尚未實(shí)施,以及 IC 廠庫(kù)存水位偏低、智慧手機(jī)進(jìn)入銷售旺季,加上 AI 需求持續(xù)強(qiáng)等因素,晶圓代工廠產(chǎn)能利用率并未如預(yù)期下修,晶圓廠第三季表現(xiàn)可能更勝預(yù)期。 截止11月13日,全球晶圓代工大廠臺(tái)積電、聯(lián)電、中芯國(guó)際紛紛發(fā)布第三季度財(cái)報(bào),本文將重點(diǎn)
2025-11-16 00:19:00
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(電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道 文/章鷹)據(jù)外媒報(bào)道,格芯正在與聯(lián)電正在評(píng)估合并的可能性,目的是確保美國(guó)成熟制程芯片供應(yīng)暢通外,還有意通過(guò)投資美國(guó)研發(fā)工作,創(chuàng)造出一家規(guī)模更大、足夠與臺(tái)積電抗衡的企業(yè)。受此
2025-04-02 00:05:00
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摘要:本文研究白光干涉儀在肖特基二極管晶圓深溝槽 3D 輪廓測(cè)量中的應(yīng)用,分析其工作原理及適配深溝槽結(jié)構(gòu)的技術(shù)優(yōu)勢(shì),通過(guò)實(shí)際案例驗(yàn)證其測(cè)量精度,為肖特基二極管晶圓深溝槽制造的質(zhì)量控制與性能優(yōu)化提供
2025-10-20 11:13:27
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半導(dǎo)體晶圓拋光技術(shù)面臨多重挑戰(zhàn),這些挑戰(zhàn)源于工藝精度提升、新材料應(yīng)用及復(fù)雜結(jié)構(gòu)的集成需求。以下是主要的技術(shù)難點(diǎn)及其具體表現(xiàn): 納米級(jí)平整度與均勻性控制 原子級(jí)表面粗糙度要求:隨著制程節(jié)點(diǎn)進(jìn)入7nm
2025-10-13 10:37:52
470 我將從超薄玻璃晶圓 TTV 厚度測(cè)量面臨的問(wèn)題出發(fā),結(jié)合其自身特性與測(cè)量要求,分析材料、設(shè)備和環(huán)境等方面的技術(shù)瓶頸,并針對(duì)性提出突破方向和措施。
超薄玻璃晶圓(
2025-09-28 14:33:22
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再生晶圓與普通晶圓在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中扮演著不同角色,二者的核心區(qū)別體現(xiàn)在來(lái)源、制造工藝、性能指標(biāo)及應(yīng)用場(chǎng)景等方面。以下是具體分析:定義與來(lái)源差異普通晶圓:指全新生產(chǎn)的硅基材料,由高純度多晶硅經(jīng)拉單晶
2025-09-23 11:14:55
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根據(jù)集邦咨詢最新報(bào)告數(shù)據(jù)顯示,在2025年第二季度,全球前十大晶圓代工廠營(yíng)收增長(zhǎng)至417億美元以上,季增高達(dá)14.6%;創(chuàng)下新紀(jì)錄。在2025年第二季度,前十晶圓代工廠市場(chǎng)份額約達(dá)96.8%。其中
2025-09-03 15:54:51
4762 WD4000晶圓厚度翹曲度測(cè)量系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測(cè)量大翹曲wafer、測(cè)量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它通過(guò)非接觸測(cè)量,將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建,強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度,TTV
2025-08-25 11:29:30
在晶圓加工流程中,早期檢測(cè)宏觀缺陷是提升良率與推動(dòng)工藝改進(jìn)的核心環(huán)節(jié),這一需求正驅(qū)動(dòng)檢測(cè)技術(shù)與晶圓測(cè)試圖分析領(lǐng)域的創(chuàng)新。宏觀缺陷早期檢測(cè)的重要性與挑戰(zhàn)在晶圓層面,一個(gè)宏觀缺陷可能影響多個(gè)芯片,甚至在
2025-08-19 13:48:23
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我將從超薄晶圓研磨面臨的挑戰(zhàn)出發(fā),點(diǎn)明聚氨酯墊性能對(duì)晶圓 TTV 的關(guān)鍵影響,引出研究意義。接著分析聚氨酯墊性能與 TTV 的關(guān)聯(lián),闡述性能優(yōu)化方向及 TTV 保障技術(shù),最后通過(guò)實(shí)驗(yàn)初步驗(yàn)證效果。
超薄晶圓(
2025-08-06 11:32:54
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晶圓清洗工藝是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟,用于去除晶圓表面的污染物(如顆粒、有機(jī)物、金屬離子和氧化物),確保后續(xù)工藝(如光刻、沉積、刻蝕)的良率和器件性能。根據(jù)清洗介質(zhì)、工藝原理和設(shè)備類型的不同,晶圓
2025-07-23 14:32:16
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晶圓清洗機(jī)中的晶圓夾持是確保晶圓在清洗過(guò)程中保持穩(wěn)定、避免污染或損傷的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是晶圓夾持的設(shè)計(jì)原理、技術(shù)要點(diǎn)及實(shí)現(xiàn)方式: 1. 夾持方式分類 根據(jù)晶圓尺寸(如2英寸到12英寸)和工藝需求,夾持
2025-07-23 14:25:43
928 尺寸與清洗
挑戰(zhàn)小尺寸
晶圓(2-6英寸)特點(diǎn):面積小、厚度較?。ㄈ?英寸
晶圓厚度約500μm),機(jī)械強(qiáng)度低,易受流體沖擊損傷。
挑戰(zhàn):清洗槽體積較小,易因流體不均勻?qū)е?/div>
2025-07-22 16:51:19
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產(chǎn)生的切削熱分布及其與工藝的耦合效應(yīng),會(huì)對(duì)晶圓 TTV 產(chǎn)生復(fù)雜影響 。深入研究?jī)烧唏詈闲?yīng)對(duì) TTV 的作用機(jī)制,對(duì)優(yōu)化晶圓切割工藝、提升晶圓質(zhì)量具有重要意義。
二、
2025-07-12 10:01:07
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盡管TC Wafer晶圓系統(tǒng)已成為半導(dǎo)體溫度監(jiān)測(cè)的重要工具,但在實(shí)際應(yīng)用中仍面臨多項(xiàng)技術(shù)挑戰(zhàn)。同時(shí),隨著半導(dǎo)體工藝不斷向更小節(jié)點(diǎn)演進(jìn),該系統(tǒng)也展現(xiàn)出明確的發(fā)展趨勢(shì),以滿足日益嚴(yán)格的測(cè)溫需求。
2025-07-10 21:31:07
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楷登電子(美國(guó) Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)近日宣布擴(kuò)大與三星晶圓代工廠的合作,包括簽署一項(xiàng)新的多年期 IP 協(xié)議,在三星晶圓代工廠的 SF4X、SF5A 和 SF2P 先進(jìn)節(jié)點(diǎn)
2025-07-10 16:44:04
918 WD4000晶圓厚度THK幾何量測(cè)系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測(cè)量大翹曲wafer、測(cè)量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它通過(guò)非接觸測(cè)量,將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建,強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度,TTV
2025-07-10 13:42:33
超薄晶圓因其厚度極薄,在切割時(shí)對(duì)振動(dòng)更為敏感,易影響厚度均勻性。我將從分析振動(dòng)對(duì)超薄晶圓切割的影響出發(fā),探討針對(duì)性的振動(dòng)控制技術(shù)和厚度均勻性保障策略。
超薄晶圓(
2025-07-09 09:52:03
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在集成電路生產(chǎn)過(guò)程中,晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕現(xiàn)象是一個(gè)常見(jiàn)但復(fù)雜的問(wèn)題。每個(gè)環(huán)節(jié)都有可能成為晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕的誘因,因此需要在生產(chǎn)中嚴(yán)格控制每個(gè)工藝參數(shù),尤其是對(duì)邊緣區(qū)域的處理,以減少這種現(xiàn)象的發(fā)生。
2025-07-09 09:43:08
759 性的影響機(jī)制,并提出有效抑制方法,是提升晶圓加工精度、推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的關(guān)鍵所在。
二、振動(dòng) - 應(yīng)力耦合效應(yīng)對(duì)晶圓厚度均勻性的影響
2.1 振動(dòng)引發(fā)
2025-07-08 09:33:33
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近日,全球半導(dǎo)體制造巨頭臺(tái)積電(TSMC)宣布將逐步退出氮化鎵(GaN)晶圓代工業(yè)務(wù),預(yù)計(jì)在未來(lái)兩年內(nèi)完成這一過(guò)渡。這一決定引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注,尤其是在當(dāng)前競(jìng)爭(zhēng)激烈的半導(dǎo)體市場(chǎng)環(huán)境中。據(jù)供應(yīng)鏈
2025-07-07 10:33:22
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13% ,主要受益于AI與高性能計(jì)算(HPC)芯片需求強(qiáng)勁,進(jìn)一步推動(dòng)先進(jìn)制程(如3nm與4nm)與先進(jìn)封裝技術(shù)的應(yīng)用。 晶圓代工2.0:從單一制造到全鏈條整 “晶圓代工 2.0”概念由臺(tái)積電于2024
2025-06-25 18:17:41
438 并購(gòu)重組審核委員會(huì)審議通過(guò),后續(xù)尚需取得中國(guó)證監(jiān)會(huì)同意注冊(cè)的決定后方可實(shí)施。 芯聯(lián)集成是全球領(lǐng)先的集成電路晶圓代工企業(yè)之一,根據(jù)ChipInsights發(fā)布的《2024年全球?qū)?b class="flag-6" style="color: red">晶圓代工排行榜》,芯聯(lián)集成躋身2024年全球?qū)?b class="flag-6" style="color: red">晶圓代工榜單前十,中
2025-06-25 18:11:40
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在半導(dǎo)體制造的精密流程中,晶圓載具清洗機(jī)是確保芯片良率與性能的關(guān)鍵設(shè)備。它專門用于清潔承載晶圓的載具(如載具、花籃、托盤等),避免污染物通過(guò)載具轉(zhuǎn)移至晶圓表面,從而保障芯片制造的潔凈度與穩(wěn)定性。本文
2025-06-25 10:47:33
在半導(dǎo)體制造的精密流程中,晶圓濕法清洗設(shè)備扮演著至關(guān)重要的角色。它不僅是芯片生產(chǎn)的基礎(chǔ)工序,更是決定良率、效率和成本的核心環(huán)節(jié)。本文將從技術(shù)原理、設(shè)備分類、行業(yè)應(yīng)用到未來(lái)趨勢(shì),全面解析這一關(guān)
2025-06-25 10:26:37
近日,半導(dǎo)體行業(yè)傳出重磅消息,聯(lián)電作為全球知名的晶圓代工廠商,正積極考慮在臺(tái)灣地區(qū)進(jìn)行大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn),并同步布局先進(jìn)封裝技術(shù),這一戰(zhàn)略決策在業(yè)界引發(fā)了廣泛關(guān)注與熱烈討論。 聯(lián)電,全名為聯(lián)華電子,于
2025-06-24 17:07:35
930 WD4000晶圓厚度測(cè)量設(shè)備兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測(cè)量大翹曲wafer、測(cè)量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它通過(guò)非接觸測(cè)量,將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建,強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度,TTV,BOW
2025-06-18 15:40:06
摘要:本文探討晶圓邊緣 TTV 測(cè)量在半導(dǎo)體制造中的重要意義,分析其對(duì)芯片制造工藝、器件性能和生產(chǎn)良品率的影響,同時(shí)研究測(cè)量方法、測(cè)量設(shè)備精度等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的作用,為提升半導(dǎo)體制造質(zhì)量提供理論依據(jù)
2025-06-14 09:42:58
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晶圓經(jīng)切割后,表面常附著大量由聚合物、光致抗蝕劑及蝕刻雜質(zhì)等組成的顆粒物,這些物質(zhì)會(huì)對(duì)后續(xù)工序中芯片的幾何特征與電性能產(chǎn)生不良影響。顆粒物與晶圓表面的粘附力主要來(lái)自范德華力的物理吸附作用,因此業(yè)界主要采用物理或化學(xué)方法對(duì)顆粒物進(jìn)行底切處理,通過(guò)逐步減小其與晶圓表面的接觸面積,最終實(shí)現(xiàn)脫附。
2025-06-13 09:57:01
864 貼膜是指將一片經(jīng)過(guò)減薄處理的晶圓(Wafer)固定在一層特殊的膠膜上,這層膜通常為藍(lán)色,業(yè)內(nèi)常稱為“ 藍(lán)膜 ”。貼膜的目的是為后續(xù)的晶圓切割(劃片)工藝做準(zhǔn)備。
2025-06-03 18:20:59
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晶圓是半導(dǎo)體制造的核心基材,所有集成電路(IC)均構(gòu)建于晶圓之上,其質(zhì)量直接決定芯片性能、功耗和可靠性,是摩爾定律持續(xù)推進(jìn)的物質(zhì)基礎(chǔ)。其中晶圓的厚度(THK)、翹曲度(Warp) 和彎曲度(Bow
2025-05-28 16:12:46
)增大,影響器件性能與良品率。因此,探索提高鍵合晶圓 TTV 質(zhì)量的方法,對(duì)推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義。 二、提高鍵合晶圓 TTV 質(zhì)量的方法 2.1 鍵合前晶圓處理 鍵合前對(duì)晶圓的處理是提高 TTV 質(zhì)量的基礎(chǔ)。首先,嚴(yán)格把控晶圓表面平整度,采
2025-05-26 09:24:36
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摘要:本文針對(duì)濕法腐蝕工藝后晶圓總厚度偏差(TTV)的管控問(wèn)題,探討從工藝參數(shù)優(yōu)化、設(shè)備改進(jìn)及檢測(cè)反饋機(jī)制完善等方面入手,提出一系列優(yōu)化方法,以有效降低濕法腐蝕后晶圓 TTV,提升晶圓制造質(zhì)量
2025-05-22 10:05:57
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摘要:本文聚焦于降低晶圓 TTV(總厚度偏差)的磨片加工方法,通過(guò)對(duì)磨片設(shè)備、工藝參數(shù)的優(yōu)化以及研磨拋光流程的改進(jìn),有效控制晶圓 TTV 值,提升晶圓質(zhì)量,為半導(dǎo)體制造提供實(shí)用技術(shù)參考。 關(guān)鍵詞:晶
2025-05-20 17:51:39
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前言在半導(dǎo)體制造的前段制程中,晶圓需要具備足夠的厚度,以確保其在流片過(guò)程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。盡管芯片功能層的制備僅涉及晶圓表面幾微米范圍,但完整厚度的晶圓更有利于保障復(fù)雜工藝的順利進(jìn)行,直至芯片前制程
2025-05-16 16:58:44
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第一階段投資額約22億美元(159.214億元人民幣),加上一些與第二階段將相連的部分也預(yù)先施作,這些投資額加起來(lái)不到40億美元(289.48億元人民幣)。 正值中國(guó)臺(tái)灣加強(qiáng)投資美國(guó)之際,環(huán)球晶德州新廠落成,具有指標(biāo)意義。 德州是美國(guó)本土面積最大、
2025-05-13 18:16:08
1574 在半導(dǎo)體制造流程中,晶圓在前端工藝階段需保持一定厚度,以確保其在流片過(guò)程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性,避免彎曲變形,并為芯片制造工藝提供操作便利。不同規(guī)格晶圓的原始厚度存在差異:4英寸晶圓厚度約為520微米,6
2025-05-09 13:55:51
1975 、低成本的可靠性評(píng)估,成為工藝開(kāi)發(fā)的關(guān)鍵工具,本文分述如下:
晶圓級(jí)可靠性(WLR)技術(shù)概述
晶圓級(jí)電遷移評(píng)價(jià)技術(shù)
自加熱恒溫電遷移試驗(yàn)步驟詳述
晶圓級(jí)可靠性(WLR)技術(shù)概述
WLR技術(shù)核心優(yōu)勢(shì)
2025-05-07 20:34:21
本文介紹了半導(dǎo)體集成電路制造中的晶圓制備、晶圓制造和晶圓測(cè)試三個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
2025-04-15 17:14:37
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在半導(dǎo)體行業(yè)中,晶圓的良品率是衡量制造工藝及產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)。提高晶圓良品率不僅可以降低生產(chǎn)成本,還能提高產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。Keithley 6485靜電計(jì)作為一種高精度的電測(cè)量設(shè)備,其對(duì)靜電放電
2025-04-15 14:49:13
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晶圓浸泡式清洗方法是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的一種重要清洗技術(shù),它旨在通過(guò)將晶圓浸泡在特定的化學(xué)溶液中,去除晶圓表面的雜質(zhì)、顆粒和污染物,以確保晶圓的清潔度和后續(xù)加工的質(zhì)量。以下是對(duì)晶圓浸泡式清洗方法的詳細(xì)
2025-04-14 15:18:54
766 TXC晶振品牌簡(jiǎn)介TXC Corporation(臺(tái)灣晶技股份有限公司) 是全球領(lǐng)先的頻率控制元件制造商,成立于1983年,總部位于中國(guó)臺(tái)灣。作為亞洲最大的石英晶體元器件供應(yīng)商之一,TXC專注于研發(fā)
2025-04-02 15:20:52
圓不僅是芯片制造的基礎(chǔ)材料,更是連接設(shè)計(jì)與現(xiàn)實(shí)的橋梁。在這張畫布上,光刻、刻蝕、沉積等工藝如同精妙的畫筆,將虛擬的電路圖案轉(zhuǎn)化為現(xiàn)實(shí)的功能芯片。 晶圓:從砂礫到硅片 晶圓的起點(diǎn)是普通的砂礫,其主要成分是二氧化硅(SiO?
2025-03-10 17:04:25
1542 實(shí)現(xiàn)芯片與外部電路電氣連接的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)。本文將深入解析晶圓級(jí)封裝Bump工藝的關(guān)鍵點(diǎn),探討其技術(shù)原理、工藝流程、關(guān)鍵參數(shù)以及面臨的挑戰(zhàn)和解決方案。
2025-03-04 10:52:57
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制造設(shè)備達(dá)到使用壽命時(shí)降低生產(chǎn)能力,預(yù)計(jì)150毫米及更小晶圓的需求將下降。因此Sumco將把宮崎工廠改造成專門生產(chǎn)單晶錠的工廠,并在2026年底前停止該廠的晶圓生產(chǎn)。 據(jù)Sumco稱,硅晶圓市場(chǎng)繼續(xù)面臨長(zhǎng)期需求低迷尤其隨著電動(dòng)汽車需求放緩,200毫米硅晶圓
2025-02-20 16:36:31
815 據(jù)媒體最新報(bào)道,韓國(guó)三星電子的晶圓代工部門已正式解除位于平澤園區(qū)的晶圓代工生產(chǎn)線的停機(jī)狀態(tài),并計(jì)劃在今年6月將產(chǎn)能利用率提升至最高水平。這一舉措標(biāo)志著三星在應(yīng)對(duì)市場(chǎng)波動(dòng)、調(diào)整產(chǎn)能策略方面邁出了重要一步。
2025-02-18 15:00:56
1163 隨著半導(dǎo)體器件的復(fù)雜性不斷提高,對(duì)精確可靠的晶圓測(cè)試解決方案的需求也從未像現(xiàn)在這樣高。從5G、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能應(yīng)用,到先進(jìn)封裝和高帶寬存儲(chǔ)器(HBM),在晶圓級(jí)確保設(shè)備性能和產(chǎn)量是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的關(guān)鍵步驟。
2025-02-17 13:51:16
1331 2024年,全球晶圓代工市場(chǎng)迎來(lái)了強(qiáng)勁的增長(zhǎng)勢(shì)頭,年增長(zhǎng)率高達(dá)22%。這一顯著增長(zhǎng)主要得益于人工智能(AI)技術(shù)的快速發(fā)展和半導(dǎo)體需求的持續(xù)復(fù)蘇。 在過(guò)去的一年里,全球代工行業(yè)經(jīng)歷了強(qiáng)勁的復(fù)蘇和擴(kuò)張
2025-02-11 09:43:15
910 代工業(yè)務(wù)上的策略調(diào)整。 回顧過(guò)去幾年,三星晶圓代工業(yè)務(wù)在2021至2023年期間處于投資高峰期,每年的設(shè)備投資規(guī)模高達(dá)15至20萬(wàn)億韓元。然而,進(jìn)入2024年后,該部門的設(shè)備投資規(guī)模開(kāi)始呈現(xiàn)下降趨勢(shì),而今年的預(yù)算更是大幅縮減。 與此同時(shí),臺(tái)積電在晶圓
2025-02-08 15:35:58
933 根據(jù)市場(chǎng)分析企業(yè)Counterpoint在近日發(fā)布的報(bào)告,晶圓代工行業(yè)將在2025年迎來(lái)顯著增長(zhǎng),整體收入預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn)20%的增幅。這一預(yù)測(cè)基于多種因素的綜合考量,特別是先進(jìn)制程需求的激增以及AI在數(shù)據(jù)中心與邊緣領(lǐng)域的快速導(dǎo)入。
2025-02-08 15:33:22
1025 來(lái)自于先進(jìn)制程需求的激增,受AI應(yīng)用加速導(dǎo)入數(shù)據(jù)中心與邊緣計(jì)算所驅(qū)動(dòng)。而晶圓代工領(lǐng)頭羊臺(tái)積電則憑借5/4nm與3nm先進(jìn)制程的強(qiáng)勁需求,抓住市場(chǎng)機(jī)會(huì),加上CoWoS等先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展,也進(jìn)一步助推產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)。 而報(bào)告還指出,晶圓代工產(chǎn)業(yè)將在2025年挑戰(zhàn)20%的營(yíng)收增長(zhǎng),其中AI需求持
2025-02-07 17:58:44
920 在半導(dǎo)體制造的復(fù)雜流程中,晶圓歷經(jīng)前道工序完成芯片制備后,劃片工藝成為將芯片從晶圓上分離的關(guān)鍵環(huán)節(jié),為后續(xù)封裝奠定基礎(chǔ)。由于不同厚度的晶圓具有各異的物理特性,因此需匹配不同的切割工藝,以確保切割效果與芯片質(zhì)量。
2025-02-07 09:41:00
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據(jù)外媒報(bào)道,三星計(jì)劃在2025年對(duì)其晶圓代工部門進(jìn)行大規(guī)模的投資削減。據(jù)悉,該部門的設(shè)備投資預(yù)算將從2024年的10萬(wàn)億韓元銳減至5萬(wàn)億韓元,削減幅度高達(dá)50%。
2025-01-24 14:05:29
961 近日,臺(tái)灣半導(dǎo)體制造業(yè)巨頭臺(tái)積電遭遇了一次突發(fā)事件。據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,臺(tái)積電位于臺(tái)南的Fab14和Fab18工廠在近期發(fā)生的地震中受損,初步估計(jì)將有1至2萬(wàn)片晶圓報(bào)廢。本月21日零時(shí)17分,臺(tái)灣嘉義縣
2025-01-24 11:27:29
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在1月21日,嘉義地區(qū)發(fā)生了一場(chǎng)芮氏規(guī)模達(dá)到6.4級(jí)的地震,對(duì)鄰近的晶圓代工廠和面板廠造成了一定影響。臺(tái)積電(TSMC)和聯(lián)電(UMC)在臺(tái)南的工廠由于震度超過(guò)4級(jí),為確保安全,當(dāng)時(shí)立即進(jìn)行了人員疏散并停機(jī)檢查。幸運(yùn)的是,這些工廠內(nèi)的機(jī)臺(tái)并未遭受重大損害,僅有部分爐管機(jī)臺(tái)內(nèi)不可避免地產(chǎn)生了破片。
2025-01-23 15:46:19
1388 近日,三星電子宣布了一項(xiàng)重大決策,將大幅削減其晶圓代工部門在2025年的設(shè)施投資。據(jù)透露,與上一年相比,此次削減幅度將超過(guò)一半。 具體來(lái)說(shuō),三星晶圓代工已將2025年的設(shè)施投資預(yù)算定為約5萬(wàn)億韓元
2025-01-23 14:36:19
859 近日,據(jù)最新報(bào)道,三星計(jì)劃在2025年大幅削減其晶圓代工部門的投資規(guī)模,設(shè)備投資預(yù)算將從2024年的10萬(wàn)億韓元銳減至5萬(wàn)億韓元,削減幅度高達(dá)50%。 此次投資削減主要集中在韓國(guó)的兩大工廠:平澤P2
2025-01-23 11:32:15
1081 近日,據(jù)臺(tái)灣工商時(shí)報(bào)報(bào)道,臺(tái)積電南科(南部科學(xué)工業(yè)園區(qū))的Fab14和Fab18廠區(qū)遭受了地震的影響,導(dǎo)致產(chǎn)能受到一定程度的沖擊。據(jù)供應(yīng)鏈方面透露,此次地震預(yù)計(jì)將導(dǎo)致1至2萬(wàn)片晶圓破損,這一數(shù)字對(duì)于
2025-01-23 11:09:02
843 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶圓作為芯片的基礎(chǔ)母材,其質(zhì)量把控的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一便是對(duì) BOW(彎曲度)的精確測(cè)量。而在測(cè)量過(guò)程中,特氟龍夾具的晶圓夾持方式與傳統(tǒng)的真空吸附方式有著截然不同的特性,這些差異深刻影響
2025-01-21 09:36:24
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進(jìn)制程工藝的良率,而這恰恰是三星在先進(jìn)制程方面的最大痛點(diǎn)。 據(jù)悉,三星System LSI部門已經(jīng)改變了此前晶圓代工獨(dú)自研發(fā)的發(fā)展路線,轉(zhuǎn)而尋求外部聯(lián)盟合作,不過(guò)縱觀全球晶圓代工產(chǎn)業(yè),只有臺(tái)積電、三星和英特爾三家企業(yè)具有尖端制程工藝代工的能
2025-01-20 08:44:00
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都說(shuō)晶圓清洗機(jī)是用于晶圓清洗的,既然說(shuō)是全自動(dòng)的。我們更加好奇的點(diǎn)一定是如何自動(dòng)實(shí)現(xiàn)晶圓清洗呢?效果怎么樣呢?好多疑問(wèn)。我們先來(lái)給大家介紹這個(gè)根本問(wèn)題,就是全自動(dòng)晶圓清洗機(jī)的工作是如何實(shí)現(xiàn)
2025-01-10 10:09:19
1113 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶圓的加工精度和質(zhì)量控制至關(guān)重要,其中對(duì)晶圓 BOW(彎曲度)和 WARP(翹曲度)的精確測(cè)量更是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。不同的吸附方案被應(yīng)用于晶圓測(cè)量過(guò)程中,而晶圓的環(huán)吸方案因其獨(dú)特
2025-01-09 17:00:10
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晶圓是集成電路、功率器件及半導(dǎo)體分立器件的核心原材料,超過(guò)90%的集成電路均在高純度、高品質(zhì)的晶圓上制造而成。晶圓的質(zhì)量及其產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)能力,直接關(guān)乎集成電路的整體性能和競(jìng)爭(zhēng)力。今天我們將詳細(xì)介紹
2025-01-09 09:59:26
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。在此之前,皖芯集成的注冊(cè)資本僅為5000.01萬(wàn)元。 本次增資完成后,晶合集成持有皖芯集成的股權(quán)比例變更為43.75%,仍為第一大股東。 據(jù)TrendForce公布的24Q1全球晶圓代工廠商營(yíng)收排名,晶合集成位居全球前九,是中國(guó)大陸本土第三的晶圓代工廠商。
2025-01-07 17:33:09
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評(píng)論