推動科技進(jìn)步的半導(dǎo)體技術(shù)真的會停滯不前嗎？這也不太可能，7nm工藝節(jié)點(diǎn)將開始應(yīng)用EUV光刻工藝，研發(fā)EUV光刻機(jī)的ASML表示EUV工藝將會支持未來15年，部分客戶已經(jīng)在討論2030年的1.5nm工藝路線圖了。
2017-01-22 11:45:42
3754 與濕法蝕刻相比，等離子蝕刻的一個(gè)主要優(yōu)點(diǎn)是能夠獲得高度定向（各向異性）的蝕刻工藝。
2021-10-07 15:51:003406 
在本研究中，我們設(shè)計(jì)了一個(gè)150mm晶片的濕蝕刻槽來防止硅片的背面蝕刻，并演示了優(yōu)化的工藝配方，使各向異性濕蝕刻的背面沒有任何損傷，我們還提出了300mm晶圓處理用濕浴槽的設(shè)計(jì)，作為一種很有前途的工藝發(fā)展。
2022-03-28 11:01:493096 
InAsSb材料用于彼此相對的蝕刻停止層，但是不希望其獨(dú)特的II型破碎帶隙對準(zhǔn)的器件需要具有良好選擇性的GaSb和AlGaAsSb之間的新的選擇性濕法蝕刻劑。這里描述的所有濕法化學(xué)和干法蝕刻工藝都使用n型GaSb襯底進(jìn)行了優(yōu)化。
2022-05-11 14:00:421844 
引言 本研究針對12英寸晶圓廠近期技術(shù)開發(fā)過程中后端一體化(AIO)蝕刻工藝導(dǎo)致的圖案失效缺陷。AIO蝕刻直接限定了溝槽和通孔的形狀，然而，包括層間介電膜的沉積、金屬硬掩模和濕法清洗的那些先前的工藝
2022-06-01 15:55:469100 
初始屏蔽檢查 對蝕刻工藝的良好理解始于理解初始掩模輪廓，無論是光致抗蝕劑還是硬掩模。掩模的重要參數(shù)是厚度和側(cè)壁角度。如果可能，對橫截面進(jìn)行SEM檢查，以確定適用于您的蝕刻步驟的不同特征尺寸的側(cè)壁角度
2022-06-10 16:09:335982 
在半導(dǎo)體器件制造中，蝕刻指的是從襯底上的薄膜選擇性去除材料并通過這種去除在襯底上產(chǎn)生該材料的圖案的任何技術(shù)，該圖案由抗蝕刻工藝的掩模限定，其產(chǎn)生在光刻中有詳細(xì)描述，一旦掩模就位，可以通過濕法化學(xué)或“干法”物理方法對不受掩模保護(hù)的材料進(jìn)行蝕刻，圖1顯示了這一過程的示意圖。
2022-07-06 17:23:524745 
。二氧化硅通過分別用于微米和納米鰭的光和電子束光刻形成圖案，隨后在氫氟酸中進(jìn)行濕法蝕刻。使用用異丙醇(IPA)稀釋的四甲基氫氧化銨(TMAH)以及具有表面活性劑(Triton-X-100)的硅摻雜TMAH
2022-07-08 15:46:162154 
本文主要闡述我們?nèi)A林科納在補(bǔ)救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學(xué)腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個(gè)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個(gè)因素，并使用實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)方法來研究所選因素
2022-07-12 14:01:132601 
引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說，它們在某些方向上的蝕刻速度比在其
2022-07-14 16:06:065995 
濕法蝕刻工藝的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為liquid化合物。由于采用了高選擇性化學(xué)物質(zhì)可以非常精確地適用于每一部電影。對于大多數(shù)解決方案選擇性大于100:1。
2022-07-27 15:50:253962 
傳統(tǒng)的光刻工藝是相對目前已經(jīng)或尚未應(yīng)用于集成電路產(chǎn)業(yè)的先進(jìn)光刻工藝而言的，普遍認(rèn)為 193nm 波長的 ArF 深紫外光刻工藝是分水嶺（見下表）。這是因?yàn)?193nm 的光刻依靠浸沒式和多重曝光技術(shù)的支撐，可以滿足從 0.13um至7nm 共9個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的光刻需要。
2022-10-18 11:20:2917458 在之前的文章里，我們介紹了晶圓制造、氧化過程和集成電路的部分發(fā)展史?，F(xiàn)在，讓我們繼續(xù)了解光刻工藝，通過該過程將電子電路圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上。光刻過程與使用膠片相機(jī)拍照非常相似。但是具體是怎么實(shí)現(xiàn)的呢？
2023-06-28 10:07:476929 
光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-12-04 09:17:246309 
光刻工藝貫穿整個(gè)芯片制造流程的多次重復(fù)轉(zhuǎn)印環(huán)節(jié)，對于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導(dǎo)體制造工藝演進(jìn)，對光刻分辨率、套準(zhǔn)精度和可靠性的要求持續(xù)攀升，光刻技術(shù)也將不斷演化，支持更為先進(jìn)的制程與更復(fù)雜的器件設(shè)計(jì)。
2025-03-27 09:21:333276 
濕法刻蝕作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的元老級技術(shù)，其發(fā)展歷程與集成電路的微型化進(jìn)程緊密交織。盡管在先進(jìn)制程中因線寬控制瓶頸逐步被干法工藝取代，但憑借獨(dú)特的工藝優(yōu)勢，濕法刻蝕仍在特定場景中占據(jù)不可替代的地位。
2025-05-28 16:42:544247 
一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類型：正性光刻和負(fù)性光刻，區(qū)別如下
2021-01-12 10:17:47
關(guān)于光刻工藝的原理，大家可以想象一下膠片照片的沖洗，掩膜版就相當(dāng)于膠片，而光刻機(jī)就是沖洗臺，它把掩膜版上的芯片電路一個(gè)個(gè)的復(fù)制到光刻膠薄膜上，然后通過刻蝕技術(shù)把電路“畫”在晶圓上。 當(dāng)然
2020-07-07 14:22:55
我司是做濕法蝕刻藥水的，所以在濕法這塊有很多年的研究。所以有遇到濕法蝕刻問題歡迎提問，很愿意為大家解答。謝謝！QQ：278116740
2017-05-08 09:58:09
濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高，因?yàn)樗没瘜W(xué)藥品可以非常精確地適應(yīng)各個(gè)薄膜。對于大多數(shù)解決方案，選擇性大于100：1。
2021-01-08 10:12:57
為了在基板上形成功能性的MEMS結(jié)構(gòu)，必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常，蝕刻過程分為兩類：浸入化學(xué)溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻，其中使用反應(yīng)性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中，我們將簡要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術(shù)。
2021-01-09 10:17:20
`請問PCB蝕刻工藝質(zhì)量要求有哪些？`
2020-03-03 15:31:05
腐蝕掉,稱為蝕刻。要注意的是,這時(shí)的板子上面有兩層銅.在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的,其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點(diǎn)是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。另外一
2018-11-26 16:58:50
目前，印刷電路板（pcb）加工的典型工藝采用“圖形電鍍法”.即先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉，稱為蝕刻。PCB蝕刻工藝
2018-09-13 15:46:18
的歷史蝕刻工藝進(jìn)行了兩個(gè)主要的工藝更改，這使得這項(xiàng)工作成為必要。首先，我們從 Clariant AZ4330 光刻膠切換到 Shipley SPR220-3。我們發(fā)現(xiàn)后者的光刻膠具有更好的自旋均勻性
2021-07-06 09:39:22
使用化學(xué)溶液去除材料。在 CMOS 制造中，濕法工藝用于清潔晶片和去除薄膜。濕法清潔過程在整個(gè)工藝流程中重復(fù)多次。一些清潔過程旨在去除微粒，而另一些則是去除有機(jī)和/或無機(jī)表面污染物。濕蝕刻劑可以是各向同性
2021-07-06 09:32:40
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 納米線制造和單光子發(fā)射器器件應(yīng)用的蝕刻工藝編號：JFSJ-21-045作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:11:24
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN、ZnO和SiC的濕法化學(xué)蝕刻編號：JFKJ-21-830作者：炬豐科技摘要寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性，使其對高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種
2021-10-14 11:48:31
、135°C 以上溶于乙二醇的 KOH、180°C 溶于乙二醇的 NaOH。文章全部詳情，請加V獲?。篽lknch / xzl1019^晶體蝕刻工藝中兩個(gè)蝕刻步驟中的第一個(gè)用于確定蝕刻深度，它可以通過幾種
2021-07-07 10:24:07
kJ/摩爾)。這是一個(gè)相對較高的值，這是蝕刻工藝的典型值，其速率受化學(xué)反應(yīng)本身的限制，而不是受反應(yīng)產(chǎn)物的溶解或反應(yīng)物質(zhì)向蝕刻表面擴(kuò)散的限制。類似地，使用光學(xué)顯微鏡觀察到的蝕刻表面的光滑度表明蝕刻
2021-07-09 10:23:37
：MacEtch 是一種濕法蝕刻工藝，可提供對取向、長度、形態(tài)等結(jié)構(gòu)參數(shù)的可控性，此外，它是一種制造極高縱橫比半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的簡單且低成本的方法。 3 該工藝利用了在氧化劑（例如過氧化氫 (H2O2)）和酸（例如
2021-07-06 09:33:58
。一.蝕刻的種類要注意的是，蝕刻時(shí)的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點(diǎn)是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。另外一
2018-04-05 19:27:39
曝光部分，負(fù)性光刻膠去除未曝光部分)->預(yù)烘烤->曝光->顯影
提到了一個(gè)公式R=kλ/NA即分辨率正比于波長λ
然后介紹了蝕刻工藝的形狀加工
2024-12-16 23:35:46
，三合一工藝平臺，CMOS圖像傳感器工藝平臺，微電機(jī)系統(tǒng)工藝平臺。 光掩模版:基板，不透光材料 光刻膠:感光樹脂，增感劑，溶劑。 正性和負(fù)性。 光刻工藝: 涂光刻膠。掩模版向下曝光。定影和后烘固化蝕刻工藝
2025-03-27 16:38:20
操作，并具備對PECVD或LPCVD工藝優(yōu)化的能力； 4、 熟悉光刻工藝、濕法刻蝕；離子蝕刻(RIE, ICP etc)者優(yōu)先;5、熟悉計(jì)算機(jī)操作，具備相關(guān)專業(yè)英語閱讀能力； 6、工作認(rèn)真細(xì)致、有
2012-12-19 22:42:16
在印制電路加工中﹐氨性蝕刻是一個(gè)較為精細(xì)和覆雜的化學(xué)反應(yīng)過程,卻又是一項(xiàng)易于進(jìn)行的工作。只要工藝上達(dá)至調(diào)通﹐就可以進(jìn)行連續(xù)性的生產(chǎn), 但關(guān)鍵是開機(jī)以后就必需保持連續(xù)的工作狀態(tài)﹐不適宜斷斷續(xù)續(xù)地生產(chǎn)
2017-06-23 16:01:38
濕蝕刻是光刻之后的微細(xì)加工過程，該過程中使用化學(xué)物質(zhì)去除晶圓層。晶圓，也稱為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設(shè)備的基礎(chǔ)；最常見的晶圓是由硅或玻璃制成的。濕法刻蝕
2021-01-08 10:15:01
先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱為蝕刻?！ ?b class="flag-6" style="color: red">一.蝕刻的種類 要注意的是，蝕刻時(shí)的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有
2018-09-19 15:39:21
一、產(chǎn)品概述全自動Mask掩膜板清洗機(jī)是半導(dǎo)體光刻工藝中用于清潔光罩（Reticle/Mask）表面的核心設(shè)備，主要去除光刻膠殘留、顆粒污染、金屬有機(jī)物沉積及蝕刻副產(chǎn)物。其技術(shù)覆蓋濕法化學(xué)清洗、兆
2025-06-17 11:06:03
Intel 22nm光刻工藝背后的故事
去年九月底的舊金山秋季IDF 2009論壇上，Intel第一次向世人展示了22nm工藝晶圓，并宣布將在2011年下半年發(fā)布相關(guān)產(chǎn)品。
2010-03-24 08:52:581395 超細(xì)線蝕刻工藝技術(shù)介紹
目前，集成度呈越來越高的趨勢，許多公司紛紛開始SOC技術(shù)，但SOC并不能解決所有系統(tǒng)集成的問題，因
2010-03-30 16:43:082052 光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0 印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個(gè)比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻進(jìn)行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱為蝕刻。
2017-12-26 08:57:1630284 光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟，耗時(shí)長、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點(diǎn)和關(guān)鍵點(diǎn)在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上，這一過程通過光刻來實(shí)現(xiàn)， 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能
2018-04-08 16:10:52171954 
本文首先介紹了PCB蝕刻工藝原理和蝕刻工藝品質(zhì)要求及控制要點(diǎn)，其次介紹了PCB蝕刻工藝制程管控參數(shù)及蝕刻工藝品質(zhì)確認(rèn)，最后闡述了PCB蝕刻工藝流程詳解，具體的跟隨小編一起來了解一下吧。
2018-05-07 09:09:0948549 隨著三星宣布7nm EUV工藝的量產(chǎn)，2018年EUV光刻工藝終于商業(yè)化了，這是EUV工藝研發(fā)三十年來的一個(gè)里程碑。不過EUV工藝要想大規(guī)模量產(chǎn)還有很多技術(shù)挑戰(zhàn)，目前的光源功率以及晶圓產(chǎn)能輸出還沒有
2018-10-30 16:28:404245 印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個(gè)比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻進(jìn)行解析。目前，印刷電路板（PCB）加工的典型工藝采用“圖形電鍍法”。即先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉，稱為蝕刻。
2019-08-16 11:31:006030 在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。目前，錫或鉛錫是最常用的抗蝕層,用在氨性蝕刻劑的蝕刻工藝
2019-07-10 15:11:353996 
要注意的是，這時(shí)的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍，其特點(diǎn)是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。另外一種工藝方法是整個(gè)
2019-07-08 14:51:343178 
PCB板蝕刻工藝用傳統(tǒng)的化學(xué)蝕刻過程腐蝕未被保護(hù)的區(qū)域。有點(diǎn)像是挖溝，是一種可行但低效的方法。在蝕刻過程中也分正片工藝和負(fù)片工藝之分，正片工藝使用固定的錫保護(hù)線路，負(fù)片工藝則是使用干膜或者濕膜來保護(hù)線路。用傳統(tǒng)的蝕刻方法到線或焊盤的邊緣是畸形的。
2020-07-12 10:26:565377 重要要點(diǎn) l 什么是光刻？ l 光刻工藝的類型。 l 光刻處理如何用于電路板成像。 l 工業(yè)平版印刷處理設(shè)計(jì)指南。 可以說，有史以來研究最多的文物是都靈裹尸布。進(jìn)行廣泛檢查的原因，從來源的宗教建議
2020-09-16 21:01:162207 書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：單晶的濕法蝕刻和紅外吸收 編號：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技 摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長AlN單晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00565 多層PCB內(nèi)層的光刻工藝包括幾個(gè)階段，接下來詳細(xì)為大家介紹多層PCB內(nèi)層的光刻工藝每個(gè)階段都需要做什么。 PART.1 在第一階段，內(nèi)層穿過化學(xué)制劑生產(chǎn)線。銅表面會出現(xiàn)粗糙度，這對于光致抗蝕劑的最佳
2021-09-05 10:00:162856 這些氣泡的濕法蝕刻工藝，并得出最佳濕法蝕刻。 如圖1所示，bath內(nèi)一次性加入晶片少則25片，多則50片,因?yàn)橛羞@么多的晶片，所以晶片和晶片之間的間隙很小（6.35 mm），所以晶片和晶片之間的流體會沿著晶片進(jìn)行固體旋轉(zhuǎn)，這使得蝕
2022-01-19 17:11:32999 
濕法蝕刻工藝已經(jīng)廣泛用于生產(chǎn)各種應(yīng)用的微元件。這些過程簡單易操作。選擇合適的化學(xué)溶液(即蝕刻劑)是濕法蝕刻工藝中最重要的因素。它影響蝕刻速率和表面光潔度。銅及其合金是各種工業(yè)，特別是電子工業(yè)的重要
2022-01-20 16:02:243288 
的氧化鎳未完全去除造成的。這項(xiàng)研究對這些多余金屬缺陷的成分進(jìn)行了分類和確定，評估了推薦的去除氧化鎳的濕蝕刻方法，最后提出了一種濕蝕刻工藝，該工藝將快速去除缺陷，同時(shí)繼續(xù)保持所需的半各向異性蝕刻輪廓，這是大多數(shù)金屬
2022-02-28 14:59:352353 
提高10倍的吞吐量。 雖然大多數(shù)公司使用干式蝕刻工藝來創(chuàng)建圖案表面，但干式蝕刻的缺點(diǎn)并不小，包括加工設(shè)備的成本高，吞吐量低，擴(kuò)展性差等等。 這種不利因素促使許多人重新燃起對濕法蝕刻的興趣。歷史上，標(biāo)準(zhǔn)
2022-03-08 13:34:361515 我們開發(fā)了一種改進(jìn)的各向異性濕法蝕刻工藝，通過在晶片上使用單個(gè)蝕刻掩模來制造各種硅微結(jié)構(gòu)，這些微結(jié)構(gòu)具有圓形凹角和尖銳凸角、用于芯片隔離的凹槽、蜿蜒的微流體通道、具有彎曲V形凹槽的臺面結(jié)構(gòu)以及具有
2022-03-14 10:51:421371 
本文章將對表面組織工藝優(yōu)化進(jìn)行研究，多晶硅晶片表面組織化工藝主要分為干法和濕法，其中利用酸或堿性溶液的濕法蝕刻工藝在時(shí)間和成本上都比較優(yōu)秀，主要適用于太陽能電池量產(chǎn)工藝。本研究在多晶晶片表面組織化工藝
2022-03-25 16:33:491013 
的各向同性濕法蝕刻條件相比，由于非常高的各向異性，反應(yīng)離子蝕刻工藝能夠?qū)崿F(xiàn)更好的蝕刻尺寸控制。盡管如此，當(dāng)使用敏感材料(即柵極氧化物[1])或當(dāng)尺寸放寬時(shí)，使用光敏抗蝕劑的濕法圖案化仍然是參考工藝。本文研究了整個(gè)濕法腐蝕過程中抗蝕劑保護(hù)的完整性。給出了確保這種保護(hù)的一些提示，以及評估這種保護(hù)的相關(guān)新方法。
2022-04-06 13:29:191222 
薄晶片已成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。 需要更薄的模具來適應(yīng)更薄的包裝。 使用最后的濕蝕刻工藝在背面變薄的晶圓與標(biāo)準(zhǔn)的機(jī)械背面磨削相比，應(yīng)力更小。 硅的各向同性濕蝕刻通常是用硝酸和氫氟酸的混合物
2022-04-07 14:46:331278 
半導(dǎo)體制造工業(yè)中的濕法清洗/蝕刻工藝用于通過使用高純化學(xué)品清洗或蝕刻來去除晶片上的顆?；蛉毕?。擴(kuò)散、光和化學(xué)氣相沉積(CVD)、剝離、蝕刻、聚合物處理、清潔和旋轉(zhuǎn)擦洗之前有預(yù)清潔作為濕法清潔/蝕刻工藝
2022-04-21 12:27:431233 
的各向同性濕法蝕刻條件相比，由于非常高的各向異性，反應(yīng)離子蝕刻工藝能夠?qū)崿F(xiàn)更好的蝕刻尺寸控制。盡管如此，當(dāng)使用敏感材料(即柵極氧化物[1])或當(dāng)尺寸放寬時(shí)，使用光敏抗蝕劑的濕法圖案化仍然是參考工藝。本文研究了整個(gè)濕法腐蝕過程中抗蝕劑保護(hù)的完整性。給出了確保這種保護(hù)的一些提示，以及評估這種保護(hù)的相關(guān)新方法。
2022-04-22 14:04:191138 
的逐層秘密。隨著制造工藝的變化和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的變化，這些技術(shù)需要在時(shí)間和程序上不斷調(diào)整。雖然有許多工具有助于這些分析，如RIE(反應(yīng)離子蝕刻-一種干法蝕刻技術(shù))、離子銑削和微切割，但鎢的濕法化學(xué)蝕刻有時(shí)比RIE技術(shù)更具重現(xiàn)性。
2022-06-20 16:38:207526 
種新的方法，通過光刻和刻蝕工藝順序來提高跨晶片柵極CD的均勻性。我們?nèi)A林科納所提出的方法是通過優(yōu)化整個(gè)晶片曝光后烘烤(PEB)溫度曲線來補(bǔ)償光刻工藝順序中的上游和下游系統(tǒng)CD變化成分。更準(zhǔn)確地說，我們首先構(gòu)建了一個(gè)溫度-偏移模型，該模型將
2022-06-22 14:58:343523 
和掃描電子顯微鏡(SEM)來確定缺陷密度和通孔尺寸。使用光學(xué)顯微鏡、SEM和俄歇電子能譜(AES)完成對蝕刻后去除的分析。通過一系列評估，來自通用化學(xué)公司的化學(xué)物質(zhì)被確定為能有效地同時(shí)去除光刻膠掩模
2022-06-23 14:26:57985 
本文報(bào)道了InGaP/GaAsNPNHBTs在噴霧濕化學(xué)蝕刻過程中修復(fù)光刻膠粘附失敗的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。我們確定了幾個(gè)可能影響粘附性的因素，并采用實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)方法研究了所選因素的影響和相互作用。最顯著
2022-06-29 11:34:592 本文介紹了我們?nèi)A林科納在半導(dǎo)體制造過程中進(jìn)行的濕法蝕刻過程和使用的藥液，在晶圓表面，為了形成LSI布線，現(xiàn)在幾乎所有的半導(dǎo)體器件都使用干蝕刻方式，這是因?yàn)楦煞?b class="flag-6" style="color: red">蝕刻與濕法蝕刻相比，各向異性較好，對于形成細(xì)微的布線是有利的。
2022-07-06 16:50:323111 
50納米，4，5，盡管最近有報(bào)道稱rms粗糙度低至4–6納米的表面。6光增強(qiáng)電化學(xué)(PEC)濕法蝕刻也已被證明適用于氮化鎵(GaN)的蝕刻。7–10 PEC蝕刻具有設(shè)備成本相對較低和表面損傷較低的優(yōu)勢
2022-07-12 17:19:244607 
蝕刻工藝 蝕刻過程分類
2022-08-08 16:35:341731 
薄晶片已成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。更薄的模具需要裝進(jìn)更薄的包裝中。與標(biāo)準(zhǔn)的機(jī)械背磨相比，在背面使用最終的濕法蝕刻工藝而變薄的晶片的應(yīng)力更小。
2022-08-26 09:21:363792 
在半導(dǎo)體濕法蝕刻中， 熱磷酸廣泛地用于對氮化硅的去除工藝， 實(shí)踐中發(fā)現(xiàn)溫下磷酸對氮化硅蝕刻率很難控制。 從熱磷酸在氮化硅濕法蝕刻中的蝕刻原理出發(fā)， 我們?nèi)A林科納分析了影響蝕刻率的各個(gè)因素， 并通過
2022-08-30 16:41:597112 
蝕刻不是像沉積或鍵合那樣的“加”過程，而是“減”過程。另外，根據(jù)刮削方式的不同，分為兩大類，分別稱為“濕法蝕刻”和“干法蝕刻”。簡單來說，前者是熔法，后者是挖法。
2023-01-29 09:39:008308 金屬蝕刻是一種通過化學(xué)反應(yīng)或物理沖擊去除金屬材料的技術(shù)。金屬蝕刻技術(shù)可分為濕蝕刻和干蝕刻。金屬蝕刻由一系列化學(xué)過程組成。不同的蝕刻劑對不同的金屬材料具有不同的腐蝕特性和強(qiáng)度。
2023-03-20 12:23:438848 印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個(gè)比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻進(jìn)行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:072109 干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項(xiàng)目開始時(shí)必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:332841 蝕刻可能是濕制程階段最復(fù)雜的工藝，因?yàn)橛泻芏嘁蛩貢绊?b class="flag-6" style="color: red">蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會變化，因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動化方法來維護(hù)蝕刻化學(xué)，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:311833 
納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學(xué)。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:112993 
外，學(xué)生還就感興趣的課題做深入調(diào)研。師生共同討論調(diào)研報(bào)告，實(shí)現(xiàn)教學(xué)互動。調(diào)研的內(nèi)容涉及光刻工藝、光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術(shù)。
2023-07-07 11:21:321451 
PCB蝕刻工藝中的“水池效應(yīng)”現(xiàn)象，通常發(fā)生在頂部，這種現(xiàn)象會導(dǎo)致大尺寸PCB整個(gè)板面具有不同的蝕刻質(zhì)量。
2023-08-10 18:25:434815 光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟，耗時(shí)長、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點(diǎn)和關(guān)鍵點(diǎn)在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上，這一過程通過光刻來實(shí)現(xiàn)， 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。
2023-08-23 10:47:535496 
半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:543038 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項(xiàng)有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項(xiàng)。PCB打樣中，在銅箔部分預(yù)鍍一層鉛錫防腐層，保留在板外層，即電路的圖形部分，然后是其余的銅箔被化學(xué)方法腐蝕，稱為蝕刻。
2023-09-18 11:06:302024 GaN及相關(guān)合金可用于制造藍(lán)色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學(xué)蝕刻結(jié)果有限，因此人們投入了大量精力來開發(fā)干法蝕刻工藝。干法蝕刻開發(fā)一開始集中于臺面結(jié)構(gòu)，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側(cè)壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:562337 
三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:022010 
另外一種工藝方法是整個(gè)板子上都鍍銅，感光膜以外的部分僅僅是錫或鉛錫抗蝕層。這種工藝稱為“全板鍍銅工藝“。與圖形電鍍相比，全板鍍銅的缺點(diǎn)是板面各處都要鍍兩次銅而且蝕刻時(shí)還必須都把它們腐蝕掉。
2023-12-06 15:03:452207 光照條件的設(shè)置、掩模版設(shè)計(jì)以及光刻膠工藝等因素對分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評估光刻工藝的難度，ASML認(rèn)為其物理極限在0.25，k?體現(xiàn)了各家晶圓廠運(yùn)用光刻技術(shù)的水平。
2023-12-18 10:53:052730 
共讀好書 高曉義 陳益鋼 （上海大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院 上海飛凱材料科技股份有限公司） 摘要： 在先進(jìn)封裝的銅種子層濕法蝕刻工藝中，電鍍銅鍍層的蝕刻存在各向異性的現(xiàn)象。研究結(jié)果表明，在磷酸、雙氧水
2024-02-21 15:05:572256 
利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。
2024-03-06 14:28:502581 
在萬物互聯(lián)，AI革命興起的今天，半導(dǎo)體芯片已成為推動現(xiàn)代社會進(jìn)步的心臟。而光刻(Lithography)技術(shù)，作為先進(jìn)制造中最為精細(xì)和關(guān)鍵的工藝，不管是半導(dǎo)體芯片、MEMS器件，還是微納光學(xué)元件都離不開光刻工藝的參與，其重要性不言而喻。本文將帶您一起認(rèn)識光刻工藝的基本知識。
2024-08-26 10:10:073247 
分辨率增強(qiáng)及技術(shù)(Resolution Enhancement Technique, RET)實(shí)際上就是根據(jù)已有的掩膜版設(shè)計(jì)圖形，通過模擬計(jì)算確定最佳光照條件，以實(shí)現(xiàn)最大共同工藝窗口(Common Process Window)，這部分工作一般是在新光刻工藝研發(fā)的早期進(jìn)行 。
2024-10-18 15:11:472854 
“ 光刻作為半導(dǎo)體中的關(guān)鍵工藝，其中包括3大步驟的工藝：涂膠、曝光、顯影。三個(gè)步驟有一個(gè)異常，整個(gè)光刻工藝都需要返工處理，因此現(xiàn)場異常的處理顯得尤為關(guān)鍵”
2024-10-22 13:52:103498 蝕刻的歷史方法是使用濕法蝕刻劑的浸泡技術(shù)。該程序類似于前氧化清潔沖洗干燥過程和沉浸顯影。晶圓被浸入蝕刻劑罐中一段時(shí)間，轉(zhuǎn)移到?jīng)_洗站去除酸，然后轉(zhuǎn)移到最終沖洗和旋轉(zhuǎn)干燥步驟。濕法蝕刻用于特征尺寸大于3微米的器件。在該水平以下，需要控制和精度，需要干法蝕刻技術(shù)。
2024-10-24 15:58:43945 
芯片濕法蝕刻工藝是一種在半導(dǎo)體制造中使用的關(guān)鍵技術(shù)，主要用于通過化學(xué)溶液去除硅片上不需要的材料。 基本概念 濕法蝕刻是一種將硅片浸入特定的化學(xué)溶液中以去除不需要材料的工藝，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件如芯片
2024-12-27 11:12:401538 一、光刻工藝概述 光刻工藝是半導(dǎo)體制造的核心技術(shù)，通過光刻膠在特殊波長光線或者電子束下發(fā)生化學(xué)變化，再經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等工藝過程，將設(shè)計(jì)在掩膜上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，是現(xiàn)代半導(dǎo)體、微電子、信息產(chǎn)業(yè)
2025-06-09 15:51:162129 晶圓蝕刻與擴(kuò)散是半導(dǎo)體制造中兩個(gè)關(guān)鍵工藝步驟，分別用于圖形化蝕刻和雜質(zhì)摻雜。以下是兩者的工藝流程、原理及技術(shù)要點(diǎn)的詳細(xì)介紹：一、晶圓蝕刻工藝流程1.蝕刻的目的圖形化轉(zhuǎn)移：將光刻膠圖案轉(zhuǎn)移到晶圓表面
2025-07-15 15:00:221224 
光刻工藝是芯片制造的關(guān)鍵步驟，其精度直接決定集成電路的性能與良率。隨著制程邁向3nm及以下，光刻膠圖案三維結(jié)構(gòu)和層間對準(zhǔn)精度的控制要求達(dá)納米級，傳統(tǒng)檢測手段難滿足需求。光子灣3D共聚焦顯微鏡憑借非
2025-08-05 17:46:43946 
制造工藝的深刻理解，將濕法蝕刻這一關(guān)鍵技術(shù)與我們自主研發(fā)的高精度檢測系統(tǒng)相結(jié)合，為行業(yè)提供從工藝開發(fā)到量產(chǎn)管控的完整解決方案。濕法蝕刻工藝：高精度制造的核心技術(shù)M
2025-08-11 14:27:121257 
一、引言
玻璃晶圓在半導(dǎo)體制造、微流控芯片等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，光刻工藝作為決定器件圖案精度與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對玻璃晶圓的質(zhì)量要求極為嚴(yán)苛 ?？偤穸绕睿═TV）是衡量玻璃晶圓質(zhì)量的重要指標(biāo)，其厚度
2025-10-09 16:29:24576 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論