瑞薩電子宣布開(kāi)發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時(shí)的標(biāo)稱(chēng)值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，將從2012年9月開(kāi)始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:02
1660 5月10日消息 南韓近期啟動(dòng)「X-band GaN國(guó)家計(jì)劃」沖刺第三代半導(dǎo)體，三星積極參與。由于市場(chǎng)高度看好第三代半導(dǎo)體發(fā)展，臺(tái)積電、世界等臺(tái)廠(chǎng)均已卡位，三星加入南韓官方計(jì)劃沖刺第三代半導(dǎo)體布局，也
2021-05-10 16:00:573039 系列為例，介紹trr的高速化帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)。高速trr SJ-MOSFET： PrestoMOS FN系列PrestoMOS是具備SJ-MOSFET的高耐壓、低導(dǎo)通電阻及低柵極總電荷量特征、且進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了
2018-11-28 14:27:08
號(hào)的MOSFET是平面結(jié)構(gòu)，而SJ MOSFET僅僅是結(jié)構(gòu)不同。當(dāng)然，還有雜質(zhì)濃度等細(xì)小差異。SJ MOSFET因結(jié)構(gòu)不同，導(dǎo)通電阻RDS(ON)(ON)與柵極電荷量Qg顯著降低。SJ MOSFET本身其他
2019-04-29 01:41:22
？到了上個(gè)世紀(jì)六七十年代，III-V族半導(dǎo)體的發(fā)展開(kāi)辟了光電和微波應(yīng)用，與第一代半導(dǎo)體一起，將人類(lèi)推進(jìn)了信息時(shí)代。八十年代開(kāi)始，以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料的出現(xiàn)，開(kāi)辟了人類(lèi)
2017-05-15 17:09:48
３Ｇ定義 ３Ｇ是英文３rd Generation的縮寫(xiě)，至第三代移動(dòng)通信技術(shù)。相對(duì)于第一代模擬制式手機(jī)（１Ｇ）和第二代GSM、TDMA等數(shù)字手機(jī)（２Ｇ）來(lái)說(shuō)，第三代手機(jī)是指將無(wú)線(xiàn)通信與國(guó)際互聯(lián)網(wǎng)等
2019-07-01 07:19:52
第三代移動(dòng)通信過(guò)渡技術(shù)——EDGE作者：項(xiàng)子GSM和TDMA/136現(xiàn)在是全球通用的第二代蜂窩移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)。當(dāng)前有100多個(gè)國(guó)家的1億多人采用GSM，有近100個(gè)國(guó)家的約9500萬(wàn)用戶(hù)采用 TDMA
2009-11-13 21:32:08
（PATRO）高解析強(qiáng)光抑制攝像機(jī)、帕特羅（PATRO）遠(yuǎn)距離紅外一體攝像機(jī)、帕特羅（PATRO）紅外防雷攝像機(jī) 正當(dāng)IR-III技術(shù)以新臉孔出現(xiàn)在紅外夜視市場(chǎng)時(shí)，市場(chǎng)上也出現(xiàn)了第三代陣列式紅外攝像機(jī)，造成
2011-02-19 09:35:33
紅外夜視領(lǐng)域領(lǐng)先技術(shù)，在產(chǎn)品性能與應(yīng)用等方面上與激光紅外相比，有明顯的優(yōu)勢(shì)。廣州帕特羅（PATRO）的第三代紅外攝像機(jī)以單顆燈完全取代多顆燈模式，電光轉(zhuǎn)化效能最高可達(dá)85%以上，降低了功耗，使用壽命
2011-02-19 09:38:46
DT298還具備了幾個(gè)很有特色的實(shí)用功能，除了全程語(yǔ)音操控外，停車(chē)監(jiān)控也是它的亮點(diǎn)之一。就是在車(chē)輛停放期間，凌度DT298第三代聯(lián)網(wǎng)記錄儀如果感應(yīng)到車(chē)身有震動(dòng)時(shí)，會(huì)自動(dòng)開(kāi)啟攝像頭同時(shí)開(kāi)始錄像，監(jiān)控車(chē)輛情況
2019-01-08 15:44:58
的電阻率，因而導(dǎo)通電阻較常規(guī)MOSFET將明顯降低?！ ⊥ㄟ^(guò)以上分析可以看到：阻斷電壓與導(dǎo)通電阻分別在不同的功能區(qū)域。將阻斷電壓與導(dǎo)通電阻功能分開(kāi)，解決了阻斷電壓與導(dǎo)通電阻的矛盾，同時(shí)也將阻斷時(shí)的表面
2023-02-27 11:52:38
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計(jì)及市場(chǎng)定位等多重因素影響，整體呈現(xiàn)“高技術(shù)投入與規(guī)模化降本并存”的特征。一、成本構(gòu)成：核心
2025-12-25 09:12:32
[/url]產(chǎn)品特性瑞薩電子第三代OFDM PLC芯片具有以下主要特點(diǎn)：1、784KB 片上RAM， 可支持2048節(jié)點(diǎn)的路由表2、片上12bit高精度DAC，大大降低帶外噪聲3、支持完整的EAP
2019-04-11 17:15:41
`第一代沒(méi)有留下痕跡。第二代之前在論壇展示過(guò)：https://bbs.elecfans.com/jishu_282495_1_1.html現(xiàn)在第三代誕生：`
2013-08-10 15:35:19
據(jù)業(yè)內(nèi)權(quán)威人士透露，我國(guó)計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫(xiě)入“十四五”規(guī)劃，計(jì)劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開(kāi)發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個(gè)方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，...
2021-07-27 07:58:41
什么是第三代移動(dòng)通信答復(fù)：第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)IMT2000，是國(guó)際電信聯(lián)盟（ITU）在1985年提出的，當(dāng)時(shí)稱(chēng)為陸地移動(dòng)系統(tǒng)（FPLMTS）。1996年正式更名為IMT2000。與現(xiàn)有的第二代移動(dòng)
2009-06-13 22:49:39
隨著第三代移動(dòng)通信技術(shù)的興起，UMTS網(wǎng)絡(luò)的建立將帶來(lái)一場(chǎng)深刻的革命，這對(duì)網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃也提出了更高的要求。在德國(guó)轟動(dòng)一時(shí)的UMTS執(zhí)照拍賣(mài)，引起了公眾對(duì)這一新技術(shù)的極大興趣。第三代移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)正方
2019-08-15 07:08:29
IR-III技術(shù)定義(IR-III Technology Definition)IR-III技術(shù)即紅外夜視第三代技術(shù)，根植于上世紀(jì)60年代美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明的紅外夜視技術(shù)，屬于一種主動(dòng)式紅外
2011-02-19 09:34:33
：Gen1》 Gen2 》 Gen3 VF：Gen1》 Gen2 》 Gen3 產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn) 綜上所述，基本半導(dǎo)體推出的第三代碳化硅肖特基二極管有以下優(yōu)點(diǎn)： 更低VF：第三代二極管具有更低VF，同時(shí)
2023-02-28 17:13:35
結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。然而，普通的單
2018-12-05 10:04:41
本文討論了移動(dòng)通信向
第三代(3G)標(biāo)準(zhǔn)的演化與發(fā)展，給出了范圍廣泛的3G發(fā)射機(jī)關(guān)鍵技術(shù)與規(guī)范要求的概述。文章提供了頻分復(fù)用(FDD)寬帶碼分多址(WCDMA)系統(tǒng)發(fā)射機(jī)的設(shè)計(jì)和測(cè)得的性能數(shù)據(jù)，以Maxim現(xiàn)有的發(fā)射機(jī)IC進(jìn)行展示和說(shuō)明?！ ?/div>
2019-06-14 07:23:38
分享小弟用第三代太陽(yáng)能的心得。
最近看了很多資料對(duì)第三代太陽(yáng)能的介紹，諸多的評(píng)論都說(shuō)到他的優(yōu)勢(shì)，小弟于是購(gòu)買(mǎi)了這種叫第三代的太陽(yáng)能－砷化鎵太陽(yáng)能模塊。想說(shuō)，現(xiàn)在硅晶的一堆
2010-11-27 09:53:27
AN系列是以“漏極-源極間導(dǎo)通電阻RDS(on)和柵極總電荷量Qg比平面MOSFET大幅降低”為目的，最先開(kāi)發(fā)的SJ-MOSFET。與平面MOSFET相比，RDS(on)降低了50%，Qg降低了40
2018-12-03 14:27:05
第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)及其關(guān)鍵技術(shù):第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)及其關(guān)鍵技術(shù)詳細(xì)資料。文章對(duì)第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)及國(guó)際電聯(lián)提出的IMT-2000發(fā)展過(guò)程及研究現(xiàn)狀進(jìn)行了介紹
2009-05-20 11:19:05
40 匯佳智能第三代25－29彩色電視機(jī)電路圖，匯佳智能第三代25－29彩電圖紙，匯佳智能第三代25－29原理圖。
2009-05-22 10:11:57179 文章介紹了第三代LonWorks 技術(shù)的應(yīng)用方向和結(jié)構(gòu)，以及美國(guó)Echelon公司新推出的一系列的第三代LonWorks 產(chǎn)品以及它們的主要技術(shù)特點(diǎn)和性能。關(guān)鍵詞LonWorks® LonTalk® LonMark®, L
2009-05-29 12:14:458 00904774第三代通信網(wǎng)管構(gòu)架:
2009-06-18 16:53:1422 第三代移動(dòng)通信技術(shù)與業(yè)務(wù):蜂窩移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)的演進(jìn)，第三代移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)化格局，技術(shù)不斷進(jìn)步背后的苦干問(wèn)題。
2009-08-02 14:35:4612 第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)全面討論了第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)的無(wú)線(xiàn)傳輸技術(shù)等新技術(shù)，內(nèi)容涵蓋了第三代移動(dòng)通信的基本概念、CDMA技術(shù)的基本原理、無(wú)線(xiàn)傳播環(huán)境的相關(guān)知識(shí)、UTRA FDD、UT
2009-08-21 10:33:530 第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)的無(wú)線(xiàn)接:WCDMA技術(shù)與系統(tǒng)設(shè)計(jì)是專(zhuān)門(mén)介紹第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)中WCDMA無(wú)線(xiàn)傳輸技術(shù)的專(zhuān)著?！禬CDMA 技術(shù)與系統(tǒng)設(shè)計(jì)：第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)的無(wú)線(xiàn)接入（第２版）
2009-08-21 10:38:3932 第三代LonWorks技術(shù)和產(chǎn)品介紹
文章介紹了第三代LonWorks技術(shù)的應(yīng)用方向和結(jié)構(gòu)，以及美國(guó)Echelon公司新推出的一系列的第三代LonWorks產(chǎn)品以及它們的主要技術(shù)特點(diǎn)
2010-03-18 09:55:0417 Intel Xeon?鉑金處理器（第三代）Intel? Xeon?鉑金處理器（第三代）是安全、敏捷、數(shù)據(jù)中心的基礎(chǔ)。這些處理器具有內(nèi)置AI加速、先進(jìn)的安全技術(shù)和出色的多插槽處理性能，設(shè)計(jì)用于任務(wù)關(guān)鍵
2024-02-27 11:57:15
Intel Xeon?金牌處理器（第三代）Intel? Xeon?金牌處理器（第三代）支持高內(nèi)存速度和增加內(nèi)存容量。Intel? Xeon?金牌處理器具有更高性能、先進(jìn)的安全技術(shù)以及內(nèi)置工作負(fù)載加速
2024-02-27 11:57:49
Intel Xeon?可擴(kuò)展處理器（第三代）Intel?Xeon?可擴(kuò)展處理器（第三代）針對(duì)云、企業(yè)、HPC、網(wǎng)絡(luò)、安全和IoT工作負(fù)載進(jìn)行了優(yōu)化，具有8到40個(gè)強(qiáng)大的內(nèi)核和頻率范圍、功能和功率級(jí)別
2024-02-27 11:58:54
Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09883 
第三代無(wú)線(xiàn)通信標(biāo)準(zhǔn)
今天，我們正在進(jìn)入第三代無(wú)線(xiàn)通信階段。或者說(shuō)“互聯(lián)網(wǎng)包含一切”的階段，這個(gè)階段用無(wú)線(xiàn)傳感器和控制技術(shù)來(lái)連接人類(lèi)世界與虛擬電子世界。
2009-03-24 08:40:432066 第三代移動(dòng)通信常識(shí)
1、3G定義
3G是英文3rd Generation的縮寫(xiě)，指第三代移動(dòng)通信技術(shù)。相對(duì)
2009-06-01 21:03:572976 什么是第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)
第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)IMT2000，是國(guó)際電信聯(lián)盟（ITU）在1985年提出的，當(dāng)時(shí)稱(chēng)為陸地移動(dòng)系
2009-06-13 22:20:551327 泰景信息科技推出第三代模擬移動(dòng)電視接收芯片TLG1121
泰景信息科技 (Telegent Systems)近日宣布，公司研發(fā)出第三代模擬移動(dòng)電視接收CMOS單芯片TLG1121。TLG1121 是泰景第一款
2010-02-09 08:41:041000 IR推出汽車(chē)專(zhuān)用MOSFET系列低導(dǎo)通電阻
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出首款汽車(chē)專(zhuān)用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:321055 Tensilica推出第三代ConnX 545CK 8-MAC VLIW DSP內(nèi)核
Tensilica推出第三代ConnX 545CK 8-MAC（乘數(shù)累加器）VLIW（超長(zhǎng)指令字）DSP（數(shù)字信號(hào)處理器）
2010-04-24 12:05:451926 采用芯片級(jí)MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級(jí)MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET -
2010-04-30 08:42:491125 介紹第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃的基本過(guò)程，規(guī)劃策略，應(yīng)考慮的各種因素。詳細(xì)介紹了第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)中位置區(qū)域和尋呼區(qū)的規(guī)劃。
2011-02-17 17:35:1523 瑞薩電子宣布開(kāi)發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150m（柵源間電壓為10V時(shí)的標(biāo)稱(chēng)值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFETRJL60S5系列，將從2012年9月開(kāi)始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓的情
2012-06-26 11:03:401004 據(jù)一向不靠譜的臺(tái)灣媒體DigiTimes報(bào)道，蘋(píng)果將于今年夏季發(fā)布新款第三代iPad。新款第三代iPad將配備來(lái)自夏普的IGZO顯示屏，這種技術(shù)將使iPad變得更薄，電池更耐用。在第三代iPad發(fā)布之
2012-06-30 11:48:16724 瑞薩通信技術(shù)公司今日宣布推出第三代GSM/HSPA+/LTE FDD/ LTE TDD多模調(diào)制解調(diào)器SP2532。
2013-02-20 16:48:052612 瑞薩電子宣布推出新款低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品，包括經(jīng)過(guò)最佳化的μPA2766T1A，做為網(wǎng)路伺服器與儲(chǔ)存系統(tǒng)之電源供應(yīng)器內(nèi)的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:101310 2016年10月19日，日本東京訊——為促進(jìn)自動(dòng)駕駛時(shí)代日趨復(fù)雜的大規(guī)模汽車(chē)運(yùn)算系統(tǒng)的發(fā)展，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(TSE：6723)今日宣布推出兩款新型第三代R-Car入門(mén)套件。這兩款套件能夠讓汽車(chē)軟件開(kāi)發(fā)工程師更輕松地獲得開(kāi)發(fā)環(huán)境。
2016-11-03 11:44:556832 3月31日，在深圳市委市政府的大力支持下，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、基本半導(dǎo)體和南方科技大學(xué)等單位發(fā)起共建的深圳第三代半導(dǎo)體研究院在五洲賓館宣布正式啟動(dòng)。深圳第三代半導(dǎo)體研究院的成立具有
2018-04-02 16:25:004266 本文首先介紹了第三代半導(dǎo)體的材料特性，其次介紹了第三代半導(dǎo)體材料性能應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)，最后分析了了我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展面臨著的機(jī)遇挑戰(zhàn)。
2018-05-30 12:37:3336539 
本文首先分別對(duì)第一代半導(dǎo)體材料、第二代半導(dǎo)體材料和第三代半導(dǎo)體材料進(jìn)行了概述，其次介紹了第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)用領(lǐng)域及我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料的前景展望。
2018-05-30 14:27:17152618 繼5G、新基建后，第三代半導(dǎo)體概念近日在市場(chǎng)上的熱度高居不下。除了與5G密切相關(guān)外，更重要是有證券研報(bào)指出，第三代半導(dǎo)體有望納入重要規(guī)劃，消息傳出后多只概念股受到炒作。證券業(yè)人士提醒，有個(gè)人投資者
2020-09-21 11:57:554538 ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(diǎn)（相比第二代）ROHM第三代設(shè)計(jì)應(yīng)用于650V和1200V產(chǎn)品之中，包括分立或模組封裝。本報(bào)告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，并利用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡研究復(fù)雜的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)。
2018-08-20 17:26:2910826 根據(jù)今年3月份曝光的AMD產(chǎn)品線(xiàn)路圖來(lái)看，第三代線(xiàn)程撕裂者有望在今年年內(nèi)發(fā)布，但隨后在6月舉行的臺(tái)北電腦展上，新的AMD線(xiàn)路圖顯示第三代線(xiàn)程撕裂者被移除，加之AMD推出了新的Ryzen 9第三代銳龍
2019-09-02 13:08:005845 近幾年，國(guó)內(nèi)不少地區(qū)都紛紛建設(shè)第三代半導(dǎo)體生產(chǎn)線(xiàn)，種種跡象表明，第三代半導(dǎo)體投資熱的戲碼正在悄然上演。這輪投資熱將對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)帶來(lái)哪些影響？國(guó)內(nèi)發(fā)展第三代半導(dǎo)體應(yīng)注意什么問(wèn)題？需要采取什么措施？
2019-12-16 11:35:3210020 從上面的數(shù)據(jù)可以看出，在第一代半導(dǎo)體面前，第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)值非常的小。國(guó)外發(fā)展第三代半導(dǎo)體不是因?yàn)樯庥卸嗝吹拇?，是因?yàn)閲?guó)防和科技信息技術(shù)的發(fā)展需要用到第三代半導(dǎo)體。同時(shí)，這是一個(gè)增量市場(chǎng)，也是企業(yè)可以尋求的增長(zhǎng)空間。
2020-09-29 14:16:006641 ？為什么說(shuō)第三代半導(dǎo)體有望成為國(guó)產(chǎn)替代希望？ 第三代半導(dǎo)體也被稱(chēng)為寬帶隙半導(dǎo)體，主要是以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬帶隙半導(dǎo)體材料，其帶隙寬度大于2.2eV，是5G、人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等多個(gè)新基建產(chǎn)業(yè)的重要材料，同時(shí)也是
2020-10-29 18:26:406025 
據(jù)了解，我國(guó)計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫(xiě)入十四五規(guī)劃，計(jì)劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開(kāi)發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個(gè)方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，以期實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主
2020-11-04 15:12:375552 些新興材料中，碳化硅、氮化鎵技術(shù)目前來(lái)看相對(duì)較為成熟，，因此這兩種材料也成為近年來(lái)市場(chǎng)布局的重點(diǎn)。下面查IC網(wǎng)小編帶大家一起看一看瑞能半導(dǎo)體沈鑫在全球CEO峰會(huì)發(fā)表的關(guān)于第三代半導(dǎo)體的主題演講。
2020-11-09 17:22:054783 在5G和新能源汽車(chē)等新市場(chǎng)需求的驅(qū)動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體材料有望迎來(lái)加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無(wú)法完全滿(mǎn)足5G和新能源汽車(chē)的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)被放大。
2020-11-29 10:48:1292800 招商引資名單中。 問(wèn)題來(lái)了：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是真的進(jìn)入春天還是虛火上升？又有哪些行業(yè)真的需要GaN或SiC功率器件呢？相對(duì)于IGBT、MOSFET和超級(jí)結(jié)MOSFET，GaN和SiC到底能為電子行業(yè)帶來(lái)哪些技術(shù)變革？ 為了回答這些問(wèn)題，小編認(rèn)真閱讀了多
2020-12-08 17:28:0314628 最近，“我國(guó)將把發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫(xiě)入‘十四五’規(guī)劃”引爆全網(wǎng)。什么是第三代半導(dǎo)體？發(fā)展第三代半導(dǎo)體的意義在哪兒？它憑什么一夜爆火
2020-12-14 11:02:444279 日前，阿里巴巴達(dá)摩院預(yù)測(cè)了2021年科技趨勢(shì)，其中位列第一的是以氮化鎵和碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體將迎來(lái)應(yīng)用大爆發(fā)。第三代半導(dǎo)體與前兩代有什么不同？為何這兩年會(huì)成為爆發(fā)的節(jié)點(diǎn)？第三代半導(dǎo)體之后
2021-01-07 14:19:484256 1月22日，高德地圖正式發(fā)布第三代車(chē)載導(dǎo)航，小鵬汽車(chē)成為首款搭載第三代車(chē)載導(dǎo)航的企業(yè)。 第三代車(chē)載導(dǎo)航能力從“導(dǎo)人”升級(jí)為“人車(chē)共導(dǎo)”，利用AI視覺(jué)技術(shù)和高精地圖，實(shí)現(xiàn)車(chē)道導(dǎo)航，讓道路規(guī)劃以及引導(dǎo)
2021-01-22 18:05:144757 1月22日，數(shù)字地圖、導(dǎo)航和位置服務(wù)提供商高德地圖在北京發(fā)布了第三代車(chē)載導(dǎo)航。
2021-01-24 09:50:575062 第三代半導(dǎo)體Central issue 2020年10月，國(guó)星光電成功舉辦了首屆國(guó)星之光論壇，論壇上國(guó)星光電宣布將緊抓國(guó)產(chǎn)化機(jī)遇，迅速拓展第三代半導(dǎo)體新賽道。近期，國(guó)星光電正式推出一系列第三代半導(dǎo)體
2021-04-22 11:47:103594 來(lái)源：天風(fēng)證券，如需下載，進(jìn)入“華秋商城”公眾號(hào)發(fā)送“2021第三代半導(dǎo)體”即可下載。 責(zé)任編輯：haq
2021-11-03 10:33:409142 
MOSFET管要么分布在高壓低速的區(qū)間，要么分布在低壓高速的區(qū)間，市面上傳統(tǒng)的探測(cè)技術(shù)可以覆蓋器件特性的測(cè)試需求。但是第三代半導(dǎo)體器件SiC 或GaN的技術(shù)卻大大擴(kuò)展了分布的區(qū)間，覆蓋以往沒(méi)有出現(xiàn)過(guò)的高壓高速區(qū)域，這就對(duì)器件的測(cè)試
2021-12-29 17:11:061577 
2.4-2.6次方增長(zhǎng)，其增長(zhǎng)速度使MOSFET制造者和應(yīng)用者不得不以數(shù)十倍的幅度降低額定電流，以 折中額定電流、導(dǎo)通電阻和成本之間的矛盾。
2022-03-17 09:35:333704 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻，可顯著降低開(kāi)關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，現(xiàn)已開(kāi)始出貨。
2022-09-01 15:37:531079 第三代半導(dǎo)體材料有哪些 第三代半導(dǎo)體材料: 氨化家、碳化硅、氧化鋅、氧化鋁和金剛石。 從半導(dǎo)體材料的三項(xiàng)重要參數(shù)看，第三代半導(dǎo)體材料在電子遷移率、飽和漂移速率、禁帶寬度三項(xiàng)指標(biāo)上均有著優(yōu)異的表現(xiàn)
2023-02-07 14:06:166767 在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。
2023-02-08 13:43:213059 
上一章基于ROHM的SJ-MOSFET產(chǎn)品陣容，以標(biāo)準(zhǔn)AN系列、低噪聲EN系列、高速KN系列為例介紹了SJ-MOSFET的特征。
2023-02-10 09:41:011151 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）推出了全新功率器件“TWxxNxxxC系列”。這是其第三代碳化硅MOSFET[1][2]，具
有低導(dǎo)通電阻和大幅降低的開(kāi)關(guān)損耗。10種產(chǎn)品分別為5種
2023-02-20 15:46:150 近年來(lái)，國(guó)家和各地方政府陸續(xù)推出相關(guān)政策推動(dòng)第三代半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展：2017年，工信部、國(guó)家發(fā)改委發(fā)布的《信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南》將“第三代化合物半導(dǎo)體”列為 集成電路 產(chǎn)業(yè)的發(fā)展重點(diǎn)；而科技部也已將
2023-02-27 15:21:454 第三代半導(dǎo)體功率器件的理想材料，可以在溶劑中生長(zhǎng)。
2022-01-13 17:39:233692 
當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體中的碳化硅功率器件，在導(dǎo)通電阻、阻斷電壓和結(jié)電容方面，顯著優(yōu)于傳統(tǒng)硅功率器件。因此，碳化硅功率器件取代傳統(tǒng)硅基功率器件已成為行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)。面對(duì)當(dāng)前行業(yè)發(fā)展新趨勢(shì)，威邁斯等新能源汽車(chē)
2023-06-15 14:22:381253 
相對(duì)于IGBT，SiC-MOSFET降低了開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)的損耗，實(shí)現(xiàn)了高頻率工作，有助于應(yīng)用的小型化。相對(duì)于同等耐壓的SJ-MOSFET，導(dǎo)通電阻較小，可減少相同導(dǎo)通電阻的芯片面積，并顯著降低恢復(fù)損耗。
2023-09-11 10:12:335127 
2023年11月29日，第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)和“第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)”成功召開(kāi)，是德科技參加第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)，并重磅展出第三代半導(dǎo)體動(dòng)靜態(tài)測(cè)試方案
2023-12-13 16:15:031885 
日前，高通舉辦新品發(fā)布會(huì)，推出了驍龍8旗艦移動(dòng)平臺(tái)誕生以來(lái)的第一款新生代旗艦平臺(tái)：第三代驍龍8s，這是高通對(duì)驍龍旗艦移動(dòng)平臺(tái)的一次層級(jí)擴(kuò)展，同時(shí)意味著廣大消費(fèi)者未來(lái)在旗艦手機(jī)市場(chǎng)也將會(huì)有更多豐富
2024-03-21 21:04:194129 
認(rèn)證；同時(shí)，瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺(tái)正式量產(chǎn)，后續(xù)將依托浙江義烏的車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅(SiC)晶圓廠(chǎng)推出更多第三代SiC MOSFET產(chǎn)品。
2024-06-24 09:13:201947 
瑞薩第三代電容式觸控技術(shù)（CTSU2）自2019年推出市場(chǎng)，在第二代技術(shù)的基礎(chǔ)上做了抗噪聲性的大幅提升，提高了內(nèi)部基準(zhǔn)的精度，增加了低功耗和多按鍵并行掃描功能。
2024-06-27 14:54:031505 
隨著科技的發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)歷了多次變革，而第三代半導(dǎo)體材料的出現(xiàn)，正在深刻改變我們的日常生活和工業(yè)應(yīng)用。
2024-10-30 11:24:273023 快速發(fā)展與創(chuàng)新實(shí)力在2024全國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會(huì)上,江西薩瑞微電子科技有限公司榮獲"2024全國(guó)第三代半導(dǎo)體制造最佳新銳企業(yè)"稱(chēng)號(hào)。這一榮譽(yù)不僅是對(duì)公司技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化
2024-10-31 08:09:161419 
，被稱(chēng)為第三代寬禁帶半導(dǎo)體。 優(yōu)勢(shì) 高溫、高頻、高耐壓：相比第一代（Si、Ge）和第二代（GaAs、InSb、InP）半導(dǎo)體材料，第三代半導(dǎo)體材料在這些方面具備明顯優(yōu)勢(shì)。 導(dǎo)通電阻小：降低了器件的導(dǎo)通損耗。 電子飽和速率和電子遷移率高：提高
2024-12-05 09:37:102785 
當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中，新能源汽車(chē)市場(chǎng)的快速發(fā)展是第三代半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)的重要?jiǎng)恿χ?，新能源汽?chē)需要高效、高密度的功率器件來(lái)實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的續(xù)航里程和更優(yōu)的能量管理。
2024-12-16 14:19:551391 MOSFET的核心亮點(diǎn)在于采用了瑞薩電子創(chuàng)新的晶圓制造工藝——REXFET-1。這項(xiàng)技術(shù)有效降低了MOSFET的導(dǎo)通電阻(Rdson)高達(dá)30%，從而顯著減少了功率損耗，為
2025-01-13 11:41:38958 
隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展，進(jìn)一步推動(dòng)算力需求，服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%，通過(guò)降低能量損耗，來(lái)支撐高功率的GPU。為了抓住市場(chǎng)機(jī)遇，瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人，推出的第三代超結(jié)MOSFET，能全面滿(mǎn)足高效能需求。
2025-05-22 13:58:35726 
隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅（Si）半導(dǎo)體已無(wú)法滿(mǎn)足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵（GaN
2025-05-22 15:04:051964 基礎(chǔ)，將其定位為平面柵碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)的一次重要演進(jìn)，其目標(biāo)不僅在于追趕，更在于在特定性能維度上超越市場(chǎng)現(xiàn)有成熟方案。 1.1 第三代（B3M）平臺(tái)概述 B3M系列是基本半導(dǎo)體推出的第三代
2025-10-08 13:12:22500 
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