從需求側(cè)看：中國(guó) FPGA 市場(chǎng)目前以容量<500K、制程在 28-90nm 的產(chǎn)品為主，中低端市場(chǎng)空間更為廣闊。
2024-03-21 12:22:45
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FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列）和嵌入式系統(tǒng)都是復(fù)雜的領(lǐng)域，其難度取決于多個(gè)因素，包括應(yīng)用需求、開(kāi)發(fā)者的技能和經(jīng)驗(yàn)，以及所使用的具體技術(shù)。因此，很難一概而論哪個(gè)更難。
2024-03-15 14:02:3362 蘋(píng)果電腦的M3芯片和M2 Pro芯片各有優(yōu)勢(shì)，具體哪個(gè)更好取決于使用需求。
2024-03-13 17:02:00783 蘋(píng)果M2芯片和M3芯片各有其優(yōu)勢(shì)，具體哪個(gè)更好取決于使用需求。
2024-03-11 17:28:43578 該聯(lián)合項(xiàng)目將構(gòu)建在印度古吉拉特邦的Dholera，總投資為9100億盧比，月產(chǎn)量預(yù)期可達(dá)5萬(wàn)片晶圓。該廠工藝涵蓋28nm、40納米至90nm等多個(gè)成熟節(jié)點(diǎn)，且與力積電的戰(zhàn)略合作將提供綜合性的技術(shù)供給。
2024-03-01 16:32:26228 濾波器在電子領(lǐng)域中起著至關(guān)重要的作用，它可以用來(lái)選擇特定頻率范圍內(nèi)的信號(hào)，抑制其他頻率的干擾信號(hào)。一個(gè)濾波器的頻率范圍取決于多個(gè)因素，下面小編將為您分析。
2024-02-26 10:22:01137 
梯隊(duì)的廠商們還在成熟工藝上穩(wěn)扎穩(wěn)打。 ? 早在兩年前，我們還會(huì)將28nm視作成熟工藝以及先進(jìn)工藝的分水嶺。但隨著3nm的推出，以及即將到來(lái)的2nm，成熟工藝的定義已經(jīng)發(fā)生了變化，分水嶺已然換成了T2和T3晶圓廠不愿投入的7nm/8nm工藝
2024-02-21 00:17:002598 
如題，GPIO輸出高電平是3.3V還是5V是否只取決于Vext電壓？HWCFG配置：P14.6(0)，P14.5(1)，P14.2(1)，P14.4(1)，即：EVR33ON,EVR13ON
2024-02-02 07:06:17
在熊本縣菊陽(yáng)町，臺(tái)積電、索尼和日本電裝聯(lián)合開(kāi)發(fā)了一個(gè)12英寸晶圓加工基地，該基地應(yīng)用12nm、16nm和22nm至28nm技術(shù)，預(yù)計(jì)月底建成。此外，其量產(chǎn)時(shí)間已定為2024年第四期。
2024-01-30 09:38:35332 計(jì)劃與國(guó)內(nèi)通信企業(yè)展開(kāi)深度合作。
其FPGA從55/40nm進(jìn)入主流28nm工藝平臺(tái)，在器件性能和容量上也都有較大的提升，相應(yīng)地對(duì)FPGA編譯軟件和IP也提高了要求，28nm器件預(yù)計(jì)在2020年批量供應(yīng)。
2024-01-24 10:46:50
，該型號(hào)產(chǎn)品去年全年銷售額近1億元。
今年3月，紫光同創(chuàng)推出Logos-2系列高性價(jià)比FPGA，采用28nm CMOS工藝，相較上一代40nm Logos系列FPGA性能提升50%，總功耗降低40%，可
2024-01-24 10:45:40
在28nm以下，最大器件長(zhǎng)度限制意味著模擬設(shè)計(jì)者通常需要串聯(lián)多個(gè)短長(zhǎng)度MOSFET來(lái)創(chuàng)建長(zhǎng)溝道器件。
2024-01-15 17:33:02661 
這座晶圓廠于2022年4月開(kāi)始新建，大樓主結(jié)構(gòu)已完工，且辦公室部分區(qū)域也在今年8月啟用。將生產(chǎn)N28 28nm級(jí)工藝芯片，這是日本目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝。22ULP工藝也會(huì)在這里生產(chǎn)，但注意它不是22nm，而是28nm的一個(gè)變種，專用于超低功耗設(shè)備。
2024-01-03 15:53:27433 紫光同創(chuàng)PG2L200H關(guān)鍵特性開(kāi)發(fā)板/盤(pán)古200K開(kāi)發(fā)板開(kāi)箱教程！
盤(pán)古200K采用紫光同創(chuàng)28nm工藝Logos2系列芯片：PG2L200H-6IFBB484）；PG2L200H和DDR3之間
2023-12-28 15:26:19
紫光同創(chuàng)PG2L100H關(guān)鍵特性開(kāi)發(fā)板/盤(pán)古100K開(kāi)發(fā)板開(kāi)箱教程！
紫光同創(chuàng)28nm工藝的Logos2系列:PG2L100H-6IFBG484，PG2L100H和DDR3之間的數(shù)據(jù)交互時(shí)鐘頻率最高
2023-12-28 15:17:43
工業(yè)CT檢測(cè)設(shè)備的使用壽命取決于多種因素，包括設(shè)備的質(zhì)量、使用頻率、保養(yǎng)情況等。如果設(shè)備的質(zhì)量較高，且使用頻率不算很高，同時(shí)有專業(yè)的CT技師負(fù)責(zé)平時(shí)的保養(yǎng)工作，那么一臺(tái)工業(yè)CT機(jī)的使用壽命就會(huì)長(zhǎng)很多
2023-12-19 16:42:29279 
齒輪減速電機(jī)的輸出力大小取決于哪些因素？ 齒輪減速電機(jī)是一種常見(jiàn)的動(dòng)力傳動(dòng)裝置，它通過(guò)齒輪傳遞動(dòng)力，將電機(jī)的高速旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換為低速高扭矩輸出。齒輪減速電機(jī)的輸出力大小受到多個(gè)因素的影響，包括齒輪傳動(dòng)
2023-12-19 09:55:54333 受美國(guó)對(duì)高端設(shè)備出口限制影響，中國(guó)大陸轉(zhuǎn)向成熟制程（28納米及以上）領(lǐng)域，預(yù)計(jì)2027年在此類制程上產(chǎn)能達(dá)到39%。
2023-12-15 14:56:35337 據(jù)悉，JASM為臺(tái)積電、索尼及豐田旗下電裝公司的三方合資企業(yè)，主要負(fù)責(zé)經(jīng)營(yíng)日本熊本的芯片工廠。未來(lái)，工廠將采用22/28nm、12/16nm FinFET制程工藝，預(yù)估月產(chǎn)能高達(dá)5.5萬(wàn)片300mm晶圓。
2023-12-15 14:22:16183 TB-RK3399Pro
Starfive Visionfire 2
Khadas VIM3
芯片型號(hào)
飛騰E2000Q SMIC 14nm
瑞芯微RK3399 TSMC 28nm
瑞芯微RK3399Pro
2023-12-14 23:33:28
儀器儀表使用的晶振取決于特定的應(yīng)用需求和測(cè)量的范圍。
2023-12-11 09:53:55368 芯片的知識(shí)以及特點(diǎn)。 一、7系列芯片的工藝級(jí)別 xilinx 7系列FPGA芯片采用的是28nm生產(chǎn)工藝，主要分為Spartan、Artix、Kintex和Virtex四個(gè)系列。 ? Xilinx
2023-11-28 10:20:02390 
HDMI和DP各有優(yōu)缺點(diǎn)，具體選擇取決于實(shí)際需求和使用場(chǎng)景。
2023-11-16 15:43:04696 描述 Kintex?-7 FPGA 為您的設(shè)計(jì)在 28nm 節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)最佳成本/性能/功耗平衡，同時(shí)提供高 DSP 率、高性價(jià)比封裝，并支持 PCIe? Gen3 和 10 Gigabit
2023-11-10 14:22:14
前兩代M1和M2系列芯片均采用5nm制程工藝，而M3系列芯片的發(fā)布，標(biāo)志著蘋(píng)果Mac電腦正式進(jìn)入3nm時(shí)代。 3nm利用先進(jìn)的EUV（極紫外光刻）技術(shù)，可制造極小的晶體管，一根頭發(fā)的橫截面就能容納兩百萬(wàn)個(gè)晶體管。蘋(píng)果用這些晶體管來(lái)優(yōu)化新款芯片的每個(gè)組件。
2023-11-07 12:39:13310 
掩膜成本就是采用不同的制程工藝所花費(fèi)的成本，像40/28nm的工藝已經(jīng)非常成熟，40nm低功耗工藝的掩膜成本為200萬(wàn)美元；28nm SOI工藝為400萬(wàn)美元；28nm HKMG成本為600萬(wàn)美元。
2023-11-06 18:03:291591 包含的電壓有：
(1) 內(nèi)核電壓，Vccpint和Vccint分別為PS的內(nèi)核電壓和PL的內(nèi)容電壓，內(nèi)核電壓的大小通常和工藝相關(guān)，如48nm XILINX器件的內(nèi)核電壓為1.2v,28nm的ZYNQ
2023-11-03 11:08:33
2023~2027年全球晶圓代工成熟制程（28nm及以上）及先進(jìn)制程（16nm及以下）產(chǎn)能比重大約維持在7:3。中國(guó)大陸由于致力推動(dòng)本土化生產(chǎn)等政策與補(bǔ)貼，擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度最為積極，預(yù)估中國(guó)大陸成熟制程產(chǎn)能
2023-11-02 09:58:23304 
在使用CAN轉(zhuǎn)串口網(wǎng)關(guān)時(shí)，選擇格式轉(zhuǎn)化還是透明轉(zhuǎn)化取決于你的需求和應(yīng)用場(chǎng)景。
2023-10-30 11:13:53213 鎖相環(huán)鎖定時(shí)間取決于哪些因素？如何加速鎖定？ 鎖相環(huán)（PLL）是一種常見(jiàn)的電路，用于穩(wěn)定頻率。PLL中的關(guān)鍵是相鎖。相鎖發(fā)揮著將輸入頻率與參考頻率調(diào)整到相等的重要作用。在鎖相環(huán)設(shè)計(jì)中，鎖定
2023-10-30 10:51:18898 二極管的正確接法取決于具體的應(yīng)用和設(shè)計(jì)需求。以下是常見(jiàn)的二極管接法。
2023-10-19 09:28:231861 MCU發(fā)展趨勢(shì)
性能：主頻普遍在 30~200MHz；外設(shè)更 加豐富，性能更高，功 耗更低、安全性更強(qiáng)。
工藝：從最初的0.5微米，進(jìn)步到了主流的90nm、55nm，有的廠商還用了28nm。
2023-10-18 16:07:34
2 100K開(kāi)發(fā)板可實(shí)現(xiàn)復(fù)雜項(xiàng)目的開(kāi)發(fā)評(píng)估，滿足多方位的開(kāi)發(fā)需求。
盤(pán)古100K開(kāi)發(fā)板(紫光同創(chuàng)PG2L100H關(guān)鍵特性開(kāi)發(fā)板)采用紫光同創(chuàng)28nm工藝的FPGA作為主控芯片_logos2系列
2023-09-19 11:13:12
板載芯片：該平臺(tái)板載了Xilinx 28nm工藝的Artix-7系列FPGA芯片，型號(hào)為XC7A35T-1CSG324C。
2023-09-17 15:06:073125 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《為新時(shí)代高性能航天級(jí)Xilinx FPGA供電.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-14 11:24:360 電源線濾波器性能的優(yōu)劣取決于什么因素？ 電源線濾波器是電子產(chǎn)品中非常重要的部件之一，其功能是從電源線中過(guò)濾掉高頻干擾信號(hào)和電磁干擾信號(hào)，以確保電子設(shè)備的正常運(yùn)行。電源線濾波器的效率直接關(guān)系到電子產(chǎn)品
2023-09-12 14:47:29477 選擇哪種銳化方法取決于具體的應(yīng)用需求和圖像的特性。例如，如果圖像中存在大量噪聲，可能會(huì)首選高斯濾波或USM，因?yàn)樗鼈兛梢栽阡J化的同時(shí)減少噪聲。如果需要快速的銳化效果，拉普拉斯濾波可能是一個(gè)好選擇?？傊?，最佳的選擇取決于具體的應(yīng)用和圖像條件。
2023-09-12 10:00:54274 
公開(kāi)的資料顯示，蘇大維格他致力于微納關(guān)鍵技術(shù)，柔性智能制造、柔性光電子材料的創(chuàng)新應(yīng)用，涉及微納光學(xué)印材、納米印刷、3D成像材料、平板顯示（大尺寸電容觸控屏，超薄導(dǎo)光板）、高端智能微納裝備（納米壓印、微納直寫(xiě)光刻、3D光場(chǎng)打印等）的開(kāi)發(fā)和技術(shù)產(chǎn)業(yè)化
2023-09-11 11:45:593530 (<=10)，長(zhǎng)文件名，RTOS，只讀模式，F(xiàn)AT12/16/32。? 同時(shí)打開(kāi)的文件數(shù)無(wú)限制，取決于當(dāng)前內(nèi)存。? 文件大小，取決于FAT規(guī)格，最大4G-1 bytes。? 卷大小，取決于
2023-09-11 07:47:18
公開(kāi)的資料顯示，蘇大維格他致力于微納關(guān)鍵技術(shù)，柔性智能制造創(chuàng)新，柔性光電子材料的應(yīng)用，相關(guān)若干或光學(xué)印刷材料、納米印刷、3d影像材料平板顯示器（大尺寸電容觸控屏，超薄導(dǎo)光板）、高級(jí)智能麥克風(fēng)，裝備
2023-09-08 11:32:371749 應(yīng)用中，激光波長(zhǎng)的選擇取決于所需的光學(xué)性質(zhì)和激光系統(tǒng)的性能要求。 在醫(yī)學(xué)領(lǐng)域中，激光波長(zhǎng)通常用于治療和手術(shù)。激光的療效通常取決于兩個(gè)因素：光吸收和光傳播。因此，激光波長(zhǎng)的選擇應(yīng)根據(jù)所需的組織吸收光的性質(zhì)和深度來(lái)確定。
2023-09-08 11:23:512614 pwm開(kāi)關(guān)頻率取決于什么 PWM（脈寬調(diào)制）是一種將電信號(hào)分為高低兩個(gè)狀態(tài)的方法，它使用高頻率的開(kāi)關(guān)來(lái)調(diào)節(jié)電信號(hào)，在工業(yè)控制、通信、航空航天等領(lǐng)域中有著廣泛的應(yīng)用。PWM的主要作用是調(diào)節(jié)電壓、電流
2023-09-02 10:33:481967 描述 Virtex?-7 FPGA 針對(duì) 28nm 系統(tǒng)性能與集成進(jìn)行了優(yōu)化，可為您的設(shè)計(jì)帶來(lái)業(yè)界最佳的功耗性能比架構(gòu)、DSP 性能以及 I/O 帶寬。 該系列可用于 10G 至 100G
2023-09-01 10:41:54
集成電路的工作速度主要取決于什么？ 集成電路是現(xiàn)代電子技術(shù)中不可或缺的重要組成部分，它們被廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域，包括計(jì)算機(jī)，通信，嵌入式控制，醫(yī)療設(shè)備等等。集成電路的工作速度對(duì)于性能和功耗來(lái)說(shuō)至關(guān)重要
2023-08-29 16:19:251137 ，調(diào)動(dòng)800人首次南北同步，沖刺在中國(guó)臺(tái)灣新竹寶山與高雄廠同步試產(chǎn)及量產(chǎn)。 臺(tái)積電原先規(guī)劃在高雄建立兩座廠，包括7nm及28nm廠，但為應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求調(diào)整，目前高雄廠確定導(dǎo)入先進(jìn)的2nm制程。 產(chǎn)業(yè)動(dòng)態(tài) 2、消息稱蘋(píng)果 iPhone 15 系列支持有線 35W 充電 根據(jù)國(guó)外
2023-08-18 16:50:02362 
FPGA和ASIC是數(shù)字電路中常見(jiàn)的實(shí)現(xiàn)方式，因此人們經(jīng)常會(huì)想要了解哪種芯片在未來(lái)的發(fā)展中更具有前途。然而，這取決于具體的應(yīng)用場(chǎng)景和需求。在本文中，我們將探討FPGA和ASIC的優(yōu)劣勢(shì)，并分析哪種芯片在特定的應(yīng)用場(chǎng)景中更具有優(yōu)勢(shì)。
2023-08-14 16:40:201027 100K開(kāi)發(fā)板可實(shí)現(xiàn)復(fù)雜項(xiàng)目的開(kāi)發(fā)評(píng)估，滿足多方位的開(kāi)發(fā)需求。
盤(pán)古100K開(kāi)發(fā)板詳情
1.產(chǎn)品概述
盤(pán)古100K開(kāi)發(fā)板(紫光同創(chuàng)PG2L100H關(guān)鍵特性開(kāi)發(fā)板)采用紫光同創(chuàng)28nm工藝的FPGA作為
2023-08-11 11:40:32
值得關(guān)注的是，中國(guó)大陸仍在持續(xù)掀起ddi熱潮。在貿(mào)易緊張高漲之際，成熟芯片已成為中國(guó)大陸關(guān)注的焦點(diǎn)。目前，中、高級(jí)ddi采用28納米工藝制作。但業(yè)內(nèi)專家認(rèn)為，中國(guó)大陸的28納米生產(chǎn)沒(méi)有達(dá)到預(yù)期的順利。還有報(bào)道稱，生產(chǎn)能力有限。中國(guó)大陸面臨著價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)，但擴(kuò)張速度已經(jīng)放緩。
2023-08-08 11:50:38547 彭博社的分析師表示：輸出芯片和高速接口是關(guān)鍵的增長(zhǎng)領(lǐng)域。驅(qū)動(dòng)裝置（ic）和同一電腦有關(guān)半導(dǎo)體的需求正在減少，盡管李工廠汽車及智能邊緣裝置的普及，在28nm 180nm對(duì)現(xiàn)有工程的芯片訂單增加，產(chǎn)能利用率將會(huì)提高。
2023-08-07 09:30:05312 喜報(bào)！我國(guó)第一臺(tái)28nm光刻機(jī)，交付時(shí)間已定！
2023-08-02 16:54:41965 
注：本篇是一個(gè)需求分析，不涉及具體的FPGA型號(hào)和工具的使用。
2023-07-26 10:42:06690 
Kintex?-7 FPGA系列為您的設(shè)計(jì)提供28nm技術(shù)最好性價(jià)比, 同時(shí)為您提供高DSP比率, 高性價(jià)比封裝, 以及支持PCIe? Gen3與10千兆以太網(wǎng)等主流標(biāo)準(zhǔn). 與前一代相比, 新一代
2023-07-25 14:50:00
FPGA（Field-Programmable Gate Array）可以使用多種編程語(yǔ)言進(jìn)行編程，具體選擇的編程語(yǔ)言取決于開(kāi)發(fā)人員的偏好、設(shè)計(jì)需求和FPGA開(kāi)發(fā)工具的支持。
2023-07-24 15:06:592401 據(jù)臺(tái)媒援引消息人士報(bào)道，由于需要應(yīng)對(duì) AI 浪潮，臺(tái)積電將改變高雄建廠計(jì)劃，計(jì)劃由原先的“成熟制程”更改為更先進(jìn)的 2nm 制程，預(yù)計(jì) 2025 年下半年量產(chǎn)，且相關(guān)建廠規(guī)劃也將在近期宣布。
2023-07-22 16:32:55888 晶圓產(chǎn)業(yè)目前正面臨著產(chǎn)能過(guò)剩的問(wèn)題，臺(tái)積電也無(wú)法免俗。原計(jì)劃建設(shè)一個(gè)28納米的晶圓廠，但由于市場(chǎng)需求減少，這個(gè)計(jì)劃被取消了。
2023-07-18 15:53:04447 據(jù)了解，臺(tái)積電已將高雄廠敲定2nm計(jì)劃向經(jīng)濟(jì)部及高雄市政府提報(bào)，希望政府協(xié)助后續(xù)供水及供電作業(yè)。因2nm制程將采用更耗電的極紫外光（ＥＵＶ）微影設(shè)備，耗電量比位于南科的3nm更大，臺(tái)積電高雄廠改為直接切入2nm計(jì)劃，是否得重做環(huán)境影響差異分析，將成各界關(guān)注焦點(diǎn)。
2023-07-18 15:19:48682 
泄漏功率仍然是HKMG(High-K Metal Gate)一個(gè)主要問(wèn)題。從下圖看出，在28nm的High-K Metal Gate Stack中，leakage power仍然在總功耗中占據(jù)主導(dǎo)地位。
2023-07-12 16:24:232882 
電池保護(hù)IC（Integrated Circuit）的納米工藝并沒(méi)有固定的規(guī)定或標(biāo)準(zhǔn)。電池保護(hù)IC的制造工藝通常與集成電路制造工藝一樣，采用從較大的微米級(jí)工藝（如180nm、90nm、65nm等）逐漸進(jìn)化到更先進(jìn)的納米級(jí)工藝（如45nm、28nm、14nm等）。
2023-07-11 15:42:371169 
IP_數(shù)據(jù)表(I-3):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:21:220 IP_數(shù)據(jù)表(I-10):USB2.0 Transceiver for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:21:030 IP_數(shù)據(jù)表(Z-1):GPIO for TSMC 28nm HPM/HPC/HPC+
2023-07-06 20:19:040 IP_數(shù)據(jù)表(I-20):FPD-Link Transmitter for TSMC 28nm HPC
2023-07-06 20:18:392 IP_數(shù)據(jù)表(I-19):FPD-Link Receiver for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:18:200 IP_數(shù)據(jù)表(I-6):SATA PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:18:070 IP_數(shù)據(jù)表(I-4):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC
2023-07-06 20:17:540 IP_數(shù)據(jù)表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM
2023-07-06 20:17:410 IP_數(shù)據(jù)表(Z-4):1.8V StndardCell for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:12:360 IP_數(shù)據(jù)表(I-2):Combo PHY for TSMC 28nm HPM
2023-07-06 20:12:261 IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:11:570 IP 數(shù)據(jù)表: 1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+
2023-07-05 19:47:130 IP_數(shù)據(jù)表(I-28):MIPI D-PHY Tx/Rx for Samsung 28nm
2023-07-05 19:46:141 IP_數(shù)據(jù)表(I-26):USB2.0 Transceiver for Samsung 28nm
2023-07-05 19:45:460 中國(guó)晶圓代工廠28nm市場(chǎng)，發(fā)展速度迅速。
2023-07-05 18:16:58585 
示日本工廠將以日本客戶為中心，預(yù)計(jì)將有持續(xù)且旺盛的需求。據(jù)此前消息，該工廠規(guī)劃生產(chǎn)22/28nm以及12/16nm芯片，月產(chǎn)能目標(biāo)為5.5萬(wàn)片晶圓。臺(tái)積電在發(fā)布會(huì)上強(qiáng)調(diào)，2nm制程工藝（N2）研發(fā)順利，能夠按照此前目標(biāo)于2025年量產(chǎn)。此外，張曉強(qiáng)還表示，256M
2023-07-03 10:49:13731 中，該提案正在荷蘭政府進(jìn)行審查。 ? 2. 28nm 改40nm ？印度要求鴻海Vedanta 合資晶圓廠重提申請(qǐng) ? 據(jù)報(bào)道，鴻海集團(tuán)
2023-06-30 11:08:59934 
隨著工藝節(jié)點(diǎn)的不斷發(fā)展（現(xiàn)在普遍是28nm,22nm,16nm,14nm,甚至有的都在做7nm）,芯片的性能需求越來(lái)越高，規(guī)模也越來(lái)越大
2023-06-29 15:24:111741 
的電磁兼容性（EMC）和電磁屏蔽，以減少干擾和交叉干擾。
通過(guò)這些原理，PCB提供了可靠的電路連接、機(jī)械支持和信號(hào)傳輸功能，是電子設(shè)備中電路設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵組成部分。PCB的原理和設(shè)計(jì)取決于具體的應(yīng)用需求和電路設(shè)計(jì)要求，并受到制造工藝和質(zhì)量控制的影響。
2023-06-15 14:32:00
跪求新唐NM1200和NM1330詳細(xì)的數(shù)據(jù)手冊(cè)
2023-06-15 08:57:31
套件，MES100P開(kāi)發(fā)板采用紫光同創(chuàng)28nm工藝的FPGA作為主控芯片（10gos2系列： PG2L100H6IFBG676）板卡電源采用圣邦微（SGM61132）+ 艾諾（EZ8303）解決方案，HDMI接口
2023-06-14 11:20:34393 
紫光同創(chuàng)Logos2系列PG2L100H關(guān)鍵特性評(píng)估板@盤(pán)古100K開(kāi)發(fā)板#小眼睛FPGA盤(pán)古系列開(kāi)發(fā)板#基于紫光同創(chuàng)28nm工藝的Logos2系列PG2L100H芯片，掛載2片16bit數(shù)據(jù)位寬
2023-06-12 18:02:28
【視頻】盤(pán)古Logos系列PGL22G關(guān)鍵特性評(píng)估板@盤(pán)古22K開(kāi)發(fā)板#紫光同創(chuàng)FPGA開(kāi)發(fā)板#基于紫光同創(chuàng)40nm工藝的FPGA主控芯片（Logos系列: PGL22G-MBG324），掛載
2023-06-12 17:38:43
的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)14nm 晶圓芯片零的突破，并在梁孟松等專家的帶領(lǐng)下，向著更加先進(jìn)的芯片制程發(fā)起沖鋒。 然而，最近在中芯國(guó)際的公司官網(wǎng)上，有關(guān)于14nm芯片制程的工藝介紹，已經(jīng)全部下架，這讓很多人心存疑惑，作為自家最為先進(jìn)的
2023-06-06 15:34:2117913 Spartan-7依然延續(xù)了28nm工藝，更加鞏固了Xilinx在28nm的領(lǐng)導(dǎo)地位
2023-05-30 09:02:161651 
SPC5644的wafer有多少nm？
2023-05-25 08:46:07
插入板載插座時(shí)它才會(huì)繼續(xù)，但磁盤(pán)不會(huì)出現(xiàn)在連接到 USB 的 PC 上。如果它正在實(shí)施 ram 磁盤(pán)，為什么這取決于物理 sd 卡？
有沒(méi)有人得到這個(gè)演示來(lái)處理這個(gè)配置？
2023-05-22 08:55:45
FPGA 的輸入電源不是固定的，輸入電壓在很大程度上取決于實(shí)際的邏輯電平以及 FPGA 所實(shí)現(xiàn)的設(shè)計(jì)。
2023-05-15 12:32:37480 
需求變化，臺(tái)積電28nm設(shè)備訂單全部取消！
對(duì)于這一消息，臺(tái)積電方面表示，相關(guān)制程技術(shù)與時(shí)間表依客戶需求及市場(chǎng)動(dòng)向而定，目前正處法說(shuō)會(huì)前緘默期，不便多做評(píng)論，將于法說(shuō)會(huì)說(shuō)明。
目前28nm工藝代工市場(chǎng)
2023-05-10 10:54:09
808nm 激光二極管 TO56封裝 500mW
XL-808TO56-ZSP-500 、XL-TO18-785-120、XL-9402TO5-ZS-1W、XL-505TO56-ZSP-100
2023-05-09 11:23:07
臺(tái)積電投資高雄28納米廠傳出計(jì)劃生變，供應(yīng)鏈透露高雄廠將改為先進(jìn)制程且擴(kuò)大投資。高雄市長(zhǎng)陳其邁強(qiáng)調(diào)，臺(tái)積電投資高雄方向不變，相關(guān)工程也都順利推動(dòng)中，相信高雄絕對(duì)是臺(tái)積電投資臺(tái)灣的最佳伙伴
2023-04-19 15:10:47852 的應(yīng)用特點(diǎn)，開(kāi)發(fā)的一套全新的國(guó)產(chǎn)FPGA開(kāi)發(fā)套件。MES100P開(kāi)發(fā)板采用紫光同創(chuàng)28nm工藝的FPGA 作為主控芯片(logos2系列：PG2L100H-6IFBG676)，板卡電源采用圣邦微
2023-04-13 16:23:47
至28nm。創(chuàng)新的產(chǎn)品設(shè)計(jì)使英飛凌進(jìn)一步突破了支付卡技術(shù)工藝的極限。借此，該產(chǎn)品還為各大區(qū)域市場(chǎng)的支付生態(tài)系統(tǒng)提供一個(gè)可靠采購(gòu)選項(xiàng)的最新技術(shù)。新產(chǎn)品系列在市場(chǎng)同類產(chǎn)品中是首款將領(lǐng)先的 28 nm芯片技術(shù)應(yīng)用于嵌入式非易失性存儲(chǔ)器的產(chǎn)品。其旨在緩解支付行業(yè)在成熟技術(shù)節(jié)點(diǎn)遇到的半導(dǎo)體短缺問(wèn)題。
2023-04-04 14:16:18755 
只需決定是否應(yīng)將 PN7160 的 VDUP 連接到 5V 或 3V3。使用非對(duì)稱天線匹配。我能否期望 3V3 / 15 歐姆匹配的結(jié)果與 5V / 20 歐姆匹配的結(jié)果大致相同，反之亦然？關(guān)于 VDUP 電源電壓是否有任何功能優(yōu)勢(shì)或劣勢(shì)（例如，在較低電壓下更好的 EMC 性能）?；蛘弑仨毺貏e考慮的主題。我會(huì)使用匹配粗略計(jì)算天線的性能，然后如果存在 EMC 問(wèn)題，則使用 TXLDO 降低它。
2023-03-30 06:03:20
摩爾定律在制造端的提升已經(jīng)逼近極限，開(kāi)始逐步將重心轉(zhuǎn)向封裝端和 設(shè)計(jì)端。隨著 AI、數(shù)字經(jīng)濟(jì)等應(yīng)用場(chǎng)景的爆發(fā)，對(duì)算力的需求更加旺盛， 芯片的性能要求也在不斷提高，業(yè)界芯片的制造工藝從 28nm 向 7nm 以 下發(fā)展，TSMC 甚至已經(jīng)有了 2nm 芯片的風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)規(guī)劃。
2023-03-28 13:49:351544 隨著 AI、數(shù)字經(jīng)濟(jì)等應(yīng)用場(chǎng)景的爆發(fā)，對(duì)算力的需求更加旺盛， 芯片的性能要求也在不斷提高，業(yè)界芯片的制造工藝從 28nm 向 7nm 以 下發(fā)展，TSMC 甚至已經(jīng)有了 2nm 芯片的風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)規(guī)劃。
2023-03-28 13:48:15892
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