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CSD17577Q3A CSD17577Q3A

數(shù)據(jù):

描述

這款30V,4.0mΩ,SON 3.3mm×3.3mm NexFET功率MOSFET被設(shè)計成功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中以最大程度降低電阻。

頂部圖標

要了解所有可用封裝,請見數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄.R θJA = 50°C /W ,這是在一個厚度0.06英寸環(huán)氧樹脂(FR4)印刷電路板(PCB)上的1英寸 2 ,2盎司的銅焊盤上測得的典型值
。最大R θJC = 3.0°C /W,脈沖持續(xù)時間≤100μs,占空比≤1%

特性

  • 低Q g 和Q gd
  • 低熱阻
  • 雪崩額定值
  • 無鉛
  • 符合RoHS環(huán)保標準
  • 無鹵素
  • 小外形尺寸無引線(SON)3.3mm×3.3mm封裝

應(yīng)用范圍

  • 網(wǎng)絡(luò)互聯(lián),電信和計算系統(tǒng)中的負載點同步降壓
  • 針對控制和同步FET應(yīng)用進行了優(yōu)化

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

?
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level
CSD17577Q3A
30 ? ?
Single ? ?
6.4 ? ?
4.8 ? ?
239 ? ?
13 ? ?
2.8 ? ?
SON3x3 ? ?
20 ? ?
1.4 ? ?
83 ? ?
35 ? ?
Yes ? ?

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數(shù)據(jù)手冊(1)
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