Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:44
1092 Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出新款通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導(dǎo)通電阻，有助于提升系統(tǒng)效率，還可讓設(shè)計(jì)人員在多個(gè)MOSFET并聯(lián)使用時(shí)減少產(chǎn)品的組件數(shù)量。
2013-01-22 13:27:211206 2個(gè)系列相關(guān)的技術(shù)信息鏈接。要想更深入了解產(chǎn)品，需要確認(rèn)技術(shù)規(guī)格的規(guī)格值和特性圖表，這一點(diǎn)是很重要的。關(guān)鍵要點(diǎn):?PrestoMOS是具備SJ-MOSFET的高耐壓、低導(dǎo)通電阻、低柵極總電荷量特征、且
2018-11-28 14:27:08
，正常加載持續(xù)老化48小時(shí)通過(guò) - 控制器短路試驗(yàn)：A，B，C三相各短路30次全通過(guò) - 控制器堵轉(zhuǎn)試驗(yàn)：100次通過(guò) 產(chǎn)品特征 - 低導(dǎo)通電阻，低柵極電荷 - 高散熱能力；高結(jié)溫下，大電流持續(xù)導(dǎo)通能力
2020-08-12 16:08:24
了開(kāi)關(guān)損耗，促進(jìn)了白色家電和工業(yè)設(shè)備等電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和變頻器應(yīng)用的低功耗化發(fā)展。R60xxMNx系列新品是以“不僅保持現(xiàn)有R60xxFNx系列的高速trr性能，還要進(jìn)一步降低導(dǎo)通電阻和Qg（柵極總電荷量）并
2018-12-04 10:23:36
2023 年 3 月 14 日，中國(guó)北京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，推出兩個(gè)基于Arm?Cortex? -M33內(nèi)核和Arm TrustZone?技術(shù)
2023-03-14 15:30:18
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子今日宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率
2023-02-15 11:19:05
2023 年 3 月 2 日，中國(guó)北京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，推出10款結(jié)合了瑞薩廣泛產(chǎn)品的全新“成功產(chǎn)品組合”——其中包括電動(dòng)汽車(chē)（EV）充電、儀表盤(pán)
2023-03-02 14:29:51
瑞薩電子MPU中，4個(gè)獨(dú)立RAM頁(yè)可以跨頁(yè)檢索嗎？
2022-09-26 18:08:28
瑞薩電子MPU中，DRP相機(jī)圖像處理庫(kù)如何應(yīng)對(duì)色差？
2022-09-26 18:06:44
瑞薩電子與3db Access合作推出安全超寬帶解決方案
2021-02-05 07:05:13
陳桂輝 應(yīng)用工程師，世強(qiáng)電訊隨著人們環(huán)保意識(shí)的日益提高，消費(fèi)者越來(lái)越關(guān)注微控制器系統(tǒng)的節(jié)能化，為了擴(kuò)大在節(jié)能家電和電池供電系統(tǒng)等市場(chǎng)領(lǐng)域的應(yīng)用，Renesas瑞薩電子在新的產(chǎn)品中加入了節(jié)能理念，推出
2019-06-27 07:17:17
瑞薩電子智能家居解決方案
2015-01-21 18:28:13
瑞薩電子（又稱(chēng)：Renesas注1)高壓MOS在客戶(hù)電源等產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)該注意哪些事項(xiàng)？具體該怎么操作？
2019-08-19 06:47:04
移動(dòng)電話、汽車(chē)電子、電腦/影視以及家電等各種領(lǐng)域中的需求。從低端的4位、8位產(chǎn)品到高端的16位、32位產(chǎn)品中，都有瑞薩科技的身影。并且，瑞薩科技還將在面向下一代市場(chǎng)的開(kāi)發(fā)方面繼續(xù)加大投入力度，展開(kāi)以
2012-08-08 19:59:58
瑞薩電子推出了適用于空間受限、能源敏感的物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 端點(diǎn)應(yīng)用的新型微控制器 (MCU)，包括可穿戴設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、電器和工業(yè)自動(dòng)化。新的 RA2E2 MCU 組基于最新的 Arm
2021-11-11 08:18:16
瑞薩推出SH7216系列32-位片上Flash存儲(chǔ)器MCU作者：時(shí)間：2009-04-21來(lái)源：電子產(chǎn)品世界字號(hào)： 小 中 大關(guān)鍵詞： 瑞薩 RISC 32MCU Flash SuperH 瑞薩
2022-01-26 06:01:47
跪求瑞薩R5F71253D50FA芯片的中文資料！謝謝了！
2015-12-05 08:03:46
瑞薩電子集團(tuán)今日宣布，與RISC-V架構(gòu)嵌入式CPU內(nèi)核及相關(guān)SoC開(kāi)發(fā)環(huán)境的領(lǐng)先供應(yīng)商——Andes Technology啟動(dòng)技術(shù)IP合作。瑞薩選擇AndesCoreTM32位RISC-V CPU
2020-10-13 16:33:01
這次電賽要用瑞薩的芯片第一次用瑞薩的開(kāi)發(fā)環(huán)境 請(qǐng)問(wèn)CS+怎么進(jìn)行堆棧設(shè)置
2015-08-10 15:33:33
瑞薩MCU的數(shù)據(jù)手冊(cè)，很實(shí)用的
2015-08-07 18:42:43
瑞薩科技將以高端微控制器SuperH RISC engine系列（以下簡(jiǎn)稱(chēng)SH系列）拓展中國(guó)市場(chǎng)。瑞薩是現(xiàn)今高居全球市場(chǎng)份額第一（*1）的MCU制造商。而SH系列則是瑞薩產(chǎn)品線中最為高端的產(chǎn)品
2019-07-23 06:39:44
技術(shù)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)課題的“答案”期待“功能模塊”長(zhǎng)期以來(lái)，瑞薩對(duì)于IGBT和MOSFET等功率器件以及模擬數(shù)字IC、光電耦合器、驅(qū)動(dòng)器IC等產(chǎn)品推出了低端到高端的各類(lèi)控制用MCU，而瑞薩提案把電力電子技術(shù)電路
2012-12-06 16:15:17
瑞薩解決方案之LCD直接驅(qū)動(dòng)瑞薩車(chē)載導(dǎo)航系統(tǒng)解決方案瑞薩解決方案之洗衣機(jī)方案瑞薩解決方案之洗衣機(jī) (740系列, R8C Tiny, H8 Tiny)瑞薩電子智能家居解決方案【視頻】瑞薩純數(shù)字照明
2015-01-30 18:27:24
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子集團(tuán)今日宣布推出15款第二代新型多相數(shù)字控制器和6款SPS，可支持10A至1000A以上的負(fù)載電流，適用于先進(jìn)的CPU、FPGA、GPU和面向物聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)
2020-11-26 06:17:51
ARK推出新一代250V MOS器件 近日，成都方舟微電子有限公司(ARK Microelectronics, Co., Ltd.，簡(jiǎn)稱(chēng)ARK)推出新一代250V MOSFET系列產(chǎn)品，包括N型
2011-04-19 15:01:29
近日，成都方舟微電子有限公司(ARK Microelectronics, Co., Ltd.，簡(jiǎn)稱(chēng)ARK)推出新一代250V MOSFET系列產(chǎn)品，包括N型MOS管、P型MOS管以及N-P對(duì)管
2011-04-15 11:51:00
MOSFET的低噪聲特性與SJ MOS的低導(dǎo)通電阻特性的系列產(chǎn)品。下面是ROHM第一代標(biāo)準(zhǔn)特性的AN系列、其他公司同等產(chǎn)品及EN系列的噪聲特性比較圖。EN系列因其保持了平面MOSFET的噪聲水平、且導(dǎo)通電阻
2018-12-05 10:00:15
現(xiàn)今電子產(chǎn)品的電氣和散熱性能要求，在實(shí)現(xiàn)更高能效水平方面發(fā)揮重要的作用。這也是FAI公司在MOSFET產(chǎn)品系列中，另一突破。俺是電子發(fā)燒友，有做MOSFET這一系列，歡迎大家多多討論。。。`
2012-04-28 10:21:32
本帖最后由 luna 于 2011-3-3 15:02 編輯
高性能音頻和增強(qiáng)了的噪音抑制性能Fairchild二通道單刀雙擲,低導(dǎo)通電阻的音頻開(kāi)關(guān)已經(jīng)開(kāi)發(fā)了通過(guò)減少音頻爆破音的可能性來(lái)加強(qiáng)語(yǔ)音體驗(yàn)。它們包括了最近的特性,具體地說(shuō)是擁有終端電阻,提供緩慢開(kāi)啟時(shí)間和允許負(fù)電壓信號(hào)的能力。
2011-03-02 23:11:29
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電阻
2010-05-06 08:55:20
可對(duì)導(dǎo)通損耗、整個(gè)器件和產(chǎn)品的性能產(chǎn)生重要影響。此外，由于這種最新技術(shù)的器件導(dǎo)通電阻尤其低，需要采用低電阻封裝，避免器件的應(yīng)用受封裝特性限制。如今，多數(shù)廠商的30V MOSFET器件技術(shù)，其芯片導(dǎo)通阻抗
2018-12-07 10:21:41
領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社（TSE：6723）今日宣布推出三款可編程電源管理IC---ISL91302B、ISL91301A和ISL91301B，可為智能手機(jī)和平板電腦應(yīng)用處理器提供最高
2018-10-23 16:14:35
，SiC MOSFET可在更寬的范圍內(nèi)保持低導(dǎo)通電阻。此外，可以看到，與150℃時(shí)的Si MOSFET特性相比，SiC、Si-MOSFET的特性曲線斜率均放緩，因而導(dǎo)通電阻增加。但是
2018-12-03 14:29:26
專(zhuān)門(mén)的溝槽式柵極結(jié)構(gòu)（即柵極是在芯片表面構(gòu)建的一個(gè)凹槽的側(cè)壁上成形的），與平面式SiC MOSFET產(chǎn)品相比，輸入電容減小了35%，導(dǎo)通電阻減小了50%，性能更優(yōu)異。圖4 SCT3030KL的內(nèi)部電路
2019-07-09 04:20:19
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動(dòng)電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開(kāi)始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
說(shuō)明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見(jiàn)的結(jié)構(gòu)。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導(dǎo)通電阻，近年來(lái)超級(jí)結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實(shí)現(xiàn)相同的導(dǎo)通電阻?！ 〔粌H能夠以小封裝實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，而且能夠使門(mén)極電荷量Qg、結(jié)電容也變小?！ J-MOSFET只有900V的產(chǎn)品，但是SiC卻能夠以很低
2023-02-07 16:40:49
的導(dǎo)通電阻。不僅能夠以小封裝實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，而且能夠使門(mén)極電荷量Qg、結(jié)電容也變小。SJ-MOSFET只有900V的產(chǎn)品，但是SiC卻能夠以很低的導(dǎo)通電阻輕松實(shí)現(xiàn)1700V以上的耐壓。因此，沒(méi)有必要再
2019-04-09 04:58:00
的導(dǎo)通電阻。不僅能夠以小封裝實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，而且能夠使門(mén)極電荷量Qg、結(jié)電容也變小。SJ-MOSFET只有900V的產(chǎn)品，但是SiC卻能夠以很低的導(dǎo)通電阻輕松實(shí)現(xiàn)1700V以上的耐壓。因此，沒(méi)有必要再
2019-05-07 06:21:55
近日，慣性傳感器模塊制造商XSENS宣布，隨著該公司推出新款兼容RTK的慣導(dǎo)產(chǎn)品，新一代高性?xún)r(jià)比的慣性傳感器產(chǎn)品將具備厘米級(jí)定位能力。 基于常規(guī)衛(wèi)星定位信號(hào)使用RTK（實(shí)時(shí)動(dòng)態(tài)定位）擴(kuò)展功能
2020-07-07 09:01:12
1.低導(dǎo)通電阻 卓越的溝槽工藝與封裝技術(shù)相結(jié)合實(shí)現(xiàn)了低的導(dǎo)通電阻。這有助于提升您應(yīng)用中的產(chǎn)品性能。 2.小型封裝產(chǎn)品陣容3.封裝類(lèi)型[tr=transparent]Toshiba Package
2018-05-15 22:37:38
電氣技師和電子制造工程師用接地導(dǎo)通電阻測(cè)試儀驗(yàn)證電器和消費(fèi)產(chǎn)品（由交流電壓供電）上的裸露金屬是否適當(dāng)?shù)剡B接到了其機(jī)殼底座。當(dāng)電器內(nèi)部發(fā)生故障電流時(shí)，如果電器沒(méi)有適當(dāng)?shù)剡B接到已接地的機(jī)殼底座，就存在
2017-09-30 09:38:49
剛工作，公司用的是瑞薩的片子，我只是學(xué)過(guò)51匯編與c，請(qǐng)問(wèn)下怎么入門(mén)瑞薩
2015-07-08 22:59:41
、BD82054QVZ以及BD82055QVZ）。這幾款單通道高側(cè)開(kāi)關(guān)IC采用N溝道功率MOSFET，具備低導(dǎo)通電阻（典型值63m?，VIN=5V），輸入電壓范圍2.7V~5.5V，非常適用于通用串行總線（USB
2019-04-10 06:20:03
非常先進(jìn)的技術(shù)能力才能實(shí)現(xiàn)。此外，內(nèi)置MOSFET的導(dǎo)通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率。BD9G341AEFJ的轉(zhuǎn)換方式是被稱(chēng)為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊MOSFET為內(nèi)置
2018-12-04 10:10:43
系列Hybrid MOS是同時(shí)具備超級(jí)結(jié)MOSFET（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SJ MOSFET”）的高速開(kāi)關(guān)和低電流時(shí)的低導(dǎo)通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時(shí)的低導(dǎo)通電阻這些優(yōu)異特性的新結(jié)構(gòu)MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
咨詢(xún)下搞瑞薩單片機(jī)的高手,瑞薩H8/3062的單片機(jī)如何讀取芯片內(nèi)部程序啊?能讀出來(lái)嗎
2017-03-23 22:40:05
、降低噪音、解放人力并最大限度地節(jié)能，瑞薩電子（本文涉及產(chǎn)品主要為瑞薩電子原NEC部分）推出了一系列變頻控制專(zhuān)用的8位MCU。本文主要介紹了8位MCU――uPD78F0712的主要特點(diǎn)及基于該產(chǎn)品的變頻抽油煙機(jī)解決方案。
2019-07-19 07:40:34
來(lái)源：瑞薩電子全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社（TSE：6723）今日宣布，基于瑞薩獨(dú)有的SOTB?（Silicon on Thin Buried Oxide 薄氧化埋層覆硅）制程工藝
2020-10-22 16:47:48
安國(guó)半導(dǎo)體主要是在u***主控 sd卡這方面處于領(lǐng)先地位，現(xiàn)在為擴(kuò)大經(jīng)營(yíng)范圍 特推出新款觸摸按鍵 價(jià)格比義隆合泰都更有優(yōu)勢(shì) 性能方面EFT可到4.4kvcs10v也可以過(guò)要是感興趣的話可以 聯(lián)系***
2013-10-08 15:48:39
”這個(gè)參數(shù)的影響。下面以“升降壓轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)導(dǎo)出示例 其2”的ton≠ton’ 的升降壓轉(zhuǎn)換器為基礎(chǔ)，按照同樣步驟來(lái)推導(dǎo)。右側(cè)電路圖在上次給出的升降壓轉(zhuǎn)換器簡(jiǎn)圖上標(biāo)出了作為開(kāi)關(guān)的MOSFET的導(dǎo)通電阻
2018-11-30 11:48:22
怎么讀取瑞薩mcu的checksum？
2022-02-10 07:03:23
RENESAS（瑞薩電子）是世界十大半導(dǎo)體芯片供應(yīng)商之一，擁有廣泛的產(chǎn)品線，提供尖端半導(dǎo)體解決方案及軟件?！た偛课挥谌毡敬ㄆ椤?010年，日本兩大半導(dǎo)體制造商N(yùn)EC電子和瑞薩科技合并，全新的半導(dǎo)體
2020-05-28 09:28:17
有一瑞薩MCU需要解密，高手請(qǐng)聯(lián)系我，謝謝。
2015-02-03 10:18:02
求發(fā)瑞薩簡(jiǎn)單的程序
2017-10-18 17:30:20
采用雙溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，與正在量產(chǎn)中的第2代平面型（DMOS結(jié)構(gòu)）SiC-MOSFET相比，導(dǎo)通電阻降低約50%，輸入電容降低約35%。實(shí)際的SiC-MOSFET產(chǎn)品下面是可供
2018-12-05 10:04:41
的室外應(yīng)用連接，如LED燈條，LED聚光照明，LED洗墻景觀照明，LED廣告牌照明，LED隧道照明，LED泛光照明及LED街道照明等。據(jù)了解，浩隆電子此次存儲(chǔ)了豐富的新款LED燈具連接器產(chǎn)品，以隨時(shí)應(yīng)變
2010-04-29 14:12:12
如何將阻斷高電壓的低摻雜、高電阻率區(qū)域和導(dǎo)電通道的高摻雜、低電阻率分開(kāi)解決。如除導(dǎo)通時(shí)低摻雜的高耐壓外延層對(duì)導(dǎo)通電阻只能起增大作用外并無(wú)其他用途。這樣，是否可以將導(dǎo)電通道以高摻雜較低電阻率實(shí)現(xiàn)，而在MOS
2018-11-01 15:01:12
測(cè)量MOS管的導(dǎo)通電阻除了在選定開(kāi)關(guān)時(shí)有用，還在哪些方面有重要的意義？
2012-05-17 10:44:16
并提高可靠性。東芝實(shí)驗(yàn)證實(shí)，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1]，可將導(dǎo)通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能，降低功耗以及實(shí)現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
＜概要＞全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）推出600V耐壓超級(jí)結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品，在保持極快反向恢復(fù)時(shí)間（trr※1））的同時(shí)，提高設(shè)計(jì)靈活度，非常適用于
2020-03-12 10:08:31
＜概要＞全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）推出600V耐壓超級(jí)結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品，在保持極快反向恢復(fù)時(shí)間（trr※1））的同時(shí)，提高設(shè)計(jì)靈活度，非常適用于
2020-03-12 10:08:47
請(qǐng)教一下在瑞薩電子MPU中，視頻流如何轉(zhuǎn)成幀供識(shí)別的？
2022-09-26 18:07:34
請(qǐng)問(wèn)一下在瑞薩電子MPU中DRP的運(yùn)行效率如何？有沒(méi)有哪位大神解答一下啊
2022-09-26 18:05:37
性和低噪聲特征，超級(jí)結(jié)MOSFET有一些變化。從下篇開(kāi)始，將介紹每種變化的特征。關(guān)鍵要點(diǎn):?Si-MOSFET的產(chǎn)品定位是“以低～中功率高速工作”。?超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)可保持耐壓的同時(shí)，降低導(dǎo)通電阻RDS
2018-11-28 14:28:53
MOSFET的結(jié)構(gòu)高壓的功率MOSFET的外延層對(duì)總的導(dǎo)通電阻起主導(dǎo)作用，要想保證高壓的功率MOSFET具有足夠的擊穿電壓，同時(shí)，降低導(dǎo)通電阻，最直觀的方法就是：在器件關(guān)斷時(shí)，讓低摻雜的外延層保證要求的耐壓
2018-10-17 16:43:26
、降低噪音、解放人力并最大限度地節(jié)能，瑞薩電子（本文涉及產(chǎn)品主要為瑞薩電子原NEC部分）推出了一系列變頻控制專(zhuān)用的8位MCU。本文主要介紹了8位MCU――uPD78F0712的主要特點(diǎn)及基于該產(chǎn)品的變頻抽油煙機(jī)解決方案。
2019-07-09 07:32:27
損耗。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低組成全SiC功率模塊的SiC-MOSFET在不斷更新?lián)Q代，現(xiàn)已推出新一代產(chǎn)品的定位–采用溝槽結(jié)構(gòu)的第3代產(chǎn)品
2018-12-04 10:11:50
不能降低高壓MOSFET的導(dǎo)通電阻，所剩的思路就是如何將阻斷高電壓的低摻雜、高電阻率區(qū)域和導(dǎo)電通道的高摻雜、低電阻率分開(kāi)解決。如除 導(dǎo)通時(shí)低摻雜的高耐壓外延層對(duì)導(dǎo)通電阻只能起增大作用外并無(wú)其他
2023-02-27 11:52:38
%。特性方面的定位是標(biāo)準(zhǔn)特性。低噪聲SJ-MOSFET：EN系列SJ-MOSFET具有“導(dǎo)通電阻低，開(kāi)關(guān)速度快”的特征，但存在其高速性導(dǎo)致噪聲比平面型大的課題。為改善這個(gè)問(wèn)題開(kāi)發(fā)了EN系列。該系列產(chǎn)品融合了
2018-12-03 14:27:05
Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?
傳統(tǒng)模擬開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成，可使正負(fù)信號(hào)傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:474912 IR推出汽車(chē)專(zhuān)用MOSFET系列低導(dǎo)通電阻
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出首款汽車(chē)專(zhuān)用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:32746 Vishay推出新款薄膜貼片電阻
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號(hào)：VSH）宣布，推出為鉆井和航空等極端高溫環(huán)境優(yōu)化的新系列打線式、裸芯片貼片式
2010-04-17 16:12:54676 飛兆半導(dǎo)體推出了導(dǎo)通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，這款全新飛兆半導(dǎo)體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件，它是業(yè)界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391534 Aptina日前推出新款支持電子穩(wěn)像(EIS)的1/3英寸原生全高清(HD) 1080p60視頻傳感器。該傳感器可支持所有高清視頻
2011-01-11 09:36:401133 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。
2011-01-26 09:04:081505 士蘭微電子近期推出了新一代高壓MOSFET產(chǎn)品——F-CellTM系列高壓MOSFET。這是士蘭微電子自主研發(fā)所推出的第四代平面結(jié)構(gòu)高壓MOSFET產(chǎn)品
2011-03-28 09:20:221537 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 擴(kuò)展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)
2011-06-16 09:35:042537 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面貼裝Power Metal Strip電阻--- WSK0612。該電阻是業(yè)內(nèi)首個(gè)4接頭、1W的檢流電阻，采用小尺寸的0612封裝，具有0.5 mΩ～5mΩ的低阻值。
2011-09-06 09:43:07846 日前，Vishay 宣布，推出新款采用2512外形尺寸的表面貼裝Power Metal Strip?電阻--- WSLP2512，這種電阻具有高達(dá)3W的功率和0.0005Ω的極低阻值。
2012-02-07 11:43:061082 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 東芝公司（Toshiba Corporation）推出了一種低導(dǎo)通電阻功率MOSFET，該產(chǎn)品也成為其專(zhuān)為汽車(chē)應(yīng)用打造的TO-220SIS封裝系列中的最新成員。新產(chǎn)品“TK80A04K3L”還實(shí)現(xiàn)了低漏電電流和175℃的保證工作溫度。該產(chǎn)品不但非常適用于汽車(chē)應(yīng)用，還適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器
2013-01-22 10:25:30963 TrenchFET?功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件，在-4.5V和-2.5V柵極驅(qū)動(dòng)下具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，在便攜電子產(chǎn)品里能夠節(jié)省空間，并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:44885 4月13日－Bourns-全球知名電子零組件領(lǐng)導(dǎo)制造與供貨商日前推出新款抗硫化系列薄膜精密貼片電阻- 型號(hào)CRT-AS。
2016-05-30 15:13:04613 MOSFET的導(dǎo)通電阻
2018-08-14 00:12:0012629 該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規(guī)的硅（Si）MOSFET、IGBT產(chǎn)品相比，具有高耐壓、高速開(kāi)關(guān)和低導(dǎo)通電阻特性，有利于降低功耗，精簡(jiǎn)系統(tǒng)。
2020-10-19 16:11:223530 
曝蘋(píng)果最早4月推出新款iPad Pro的消息引發(fā)了業(yè)界關(guān)注，之所以這款iPad Pro備受關(guān)注，很大一部分原因在于這將是蘋(píng)果旗下首款待在mini led屏幕的產(chǎn)品。知名分析師郭明錤給出最新判斷，曝蘋(píng)果最早4月推出新款iPad Pro，看好mini LED在蘋(píng)果產(chǎn)品線中的重要度。
2021-03-19 08:59:226654 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻，可顯著降低開(kāi)關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，現(xiàn)已開(kāi)始出貨。
2022-09-01 15:37:53479 的參考資料，助力您快速了解產(chǎn)品各項(xiàng)信息。 點(diǎn)擊下載產(chǎn)品參考資料 與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場(chǎng)上更受歡迎
2023-05-17 13:35:02471 
近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻達(dá)到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:57316
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