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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>汽車電子>英飛凌推出面向汽車應用的新型 OptiMOS? 7 40V MOSFET系列，改進導通電阻、提升開關(guān)效率和設計魯棒性

      英飛凌推出面向汽車應用的新型 OptiMOS? 7 40V MOSFET系列，改進導通電阻、提升開關(guān)效率和設計魯棒性

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      2013-01-22 10:25:301159

      瑞薩電子推出新款低導通電阻MOSFET產(chǎn)品

      瑞薩電子宣布推出新款低導通電阻MOSFET產(chǎn)品，包括經(jīng)過最佳化的μPA2766T1A，做為網(wǎng)路伺服器與儲存系統(tǒng)之電源供應器內(nèi)的ORing FET使用。
      2013-03-06 09:50:101310

      e絡盟進一步擴充英飛凌CoolMOS與OptiMOS系列功率MOSFET

      e絡盟日前宣布新增來自全球半導體和系統(tǒng)解決方案領(lǐng)先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產(chǎn)品，進一步擴充其功率MOSFET產(chǎn)品組合。
      2015-03-02 17:37:381775

      英飛凌推出面向18?40kHz開關(guān)用途的低損耗IGBT

      英飛凌科技于2016年10月17日推出了支持18kHz?40kHz開關(guān)頻率的低損耗1200V耐壓IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）“RC-E系列”（英文發(fā)布資料）。新產(chǎn)品在IGBT上集成續(xù)流用體二極管
      2016-11-14 14:51:361744

      魯棒性是什么意思_Robust為什么翻譯成魯棒性

      魯棒性的定義 魯棒性是什么意思？頭一次看到這個詞的你可能會想歪（邪惡的笑臉）。但其實魯棒性是一個專業(yè)術(shù)語，廣泛應用與控制領(lǐng)域、信號處理領(lǐng)域、軟件領(lǐng)域等。 魯棒是Robust的音譯，也就是健壯和強壯
      2017-11-29 09:08:28130656

      MOSFET的導通電阻的概念及應用場合介紹

      MOSFET的導通電阻
      2018-08-14 00:12:0015153

      TI 超小型 FemtoFET MOSFET 支持最低導通電阻

      關(guān)鍵詞：MOSFET , FemtoFET 小信號 MOSFET 晶體管為移動設備節(jié)省電源，延長電池使用壽命 德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機與平板電腦等空間有限手持應用推出業(yè)界最小型低導通電阻
      2018-10-13 11:03:01728

      英飛凌科聯(lián)合Schweizer開發(fā)出面向輕度混合動力汽車新技術(shù)

      英飛凌聯(lián)合Schweizer電子股份公司成功開發(fā)出面向輕度混合動力汽車的新技術(shù)：芯片嵌入式功率MOSFET。
      2019-05-14 16:58:301693

      關(guān)于英飛凌OptiMOS實現(xiàn)這款90W車載充電器方案介紹

      英飛凌革命性OptiMOS產(chǎn)品的P溝道功率MOSFET之一，在導通電阻的開關(guān)系統(tǒng)設計中，能經(jīng)受極高的質(zhì)量考驗以滿足高性能的需求；加入增強模式，可根據(jù)不同應用場景選擇Normal Level
      2019-09-24 11:37:513853

      SiC MOSFET是具有低導通電阻和緊湊的芯片

      安森美半導體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術(shù)碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導通電阻
      2020-06-15 14:19:404976

      雪崩下SiC MOSFET應用技術(shù)的魯棒性評估

      本文將探討如何在雪崩工作條件下評估 SiC MOSFET 的魯棒性。MOSFET 功率變換器，特別是電動汽車驅(qū)動電機功率變換器，需要能夠耐受一定的工作條件。如果器件在續(xù)流導通期間出現(xiàn)失效或柵極驅(qū)動命令信號錯誤，就會致使變換器功率開關(guān)管在雪崩條件下工作。
      2020-08-09 10:33:002538

      揚杰科技發(fā)布N40-150V SGT功率MOSFET新品，全面提升開關(guān)和導通特性

      產(chǎn)品特點 1、優(yōu)異的開關(guān)特性和導通特性； 2、更好的導通電阻溫度特性，顯著增強器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性； 3、配合先進的封裝技術(shù)，SGT MOSFET器件有助于提升系統(tǒng)效率和功率密度； 4、另有P-60/-80/-100V SGT MOSFET。
      2020-11-26 14:54:434615

      英飛凌OptiMOS? 6 100 V系列通過技術(shù)革新，為高開關(guān)頻率應用樹立全新行業(yè)標桿

      OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新穎的設計理念， 具有更低的導通電阻和同類產(chǎn)品中更佳的優(yōu)值系數(shù) （FOM）。
      2021-12-03 10:50:381562

      英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET

      英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應用中的設計挑戰(zhàn)提供切實可行的解決方案。
      2022-02-15 13:51:382671

      降低高壓MOSFET導通電阻的原理與方法

      在功率半導體器件中，MOSFET以高速、低開關(guān)損耗、低驅(qū)動損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領(lǐng)域，MOSFET沒有競 爭對手，但隨著MOS的耐壓提高，導通電阻隨之以
      2022-03-17 09:35:333704

      什么是OptiMOS MOSFET？

      OptiMOS 已經(jīng)成為采用英飛凌獨特技術(shù)的中低耐壓 MOSFET 的商標，有多種耐壓、RDS(on)、封裝，適用于汽車和消費類應用。英飛凌在功率半導體領(lǐng)域的市場占有率位居全球第一，特別是在汽車
      2022-08-19 15:05:056088

      東芝推出具有低導通電阻的新款功率器件

      東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，現(xiàn)已開始出貨。
      2022-09-01 15:37:531079

      東芝新型高散熱封裝的車載40V N溝道功率MOSFET支持車載大電流設備

      東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出采用新型L-TOGLTM（大型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝的車載40V N溝道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB
      2023-02-04 18:31:453725

      EN系列：保持低導通電阻與開關(guān)速度，改善噪聲性能

      超級結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比，導通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴展為系列化產(chǎn)品，現(xiàn)已發(fā)展到第二代。
      2023-02-10 09:41:071710

      資料下載 | 低導通電阻 Nch 功率MOSFET（銅夾片型）產(chǎn)品參考資料

      近日羅姆新推出“ RS6xxxx 系列/ RH6xxxx 系列 ”共13款Nch MOSFET產(chǎn)品（40V/60V/80V/100V/150V），備受各個廠家的青睞。本文將為各位工程師呈現(xiàn)該系列
      2023-05-17 13:35:021478

      ME3121AM6G 高效率 40V輸入 1A負載同步整流DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器

      ME3121是一款高效率的同步整流降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器芯片，輸入電壓最高可達40V，內(nèi)部集成兩顆低導通電阻的NMOSFET功率開關(guān)，低側(cè)開關(guān)導通電阻170mΩ，高側(cè)開關(guān)導通電阻410mΩ，可支持1A
      2023-05-22 14:42:404292

      CMS4070M 40V N-Channel SGT MOSFET：高速開關(guān)和改進的dv/it能力

      摘要：CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET，采用SGT IV MOSFET技術(shù)。它具有快速開關(guān)和改進的dv/it能力，適用于MB/VGA、POL應用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。本文將介紹CMS4070M的特點、應用領(lǐng)域以及關(guān)鍵性能參數(shù)。
      2023-06-08 14:28:282140

      英飛凌推出OptiMOS 7技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列

      采用OptiMOS 7 技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列，進一步提升比導通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實現(xiàn)更低的RDSON，或者說在更小的晶圓面積下實現(xiàn)相同的RDSON。
      2023-07-03 16:11:121765

      東芝推出采用新型封裝的車載40V N溝道功率MOSFET

      東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品已于8月17日開始支持批量出貨。
      2023-08-24 11:19:101596

      納芯微推出首款車規(guī)級40V/單通道90mΩ智能低邊開關(guān)NSE11409系列

      納芯微推出首款車規(guī)級40V/單通道90mΩ智能低邊開關(guān)NSE11409系列 納芯微全新推出首款業(yè)界領(lǐng)先的NSE11409系列智能低邊開關(guān)芯片，該款芯片是專門針對驅(qū)動高可靠性負載應用而設計的，廣泛應用于驅(qū)動汽車和工業(yè)場景中的繼電器、執(zhí)行閥、照明和加熱電阻絲等負載元件。
      2022-10-27 13:42:501862

      英飛凌推出先進的OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大采用PQFN 2x2 mm2封裝的MOSFET器件的產(chǎn)品陣容

      全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優(yōu)化了用于高性能設計的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
      2023-10-13 16:25:121705

      魯棒性的含義以及如何提高模型的魯棒性？

      魯棒性的含義以及如何提高模型的魯棒性？ 什么是魯棒性？ 魯棒性是指一個系統(tǒng)或模型面對輸入或參數(shù)的變化時所表現(xiàn)出的穩(wěn)定性和可靠性。在機器學習中，魯棒性是指模型在面對輸入數(shù)據(jù)的變化時能夠保持穩(wěn)定的表現(xiàn)
      2023-10-29 11:21:535518

      具有業(yè)界超低導通電阻的Nch MOSFET

      ROHM 推出“RS6xxxxBx/ RH6xxxxBx系列”共13款 Nch MOSFET*1產(chǎn)品(40V/60V/80V/100V/150V)， 這些產(chǎn)品非常適合驅(qū)動以24V 、36V 、48V
      2023-11-20 01:30:561063

      面向汽車和工業(yè)應用的40V輸入、3.5A Silent Switcher μModule穩(wěn)壓器

      電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《面向汽車和工業(yè)應用的40V輸入、3.5A Silent Switcher μModule穩(wěn)壓器.pdf》資料免費下載
      2023-11-23 09:39:280

      英飛凌推出首款采用OptiMOS 7技術(shù)的15 V溝槽功率MOSFET

      英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應用優(yōu)化，主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
      2023-12-29 12:30:491820

      昕感科技推出超低導通電阻的SiC MOSFET器件

      近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導體開關(guān)解決方案。
      2024-01-04 14:37:571617

      英飛凌推出CoolSiC MOSFET G2技術(shù)，提升電力效率與可靠性

      另外，CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合還成功實現(xiàn)了SiC MOSFET市場中的最低導通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統(tǒng)中的可靠性，降低了零件使用數(shù)量。
      2024-03-10 12:32:411774

      英飛凌推出新一代OptiMOS? MOSFET技術(shù)封裝

      全球半導體行業(yè)的領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司宣布推出一款新型封裝——SSO10T TSC，該封裝基于其先進的OptiMOS? MOSFET技術(shù)，專為滿足汽車電子產(chǎn)品中對熱效率和空間利用有嚴苛要求的場合設計。
      2024-04-15 15:49:331566

      英飛凌推出80 V MOSFET OptiMOS 7

      英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產(chǎn)品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術(shù)不僅顯著提升了功率密度，還采用了通用且堅固的SSO8 5x6mm2 SMD封裝。
      2024-05-07 15:08:071440

      英飛凌推出CoolMO S7T和S7TA SJ MOSFET

      英飛凌推出的CoolMOS? S7T和S7TA SJ MOSFET，集成了先進的溫度傳感器技術(shù)，專為工業(yè)和汽車領(lǐng)域設計，顯著提升了結(jié)溫測量的精準度與穩(wěn)定性。這一創(chuàng)新不僅簡化了溫度監(jiān)測流程，還增強了功能安全性，為低頻大電流開關(guān)應用樹立了新標桿。
      2024-09-03 14:51:391102

      意法半導體推出40V STripFET F8 MOSFET晶體管

      意法半導體近期推出了標準閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管系列。該系列晶體管融合了強化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢，并具備出色的抗噪能力，專為非邏輯電平控制的應用場
      2024-12-11 14:27:00971

      瑞薩電子推出新型 100V 高功率 MOSFET，助力多領(lǐng)域應用

      近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應用而設計，以其卓越的高電流開關(guān)性能和行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)表現(xiàn)成為市場焦點。新型
      2025-01-13 11:41:38958

      CSD18511KCS 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊

      CSD18511KCS 是一款40V、2.1mΩ的N溝道NexFET?功率MOSFET，設計用于最小化功率轉(zhuǎn)換應用中的損耗。它采用TO-220塑料封裝，具有低柵極電荷（Qg）和低導通電阻（RDS(ON)），適用于次級側(cè)同步整流和電機控
      2025-04-15 16:23:11775

      CSD18510KCS 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET，單 TO-220,1.7mOhm數(shù)據(jù)手冊

      電荷 ?：Qg（總柵極電荷）在VGS=10V時為118nC，有助于減少開關(guān)損耗。 ? 低導通電阻 ?：RDS(on)（漏源導通電阻）在VGS=10V時為1.4mΩ，有助于降低傳導損耗。 ? 低熱阻 ?：結(jié)到殼熱阻
      2025-04-16 10:13:57766

      CSD18513Q5A 40V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊

      mm 塑料封裝 參數(shù) 方框圖 1. 產(chǎn)品概述 ? 型號 ?：CSD18513Q5A ? 類型 ?：40V N溝道 NexFET 功率MOSFET ? 封裝 ?：SON 5mm × 6mm 塑料封裝 ? 特點 ?：低導通電阻（R_DS(ON)）、低熱阻、雪崩額定、邏輯電平、無鉛端
      2025-04-16 10:54:00758

      揚杰科技推出用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品

      揚杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品，產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù)，具有較低的導通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導通和開關(guān)損耗，同時提升了MOSFET抗沖擊電流能力，非常適合應用于高功率密度和高效率電力電子變換系統(tǒng)。
      2025-06-27 09:43:531352

      MDD MOS導通電阻對BMS系統(tǒng)效率與精度的影響

      在電池管理系統(tǒng)（BMS）中，MDD辰達半導體MOSFET作為電池組充放電的開關(guān)與保護核心元件，其導通電阻（RDS(on)）參數(shù)對系統(tǒng)性能有著直接且深遠的影響。作為MDDFAE，在支持客戶調(diào)試或可靠性
      2025-11-12 11:02:47339

      選型手冊：MOT4523D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

      仁懋電子（MOT）推出的MOT4523D是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借先進溝槽技術(shù)、低導通電阻及低柵極電荷特性，適用于負載開關(guān)、PWM應用、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品
      2025-11-19 15:25:38253

      選型手冊：MOT4180G N 溝道功率 MOSFET 晶體管

      仁懋電子（MOT）推出的MOT4180G是一款面向40V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導通電阻、高雪崩穩(wěn)定性及無鉛封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開關(guān)與同步整流等領(lǐng)域
      2025-11-25 15:23:16209

      選型手冊：VS4020AP N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

      威兆半導體推出的VS4020AP是一款面向40V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借極低導通電阻與高可靠性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、負載開關(guān)等領(lǐng)域。一
      2025-11-26 14:55:52232

      選型手冊：VS4620GEMC N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

      威兆半導體推出的VS4620GEMC是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實現(xiàn)低導通電阻與高效能，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負載開關(guān)等
      2025-11-28 12:03:51205

      選型手冊：VS4620GP N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

      威兆半導體推出的VS4620GP是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實現(xiàn)低導通電阻與高可靠性，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負載開關(guān)等領(lǐng)域
      2025-12-01 15:07:36169

      選型手冊：VS4610AE N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

      威兆半導體推出的VS4610AE是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借低導通電阻、快速開關(guān)特性與高可靠性，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品
      2025-12-02 09:32:01256

      關(guān)于0.42mΩ超低導通電阻MOSFET的市場應用與挑戰(zhàn)

      在電源管理系統(tǒng)和高效電池管理系統(tǒng)（BMS）設計中，MOSFET作為開關(guān)元件，扮演著重要角色。由于其導通電阻直接影響到電路效率、功率損耗和熱量產(chǎn)生，因此低導通電阻的MOSFET成為越來越多高效系統(tǒng)
      2025-12-16 11:01:13198

      探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET：電機驅(qū)動的新突破

      探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET：電機驅(qū)動的新突破 在電子工程師的日常工作中，為電機驅(qū)動系統(tǒng)挑選合適的MOSFET至關(guān)重要。英飛凌最新推出的OptiMOS? 7 40V N
      2025-12-18 14:30:06188

      探索英飛凌最新120V溝槽功率MOSFET技術(shù)：從原理到應用

      探索英飛凌最新120V溝槽功率MOSFET技術(shù)：從原理到應用 在電子工程領(lǐng)域，功率MOSFET技術(shù)的不斷創(chuàng)新推動著各類電力電子設備向更高效率、更高功率密度和更高系統(tǒng)可靠性邁進。英飛凌作為行業(yè)的領(lǐng)軍者
      2025-12-20 10:35:06518

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