氣低迷的影響，三星nand的銷量增加，從而使虧損擴大。

GPS定位到三顆星為什么還不能實現(xiàn)定位？

世界半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（semi）預測說，到2026年，8英寸晶片的生產(chǎn)能力將比2023年增加14%，其中34%的人預測汽車半導體將增加。三星為擴大汽車半導體市場，計劃在8英寸委托工廠生產(chǎn)bmic。

美國政府最近通過出口控制當局和國家安全保障會議（nsc）的經(jīng)濟、安全對話渠道公布，將三星電子和sk海力士的中國半導體工廠指定為“經(jīng)過驗證的最終用戶（veu）”。

10月9日，韓國半導體業(yè)傳來好消息，美國將無限期豁免三星電子和SK海力士向其在我國的工廠提供半導體設備，而且無需其它許可；美方的這一決定即日起生效。 三星電子在我國西安有生產(chǎn)NAND閃存，SK

　平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報道，三星原計劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬個dram和3萬個nand芯片，但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬個dram和1萬個nand芯片。

去年在得克薩斯州泰勒，為了生產(chǎn)尖端系統(tǒng)半導體，在約500萬平方米的地皮上著手建設170億美元規(guī)模的半導體合同工廠。這是三星迄今為止最大規(guī)模的海外投資。該工廠將生產(chǎn)主要用于5g （5g）、高性能計算（hpc）、人工智能（ai）等的以5納米工程為基礎的尖端半導體。

三星電機是韓國最大的半導體封裝基板公司，將在展會上展示大面積、高多層、超薄型的下一代半導體封裝基板，展示其技術。

概述： FS68002A是一款10W的無線充IC，采用SOP16封裝，兼容 WPC Qi v1.2.4 標準，支持5W、蘋果 7.5W、三星 10W 充電。 可以支持iPhone 12/13系列手機

西門子S7-1200/1500系列的PLC，需要連接帶EtherCAT的通訊功能的激光干涉儀。西門子的PLC采用Profinet實時以太網(wǎng)通訊協(xié)議，要連接EtherCAT的設備，就必須進行通訊協(xié)議轉換。該網(wǎng)關提供了快速可行的解決方，EtherCAT轉Profinet網(wǎng)關支持兩種實時以太網(wǎng)通訊協(xié)議之間的轉換，可以主通訊主站（加主站授權），也可以做通訊從站，兩個網(wǎng)絡獨立運行，通過網(wǎng)關內部進行數(shù)據(jù)映射。每個以太網(wǎng)網(wǎng)絡都提供雙端口交換機，方便連接和網(wǎng)絡擴展。 1、首先添加EtherCAT轉Profinet網(wǎng)關GSD文件； 2、找到EtherCAT轉Profinet網(wǎng)關模塊進行組態(tài)； 3、設置EtherCAT轉Profinet網(wǎng)關的IP地址和設備名稱； 4、設置EtherCAT轉Profinet網(wǎng)關的輸入輸出字節(jié)數(shù)長度； 5、下載組態(tài)到PLC； 6、打開EtherCAT轉Profinet網(wǎng)關配置軟件進行ECAT設置； 7、新建項目選擇PN2ECAT； 8、配置軟件的ip地址和設備名稱要和博圖一致； 9、在設備列表中查找并選定所需設備； 10、對從站設備進行參數(shù)配置， PDOs在下方參數(shù)欄中添加所用參數(shù)項。該文件已經(jīng)把參數(shù)寫死，直接下載配置進EtherCAT轉Profinet網(wǎng)關即可； 11、配置完成后運行； 12、直接對對應的IQ地址讀寫即可； 13、Ethercat從站地址可以從激光干涉儀設置，EtherCAT轉Profinet網(wǎng)關中選擇自動設置地址后按站號順序接入從站即可。

盡管全球半導體大廠紛紛削減投資，三星電子卻選擇逆勢而行，創(chuàng)下上半年設備投資額的歷史新高。值得注意的是，三星電子不僅僅停留在投資領域，還在多個方向積極籌措資金，這可能意味著他們將展開大規(guī)模的并購計劃

groq創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Jonathan Ross就此次合作表示：“groq的技術進步將通過保障ai出色性能的三星4納米晶片工程實現(xiàn)?！?b class="flag-6" style="color: red">三星Foundry表示：“與groq合作表明，三星Foundry的技術可以進一步擴大ai半導體革新的可能性。”并表示將加快半導體應用領域的多元化。

8月10日， 三星半導體在本次第五屆OCP China Day 2023(開放計算中國技術峰會)上分享了兩大應對內存墻限制的創(chuàng)新技術解決方案和開放協(xié)作的業(yè)務戰(zhàn)略。

先楫半導體使用上怎么樣？

三星半導體與芯馳科技聯(lián)合宣布，雙方達成長期戰(zhàn)略合作關系，加強在車規(guī)芯片領域的深度合作。為進一步推動車規(guī)半導體的系統(tǒng)集成和適配項目，芯馳科技將在全場景車規(guī)芯片的參考方案開發(fā)中引入三星半導體的高性能存儲芯片，共同推進雙方在車載領域的技術創(chuàng)新與突破。

汽車標準化半導體的系統(tǒng)集成及地否定項目為進一步推進科技的戰(zhàn)場，如果汽車標準化芯片參考三星半導體解決方案開發(fā)的高性能芯片采用雙方的車載領域，共同推進技術創(chuàng)新和突破。”

據(jù)業(yè)內人士7月19日消息，三星代工廠近期已與美國AI半導體初創(chuàng)公司Tenstorrent和Groq啟動研發(fā)項目。代工部門內的設計服務團隊負責這些研究任務。

三星電子將與tenstorent、groq共同開發(fā)用于尖端it設備的人工智能半導體。如果實現(xiàn)批量生產(chǎn)，預計半導體將在三星電子構建的sub-5-nn euv工程生產(chǎn)線和2.5d包裝設施中生產(chǎn)。

三星啟動氮化鎵功率半導體代工 三星電子近期業(yè)績壓力很大，市場疲軟、存儲芯片價格的下跌使得三星電子2023年第二季度的利潤暴跌，根據(jù)三星電子公布的2023年第二季度的初步數(shù)據(jù)顯示，期內銷售額為60萬億

三星Q2利潤恐暴跌96% 因為市場需求大幅下降，有分析師預測三星電子2023年Q2利潤將大幅下滑，三星Q2利潤恐暴跌96%。金額降至4.27億美元；4.27億這個金額是三星14年來最低的利潤

三星詳細介紹了他們的2納米制造工藝量產(chǎn)計劃和性能水平，并宣布從2025年開始提供8英寸氮化鎵（GaN）功率半導體代工服務，以滿足人工智能技術的需求。這種半導體具有高性能低功耗的特點，在消費類電子、數(shù)據(jù)中心和汽車等領域將得到廣泛應用。

韓國政府和三星電子公布，將于2023年3月投資300萬億韓元（約2300億美元），在龍仁市7.1平方公里的地皮上建立系統(tǒng)的半導體產(chǎn)業(yè)集群。在產(chǎn)業(yè)集群工業(yè)園區(qū)中，將有5家以上三星電子半導體工廠、150多家國內外原材料、零部件、設備企業(yè)、Fabless半導體企業(yè)和半導體研究機構等。

　據(jù)業(yè)內人士透露，三星電子設備解決方案部門總經(jīng)理Kye Hyun Kyung最近為檢查德國、瑞士、荷蘭等歐洲國家的商業(yè)環(huán)境而出國，但該公司目前尚未表明設立半導體工廠的立場。

三十多年來，三星一直是用于數(shù)字數(shù)據(jù)存儲的存儲芯片領域的領導者。但這是一個動蕩的市場。去年，內存芯片的價格大幅下跌，預計本季度的跌幅將高達 23%。4 月，三星公布第一季度業(yè)績慘淡，利潤跌至 2009 年以來的最低水平。

由于半導體禁令，整個半導體市場開始發(fā)生變化。原來世界上最先進的半導體工廠臺積電將無法再為華為加工麒麟芯片，高通（qualcomm）、三星（三星）等半導體巨頭也將無法向中國提供自由的產(chǎn)品。

1.概述 XSP16 是一款集成 USB Power Delivery PD3.1 快充協(xié)議、PD2.0/3.0 快充協(xié)議、QC2.0/3.0 快充協(xié)議、華為 FCP 協(xié)議和三星 AFC 協(xié)議

供應SC2002A芯片替代料XPD720 pps快充協(xié)議芯片支持三星 AFC 協(xié)議，提供XPD720關鍵參數(shù) ，廣泛應用于AC-DC 適配器、車載充電器等設備的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>

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供應XPD318BP25 三星25w充電器協(xié)議芯片單c口支持三星25w方案 ，廣泛應用于AC-DC 適配器、USB 充電設備等領域，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>

S32G3開發(fā)板上使用的ddr芯片是micro MT53E1G32D2FW-046 AUT: B 但是我們的開發(fā)板使用的是三星的芯片（K4FBE3D4HM THCL）。 如何查看 S32G3 支持的 DDR 芯片？。以及如何支持新的DDR芯片？

1.概述 XSP06 是一款集成 USB Power Delivery（PD2.0/3.0）快充協(xié)議，QC3.0/2.0 快充協(xié)議，和三星 AFC 快充協(xié)議（兼容 BC1.2）的 USB 多功能

調整為每月62萬片12英寸晶圓。與去年第四季度相比下降了5.34%。 特別是在第二季度，三星在西安半導體工廠將大幅減產(chǎn)。就西安一廠而言，預計將減產(chǎn)至每月11萬片，比去年第四季度的每月12.5萬片減少12

 供應XPD767BP18 支持三星pps快充協(xié)議芯片-65W和65W以內多口互聯(lián)，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向富滿微代理驪微電子申請。>>  

） 3.0/2.0 以及 PPS、QC3.0/2.0CLASS B 快充協(xié)議、華為 FCP/SCP 快充協(xié)議、三星 AFC 快 充協(xié)議、VOOC 2.0 快充協(xié)議

相星三角變壓器，初級側Y連接，次級側三角形連接，如下圖所示。極性標記在每個相位上都標明。繞組上的點表示在未接通的端子上同時為正的端子?！　　　?b class="flag-6" style="color: red">星側的相位標記為A，B，C，三角洲側的相位標記為a，b，c

快充協(xié)議、華為FCP 協(xié)議和三星 AFC 快充協(xié)議（兼容 BC1.2）的 USB Type-C 多功能取電芯片，支持和其它 MCU共用 D+D-網(wǎng)絡，自動識別電腦或充電器。支持從充電器/車充等電源上

三相對稱負載星型連接時線電壓的最大值是相電壓有效值的多少倍？

熱點新聞 1、三星被曝引入ChatGPT致半導體機密泄漏 據(jù)外媒報道，三星電子引入聊天機器人 ChatGPT 不到 20 天就發(fā)生了 3 起涉及 ChatGPT 的事故，其中 2 起與半導體設備

三相不對稱負載星型連接有無中心線對電路工作是否有影響？若有影響是什么影響？