在全球電力電子領(lǐng)域，英飛凌科技以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新能力和領(lǐng)先的產(chǎn)品質(zhì)量贏得了廣泛贊譽(yù)。近日，該公司宣布推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，標(biāo)志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域邁入了新的發(fā)展階段。
2024-03-12 09:53:52
97 在電力電子領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出，標(biāo)志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域迎來(lái)了新的里程碑，為行業(yè)的低碳化進(jìn)程注入了強(qiáng)大動(dòng)力。
2024-03-12 09:43:29125 我目前正在探索將
英飛凌 XMC4300 從控制器與 Xilinx Spartan-6 FPGA 集成到我們項(xiàng)目中的
兼容性和通信
協(xié)議選項(xiàng)。 具體來(lái)說(shuō)，我想了解 XMC4300 是否適用于促進(jìn)我們?cè)?/div>
2024-03-06 07:47:12
近日，半導(dǎo)體封測(cè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)日月光投控與知名芯片制造商英飛凌共同宣布，雙方已正式簽署收購(gòu)協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議，日月光投控將以6258.9萬(wàn)歐元的價(jià)格，收購(gòu)英飛凌位于菲律賓甲美地市及韓國(guó)天安市的兩座后段封測(cè)廠(chǎng)。
2024-02-25 11:11:01316 在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場(chǎng)使得漏極和源極端子之間有大量電流流動(dòng)。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級(jí)。
2024-02-23 09:38:53343 
英飛凌科技與Wolfspeed宣布，將擴(kuò)展并延長(zhǎng)他們最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。經(jīng)過(guò)這次擴(kuò)展，雙方的合作新增了一項(xiàng)多年期產(chǎn)能預(yù)訂協(xié)議。這一合作不僅有助于提升英飛凌總體供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性，還能滿(mǎn)足汽車(chē)、太陽(yáng)能和電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用以及儲(chǔ)能系統(tǒng)對(duì)碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)品日益增長(zhǎng)的需求。
2024-02-02 10:35:33332 英飛凌科技與格芯近日宣布了一項(xiàng)新的多年期供應(yīng)協(xié)議，該協(xié)議涵蓋了英飛凌的AURIX? TC3x 40納米汽車(chē)微控制器以及電源管理和連接解決方案。這一合作旨在滿(mǎn)足英飛凌在2024年至2030年間的業(yè)務(wù)增長(zhǎng)需求，通過(guò)鎖定新增產(chǎn)能，為英飛凌提供穩(wěn)定的供應(yīng)鏈保障。
2024-02-02 10:30:22215 英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產(chǎn)品采用了先進(jìn)的TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ，旨在滿(mǎn)足高壓應(yīng)用的需求。
2024-02-01 10:51:00381 ：GFS）近日宣布，就英飛凌的AURIX? TC3x 40納米汽車(chē)微控制器以及電源管理和連接解決方案達(dá)成一項(xiàng)新的多年期供應(yīng)協(xié)議。這一新增產(chǎn)能的鎖定將有助于滿(mǎn)足英飛凌2024年至2030年的業(yè)務(wù)增長(zhǎng)需求
2024-01-31 17:34:0293 
英飛凌科技與Wolfspeed近日宣布，將擴(kuò)展并延長(zhǎng)雙方最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。這一合作旨在滿(mǎn)足不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，并提升英飛凌供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性。
2024-01-31 17:31:14439 英飛凌科技股份公司近日宣布與全球領(lǐng)先的能源互聯(lián)網(wǎng)核心電力設(shè)備及解決方案領(lǐng)軍企業(yè)盛弘電氣股份有限公司達(dá)成合作。英飛凌將為盛弘電氣提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的1200 V CoolSiC MOSFET功率半導(dǎo)體器件，并配合EiceDRIVER? 緊湊型1200V單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)IC，共同提升儲(chǔ)能變流器的效率。
2024-01-31 11:13:36423 協(xié)議。這份協(xié)議最初簽訂于2018年2月（當(dāng)時(shí)Wolfspeed以Cree的名字為人所知）。擴(kuò)展的合作包括一個(gè)多年的產(chǎn)能預(yù)留協(xié)議。這對(duì)英飛凌的供應(yīng)鏈穩(wěn)定性至關(guān)重要，也考慮到了碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)品在汽車(chē)、太陽(yáng)能、電動(dòng)車(chē)（EV）應(yīng)用以及能源存儲(chǔ)系統(tǒng)越來(lái)越大的需求。 英飛凌的
2024-01-30 17:06:00180 
技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者Wolfspeed（NYSE代碼：WOLF）近日宣布擴(kuò)展并延長(zhǎng)雙方最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。經(jīng)過(guò)此次擴(kuò)展，雙方的合作又新增了一項(xiàng)多年期產(chǎn)能預(yù)訂協(xié)議。這不僅有助于提升英飛凌總體供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性，還能幫助滿(mǎn)足汽車(chē)、太陽(yáng)能和電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用以及儲(chǔ)
2024-01-30 14:19:1677 
英飛凌與格芯近日宣布了一項(xiàng)新的多年合作協(xié)議，旨在加強(qiáng)歐洲在汽車(chē)半導(dǎo)體領(lǐng)域的地位。根據(jù)協(xié)議，格芯將為英飛凌生產(chǎn)AURIX TC3x系列汽車(chē)微控制器（MCU）以及電源管理和連接解決方案。
2024-01-25 17:05:19514 英飛凌科技股份公司與格芯近日宣布達(dá)成一項(xiàng)新的多年合作協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議，格芯將為英飛凌生產(chǎn)AURIX TC3x 40納米汽車(chē)微控制器（MCU）以及電源管理和連接解決方案。這一合作將有助于確保英飛凌在2024至2030年間的業(yè)務(wù)增長(zhǎng)，并進(jìn)一步提升公司在汽車(chē)半導(dǎo)體領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。
2024-01-25 16:09:56194 英飛凌科技（Infineon Technologies）與美國(guó)半導(dǎo)體制造商Wolfspeed近日宣布，雙方將擴(kuò)大并延長(zhǎng)現(xiàn)有的晶圓供應(yīng)協(xié)議。這一協(xié)議的擴(kuò)展將進(jìn)一步加強(qiáng)英飛凌與Wolfspeed之間的合作關(guān)系，以滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)碳化硅（SiC）晶圓產(chǎn)品日益增長(zhǎng)的需求。
2024-01-24 17:19:52440 近日，英飛凌與SiC晶圓供應(yīng)商韓國(guó)SK Siltron公司的子公司SK Siltron CSS正式簽署了一項(xiàng)協(xié)議。
2024-01-19 10:00:07218 英飛凌與韓國(guó)SK Siltron子企業(yè)SK Siltron CSS最近達(dá)成了一項(xiàng)重要協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議，SK Siltron CSS將為英飛凌提供6英寸碳化硅（SiC）晶圓，以支持英飛凌在SiC半導(dǎo)體生產(chǎn)方面的需求。
2024-01-17 14:08:35225 /導(dǎo)讀/英飛凌作為全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)絕對(duì)的領(lǐng)軍者，對(duì)全球“減碳”事業(yè)的探索也一直走在前列。2023年4月，英飛凌還將工業(yè)功率控制事業(yè)部正式更名為零碳工業(yè)功率（GIP
2024-01-10 08:13:51152 
英飛凌是全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，12月23日，英飛凌160VMOTIX三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC獲得年度國(guó)際功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng)。本次評(píng)獎(jiǎng)活動(dòng)由世紀(jì)電源網(wǎng)舉辦，旨在通過(guò)客觀(guān)、真實(shí)、公開(kāi)的評(píng)選方式，評(píng)選
2023-12-30 08:14:04173 
英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過(guò)系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
傳輸?shù)紼therCAT網(wǎng)絡(luò)中。這種轉(zhuǎn)換過(guò)程可以實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)據(jù)的采集、傳輸和處理，同時(shí)還可以實(shí)現(xiàn)不同協(xié)議之間的互聯(lián)互通，提高系統(tǒng)的兼容性和可擴(kuò)展性。
CCLINKIE轉(zhuǎn)EtherCAT協(xié)議應(yīng)用的主要優(yōu)勢(shì)包括：
數(shù)據(jù)采集與傳輸
2023-12-17 13:02:59
。 ? OptiMOS 7 功率MOSFET ? 該半導(dǎo)體產(chǎn)品組合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置（Source-Down）封裝，標(biāo)準(zhǔn)門(mén)級(jí)和門(mén)級(jí)居中
2023-12-12 18:04:37494 
英飛凌IGBT模塊封裝? 英飛凌是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，專(zhuān)注于電力管理、汽車(chē)和電動(dòng)汽車(chē)解決方案、智能家居和建筑自動(dòng)化、工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療、安全和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。在電力管理領(lǐng)域，英飛凌的IGBT模塊
2023-12-07 16:45:21469 如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?
2023-12-06 18:22:24522 
本文提供了來(lái)自英飛凌的兩個(gè)文件Infineon_therm.sin 和 OptiMOS_n.sin，其中在OptiMOS_n.sin這個(gè)單個(gè)模板中文件中包含了286個(gè)模型。
2023-12-06 11:32:46505 
模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用成熟的62 mm 器件半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì)并基于新推出的增強(qiáng)型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。該封裝使SiC能夠應(yīng)用于250 kW以上的中等功率等級(jí)應(yīng)用，而傳統(tǒng)
2023-12-05 17:03:49446 
功率MOSFET在電力電子設(shè)備中應(yīng)用十分廣泛，因其故障而引起的電子設(shè)備損壞也比較常見(jiàn)。分析研究功率MOSFET故障的原因、后果，對(duì)于MOSFET的進(jìn)一步推廣應(yīng)用具有重要意義。
2023-12-04 15:57:241113 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
問(wèn)題1：在功率MOSFET管應(yīng)用中，主要考慮哪些參數(shù)？在負(fù)載開(kāi)關(guān)的功率MOSFET管導(dǎo)通時(shí)間計(jì)算，通常取多少比較好？相應(yīng)的PCB設(shè)計(jì)，銅箔面積布設(shè)多大散熱會(huì)比較好？漏極、源極銅箔面積大小是否需要一樣？有公式可以計(jì)算嗎？
2023-12-03 09:30:40408 
（SiC）MOSFET芯片，采用成熟的62mm封裝的半橋模塊。該封裝使SiCMOSFET能夠應(yīng)用于250kW以上的中等功率等級(jí)應(yīng)用，而傳統(tǒng)IGBT硅技術(shù)在這一功率等級(jí)應(yīng)
2023-12-02 08:14:01310 碳化硅MOSFET導(dǎo)通損耗低，開(kāi)關(guān)速度快，dv/dt高，短路時(shí)間小，對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓的選擇、驅(qū)動(dòng)參數(shù)配置及短路響應(yīng)時(shí)間都提出了更高的要求。英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部產(chǎn)品工程師鄭姿清女士，在2023IPAC
2023-12-01 08:14:10212 功率MOSFET零電壓軟開(kāi)關(guān)ZVS的基礎(chǔ)認(rèn)識(shí)
2023-11-23 09:06:38407 
管理應(yīng)用的 MRigidCSP? 封裝技術(shù)。AOS首顆應(yīng)用該新型封裝技術(shù)的12V 共漏極雙 N 溝道 MOSFET——AOCR33105E，實(shí)現(xiàn)在降低導(dǎo)通電阻的同時(shí)提高CSP產(chǎn)品的機(jī)械強(qiáng)度。這項(xiàng)新升級(jí)
2023-11-13 18:11:28219 
協(xié)議。英飛凌將建設(shè)并保留向現(xiàn)代/起亞供應(yīng)碳化硅及硅功率模塊和芯片的產(chǎn)能直至 2030 年?，F(xiàn)代/起亞將出資支持這一產(chǎn)能建設(shè)和產(chǎn)能儲(chǔ)備。 ? 英飛凌與現(xiàn)代汽車(chē)和起亞簽署了碳化硅（SiC）和硅（Si）功率半導(dǎo)體長(zhǎng)期供貨協(xié)議 ? 現(xiàn)代汽車(chē)集團(tuán)執(zhí)行副總裁兼全球戰(zhàn)略辦公室（GSO）負(fù)責(zé)人 Heung Soo
2023-11-09 14:07:51175 
英飛凌的功率半導(dǎo)體對(duì)電動(dòng)汽車(chē)轉(zhuǎn)型至關(guān)重要。這種轉(zhuǎn)型將帶動(dòng)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)強(qiáng)勁增長(zhǎng)，尤其是基于功能硅材料（如SiC）的半導(dǎo)體市場(chǎng)。通過(guò)在馬來(lái)西亞居林?jǐn)U建廠(chǎng)房，英飛凌將打造全球最大的8吋SiC功率半導(dǎo)體
2023-11-07 11:00:57385 
MOSFET中文名為金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管或MOS管，可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管。而功率MOSFET則指處于功率輸出級(jí)的MOSFET器件，通常工作電流大于1A。
2023-11-03 09:38:34196 
1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求
2、車(chē)規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來(lái)模塊封裝發(fā)展趨勢(shì)及看法
2023-10-27 11:00:52419 
功率MOSFET選型的幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。由于相應(yīng)理論技術(shù)文章有很多介紹MOSFET參數(shù)和性能的，這里不作贅述，只對(duì)實(shí)際
2023-10-26 08:02:47373 
在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
2023-10-25 10:43:16765 
和小功率MOSFET類(lèi)似，功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類(lèi);每個(gè)大類(lèi)又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。
2023-10-25 10:42:27493 
英飛凌科技、現(xiàn)代汽車(chē)公司和起亞公司達(dá)成了一項(xiàng)為期多年的SiC和Si功率半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議。英飛凌將建設(shè)并儲(chǔ)備制造能力，為現(xiàn)代/起亞提供SiC和Si功率模塊和芯片，直至2030年。現(xiàn)代/起亞將提供資金支持
2023-10-23 15:40:35436 汽車(chē)電子MOSFET發(fā)展的一個(gè)最終方向是提高感測(cè)、控制和保護(hù)功率開(kāi)關(guān)的性能。功率器件正集成到智能化車(chē)載系統(tǒng)中?，F(xiàn)在在最低功率級(jí)別，MOSFET可以與功率器件上的感測(cè)元件一起使用。
2023-10-20 11:44:58148 
眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動(dòng)功率，且開(kāi)關(guān)速度優(yōu)異。可以說(shuō)具有“理想開(kāi)關(guān)”的特性。其主要缺點(diǎn)是開(kāi)態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計(jì)的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49686 
MOSFET功率損耗的詳細(xì)計(jì)算
2023-09-28 06:09:39
pd充電協(xié)議和qc充電協(xié)議兼容嗎
2023-09-26 08:04:20
如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?
2023-09-18 16:54:35590 
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
和功率水平。這些快速恢復(fù)硅基功率MOSFET的器件適用于工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用，提供廣泛的封裝選項(xiàng)，包括長(zhǎng)引線(xiàn)TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封裝。
2023-09-08 06:00:53
傳遞? 能適應(yīng)于任意外形和配置的PC? 提供一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)接口，能快速應(yīng)用于產(chǎn)品中? 允許擴(kuò)展出新的USB設(shè)備類(lèi)，以提升PC的功能? UBS2.0協(xié)議必需向下兼容，以容納早期版本的設(shè)備
2023-09-07 08:03:40
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:431202 
功率MOSFET是便攜式設(shè)備中大功率開(kāi)關(guān)電源的主要組成部分。此外，對(duì)于散熱量極低的筆記本電腦來(lái)說(shuō)，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計(jì)算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過(guò)多相、同步整流、降壓型CPU核電源中一個(gè)30A單相的分布計(jì)算示例，詳細(xì)說(shuō)明了上述概念。
2023-09-06 09:14:32446 
為了劃分所涉及的功率并創(chuàng)建可以承受更多功率的器件，開(kāi)關(guān)、電阻器和 MOSFET 并聯(lián)連接。
2023-08-29 11:47:48302 
2ED020I06-FI是一款高電壓，高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，具有聯(lián)鎖高側(cè)和低側(cè)參考輸出。浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器可以直接供電，也可以通過(guò)二極管和電容供電。除了每個(gè)驅(qū)動(dòng)器的邏輯輸入外
2023-08-24 18:21:45
功率MOSFET數(shù)據(jù)表參數(shù)
2023-08-24 09:13:06552 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SAS4xNN系列引腳兼容的SAS/SATA擴(kuò)展器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-22 11:36:32
0 產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34885 
半橋和共發(fā)射極模塊產(chǎn)品組合。模塊的最大電流規(guī)格高達(dá) 800 A ，擴(kuò)展了英飛凌采用成熟的62 mm 封裝設(shè)計(jì)的產(chǎn)品組合。電流輸出能力的提高為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)額定電流更高方案的時(shí)候，不僅提供最大
2023-08-07 11:12:56417 
IPAC|2023年度英飛凌碳化硅直播季第一場(chǎng)直播于5月23日順利結(jié)束。直播中英飛凌的三位工程師孫輝波、趙佳、郝欣與大家探討了CoolSiC溝槽柵MOSFET的設(shè)計(jì)理念、高性能封裝互聯(lián)方案.XT
2023-07-31 17:30:06847 采用 SOP8 封裝，且外圍元器件少。
特點(diǎn)
1.5A 的最大輸出電流
60V/2A 的內(nèi)部功率 MOSFET
效率高達(dá) 93%
頻率可調(diào)
熱關(guān)斷
逐周期過(guò)流保護(hù)
寬輸入電壓范圍：6~60V
采用 SOP8 封裝
應(yīng)用
分布式電源系統(tǒng)
電池充電器
工業(yè)電源系統(tǒng)
行車(chē)記錄儀，車(chē)載充電器，掃地機(jī)
2023-07-29 14:13:39
TO-220和TO-220 FullPack 封裝的StrongIRFET 2是新一代功率MOSFET技術(shù)，它解決了廣泛的應(yīng)用，如適配器，電視、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)滑板車(chē)、電池管理、輕型電動(dòng)汽車(chē)、機(jī)器人、電源和園藝工具。
2023-07-19 10:44:25426 
/ OTCQX: IFNNY）與賽米控丹佛斯簽署了一項(xiàng)多年期批量供應(yīng)硅基電動(dòng)汽車(chē)芯片的協(xié)議。英飛凌將向賽米控丹佛斯供應(yīng)IGBT和二極管的芯片。采用這些芯片的功率模塊主要用于電動(dòng)汽車(chē)的主驅(qū)。 ? 英飛凌汽車(chē)事業(yè)部總裁Peter Schiefer “作為汽車(chē)半導(dǎo)體領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者，
2023-07-17 15:33:06316 英飛凌汽車(chē)部門(mén)總經(jīng)理Peter Schiefer表示：“作為汽車(chē)半導(dǎo)體領(lǐng)域的全球領(lǐng)軍人物，英飛凌為干凈、安全的乘車(chē)券提供改變格局的解決方案。今天，igbt和二極管通過(guò)電力動(dòng)力系統(tǒng)的有效電力轉(zhuǎn)換，對(duì)電動(dòng)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)換起到了重要的作用。
2023-07-14 10:50:02385 及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、研發(fā)中心建設(shè)及第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)項(xiàng)目等。 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試、銷(xiāo)售為主的半導(dǎo)體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGBT、二極管
2023-07-06 16:45:02520 
的功率，給無(wú)線(xiàn)充電器設(shè)備供電。LDR6328S也兼容傳統(tǒng)USB電源適配器。 2、特點(diǎn) 采用SOP-8封裝 兼容USBPD3.0規(guī)范，支持USBPD2.
2023-07-06 10:55:15497 
研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、研發(fā)中心建設(shè)及第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)項(xiàng)目等。 ? 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試、銷(xiāo)售為主的半導(dǎo)體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGB
2023-07-06 01:16:001409 
MOSFET的漏伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對(duì)應(yīng)GTR的截止區(qū)）;飽和區(qū)（對(duì)應(yīng)于GTR的放大區(qū)）;非飽和區(qū)（對(duì)應(yīng)于GTR的飽和區(qū)）。功率MOSFET在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下工作，即截止區(qū)域和不飽和區(qū)之間的轉(zhuǎn)換
2023-07-04 16:46:37974 
功率MOSFET的UIS雪崩損壞有三種模式：熱損壞、寄生三極管導(dǎo)通損壞和VGS尖峰誤觸發(fā)導(dǎo)通損壞。
2023-06-29 15:40:541276 
功率 MOSFET 即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三個(gè)管腳，分別為柵極（ Gate
2023-06-28 08:39:353665 
功率MOSFET最常用于開(kāi)關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開(kāi)關(guān)的作用。
2023-06-27 17:41:20369 
英飛凌科技汽車(chē) MOSFET 產(chǎn)品線(xiàn)高級(jí)副總裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹(shù)立新標(biāo)桿。
2023-06-26 13:10:00302 
最新一代面向汽車(chē)應(yīng)用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無(wú)引腳、堅(jiān)固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有
2023-06-06 11:01:361026 
PRISEMI芯導(dǎo)產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-06-06 10:02:58824 
功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個(gè)管腳，分別為柵極（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
功率模組封裝代工 功率模塊封裝是指其中在一個(gè)基板上集成有一個(gè)或多個(gè)開(kāi)關(guān)元件的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，所述開(kāi)關(guān)元件包括絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、二極管、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)、晶閘管
2023-05-31 09:32:31287 分享功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路方案大全，希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02
Jasper Flex高功率飛秒光纖激光器 Jasper Flex高功率飛秒光纖激光器是用于微處理的新型高功率飛秒激光器。其緊湊的尺寸使其更易于使用和集成到
2023-05-24 10:14:45
的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設(shè)計(jì)方法通過(guò)改良設(shè)計(jì)提高了能效和功率密度。 ? 文：英飛凌科技高級(jí)應(yīng)用工程師Jorge Cerezo ? 逆變焊機(jī)通常是通過(guò)功率模塊解決方案設(shè)計(jì)來(lái)實(shí)現(xiàn)更高輸出功率，從而幫助降低節(jié)能焊機(jī)的成本、重量和尺寸[1]。 ? 在焊機(jī)行業(yè)，諸如提高效率、降
2023-05-23 17:14:18618 
同步整流技術(shù)就是用功率MOSFET代替普通二極管或者肖特基二極管進(jìn)行整流,所以,研究同步整流技術(shù),就必須首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。
2023-05-18 09:10:06421 
功率MOSFET的雪崩強(qiáng)度限值是衡量器件針對(duì)于感性負(fù)載在開(kāi)關(guān)動(dòng)作應(yīng)用中的重要參數(shù)。 清楚地理解雪崩強(qiáng)度的定義，失效的現(xiàn)象及評(píng)估的方法是功率MOSFET電路設(shè)計(jì)必備的能力。 本文將以下面三個(gè)方面進(jìn)行探討。
2023-05-15 16:17:451133 
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)手冊(cè)中會(huì)有一個(gè)看似復(fù)雜的SOA（Safe Operation Area）圖片，這個(gè)安全工作區(qū)域圖告訴我們只有MOSFET工作在曲線(xiàn)內(nèi)才是安全可靠的。如下面的Nexperia的NMOS管PHB32N06LT的SOA圖。
2023-05-15 16:16:311174 
TOLL（Transistor Outline Leadless）封裝的MOSFET，由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點(diǎn)，已經(jīng)在電動(dòng)自行車(chē)、電動(dòng)摩托車(chē)、鋰電保護(hù)、通信電源等終端客戶(hù)得到廣泛使用。
2023-05-13 17:38:521981 
功率MOSFET怎樣關(guān)斷？能否用PWM實(shí)現(xiàn)？怎樣實(shí)現(xiàn)？
2023-05-08 16:16:27
不久前，英飛凌科技股份公司宣布其適用于高壓MOSFET的QDPAK和DDPAK頂部散熱（TSC）封裝技術(shù)正式注冊(cè)為JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。
2023-04-29 03:28:004585 
為了應(yīng)對(duì)相應(yīng)的挑戰(zhàn)，英飛凌科技股份公司宣布其高壓MOSFET 適用的 QDPAK 和 DDPAK 頂部冷卻 (TSC) 封裝已成功注冊(cè)為 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。
2023-04-13 16:54:252876 
KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET，特別為空間受限的便攜式應(yīng)用優(yōu)化的新一代MOSFET，這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)來(lái)取得能夠和SOT-523等大上許多封裝
2023-04-04 16:10:39987 
ESP32擴(kuò)展板ESP32 30P DEVKIT V1電源板模塊 ESP32S開(kāi)發(fā)板擴(kuò)展板
2023-04-04 11:05:05
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